專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法以及加速度傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻技術(shù)，例如能夠適用在具有梁構(gòu)造的可動(dòng)部分的加速度傳感器中的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)1中介紹了具有梁構(gòu)造的可動(dòng)部分的加速度傳感器。加速度傳感器的傳感器元件具有作為梁構(gòu)造體的一部分的可動(dòng)電極和第1以及第2固定電極和靜電力抵消用固定電極。用帽蓋襯底的凹部覆蓋并保護(hù)傳感器元件部分，另一方面，經(jīng)過(guò)上述4個(gè)電極和布線連接的電極取出部分設(shè)置成沒(méi)有被帽蓋襯底的凹部所覆蓋。
加速度傳感器的梁構(gòu)造體是通過(guò)預(yù)先形成支撐該梁構(gòu)造體的犧牲層、在其上面形成并構(gòu)圖導(dǎo)電層(例如摻雜多晶硅)、然后去除犧牲層而形成。由此，在形成導(dǎo)電層以后從與梁構(gòu)造體相同一側(cè)使用光刻技術(shù)形成用于取得與搭載梁構(gòu)造的硅襯底的接觸的開(kāi)口時(shí)，需要用光致抗蝕劑良好地覆蓋導(dǎo)電層的厚度與犧牲層的厚度之和這種程度的臺(tái)階。這里，導(dǎo)電層自身具有3.5～4.0μm左右的厚度，犧牲層也具有2.0～2.5μm左右的厚度，兩者的厚度和超過(guò)5μm。從而，為了良好地覆蓋這樣的臺(tái)階，希望加厚光致抗蝕劑的厚度。
但是，一般如果較厚地形成光致抗蝕劑則易于發(fā)生裂紋，為了避免裂紋而形成較厚的光致抗蝕劑，最好分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑。另外，在以厚的光致抗蝕劑作為腐蝕掩模的情況下，還將導(dǎo)致該腐蝕中的腐蝕速率降低的問(wèn)題，需要增多腐蝕的次數(shù)。
另外，關(guān)于在接觸孔的上部設(shè)置了圓錐部分的接觸孔的形成方法有專利文獻(xiàn)2。另外，關(guān)于為了易于設(shè)置上層金屬布線疊層多種層間膜，平坦化并且利用該膜的腐蝕速率的差在接觸孔上設(shè)置圓錐接觸孔，提高金屬布線的覆蓋性的技術(shù)有專利文獻(xiàn)3。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2001-119040號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開(kāi)平8-274066號(hào)專利文獻(xiàn)3特開(kāi)平5-190690號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于在形成與半導(dǎo)體襯底例如搭載加速度傳感器的硅襯底連接的電極時(shí)，降低光致抗蝕劑覆蓋的臺(tái)階的技術(shù)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第1制造的方法具備工藝(a)至(i)。在工藝(a)中，在設(shè)置于半導(dǎo)體襯底(1)上的絕緣層(2)的表面上形成布線(61)，在工藝(b)中設(shè)置選擇性地去除上述絕緣層使上述半導(dǎo)體襯底露出的第1開(kāi)口(80)，在工藝(c)中，在上述工藝(b)以后，在上述絕緣層的上形成具有使上述布線的中央部分露出的第2開(kāi)口(81)和包括上述第1開(kāi)口并且比該開(kāi)口寬的第3開(kāi)口(83)的犧牲層(4)，在工藝(d)中，在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性半導(dǎo)體(5)，在工藝(e)中，在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體上形成第1掩模(301)，在工藝(f)中使用上述第1掩模進(jìn)行上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體的腐蝕，形成與上述布線連接的第1電極(51)，在工藝(g)中在上述工藝(f)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電膜(9)，在工藝(h)中選擇性地去除上述導(dǎo)電膜，在上述第1開(kāi)口中形成與上述半導(dǎo)體襯底接觸的第2電極(90)，在工藝(i)中去除上述犧牲層。
如果依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第1制造的方法，則由于在工藝(d)之前進(jìn)行工藝(b)，因此不需要加厚成為用于進(jìn)行第1開(kāi)口的腐蝕掩模的光致抗蝕劑。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第2制造方法具備工藝(a)至(i)。在工藝(a)中，在具有局部突出的凸部(1a)的半導(dǎo)體襯底(1)的表面上，形成使上述凸部露出的絕緣層(2)，在工藝(b)中，在上述絕緣層(2)的表面上形成布線(61)，在工藝(c)中，在上述絕緣層的上方形成具有使上述布線的中央部分露出的第1開(kāi)口(81)和使上述凸部的中央部分露出的第2開(kāi)口(83)的犧牲層(4)，在工藝(d)中，在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性半導(dǎo)體(5)，在工藝(e)中在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上形成第1掩模(301)，在工藝(f)中使用上述第1掩模進(jìn)行上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體的腐蝕，形成與上述布線連接的第1電極(51)，在工藝(g)中，在上述工藝(f)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電膜(9)，在工藝(h)中選擇性地去除上述導(dǎo)電膜，形成與上述凸部接觸的第2電極(90)，如果依據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的第2制造方法，則由于不形成用于形成第2電極的開(kāi)口，因此不需要厚的光致抗蝕劑。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第3制造的方法具備工藝(a)至(i)。在工藝(a)中，在半導(dǎo)體襯底(1)上形成絕緣層(2)，在工藝(b)中，在上述絕緣層的上方形成具有第1開(kāi)口(83)的犧牲層(4)，在工藝(c)中，在上述犧牲層上形成第1電極(51，53c)，在工藝(d)中，在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成第2犧牲膜(11)，在工藝(e)中，至少進(jìn)行上述第2犧牲膜的腐蝕，在工藝(f)中，用具有在上述第1開(kāi)口的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的第2開(kāi)口(86)的光致抗蝕劑(305)覆蓋在上述工藝(e)中得到的構(gòu)造，在工藝(g)中，把上述光致抗蝕劑作為掩模腐蝕上述第2犧牲膜，在工藝(h)中，在上述工藝(g)中開(kāi)口的范圍內(nèi)，形成接觸上述半導(dǎo)體襯底的第2電極(90)，在工藝(i)中去除上述第1犧牲層以及第2犧牲層。
如果依據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的第3制造方法，則由于在形成第2電極之前，預(yù)先用第2犧牲層緩和表面的凹凸，因此不需要加厚光致抗蝕劑。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第4制造方法具備工藝(a)至(g)。在工藝(a)中，在半導(dǎo)體襯底(1)上形成絕緣層(2)，在工藝(b)中，在上述絕緣層的上方，形成具有第1開(kāi)口(83)的第1犧牲層(4)，在工藝(c)中，在上述犧牲層上形成第1電極(51，53c)和設(shè)置在上述第1電極與上述第1開(kāi)口之間的虛擬體(54)，在工藝(d)中，在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造上，形成具有在上述第1開(kāi)口的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的第2開(kāi)口(86)的光致抗蝕劑(307)，在工藝(e)中，把上述光致抗蝕劑作為掩模腐蝕上述絕緣層，使上述半導(dǎo)體襯底露出，在工藝(f)中，形成與露出的上述半導(dǎo)體襯底接觸的第2電極(90)，在工藝(g)中去除上述犧牲層。
如果依據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的第4制造方法，則通過(guò)存在虛擬體，能夠抑制第1開(kāi)口中的光致抗蝕劑的膜厚下降，不需要加厚光致抗蝕劑的厚度。
本發(fā)明的第1加速度傳感器具備半導(dǎo)體襯底(1)，絕緣層(2)，固定電極(51)，襯底電極(90)。上述半導(dǎo)體襯底具有凸部(1a)，上述絕緣層(2)設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底上使上述凸部的頂面露出，上述固定電極(51)設(shè)置在上述絕緣層的上方，上述襯底電極在上述半導(dǎo)體襯底的上述凸部的上述底面中與上述半導(dǎo)體襯底接觸。
在制造本發(fā)明的第1加速度傳感器時(shí)，由于沒(méi)有形成用于形成襯底電極的開(kāi)口，因此不需要厚的光致抗蝕劑。
本發(fā)明的第2加速度傳感器具有固定電極(51)和可動(dòng)電極(53)，上述固定電極(51)與可動(dòng)電極(53)之間的距離是4μm以下。
在本發(fā)明的第2加速度傳感器中，即使減薄光致抗蝕劑的膜厚也能夠覆蓋性良好地覆蓋固定電極以及可動(dòng)電極。
本發(fā)明的目的、特征、形態(tài)以及優(yōu)點(diǎn)將根據(jù)以下詳細(xì)的說(shuō)明和附圖進(jìn)一步明確。


圖1是示出能夠適用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的制造方法的加速度傳感器的構(gòu)造的一部分的平面圖。
圖2(a)，(b)分別是圖1的位置AA以及位置BB中的剖面圖。
圖3至圖11是按照工程順序示出在實(shí)施形態(tài)1中制造加速度傳感器的方法的剖面圖。
圖12是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的優(yōu)點(diǎn)的剖面圖。
圖13是示出能夠適用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的制造方法的加速度傳感器的構(gòu)造的一部分的平面圖。
圖14(a)，(b)分別是圖13的位置EE以及位置FF中的剖面圖。
圖15至圖23是按照工藝順序示出在實(shí)施形態(tài)2中制造加速度傳感器的方法的剖面圖。
圖24是示出能夠適用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的制造方法的加速度傳感器的構(gòu)造的一部分的剖面圖。
圖25至圖34是按照工藝順序示出在實(shí)施形態(tài)3中制造加速度傳感器的方法的剖面圖。
圖35以及圖36是示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的剖面圖。
圖37是示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的剖面圖。
圖38是示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施形態(tài)1圖1是示出能夠適用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的制造方法的加速度傳感器的構(gòu)造的一部分的平面圖。圖2(a)、(b)分別是圖1的位置AA以及位置BB中的剖面圖。在半導(dǎo)體襯底1上順序地疊層絕緣層2和絕緣膜3，構(gòu)成襯底100。半導(dǎo)體襯底1，絕緣層2，絕緣膜3分別采用例如硅，氧化硅，氮化硅。
絕緣膜3具有使屏蔽膜99露出的開(kāi)口31，在開(kāi)口31中設(shè)置質(zhì)量體53。質(zhì)量體53具有可動(dòng)電極53a，支柱53b以及彈性部分53c。支柱53b的兩端固定在襯底100上，除去該端部的支柱53b以及可動(dòng)電極53a、彈性部分53c與絕緣層2離開(kāi)懸置。圖1中僅示出支柱53b的一端?？蓜?dòng)電極53a在支柱53b的兩端之間從支柱53b向圖中左右方向延伸到梳齒上。彈性部分53c也在支柱53b的兩端之間從支柱53b向圖中左右方向延伸，再返回到支柱53b，描繪出U形曲線。彈性部分53c由于在圖中上下方向容易彈性變形，因此支柱53b接受外力沿著圖中上下方向移動(dòng)，而如果沒(méi)有外力則通過(guò)彈性部分53c的復(fù)原力返回到預(yù)定的位置。從而彈性部分53c也同樣移動(dòng)。另外，支柱53b的兩端也可以在開(kāi)口31的外側(cè)固定在襯底100上。
沿著圖中上下方向交互設(shè)置多個(gè)固定電極51、52。這些電極的每一個(gè)的一端在開(kāi)口31中與絕緣層2離開(kāi)懸置。固定電極51、52的該一端與可動(dòng)電極53a隔開(kāi)預(yù)定的間隙交互嚙合。固定電極51、52的另一端每一個(gè)都在開(kāi)口31的外側(cè)固定在襯底100上。固定電極51、52以及質(zhì)量體53例如都能夠采用以光刻工藝形成的多晶硅。
為了保護(hù)固定電極51、52以及質(zhì)量體53，把它們用未圖示的具有凹部的帽蓋覆蓋。為了把這樣的帽蓋與襯底100結(jié)合，在絕緣膜3上設(shè)置包圍開(kāi)口31的半導(dǎo)體膜50。例如，如果用硅形成帽蓋，則半導(dǎo)體膜50采用在與固定電極51、52以及質(zhì)量體53相同光刻工藝中形成的多晶硅。
固定電極51之間用布線61連接，固定電極52之間用布線62連接。另外，可動(dòng)電極53a經(jīng)過(guò)支柱53b連接到布線63。布線61、62和屏蔽膜99形成在絕緣層2的上表面(接近絕緣膜3一側(cè)的表面)上。它們例如采用在相同的光刻工藝中形成的多晶硅。絕緣膜3使布線61、62露出。固定電極51、52即使受到外力也不移動(dòng)。由此，能夠根據(jù)在固定電極51與可動(dòng)電極53a之間發(fā)生的靜電電容以及固定電極52與可動(dòng)電極53a之間發(fā)生的靜電電容，了解外力的大小。
為了能夠從外部檢測(cè)這樣的靜電電容，布線61和63還分別連接到設(shè)置在相對(duì)于半導(dǎo)體膜50與開(kāi)口31相反一側(cè)的外部電極91和92上。布線62也相同，連接到設(shè)置在相對(duì)于半導(dǎo)體膜50與開(kāi)口31相反一側(cè)的外部電極(未圖示)上。
進(jìn)而與半導(dǎo)體1連接的電極90設(shè)置在相對(duì)于半導(dǎo)體膜50與開(kāi)口31相反的一側(cè)。電極90具有測(cè)定或者從外部決定半導(dǎo)體襯底1的電位的功能。例如，起到加速度傳感器中的襯底電極的作用。
其次，使用圖3至圖11按照工藝順序說(shuō)明具有上述構(gòu)造的加速度傳感器的制造方法。其中，各圖中采用了(a)、(b)的圖面分別示出與圖1的位置AA以及位置BB相當(dāng)?shù)奈恢弥械钠拭妗?br> 首先如圖3所示，在半導(dǎo)體襯底1上形成絕緣層2。然后，腐蝕去除應(yīng)該敷設(shè)布線61和屏蔽膜99的位置上的絕緣層2的表面，然后形成布線61和絕緣膜99。布線61和絕緣膜99的表面形成為與絕緣層2的表面大致平坦。圖3中雖然沒(méi)有示出，然而布線62和63也與布線61和屏蔽膜99一樣形成。
其次，如圖4所示，選擇性地去除絕緣層2，設(shè)置使半導(dǎo)體襯底1露出的開(kāi)口80。在開(kāi)口80中，在后面的工藝中設(shè)置與半導(dǎo)體襯底1連接的電極90。在圖4所示的構(gòu)造中，絕緣層2、布線61和屏蔽膜99的表面大致平坦。圖4中雖然沒(méi)有出現(xiàn)，但是同樣布線62和63的表面與絕緣層2的表面大致平坦。從而，即使減薄成為用于形成開(kāi)口80的腐蝕掩模的光致抗蝕劑，也能夠良好地覆蓋這些表面。為了避免在較厚地形成光致抗蝕劑時(shí)易于發(fā)生的裂紋，希望分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑。成為用于形成開(kāi)口80的腐蝕掩模的光致抗蝕劑不需要分開(kāi)多次涂敷。另外，還不會(huì)導(dǎo)致在把厚的光致抗蝕劑用作為腐蝕掩模時(shí)易于發(fā)生的腐蝕速率降低的問(wèn)題。
其次，如圖5所示，在圖4所示構(gòu)造的上側(cè)(即與半導(dǎo)襯底1相反一側(cè))選擇性地設(shè)置絕緣膜3。絕緣層3選擇性地覆蓋絕緣層2。具體地講，絕緣膜3也覆蓋在開(kāi)口80中出現(xiàn)的絕緣層2的端面，而使布線61頂面的中央部分(以下，不僅是布線61，在其它的構(gòu)成要素中，也把頂面的中央部分簡(jiǎn)單地稱為「中央部分」)和在開(kāi)口80中出現(xiàn)的半導(dǎo)體襯底1的中央部分露出。進(jìn)而，絕緣膜3具有使屏蔽膜99露出的開(kāi)口31。在對(duì)于圖4所示的構(gòu)造全面地形成了絕緣膜3以后，把光致抗蝕劑采用為腐蝕掩模通過(guò)腐蝕選擇性地去除絕緣膜3，能夠得到圖5所示的構(gòu)造。由于成為該腐蝕掩模的光致抗蝕劑要覆蓋的臺(tái)階僅是絕緣層2的膜厚左右，因此不需要分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑，另外還不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。另外，絕緣膜3覆蓋布線61的邊緣部分和在開(kāi)口80中出現(xiàn)半導(dǎo)體襯底1的邊緣部分是為了防止在后述的犧牲層的腐蝕時(shí)使用的腐蝕劑進(jìn)入到絕緣層2中腐蝕絕緣層2。
其次，如圖6所示，在圖5所示構(gòu)造的上側(cè)選擇性地形成犧牲層4。具體地講，犧牲層4具有在布線61的上方(而且雖然沒(méi)有在圖6中出現(xiàn)，但是在布線62、63的上方也相同)使絕緣膜3的端部以及布線61的中央部分露出的開(kāi)口81、在后面的工藝中應(yīng)形成半導(dǎo)體膜50的位置上使絕緣膜3露出的開(kāi)口82和在包括開(kāi)口80以及更廣泛的范圍使絕緣膜3露出的開(kāi)口83。
在對(duì)于圖5所示的構(gòu)造全面地形成了犧牲層4以后，通過(guò)把光致抗蝕劑采用為腐蝕掩模的腐蝕選擇性地去除犧牲層4，能夠得到圖6所示的構(gòu)造。由于成為該腐蝕掩模的光致抗蝕劑覆蓋的臺(tái)階僅是絕緣層2的膜厚左右，因此不需要分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑，另外還不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。
其次，如圖7所示，在圖6所示的構(gòu)造的上側(cè)順序地疊層以摻雜多晶硅膜5、TEOS(原硅酸四乙酯)為原料的氧化硅膜(以下稱為「 TEOS膜」)301。而且，在TEOS膜301上涂敷光致抗蝕劑302并進(jìn)行構(gòu)圖，在要形成半導(dǎo)體膜50、固定電極51、52和質(zhì)量體53的位置上殘留光致抗蝕劑302。光致抗蝕劑302覆蓋的臺(tái)階在開(kāi)口80附近成為絕緣層2的膜厚和犧牲層4的膜厚之和左右。而應(yīng)殘留的光致抗蝕劑302覆蓋的臺(tái)階沒(méi)有超過(guò)犧牲層4的膜厚，即使在開(kāi)口80附近光致抗蝕劑302的覆蓋性惡化，在以后的處理中也不會(huì)成為障礙。由此，能夠減薄光致抗蝕劑302的厚度。接著，以光致抗蝕劑302作為腐蝕掩模進(jìn)行TEOS膜301的腐蝕并進(jìn)行構(gòu)圖(圖8)。
其次，把殘留的TEOS膜301作為硬掩模，進(jìn)行摻雜多晶硅膜5的腐蝕，如圖9所示，形成半導(dǎo)體膜50和固定電極51。通過(guò)該腐蝕，TEOS膜301的膜厚例如有時(shí)減少到60％左右。圖9中雖然沒(méi)有出現(xiàn)，但是固定電極52和質(zhì)量體53也同樣形成。在開(kāi)口83附近，露出絕緣膜3以及使其露出的半導(dǎo)體襯底1。
其次，如圖10所示，對(duì)于圖9所示的構(gòu)造全面地形成金屬膜9。金屬膜9例如采用包括硅的鋁合金。而且，在要形成電極90的位置，被構(gòu)圖了的光致抗蝕劑303覆蓋金屬膜9。電極90可以殘留在開(kāi)口83內(nèi)，不必形成在犧牲層4上。由此，光致抗蝕劑303要覆蓋的臺(tái)階僅是絕緣層2的膜厚左右，不需要分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑，另外還不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。
其次，通過(guò)把光致抗蝕劑303作為掩模的腐蝕選擇性地去除金屬膜9，如圖11所示，形成與半導(dǎo)體襯底1接觸的電極90。然后，通過(guò)腐蝕去除犧牲層4以及TEOS膜301，可以得到圖2所示的構(gòu)造。例如，在犧牲層4的腐蝕中采取使用了氟酸的濕法腐蝕。
圖12是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的優(yōu)點(diǎn)的剖面圖。如果在形成半導(dǎo)體膜50和固定電極51(雖然沒(méi)有出現(xiàn)在圖中，但是固定電極52和質(zhì)量體53也相同)之后要想得到用于使電極90接觸半導(dǎo)體襯底1的開(kāi)口80，必須形成在要形成開(kāi)口80的位置開(kāi)口的光致抗蝕劑304。由于光致抗蝕劑304在開(kāi)口83中覆蓋絕緣膜3而且還覆蓋半導(dǎo)體膜50和固定電極51，因此要覆蓋的臺(tái)階達(dá)到半導(dǎo)體膜50、固定電極51的厚度(從而摻雜多晶硅膜5的厚度)與犧牲層4的厚度之和左右，需要加厚光致抗蝕劑304。然而如果加厚光致抗蝕劑304，則擔(dān)心上述裂紋的問(wèn)題，以及為了避免該問(wèn)題需要多次涂敷工藝的問(wèn)題，或者腐蝕速率降低的問(wèn)題。
對(duì)此，在本發(fā)明中，由于在形成犧牲層4或者半導(dǎo)體膜50和固定電極51之前，形成用于形成電極90的開(kāi)口80，因此具有不需要厚的光致抗蝕劑的優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施形態(tài)2圖13是示出能夠適用本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的制造方法的加速度傳感器的構(gòu)造的一部分的平面圖。另外，圖14(a)、(b)分別是圖13的位置EE以及位置FF中的剖面圖。圖13的位置EE以及位置FF分別與圖1的位置AA以及位置BB相當(dāng)。
本實(shí)施例中的加速度傳感器與實(shí)施形態(tài)1中的加速度傳感器相比較，特征性的不同點(diǎn)在于為了使電極90到達(dá)半導(dǎo)體襯底1，不是使電極90貫通絕緣層2，而是使半導(dǎo)體襯底1貫通絕緣層2。
使用圖15至圖23按照工藝順序說(shuō)明制造具有上述構(gòu)造的加速度傳感器的方法。其中，各圖中采用(a)、(b)的圖面分別示出與圖13的位置EE以及位置FF相當(dāng)位置中的剖面。
如圖15所示，準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底1。然后在設(shè)置電極90的位置，半導(dǎo)體襯底1具有局部突出的凸部1a，作為用于形成這種凸部1a的處理的例子，可以舉出以在隨后設(shè)置了電極90的位置作為掩模進(jìn)行各向異性腐蝕，使得減少?zèng)]有掩蔽部分的半導(dǎo)體襯底1的厚度。
接著如圖16所示，在半導(dǎo)體襯底1的具有凸部1a一側(cè)的面上(以下稱為「表面」)形成絕緣層2。絕緣層2在凸部1a的附近反映凸部1a的形狀而隆起。
接著，對(duì)絕緣層2進(jìn)行回腐蝕并且平坦化，使得露出凸部1a的頂面。進(jìn)而，腐蝕去除要敷設(shè)布線61和屏蔽膜99的位置中的絕緣層2的表面，然后形成布線61和屏蔽膜99。與絕緣層2的表面大致平坦地形成布線61和屏蔽膜99的表面。進(jìn)而，在絕緣層2以及布線61和屏蔽膜99的上面選擇性地設(shè)置絕緣膜3。具體地講，絕緣膜3具有使屏蔽膜99露出的開(kāi)口31，進(jìn)而使布線61以及凸部1a的中央部分露出。在對(duì)于圖16所示的構(gòu)造全面地形成了絕緣膜3以后，通過(guò)采用以光致抗蝕劑作為腐蝕掩模的腐蝕選擇性地去除絕緣膜3，能夠得到圖17所示的構(gòu)造。對(duì)于該光致抗蝕劑也如在實(shí)施形態(tài)1中說(shuō)明過(guò)的那樣，不需要分開(kāi)多次涂敷，另外也不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。雖然在圖17中沒(méi)有出現(xiàn)，但是布線62和63也與布線61同樣形成。
其次，如圖18所示，在圖17所示的構(gòu)造的上側(cè)選擇性地形成犧牲層4。具體地講，犧牲層4具有在布線61的上方(雖然在圖18中沒(méi)有出現(xiàn)，但是在布線62、63的上方也相同)使絕緣膜3的端部以及布線61的中央部分露出的開(kāi)口81、在后面的工藝中要形成半導(dǎo)體膜50的位置上使絕緣膜3露出的開(kāi)口82和使凸部1a的中央部分以及絕緣膜3露出的開(kāi)口83。
在對(duì)于圖17所示的構(gòu)造全面地形成了犧牲層4以后，通過(guò)把光致抗蝕劑采用為腐蝕掩模的腐蝕選擇性地去除犧牲層4，能夠得到圖18所示的構(gòu)造。對(duì)于該腐蝕掩模也如在實(shí)施形態(tài)1中說(shuō)明過(guò)的那樣，不需要分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑，另外還不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。
其次，如圖19所示，在圖18所示的構(gòu)造的上側(cè)順序地疊層摻雜多晶硅膜5和TEOS膜301。而且，在TEOS膜301上涂敷光致抗蝕劑302，進(jìn)行構(gòu)圖，在要形成半導(dǎo)體膜50、固定電極51、52和質(zhì)量體53的位置上殘留光致抗蝕劑302。由于光致抗蝕劑302覆蓋的臺(tái)階不過(guò)是犧牲層4的膜厚左右，因此覆蓋性不會(huì)成為問(wèn)題，能夠減薄光致抗蝕劑302的厚度。接著，以光致抗蝕劑302作為腐蝕掩模進(jìn)行TEOS膜301的腐蝕并進(jìn)行構(gòu)圖(圖20)。
其次，把殘留的TEOS膜301作為硬掩模，進(jìn)行摻雜多晶硅膜5的腐蝕，如圖21所示，形成半導(dǎo)體膜50和固定電極51。通過(guò)該腐蝕，TEOS膜301的膜厚例如有時(shí)減少到60％左右。圖21中雖然沒(méi)有出現(xiàn)，但是固定電極52和質(zhì)量體53也同樣形成。在開(kāi)口83附近，露出絕緣膜3以及使其露出的凸部1a的中央部分。
其次，如圖22所示，對(duì)于圖21所示的構(gòu)造全面地形成金屬膜9。在要形成電極90的位置，被構(gòu)圖了的光致抗蝕劑303覆蓋金屬膜9。如在實(shí)施形態(tài)1中說(shuō)明過(guò)的那樣，不需要分開(kāi)多次涂敷光致抗蝕劑303，另外還不會(huì)導(dǎo)致腐蝕速率降低的問(wèn)題。
其次，通過(guò)把光致抗蝕劑303作為掩模的腐蝕選擇性地去除金屬膜9，如圖11所示，形成與半導(dǎo)體襯底1接觸的電極90。然后，通過(guò)腐蝕去除犧牲層4以及TEOS膜301，可以得到圖14所示的構(gòu)造。
在如以上那樣制造本實(shí)施形態(tài)例示的加速度傳感器時(shí)，由于沒(méi)有形成用于形成電極90的開(kāi)口80，因此具有不需要厚的光致抗蝕劑的優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施形態(tài)3圖24是圖1的位置CC中的剖面圖。在該剖面中，在使屏蔽膜99露出的開(kāi)口31的上方設(shè)置可動(dòng)電極53a和彈性部分53c。而且在絕緣膜3存在的區(qū)域中設(shè)置半導(dǎo)體膜50，設(shè)置貫通絕緣層2以及絕緣膜3到達(dá)半導(dǎo)體襯底1的電極90。
使用圖25至圖33按照工藝順序說(shuō)明制造具有上述構(gòu)造的加速度傳感器的方法。其中，各圖示出相當(dāng)于圖1的位置CC的位置中的剖面。
首先，在半導(dǎo)體襯底1上設(shè)置絕緣層2。接著，腐蝕去除要設(shè)置電極90的位置的絕緣膜2的表面形成凹部85。該腐蝕與在要設(shè)置屏蔽膜99的位置以及沒(méi)有出現(xiàn)在位置CC中但是要設(shè)置布線61、62、63的位置中腐蝕絕緣層2的表面的工藝相同的工藝進(jìn)行。然后，形成屏蔽膜99以及沒(méi)有出現(xiàn)在位置CC中的布線61、62、63。然后，形成具有開(kāi)口31的絕緣膜3。絕緣膜3把凹部85也包括在內(nèi)覆蓋絕緣層2，而在開(kāi)口31中使屏蔽膜99露出。然后，進(jìn)而選擇性地形成犧牲層4，進(jìn)而形成半導(dǎo)體膜體50、固定電極51、52以及質(zhì)量體53(圖25)。其中在圖25所示的剖面中，沒(méi)有出現(xiàn)固定電極51、52以及質(zhì)量體53的支柱53b。犧牲層4具有開(kāi)口82、83。經(jīng)過(guò)開(kāi)口82，半導(dǎo)體膜50與絕緣膜3接觸，開(kāi)口83在包括凹部85和比其更廣泛的范圍內(nèi)使絕緣膜露出。
其次，在圖25所示的構(gòu)造的整個(gè)面上新設(shè)置犧牲層11，得到圖26所示的構(gòu)造。犧牲層11在成為其基底的構(gòu)造中也進(jìn)入狹窄的凹部而形成。該犧牲層11例如采用氧化硅膜，特別是最好采用PSG(磷硅玻璃)膜或者BPSG(硼磷硅玻璃)膜。這是因?yàn)檫@些膜能夠進(jìn)行低溫處理，能夠容易地加厚膜厚而且能夠降低應(yīng)力?；馗g犧牲層11后，覆蓋犧牲層4以及絕緣膜3，同時(shí)露出半導(dǎo)體膜50、固定電極51、52以及質(zhì)量體53的上表面，可以得到圖27所示的構(gòu)造。
然后，在圖27所示的構(gòu)造的整個(gè)面上設(shè)置光致抗蝕劑305。其中，光致抗蝕劑305構(gòu)圖在凹部85的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的開(kāi)口86(圖28)。在開(kāi)口83內(nèi)殘留犧牲層11，從而，光致抗蝕劑305要覆蓋的臺(tái)階比沒(méi)有設(shè)置犧牲層11時(shí)減小。由此，能夠降低光致抗蝕劑305的厚度。
接著，以光致抗蝕劑305作為腐蝕掩模進(jìn)行犧牲層11的腐蝕，在開(kāi)口86中去除犧牲層11。即，犧牲層11在開(kāi)口86中在比凹部85窄的區(qū)域中使絕緣膜3露出(圖29)。
然后，以光致抗蝕劑305作為腐蝕掩模，如圖30所示，選擇性地腐蝕絕緣膜3以及絕緣層2，與開(kāi)口86相同，在開(kāi)口85的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的開(kāi)口87中使半導(dǎo)體襯底露出。進(jìn)而，如圖31所示，在整個(gè)面上形成金屬膜9，在開(kāi)口87中，露出的半導(dǎo)體襯底1與金屬膜9接觸。而且，如圖32所示，在開(kāi)口86和開(kāi)口87的外側(cè)，例如在開(kāi)口85的外側(cè)，使用光致抗蝕劑306形成覆蓋金屬膜9的腐蝕掩模。而且，把光致抗蝕劑306作為腐蝕掩模腐蝕金屬膜9，如圖33所示，形成電極90。然后，去除犧牲層4、11以及TEOS膜301，得到圖24所示的構(gòu)造。
圖34是示出本實(shí)施形態(tài)的變形的剖面圖。希望在把犧牲層11腐蝕了以后，進(jìn)而成膜SOG膜12，埋入犧牲層11的凹部。由此，能夠進(jìn)一步降低隨后設(shè)置的光致抗蝕劑305要覆蓋的臺(tái)階。
如上所述，如果依據(jù)本實(shí)施形態(tài)，則由于在形成電極90之前預(yù)先在犧牲層11中緩和表面的凹凸，因此具有不需要加厚光致抗蝕劑305的優(yōu)點(diǎn)。
另外，通過(guò)選擇性地腐蝕絕緣膜3以及絕緣層2形成開(kāi)口87，通過(guò)形成開(kāi)口87，在與電極90接觸的位置使半導(dǎo)體襯底1露出。從而，即使不一定預(yù)先形成凹部85也能夠適用本實(shí)施形態(tài)。但是，在形成開(kāi)口87時(shí)為了降低腐蝕絕緣膜2的量，最好預(yù)先形成凹部85。
實(shí)施形態(tài)4圖35是示出本實(shí)施形態(tài)的剖面圖，與實(shí)施形態(tài)3的圖25相當(dāng)。在本實(shí)施形態(tài)中，在實(shí)施形態(tài)3中說(shuō)明過(guò)的工藝中，在形成半導(dǎo)體膜50、固定電極51、52以及質(zhì)量體53時(shí)，也同時(shí)形成虛擬體54。虛擬體54不需要對(duì)于加速度傳感器的功能做出貢獻(xiàn)。虛擬體54在固定電極51、質(zhì)量體53、半導(dǎo)體膜50與開(kāi)口83之間設(shè)置在犧牲層4上。但是與半導(dǎo)體膜50、固定電極51、52以及質(zhì)量體53不同，在某一個(gè)位置不需要接觸絕緣膜2或者絕緣膜3。從而，通過(guò)接近犧牲層4設(shè)置，在隨后的工藝中去除犧牲層4時(shí)，還能夠與犧牲層4一起去除。
圖36對(duì)于圖35所示的構(gòu)造，示出形成構(gòu)圖了開(kāi)口86的光致抗蝕劑307的構(gòu)造。虛擬體54比固定電極51、質(zhì)量體53和半導(dǎo)體膜50更接近要形成電極90的位置(圖36中形成凹部85的位置)。由此設(shè)置虛擬體54的情況與沒(méi)有設(shè)置的情況相比較，在要形成電極90的位置附近能夠抑制由于減少光致抗蝕劑307的厚度引起的對(duì)于加速度傳感器的惡劣影響。而且，即使光致抗蝕劑307的覆蓋性差，沒(méi)有覆蓋虛擬體54也無(wú)關(guān)緊要。與半導(dǎo)體膜50不同，虛擬體54沒(méi)有被光致抗蝕劑307覆蓋的結(jié)果，即使虛擬體54被腐蝕，在加速度傳感器的結(jié)構(gòu)方面也沒(méi)有影響。
然后，把光致抗蝕劑307作為掩模腐蝕絕緣膜3和絕緣層2使半導(dǎo)體襯底1露出。而且，通過(guò)在整個(gè)面沉積并選擇性地腐蝕金屬膜9，形成與露出的半導(dǎo)體襯底1接觸的電極90，去除犧牲層4。
由此，如果依據(jù)本實(shí)施形態(tài)，則具有不需要加厚光致抗蝕劑307的厚度的優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施形態(tài)5圖37是進(jìn)行圖36所示的處理時(shí)的與圖11的位置DD相當(dāng)?shù)钠拭鎴D。在半導(dǎo)體襯底1上順序疊層絕緣膜2，屏蔽膜99，絕緣膜3和犧牲層4。在犧牲層4上形成固定電極51、52、彈性部分53c以及可動(dòng)電極53a。其中，在圖37所示的畫(huà)面中沒(méi)有出現(xiàn)虛擬體54。另外，示出很薄地形成了光致抗蝕劑307，光致抗蝕劑307的表面反映固定電極51、52、彈性部分53c以及可動(dòng)電極53a的形狀而具有凹凸的情況。
在這樣使光致抗蝕劑307很薄的情況下，在固定電極51、52、彈性部分53c以及可動(dòng)電極53a的肩部J，即固定電極51、52、彈性部分53c以及可動(dòng)電極53a的頂面的端部J中，光致抗蝕劑307的膜厚最薄。而通過(guò)使固定電極51、52以及可動(dòng)電極53a之間的距離，或者可動(dòng)電極53a與彈性部分53c之間的距離d狹窄，能夠避免減薄肩部J中的光致抗蝕劑307的膜厚。
圖38是示出固定電極51、52、彈性部分53c以及可動(dòng)電極53a的高度h為3.5μm時(shí)的肩部J中的光致抗蝕劑307的膜厚t與距離d的關(guān)系的曲線圖。符號(hào)圓圈，四角形，三角形分別示出光致抗蝕劑307的平坦部分的膜厚為2.5μm，3.0μm、3.5μm的情況。一般，在平坦部分中通過(guò)一次涂敷得到的光致抗蝕劑307的膜厚小于等于3.5μm。另一方面，在后面的工藝中去除絕緣膜2、3時(shí)如果考慮采用干法腐蝕，則需要在除去虛擬體54附近，光致抗蝕劑307是500nm左右。從而，從圖38能夠得出結(jié)論即希望距離d小于等于4μm。
如上所述，在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)把固定電極與可動(dòng)電極(包括彈性部分)之間的距離取為小于等于4μm，即使減薄覆蓋它們的光致抗蝕劑307的膜厚，覆蓋性也很出色，具有不需要分為多次涂敷的優(yōu)點(diǎn)。圖37中雖然沒(méi)有出現(xiàn)，但是在本實(shí)施形態(tài)中也與實(shí)施形態(tài)4相同。設(shè)置虛擬體54。
雖然詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明，但是上述的發(fā)明在所有的形態(tài)中只是一種例示，本發(fā)明并不限于這些形態(tài)。應(yīng)該理解為在不脫離本發(fā)明范圍的情況下也可以設(shè)想沒(méi)有例示的大量變形例。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于具備(a)在設(shè)置于半導(dǎo)體襯底(1)上的絕緣層(2)的表面上形成布線(61)的工藝；(b)設(shè)置選擇性地去除上述絕緣層使上述半導(dǎo)體襯底露出的第1開(kāi)口(80)的工藝；(c)在上述工藝(b)以后，在上述絕緣層的上方成具有使上述布線的中央部分露出的第2開(kāi)口(81)和包括上述第1開(kāi)口并且比該開(kāi)口寬的第3開(kāi)口(83)的犧牲層(4)的工藝；(d)在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性半導(dǎo)體(5)的工藝；(e)在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體上形成第1掩模(301)的工藝；(f)使用上述第1掩模進(jìn)行上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體的腐蝕，形成與上述布線連接的第1電極(51)的工藝；(g)在上述工藝(f)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電膜(9)的工藝；(h)選擇性地去除上述導(dǎo)電膜，在上述第1開(kāi)口中形成與上述半導(dǎo)體襯底接觸的第2電極(90)的工藝；(i)去除上述犧牲層的工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還具備在上述工藝(b)與上述工藝(c)之間執(zhí)行的(j)形成使上述布線的中央部分以及上述第1開(kāi)口的中央部分露出的絕緣膜(3)的工藝，上述犧牲層在上述布線的上方使上述絕緣膜的端部露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述工藝(e)具有(e-1)在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體上形成氧化膜(301)的工藝；(e-2)形成覆蓋要形成上述第1電極的位置的光致抗蝕劑(302)的工藝；(e-3)以上述光致抗蝕劑作為第2掩模進(jìn)行上述氧化膜的腐蝕，形成上述第1掩模的工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述布線的表面形成為與上述絕緣層的表面大致平坦。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述第1電極起到加速度傳感器的固定電極的作用，上述第2電極起到上述加速度傳感器的襯底電極的作用。
6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于具備(a)在具有局部突出的凸部(1a)的半導(dǎo)體襯底(1)上形成使上述凸部露出的絕緣層(2)的工藝；(b)在上述絕緣層(2)的表面形成布線(61)的工藝；(c)在上述絕緣層的上方成具有使上述布線的中央部分露出的第1開(kāi)口(81)和使上述凸部的中央部分露出的第2開(kāi)口(83)的犧牲層(4)的工藝；(d)在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電性半導(dǎo)體(5)的工藝；(e)在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體上形成第1掩模(301)的工藝；(f)使用上述第1掩模進(jìn)行上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體的腐蝕，形成與上述布線連接的第1電極(51)的工藝；(g)在上述工藝(f)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電膜(9)的工藝；(h)選擇性地去除上述導(dǎo)電膜，在上述第1開(kāi)口中形成與上述半導(dǎo)體襯底接觸的第2電極(90)的工藝；(i)去除上述犧牲層的工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述工藝(a)具有(a-1)在上述半導(dǎo)體襯底的上述表面上形成上述凸部的工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還具備在上述工藝(b)與上述工藝(c)之間執(zhí)行的(j)形成使上述布線的中央部分以及上述凸部的中央部分露出的絕緣膜(3)的工藝，上述犧牲層在上述布線的上方以及上述凸部的上方使上述絕緣膜的端部露出。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述工藝(e)具有(e-1)在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體上形成氧化膜(301)的工藝；(e-2)形成覆蓋要形成上述第1電極的位置的光致抗蝕劑(302)的工藝；(e-3)以上述光致抗蝕劑作為第2掩模進(jìn)行上述氧化膜的腐蝕，形成上述第1掩模的工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述布線的表面形成為與上述絕緣層的表面大致平坦。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述第1電極起到加速度傳感器的固定電極的作用，上述第2電極起到上述加速度傳感器的襯底電極的作用。
12.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于具備(a)在半導(dǎo)體襯底(1)上形成絕緣層(2)的工藝；(b)在上述絕緣層的上方形成具有使第1開(kāi)口(83)的第1犧牲層(4)的工藝；(c)在上述犧牲層上形成第1電極(51、53c)的工藝；(d)在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成第2替代膜(11)的工藝；(e)至少進(jìn)行上述第2替代膜的腐蝕的工藝；(f)用具有在上述第1開(kāi)口的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的第2開(kāi)口(86)的光致抗蝕劑(305)覆蓋在上述工藝(e)中得到的構(gòu)造的工藝；(g)以上述光致抗蝕劑作為掩模腐蝕上述第2替代膜的工藝；(h)在上述工藝(g)中開(kāi)口的范圍內(nèi)形成接觸上述半導(dǎo)體襯底的第2電極(90)的工藝；(i)去除上述第1犧牲層以及第2犧牲層的工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述工藝(e)具有(e-1)在進(jìn)行上述第2替代膜的腐蝕以后，在整個(gè)面上形成絕緣膜(12)的工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述工藝(h)具有(h-1)在上述工藝(g)中開(kāi)口的范圍內(nèi)腐蝕上述絕緣層使上述半導(dǎo)體襯底露出的工藝；(h-2)在上述工藝(h-1)中得到的構(gòu)造的整個(gè)面上形成導(dǎo)電膜(9)的工藝；(h-3)選擇性地去除上述導(dǎo)電膜形成第2電極的工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述第1電極起到加速度傳感器的固定電極的作用，上述第2電極起到上述加速度傳感器的襯底電極的作用。
16.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于具備(a)在半導(dǎo)體襯底(1)上形成絕緣層(2)的工藝；(b)在上述絕緣層的上方形成具有第1開(kāi)口(83)的第1犧牲層(4)的工藝；(c)在上述犧牲層上形成第電極(51、53c)，以及設(shè)置在上述第1電極與上述第1開(kāi)口之間的虛擬體(54)的工藝；(d)在上述工藝(c)中得到的構(gòu)造上，形成具有在上述第1開(kāi)口的內(nèi)側(cè)開(kāi)口的第2開(kāi)口(86)的光致抗蝕劑(307)的工藝；(e)以上述光致抗蝕劑為掩模腐蝕上述絕緣層，使上述半導(dǎo)體襯底露出的工藝；(f)形成接觸露出的上述半導(dǎo)體襯底的第2電極(90)的工藝；(g)去除上述犧牲層的工藝。
17.一種加速度傳感器，其特征在于具備半導(dǎo)體襯底(1)；設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底上的絕緣層(2)；設(shè)置在上述絕緣層上方的固定電極(51)；與上述半導(dǎo)體襯底接觸的襯底電極(90)，上述半導(dǎo)體襯底具有與上述襯底電極接觸的凸部(1a)上述絕緣層露出上述凸部的頂面，上述襯底電極在上述凸部的上述底面與上述半導(dǎo)體襯底接觸。
18.一種加速度傳感器，其特征在于具有固定電極(51)和可動(dòng)電極(53)，上述固定電極(51)與可動(dòng)電極(53)之間的距離是4μm以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供在形成與半導(dǎo)體襯底例如搭載加速度傳感器的硅襯底接觸的電極時(shí)，降低光致抗蝕劑覆蓋的臺(tái)階的技術(shù)，而且，為了達(dá)到上述目的，在形成犧牲層(4)或者半導(dǎo)體膜(50)和固定電極(51)之前，形成用于形成電極(90)的開(kāi)口(80)，由此不需要厚的光致抗蝕劑。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1643701SQ03806400
公開(kāi)日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2003年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月29日
發(fā)明者奧村美香, 堀川牧夫, 佐藤公敏 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社