專利名稱：半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器。
在以往的模塑工序中，把切斷為單片的多個散熱片分別配置在用于形成密封部的任意空腔中。即有必要分散地處理多個單片的散熱片，所以說在生產(chǎn)性方面還有待于改善。
(1)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法包含(a)在模具的凹部設(shè)置多個散熱體一體化的集合體；(b)將平面排列配置了多個半導體片的基板，以把所述多個半導體片配置在所述凹部內(nèi)的方式配置在所述模具中。
(c)通過在所述凹部中填充密封材料，密封所述多個半導體片，并且安裝所述集合體。
根據(jù)本發(fā)明，通過在模具中設(shè)置多個散熱體一體化的集合體，能把多個散熱體統(tǒng)一安裝在基板上。因此，能提高例如多個散熱體對多個半導體片的統(tǒng)一定位等具有散熱體的半導體裝的生產(chǎn)性。
(2)在該半導體裝置的制造方法中，在所述(a)工序中，可以在使其接觸所述凹部的底面的狀態(tài)下，設(shè)置所述集合體的所述散熱體的部分。
據(jù)此，能使散熱體在與基板相反一側(cè)從密封材料露出。因此，能提高半導體片的散熱性。另外，因為密封材料不蔓延到集合體和模具的接觸部分，所以能減少密封材料的附著導致的模具的清理的次數(shù)。
(3)在該半導體裝置的制造方法中，所述集合體的外周可以直立形成；在所述(a)工序中，通過所述直立部，以從所述凹部的底面浮起的狀態(tài)設(shè)置所述集合體的所述散熱體的部分。
據(jù)此，能使散熱體在與基板相反一側(cè)由密封材料覆蓋。
(4)在該半導體裝置的制造方法中，可以在所述集合體的所述散熱體的部分可以形成了凸部；在所述(a)工序中，使所述凸部向著所述凹部的開口一側(cè)，設(shè)置所述集合體。
據(jù)此，能向著半導體片配置散熱體的凸部。因此，散熱體和半導體片的距離減小，所以能進一步提高半導體片的散熱性。
(5)在該半導體裝置的制造方法中，所述凸部可以由半蝕刻形成。
(6)在該半導體裝置的制造方法中，所述集合體的至少任意一方的面可以形成了粗糙面。
據(jù)此，集合體的單面或雙面形成了粗糙面。例如如果使散熱體的部分中從密封材料的露出面為粗糙面，則能增大散熱體的露出面積，所以能進一步提高半導體片的散熱性。另外，例如如果使散熱體的部分中的與密封材料的接觸面為粗糙面，就能提高散熱體和密封材料的緊貼性。
(7)在該半導體裝置的制造方法中，在所述集合體的所述散熱體的部分上可以形成了多個通孔。
據(jù)此，密封材料也進入通孔內(nèi)，所以能提高散熱體和密封材料的緊貼性。
(8)在該半導體裝置的制造方法中，在所述(c)工序后，還可以包含(d)通過把所述密封部和所述基板按各所述集合體切斷，形成具有所述散熱體的單片。
(9)在該半導體裝置的制造方法中，可以在所述集合體上，沿著所述(d)工序中的切斷線，形成了縱剖面幾乎連續(xù)的形狀的突起部；在所述(d)工序中，通過切斷所述突起部，使所述散熱體在所述單片的上部和側(cè)部露出。
(10)在該半導體裝置的制造方法中，在所述集合體上，可以連接多個所述散熱體，形成了局部吊起所述散熱體的吊起部。
據(jù)此，能在半導體裝置的平面的一部分上設(shè)置散熱體。因此，能實現(xiàn)散熱體的輕型化和小型化。另外，能避開接合在半導體片上的引線而配置散熱體。因此，能防止散熱體對引線的電信號的干擾。
(11)在該半導體裝置的制造方法中，所述吊起部延伸為與所述(d)工序中的切斷線交叉；在所述(d)工序中，切斷所述集合體中的所述吊起部。
(12)在該半導體裝置的制造方法中，在所述集合體上，可以形成了所述散熱體的外框；連接所述散熱體和所述外框，并且局部吊起所述散熱體的吊起部。
據(jù)此，在集合體上形成了散熱體的外框。
(13)在該半導體裝置的制造方法中，所述外框沿著所述(d)工序中的切斷線延伸；在所述(d)工序中，切斷所述集合體中的所述吊起部。
(14)在該半導體裝置的制造方法中，所述半導體片的外形形成了矩形；所述吊起部形成在與所述半導體片的角部對應(yīng)的位置。
(15)在該半導體裝置的制造方法中，所述集合體的所述散熱體的部分的外形可以形成了矩形；所述吊起部吊起所述散熱體的部分的多個角部。
(16)在該半導體裝置的制造方法中，所述集合體的所述散熱體的部分可以通過所述吊起部在規(guī)定方向移動；在所述(a)工序中，向著所述凹部的開口一側(cè)設(shè)置所述散熱體的移動的一側(cè)。
據(jù)此，能在與基板相反的一側(cè)用密封材料覆蓋散熱體。另外，因為散熱體靠近半導體片，所以能進一步提高半導體片的散熱性。
(17)本發(fā)明的半導體裝置由所述方法制造。
(18)本發(fā)明的半導體裝置具有基板；平面并列配置在所述基板上的多個半導體片；在所述基板上統(tǒng)一密封所述多個半導體片的密封部；包含多個成為所述半導體片的散熱體的部分，所述多個散熱體的部分一體化形成的集合體。
(19)在該半導體裝置中，所述集合體可以在與所述基板相反一側(cè)從所述密封部露出。
(20)在該半導體裝置中，所述集合體的至少一部分可以在與所述基板相反一側(cè)由所述密封部覆蓋。
(21)本發(fā)明的電路板安裝了所述半導體裝置。
(22)本發(fā)明的電子儀器具有所述半導體裝置。
圖2是表示本發(fā)明實施例1的圖。
圖3是表示本發(fā)明實施例1的圖。
圖4是表示本發(fā)明實施例1的圖。
圖5是表示本發(fā)明實施例1的圖。
圖6是表示本發(fā)明實施例1的圖。
圖7是表示本發(fā)明實施例2的圖。
圖8是表示本發(fā)明實施例2的圖。
圖9是表示本發(fā)明實施例3的圖。


圖10是表示本發(fā)明實施例4的圖。
圖11是表示本發(fā)明實施例4的圖。
圖12是表示本發(fā)明實施例5的圖。
圖13是表示本發(fā)明實施例5的圖。
圖14是表示本發(fā)明實施例6的圖。
圖15是表示本發(fā)明實施例6的圖。
圖16是表示本發(fā)明實施例7的圖。
圖17是表示本發(fā)明實施例7的圖。
圖18是表示本發(fā)明實施例7的變形例的圖。
圖19是表示本發(fā)明實施例7的變形例的圖。
圖20是表示本發(fā)明實施例7的圖。
圖21是表示本發(fā)明實施例7的圖。
圖22是表示本發(fā)明實施例8的圖。
圖23是表示本發(fā)明實施例9的電路基板的圖。
圖24是表示本發(fā)明實施例9的電子機器的圖。
圖25是表示本發(fā)明實施例9的電子機器的圖。
圖中10-基板；20-半導體片；30-集合體；32-散熱體；40-模具；42-凹部；44-底面；50-密封部；60-集合體；62-散熱體；70-集合體；72-散熱體；80-集合體；82-散熱體；84-通孔；90-集合體；92-散熱體；94-凸部；100-集合體；102-散熱體；104-直立部；110-集合體；112-散熱體；114-突起部；115-側(cè)部；120、130、140、150-集合體；122、132、142、152-散熱體；124、134、144、154-吊起部；126、136、146-外框；138-直立部。
(實施例1)圖1～圖6是表示本發(fā)明實施例1的半導體裝置的制造方法的圖。首先，如圖1所示，在基板10上配置多個半導體片20。基板10如果成為單片，就成為半導體裝置的插入物。
基板10可以由有機類(聚酰亞胺基板)或無機類(陶瓷基板、玻璃基板)的任意材料形成，也可以由它們的復合構(gòu)造(玻璃環(huán)氧基板)形成。雖然未限定基板10的平面形狀，但是如圖1所示，常常為矩形?；?0可以是單層或多層基板。
為了在基板10上配置多個半導體片20，設(shè)置了多個配置區(qū)域12。配置區(qū)域12形成在基板10的任意一方或兩方的面上。在圖1所示的例子中，多個配置區(qū)域12在基板10的面上配置為多行多列(矩陣狀)。
基板10具有由多條布線構(gòu)成的布線圖形14(參照圖3)。具體而言，布線圖形14形成在各配置區(qū)域12中。在基板10上可以形成用于電連接一方的面和另一方的面的多個通孔16(參照圖3)。通孔16可以由導電材料嵌入，也可以電鍍內(nèi)壁面，成為通孔。通過這樣，能從基板10的兩面實現(xiàn)電連接。
雖然并未限定半導體片20的形狀，但是如圖1所示，常常形成長方體(包含立方體)。半導體片20形成由未圖示的晶體管和存儲元件等構(gòu)成的集成電路。半導體片20具有電連接了集成電路的至少一個(常常為多個)電極(圖中未示出)。電極可以在半導體片20的面的端部，沿著外形的2邊或4邊配置，也可以形成在面的中央部。電極可以由鋁或銅類的金屬形成。另外，在半導體片20上，避開電極的中央部，覆蓋端部，形成了鈍化膜(圖中未示出)。鈍化膜例如由SiO2、SiN、聚酰亞胺樹脂等形成。
如圖1所示，在基板10的多個配置區(qū)域12上分別配置半導體片20。把多個半導體片20平面地排列在基板10上。
如圖2所示，電連接配置區(qū)域12和布線圖形14?？梢杂梢€24實現(xiàn)兩者的電連接。這時，可以應(yīng)用球凸臺法。即讓引出到工具(例如毛細管)的外部的引線24的頂端部熔化成球狀，通過把它的頂端部熱壓接在電極上(最好同時使用超聲波振動)，把引線24電連接在電極22上。例如，可以把引線24接合了半導體芯片20的電極22后，接合基板10的布線圖形14。這時，如圖3所示，在電極22形成了凸臺。
如圖2所示，準備包含多個散熱體(發(fā)散半導體片20的熱)的集合體30。多個集合體30是一體化的。如果集合體30成為單片，就成為半導體片20的散熱體32(參照圖6)。散熱體32也能稱作散熱片。集合體30最好由適于熱交換的材料形成，但是未限定它的材料。例如，可以用銅類或鐵類的材料形成。在圖2所示的例子中，集合體30形成了板狀。據(jù)此，因為加工簡單，所以能抑制成本。集合體30可以一體加工一個構(gòu)件，也可以通過組合多個構(gòu)件而形成。例如，可以用半蝕刻或電鍍法(電解或非電解電鍍)等化學地加工，也可以用沖壓加工或切斷加工等機械地加工。
在集合體30上可以形成圖中未示出的金屬覆蓋膜(例如電鍍覆蓋膜)。例如在集合體30中在外部露出的部分(在圖4中，從密封部路出的部分)形成金屬覆蓋膜。當由銅類的材料形成了集合體30時，可以進行鍍鎳作為金屬覆蓋膜。通過這樣，能提高集合體30(散熱體32)的熱傳導。
在本實施例中，使用模具40密封基板10上的多個半導體片20，并且把集合體30安裝在基板10上。
模具40具有凹部42。模具40可以是金屬模。凹部42由能容納多個凹部42的尺寸(寬度和深度)形成。凹部42的底面44可以是平面。
如圖3所示，把集合體30設(shè)置在模具40的凹部42中。如果使集合體30的平面形狀與凹部42的平面形狀(例如底面44的形狀)對應(yīng)(例如同一形狀)而形成，就能通過把集合體投入凹部42中，而簡單地設(shè)置。
在圖3所示的例子中，在使集合體30(成為散熱體32的部分)接觸凹部40的底面44的狀態(tài)下設(shè)置。具體而言，在使形成板狀的集合體30的一方的面與集合體30的底面44接觸的狀態(tài)下設(shè)置。據(jù)此，如圖4所示能使散熱體32在與基板10相反一側(cè)從密封材料露出。因此，能提高半導體片20的散熱性。另外，密封材料不延伸到集合體30和模具40的接觸部分，所以能減少為了清洗密封材料的附著的模具40的清理次數(shù)。
接著，在模具40中設(shè)置基板10。這時，多個半導體片20位于凹部42內(nèi)。然后，通過使密封材料流入凹部42，統(tǒng)一密封多個半導體片20。對密封材料可以使用樹脂。這時，也能把樹脂稱作模壓樹脂。據(jù)此，因為統(tǒng)一密封多個半導體片20，所以能提高生產(chǎn)性。
這樣，在多個半導體片20和集合體30之間設(shè)置密封材料。集合體30被接合在密封材料上。即通過密封材料的填充，能在基板10上安裝集合體30。
這樣，如圖4所示，能制造內(nèi)置多個半導體片20的半導體裝置1。半導體裝置1包含基板10、多個半導體片20、密封多個半導體片20的密封部50、多個散熱體32的部分一體化而形成的集合體30。在圖4所示的例子中，集合體30在與基板10相反一側(cè)從密封部50露出。在之后的工序中，半導體裝置1切斷為單片。即半導體裝置1是用于制造多個單片的半導體裝置3(參照圖6)的中間制品。
在切斷半導體裝置1的工序之前，如圖4所示，可以在基板10上設(shè)置多個外部端子52。在該時刻，因為能在多個半導體裝置3上統(tǒng)一設(shè)置外部端子52，所以生產(chǎn)性優(yōu)異。外部端子52可以是焊錫球。外部端子52可以設(shè)置在基板10的布線圖形14的連接盤上。在圖4所示的例子中，外部端子52配置在通孔的位置。
接著，如圖5所示，切斷半導體裝置1(內(nèi)置多個半導體片20)。具體而言，把密封部50和基板10按各集合體30切斷。由切斷工具(例如，硅片的切斷中使用的刀)54切斷。如圖5所示，可以從集合體30一側(cè)切斷，或者可以從基板10一側(cè)切斷。如果預先形成切斷線L(例如，雙點劃線表示的線)，切斷的定位就變得容易。
這樣，如圖6所示，能制造具有散熱體32的單片的半導體裝置3。半導體裝置3包含基板11、半導體片20、密封半導體片20的密封部51、散熱體32。在圖6所示的例子中，散熱體32在與基板10相反一側(cè)從密封部50露出。
根據(jù)本實施例的半導體裝置的制造方法，通過把包含多個散熱體32的集合體30設(shè)置在模具40中，能統(tǒng)一把多個散熱體32安裝在基板10上。因此，能提高例如使多個散熱體32對多個半導體片20統(tǒng)一定位等的具有散熱體32的半導體裝置的生產(chǎn)性。
本實施例的半導體裝置包含從想由上述的制造方法選擇的任意的特定事項導出的結(jié)構(gòu)，本實施例的半導體裝置的效果具有上述的效果。如圖4所示，本實施例的半導體裝置包含有上述的制造方法的過程制造的。
本發(fā)明并不局限于本實施例，能應(yīng)用于各種形態(tài)。在以下的實施例的說明中，省略了與其它實施例公共的事項(結(jié)構(gòu)、作用、功能和效果)。須指出的是，也包含通過組合多個實施例能實現(xiàn)的事項。
(實施例2)圖7和圖8是表示實施例2的單片的半導體裝置的圖。在本實施例中，集合體(在圖7和圖8中，是切斷后的散熱體)的形態(tài)與上述不同。具體而言，集合體的至少一方的面(單面或雙面)形成了粗糙面。
如圖7所示，集合體60的向著基板10一側(cè)的面64可以是粗糙面?？梢詫象w60的面64進行粗糙化處理，使其失去平坦性。能使用噴沙機械地破壞集合體60的面64，或使用等離子體、紫外線、臭氧等物理地破壞集合體60的面64，或使用蝕刻劑化學地破壞集合體60的面64。須指出的是，至少集合體60的散熱體62的部分形成了粗糙面。
據(jù)此，集合體60(或散熱體62)的向著基板10一側(cè)成為與密封材料(密封部51)的接觸部。因此，能增大集合體60和密封材料的接觸面積，或增大物理、化學上的接合力，能提高兩者的緊貼性。
如圖8所示，集合體70的與基板10相反一側(cè)的面74可以是粗糙面。在圖8所示的例子中，集合體70的面74從密封材料露出。至少集合體70的散熱體72的部分可以形成粗糙面。
據(jù)此，通過使集合體70的(或散熱體72)與相反一側(cè)的面74為粗糙面，能增大露出面積。因此，能進一步提高半導體片的散熱性。
與圖示的例子不同，也可以在集合體的兩面(至少成為散熱體的部分的兩面)形成粗糙面。通過這樣，能實現(xiàn)上述的雙方的效果。
(實施例3)圖9是表示實施例3的單片的半導體裝置的圖。在實施例中，在集合體80(在圖9中，是切斷后的散熱體82)上形成了多個通孔84。通孔84貫穿集合體80的向著基板10的面和與相反的面。多個通孔84可以由蝕刻化學地形成，或由鉆等物理地形成。
通過在集合體80上形成通孔84，因為密封材料也進入通孔84內(nèi)，所以能提高集合體80(或散熱體82)和密封材料(或密封部51)的緊貼性。
(實施例4)圖10和圖11是表示實施例4的半導體裝置的制造方法的圖。在本實施例中，在集合體90上形成了凸部94。
如圖10所示，把凸部94向著模具40的凹部42的開口一側(cè)設(shè)置。即讓凸部94與半導體片20相對。
在集合體90的多個成為散熱體92的部分形成凸部94。即讓一個凸部94與任意一個半導體片20對應(yīng)而形成。凸部94的平面形狀可以比半導體片20的平面形狀小。例如，如圖10所示，當沿著半導體片20的各邊配置多個電極22時，凸部94可以具有可以配置在由多個電極22圍成的區(qū)域的內(nèi)側(cè)的平面形狀。據(jù)此，能避開引線24配置凸部94，所以能避免集合體90和引線24的接觸。另外，因為可以不受引線24的環(huán)形高度的限制，使散熱體92由于凸部94而局部地增厚，所以能提高半導體片20的散熱性。須指出的是，如圖10所示，凸部94可以與半導體片20的面不接觸。
對集合體90形成凸部94的方法例如可以應(yīng)用半蝕刻法形成?；?，用電鍍法形成。這時，集合體90由一個構(gòu)件形成。與這些不同，也可以通過在集合體90的成為散熱體92的部分安裝另外的構(gòu)件(無論是相同材料還是不同材料)，在集合體90設(shè)置凸部94。這時，可以通過焊接或粘接或機械的接合(鉚接等)安裝兩者。
然后，進行規(guī)定的工序(密封工序和切斷工序)，就能取得圖11所示的單片的半導體裝置。
根據(jù)本實施例，把散熱體92的凸部94向著半導體片20配置。因此，縮小了散熱體92和半導體片20的距離，所以能進一步提高半導體片20的散熱性。
(實施例5)圖12和圖13是表示實施例5的半導體裝置的制造方法的圖。在本實施例中，在集合體100的外周端部形成了直立部104。即直立形成了集合體100的外周。
如圖12所示，通過直立部104把集合體100的散熱體102的部分以從凹部42的底面44浮起的狀態(tài)設(shè)置。在圖12所示的例子中，集合體100在除去直立部104的部分，與凹部42的底面44是不接觸的。
直立部104可以設(shè)置在直立部104的外周端部的全部上，也可以局部(例如矩形的集合體100的角部或相對的2邊)。直立部104的形成方法例如通過進行半蝕刻、電鍍法或機械的深沖加工而從一個構(gòu)件形成?；蛘撸ㄟ^在集合體100的外周端部安裝另外的構(gòu)件(無論是相同材料還是不同材料)，設(shè)置直立部104。
然后，進行規(guī)定的工序(密封工序和切斷工序)，就能取得圖13所示的單片的半導體裝置。因為是從凹部42的底面44浮起的狀態(tài)下密封了散熱體104，所以如圖13所示，在與基板10相反一側(cè)能用密封材料覆蓋散熱體104。通過這樣，使散熱體102不在外部露出，能提高半導體片20的散熱性。須指出的是，如圖13所示，散熱體102可以從半導體裝置的側(cè)部露出。
(實施例6)圖14和圖15是表示實施例6的半導體裝置的制造方法的圖。在本實施例中，在集合體110上沿著切斷線L(參照圖5)形成了縱剖面幾乎成連續(xù)的形狀的的突起部114。即在集合體110的俯視圖中，突起部114具有沿著切斷線L延伸的帶狀(具有規(guī)定的寬度)，由突起部114劃分的區(qū)域成為散熱體112。突起部114的寬度最好比切斷工序中的切斷工具(參照圖5)的刀的寬度還大。通過這樣，能簡單地切斷突起部114的中心軸。
如圖14所示把突起部114向著模具40的凹部42的開口一側(cè)設(shè)置。即把突起部114向著基板10設(shè)置。在圖14所示的例子中，在突起部114中帶有突起的頂端部變細的錐度。
如圖14所示，在集合體110的與突起部114相反一側(cè)形成了凹陷116。凹陷116為縱剖面幾乎連續(xù)的形狀。即在集合體110的俯視圖中，凹陷116成為沿著切斷線L延伸的溝。在圖14所示的例子中，在凹陷116上帶有開口變寬的錐度。通過這樣，當從凹陷116一側(cè)切斷集合體110時，能使切斷工具54的刀的位置與凹陷116(或凹陷116)的中心軸一致，所以能正確地切斷。須指出的是，在凹陷116也可以不填充密封材料。
對集合體110形成突起部114(以及凹陷116)的方法可以是通過進行機械的深沖加工，由一個構(gòu)件形成?；蛘撸ㄟ^安裝另外的構(gòu)件而形成。
然后，進行規(guī)定的工序(密封工序和切斷工序)，就能取得圖15所示的單片的半導體裝置。在切斷工序中，因為切斷突起部114(以及凹陷116)，所以在單片的半導體裝置的上部113和側(cè)部115露出了散熱體112。在圖15所示的例子中，散熱體112構(gòu)成角錐臺形狀的一部分。作為變形例，散熱體112可以構(gòu)成球體的一部分(例如半球)。
據(jù)此，因為設(shè)置散熱體112使其包圍半導體片20，所以能進一步提高半導體片20的散熱性。另外，通過形成凹陷116，能識別切斷線L的位置，所以切斷的位置變得容易。
(實施例7)圖16～圖21是表示實施例7的半導體裝置的制造方法的圖。在本實施例中，集合體120包含多個集合體120、局部吊起集合體120的吊起部124、散熱體122的外框126。在本實施例中，集合體120具有與半導體裝置的封裝時使用的引線框的構(gòu)造類似的構(gòu)造。
通過加工板材，集合體120可以形成圖16所示的形狀。這時，可以通過蝕刻化學地加工，也可以沖壓和沖切，物理地加工。例如可以應(yīng)用制造引線框的工序形成。
散熱體122的平面形狀可以比半導體片20的平面形狀小。例如當沿著半導體片20的各邊配置了多個電極時，散熱體122可以具有可以配置在由多個電極包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)的平面形狀。通過這樣，至少能避免散熱體122和引線24的接觸。另外，因為可以不受引線24的環(huán)形高度的限制，使散熱體122增厚，所以能提高半導體片20的散熱性。須指出的是，散熱體122可以與半導體片20的面不接觸。
散熱體122形成角形(三角形、四角形和其他多角形)。例如，散熱體122可以是與呈現(xiàn)矩形的半導體片20(在圖16中，用雙點劃線表示)的相似形狀?；蛘?，散熱體122可以是圓形或其他的形狀。
一個散熱體122最好由多個吊起部124吊起。吊起部124連接多個散熱體122。吊起部124可以在與半導體片20的角部對應(yīng)的位置吊起散熱體122。通過這樣，能避開接合在半導體片20上的引線24配置吊起部124，能避免兩者的接觸。吊起部124可以吊起為角形的散熱體122的多個角部，在圖16所示的例子中，吊起為矩形的散熱體122的四個角部。
散熱體122的外框126沿著切斷線L延伸。即在密封工序后，沿著外框126切斷了集合體120。通過設(shè)置外框126，能確保集合體120的強度，能容易地處理集合體120。
圖17是圖16所示的XVII-XVII線剖視圖。如圖17所示，通過吊起部124可以把散熱體122的部分在規(guī)定方向(向著散熱體122的一方的面(在圖17中為上表面)的方向)移動。通過使吊起部124彎曲，能使散熱體122移動。
如圖20所示把上述的集合體120設(shè)置在模具40的凹部42中。具體而言，把散熱體122的移動的一側(cè)向著凹部42的開口一側(cè)設(shè)置。據(jù)此，在與基板10相反一側(cè)用密封材料覆蓋了散熱體122。另外，因為能使散熱體122接近半導體片20，所以能進一步提高半導體片20的散熱性。
然后進行規(guī)定的工序(密封工序和切斷工序)，就能得到圖21所示的單片的半導體裝置。
根據(jù)本實施例，能在半導體裝置的平面的一部分設(shè)置散熱體122。因此，能實現(xiàn)半導體裝置的輕型化和小型化。另外，例如能避開接合在半導體片20上的引線24配置散熱體122。因此，能防止散熱體122對引線的電信號造成干擾。
圖18和圖19是表示集合體的變形例的圖。
如圖18所示，集合體130包含多個散熱體132、吊起部134和外框136，還包含形成在外周端部的直立部138。這時，通過直立部138，在從凹部的底面浮起的狀態(tài)下，設(shè)置集合體130的散熱體132的部分。須指出的是，直立部138的事項如實施例5中所說明的。
如圖19所示，集合體140具有多個散熱體142、吊起部144和外框146，可以不使散熱體142移動。須指出的是，當散熱部142比其他部分還突起時，突起的方向(在圖19中，向下)可以向著基板10一側(cè)。
(實施例8)圖22是表示實施例8中使用的集合體的圖。在本實施例中，與實施例7相比，省略了外框。即集合體包含多個散熱體152和局部吊起散熱體152的吊起部154。散熱體152和154的事項如上所述。
如圖22所示，吊起部154在與切斷線L交叉的方向延伸。而且，在切斷線L上只配置了吊起部154，據(jù)此，切斷與切斷線L交叉延伸的吊起部154，所以能簡單地切斷集合體150，能實現(xiàn)半導體裝置的質(zhì)量的穩(wěn)定化。即能在不殘留集合體150的切斷屑的前提下，進行切斷工序。
(實施例9)圖23表示了應(yīng)用了上述的實施例的電路板。半導體裝置3安裝在電路板1000上。電路板1000一般使用例如玻璃環(huán)氧基板等有機類基板。在電路板1000上形成由銅等構(gòu)成的布線圖形，使其成為所需的電路，接合了布線圖形和半導體裝置的外部端子。
作為具有本發(fā)明實施例的半導體裝置的電子儀器，圖24表示筆記本型個人電腦2000，圖25表示移動電話3000。
本發(fā)明并不局限于上述的實施例，能有各種變形。例如，本發(fā)明包含與實施例中說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)或目的以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實施例中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含與實施例中說明的結(jié)構(gòu)能產(chǎn)生相同的作用的結(jié)構(gòu)或能實現(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含在實施例中說明的結(jié)構(gòu)中附加了眾所周知的技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，包含(a)在模具的凹部設(shè)置多個散熱體一體化的集合體；(b)將平面排列配置了多個半導體片的基板，以把所述多個半導體片配置在所述凹部內(nèi)的方式配置在所述模具中；(c)通過在所述凹部中填充密封材料，密封所述多個半導體片，并且安裝所述集合體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述(a)工序中，在使其接觸所述凹部的底面的狀態(tài)下，設(shè)置所述集合體的所述散熱體的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中所述集合體的外周直立形成；在所述(a)工序中，通過所述直立部，以從所述凹部的底面浮起的狀態(tài)設(shè)置所述集合體的所述散熱體的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述集合體的所述散熱體的部分形成了凸部；在所述(a)工序中，使所述凸部向著所述凹部的開口一側(cè)，設(shè)置所述集合體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述凸部由半蝕刻形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中所述集合體的至少任意一方的面形成了粗糙面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述集合體的所述散熱體的部分上形成了多個通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述(c)工序后，還包含(d)通過把所述密封部和所述基板按各所述集合體切斷，形成具有所述散熱體的單片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述集合體上，沿著所述(d)工序中的切斷線，形成了縱剖面幾乎連續(xù)的形狀的突起部；在所述(d)工序中，通過切斷所述突起部，使所述散熱體在所述單片的上部和側(cè)部露出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述集合體上，連接多個所述散熱體，形成了局部吊起所述散熱體的吊起部。
11.根據(jù)引用了權(quán)利要求8的權(quán)利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中所述吊起部延伸為與所述(d)工序中的切斷線交叉；在所述(d)工序中，切斷所述集合體中的所述吊起部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述集合體上，形成了所述散熱體的外框；連接所述散熱體和所述外框，并且局部吊起所述散熱體的吊起部。
13.根據(jù)引用了權(quán)利要求8的權(quán)利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中所述外框沿著所述(d)工序中的切斷線延伸；在所述(d)工序中，切斷所述集合體中的所述吊起部。
14.根據(jù)權(quán)利要求10～13中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中所述半導體片的外形形成了矩形；所述吊起部形成在與所述半導體片的角部對應(yīng)的位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其中所述集合體的所述散熱體的部分的外形形成了矩形；所述吊起部吊起所述散熱體的部分的多個角部。
16.根據(jù)權(quán)利要求10～15中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其中所述集合體的所述散熱體的部分通過所述吊起部在規(guī)定方向移動；在所述(a)工序中，向著所述凹部的開口一側(cè)設(shè)置所述散熱體的移動的一側(cè)。
17.一種由權(quán)利要求1～16中的任意一項所述的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置。
18.一種半導體裝置，具有基板；平面并列配置在所述基板上的多個半導體片；在所述基板上統(tǒng)一密封所述多個半導體片的密封部；包含多個成為所述半導體片的散熱體的部分，所述多個散熱體的部分一體化形成的集合體。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體裝置，其中所述集合體在與所述基板相反一側(cè)從所述密封部露出。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體裝置，其中所述集合體的至少一部分在與所述基板相反一側(cè)由所述密封部覆蓋。
21.一種安裝了權(quán)利要求17～20中的任意一項所述的半導體裝置的電路板。
22.一種具有權(quán)利要求17～20中的任意一項所述的半導體裝置的電子儀器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體裝置的制造方法，該方法包含(a)在模具(40)的凹部(42)設(shè)置多個散熱體(32)一體化的集合體(30)；(b)在模具(40)中設(shè)置平面排列配置了多個半導體片(20)的基板，使多個半導體片(20)配置在凹部(42)內(nèi)；(c)通過在凹部(42)中填充密封材料，密封多個半導體片(20)，并且安裝集合體(30)的工序。利用本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，可提高具有散熱體的半導體裝置的生產(chǎn)性。
文檔編號H01L23/29GK1441472SQ03103779
公開日2003年9月10日 申請日期2003年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月25日
發(fā)明者中山敏紀 申請人:精工愛普生株式會社