專利名稱：半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用板狀物支撐部件，在支撐半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下進(jìn)行研磨，制造半導(dǎo)體芯片的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片上，形成多個(gè)IC、LSI等的回路，沿其表面的分割道，通過切割，被分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，用于各種電子儀器。
半導(dǎo)體晶片是通過研磨其背面而形成所需的厚度，近年，因?yàn)殡娮觾x器的小型化、輕量化成為可能，所以也要求半導(dǎo)體晶片加工成很薄，使其厚度在100μm以下、50μm以下。但是，變薄的半導(dǎo)體晶片如紙那樣柔軟，研磨后的處理很困難。因此，致力于實(shí)施在將半導(dǎo)體晶片粘貼到剛性高的板狀物支撐部件的狀態(tài)下，進(jìn)行研磨，使其后的搬運(yùn)等的處理變得容易。
但是，切割研磨后的半導(dǎo)體晶片，必須將粘貼在板狀物支撐部件上的半導(dǎo)體晶片剝離，轉(zhuǎn)貼到切割膠帶上，因?yàn)檠心ズ蟮陌雽?dǎo)體晶片很薄，所以很難不損傷地將半導(dǎo)體晶片從板狀物支撐部件上剝離。
另外，在半導(dǎo)體晶片的表面的分割道上形成有預(yù)制的切削槽，在通過研磨背面，直至使該切削槽顯現(xiàn)，分割一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，被稱為所謂的先行切割的方法中，有必要在研磨之前將形成有切削槽的半導(dǎo)體晶片粘貼到剛性高的板狀物支撐部件上，在完成研磨后，將被分割的半導(dǎo)體芯片從板狀物支撐部件上提取，這種情況下不損傷薄的半導(dǎo)體芯片，將其從板狀物支撐部件上剝離也是很困難的。
因此，本發(fā)明是以在制造薄的半導(dǎo)體芯片時(shí)，不損傷半導(dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片，而可以從板狀物支撐部件上剝離為目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，由下述工序構(gòu)成，即使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上，研磨半導(dǎo)體晶片的背面的研磨工序；在與板狀物支撐部件成為一體的研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼切割膠帶，同時(shí)通過切割架支撐切割膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在膠帶粘貼工序前或后，使外因作用于粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，在膠帶粘貼工序后，將板狀物支撐部件和粘貼層從半導(dǎo)體晶片的表面取下的粘貼轉(zhuǎn)換工序；將介于切割膠帶而與切割架成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，通過分割道而分離，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片的切割工序。
另外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，由下述工序構(gòu)成，即將半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上，研磨半導(dǎo)體晶片的背面，直至槽顯現(xiàn)出來的研磨工序；在與板狀物支撐部件成為一體的研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼膠帶，同時(shí)通過架子支撐膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在膠帶粘貼工序前或后，使外因作用于粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，在膠帶粘貼工序后，將板狀物支撐部件和粘貼層從半導(dǎo)體晶片的表面取下的粘貼轉(zhuǎn)換工序。
再有，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，由下述工序構(gòu)成，即將半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上，研磨半導(dǎo)體晶片的背面，直至槽顯現(xiàn)出來，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片的研磨工序；使外因作用于粘貼層，使粘貼層的粘貼力降低，將半導(dǎo)體芯片從板狀物支撐部件和粘貼層上取下的半導(dǎo)體芯片脫離工序。
而且，上述的各發(fā)明的附加特征為使用具有比半導(dǎo)體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構(gòu)成厚度測(cè)定器的觸針分別與該半導(dǎo)體晶片的磨削面和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計(jì)量該半導(dǎo)體晶片的厚度、一邊完成磨削工序；在粘貼層中包含有由于外因而發(fā)泡的發(fā)泡劑；粘貼層是將含有因光而發(fā)泡的發(fā)泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個(gè)單面上涂敷的粘貼膠帶；板狀物支撐部件是通過透明的材質(zhì)而形成的；板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
在如上述構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，因?yàn)槭窃趧傂愿叩陌鍫钗镏尾考?，使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，粘貼半導(dǎo)體晶片，在該狀態(tài)進(jìn)行研磨，使半導(dǎo)體晶片達(dá)到所需的厚度，其后，通過使該外因產(chǎn)生作用，而使粘貼力降低，使半導(dǎo)體晶片脫離，所以即使是薄的半導(dǎo)體晶片，也不會(huì)受到損傷，可以容易地脫離。
另外，由于在先行切割的情況下也采用了同樣的方法，所以可以使變薄的一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片容易地脫離。
進(jìn)一步，僅靠由于外因而使粘貼力降低，不能解除半導(dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片與板狀物支撐部件的密合性，用于取下未必能說是充分的，若使用具有通過紫外線的照射而使粘貼力降低，同時(shí)發(fā)泡而使密合力降低的性質(zhì)的粘貼膠帶，則因?yàn)樵诎雽?dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片與板狀物支撐部件之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實(shí)地將其取下。


圖1是表示半導(dǎo)體晶片的立體圖。
圖2是表示介于粘貼膠帶而使半導(dǎo)體晶片與板狀物支撐部件一體化的情況的立體圖。
圖3是表示介于粘貼膠帶而使半導(dǎo)體晶片和板狀物支撐部件一體化后的狀態(tài)的立體圖。
圖4是表示粘貼膠帶的構(gòu)成的一例的側(cè)視圖。
圖5是表示用于本發(fā)明的實(shí)施的研磨裝置的一例的立體圖。
圖6是表示研磨后的半導(dǎo)體晶片與板狀物支撐部件成為一體的狀態(tài)的立體圖。
圖7是表示將與板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片粘貼到切割膠帶的情況的立體圖。
圖8是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件的情況的立體圖。
圖9是表示將板狀物支撐部件從半導(dǎo)體晶片上取下的情況的立體圖。
圖10是表示用于半導(dǎo)體晶片的切割的切割裝置的一例的立體圖。
圖11是表示切割后的半導(dǎo)體晶片的立體圖。
圖12是表示在表面上形成有槽的半導(dǎo)體晶片的立體圖。
圖13是表示在表面上形成有槽的半導(dǎo)體晶片的正視圖。
圖14是表示介于粘貼膠帶，將在表面上形成有槽的半導(dǎo)體晶片與板狀物支撐部件一體化的情況的立體圖。
圖15是表示介于粘貼膠帶，將半導(dǎo)體晶片與板狀物支撐部件一體化后的狀態(tài)的立體圖。
圖16是表示通過背面的研磨而顯現(xiàn)出槽的半導(dǎo)體晶片支撐在板狀物支撐部件上的狀態(tài)的立體圖。
圖17是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件的情況的立體圖。
圖18是表示將板狀物支撐部件從半導(dǎo)體晶片上取下的情況的立體圖。
圖19是表示將紫外線照射到板狀物支撐部件，提取半導(dǎo)體芯片的情況的立體圖。
圖20是表示使用大于半導(dǎo)體晶片的外形的板狀物支撐部件，支撐半導(dǎo)體晶片的情況的立體圖。
圖21是表示使用厚度測(cè)定器，計(jì)量支撐在板狀物支撐部件上的半導(dǎo)體晶片的厚度的情況的正視圖。
具體實(shí)施例方式
作為用于實(shí)施本發(fā)明的最佳方式，如圖1所示，就將通過分割道S被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片C的半導(dǎo)體晶片W1分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片C的方法進(jìn)行說明。
首先，如圖2所示，翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片W1，介于粘貼膠帶10，將半導(dǎo)體晶片W1的表面粘貼到板狀物支撐部件11上，呈如圖3所示的狀態(tài)(板狀物支撐部件一體化工序)。
該粘貼膠帶10是用于粘貼半導(dǎo)體晶片W1和板狀物支撐部件11的粘貼層，其構(gòu)成為，由于外因而使粘貼力降低。這里所說的粘貼力是由粘接力和密合力構(gòu)成的。例如，作為粘貼膠帶10可以使用在日本特開昭63-17981號(hào)公報(bào)以及日本特開平4-88075號(hào)公報(bào)中所公開的粘貼膠帶。
如圖4所示，粘貼膠帶10是將厚度30μm左右的聚乙烯薄膜作為薄膜狀的中間層12，其構(gòu)成為，在其單面上，將作為粘接劑的丙烯類粘貼劑、作為放射線聚合性化合物的聚氨酯丙烯酸酯類的齊聚物、作為由于紫外線等的光所引起的外因而發(fā)泡的發(fā)泡劑的碳酸銨或者松本油脂制藥株式會(huì)社制造的「マツモトマイクロスフエア一」，按照適當(dāng)?shù)谋壤旌隙烧迟N層13，涂敷20μm左右，在另一單面上，將聚乙烯類粘貼劑、聚氨酯丙烯酸酯類的齊聚物按照適當(dāng)?shù)谋壤旌隙烧迟N層14，涂敷20μm左右。另外，根據(jù)需要，也可以將發(fā)泡劑混入粘貼層14，混入粘貼層14的量要小于混入粘貼層13的量。
若紫外線照射這樣構(gòu)成的粘貼膠帶10，則對(duì)于粘貼層13，粘接力降低的同時(shí)，由于發(fā)泡，密合力也降低。一方面，對(duì)于粘貼層14，粘貼力降低，但因?yàn)闆]有混合發(fā)泡劑，所以密合力沒有降低。因此，在板狀物支撐部件一體化工序中，如圖4所示，將粘貼層13粘貼到半導(dǎo)體晶片W1上，將粘貼層14粘貼到板狀物支撐部件11上是很重要的。另外，在本說明書中，就有關(guān)粘貼層13以及粘貼層14方由于外因而使粘貼力降低的情況進(jìn)行了說明，關(guān)于粘貼層14也可以不使用由于外因而使粘貼力降低型的東西。因此沒有必要使外因一定作用到粘貼層14。
板狀物支撐部件11通過其后進(jìn)行的研磨，即使是在100μm以下，50μm以下的薄的半導(dǎo)體晶片中，也具有可以穩(wěn)定地支撐這種程度的剛性，同時(shí)由可使紫外線透過的PET、玻璃等形成。例如，由厚度為從0.5mm至2.5mm左右的透明的玻璃而構(gòu)成。
如圖3所示，介于粘貼膠帶10，支撐在板狀物支撐部件11上的半導(dǎo)體晶片W1被運(yùn)送到例如圖5所示的研磨裝置20上，研磨其背面，達(dá)到所需的厚度(研磨工序)。
在研磨裝置20中，其構(gòu)成為，壁部22從基臺(tái)21的端部豎起而設(shè)置，在該壁部22的內(nèi)側(cè)面上，一對(duì)導(dǎo)軌23配設(shè)在垂直方向，伴隨著支撐部24沿導(dǎo)軌23的上下移動(dòng)，安裝在支撐部24上的研磨裝置25也上下移動(dòng)。另外，轉(zhuǎn)臺(tái)26可旋轉(zhuǎn)地配設(shè)在基臺(tái)21上，而且，在轉(zhuǎn)臺(tái)26上，保持半導(dǎo)體晶片的卡盤臺(tái)27可旋轉(zhuǎn)地被多個(gè)配設(shè)。
在研磨裝置25中，其構(gòu)成為，底座29安裝在具有垂直方向的軸心的錠子28的前端，而且，固定研磨石31的研磨盤30安裝在其下部，研磨石31伴隨著錠子28的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。
在使用研磨裝置20對(duì)半導(dǎo)體晶片W1進(jìn)行研磨時(shí)，將支撐在板狀物支撐部件11上的半導(dǎo)體晶片W1吸引保持在卡盤臺(tái)27上，使之位于研磨裝置25的正下方，使錠子28旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使研磨裝置25逐漸下降。于是，伴隨錠子28的高速旋轉(zhuǎn)，研磨盤30高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)由于旋轉(zhuǎn)的研磨石31與半導(dǎo)體晶片接觸，施加推壓力，因此通過研磨石31研磨其表面。
象這樣，通過研磨，半導(dǎo)體晶片W1如圖6所示，以很薄的狀態(tài)，支撐在板狀物支撐部件11上。于是，如圖7所示，將支撐在板狀物支撐部件11上的半導(dǎo)體晶片W1以翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)，粘貼到切割膠帶40的粘貼面上。
在該切割膠帶40的外周，粘貼有切割架41，通過將支撐在板狀物支撐部件11上的半導(dǎo)體晶片W1的背面粘貼到切割膠帶40上，使這些一體化(膠帶粘貼工序)。
接著，相對(duì)于粘貼膠帶10，介于板狀物支撐部件11，使外因產(chǎn)生作用。在本實(shí)施方式中，如圖8所示，從板狀物支撐部件11的上方照射紫外線。于是，對(duì)于圖4所示的粘貼層13，因?yàn)檎辰恿档?，同時(shí)由于發(fā)泡而在半導(dǎo)體晶片W1與粘貼層13之間形成間隙，密合力也降低，所以呈粘貼力降低，可以容易剝離的狀態(tài)。
一方面，對(duì)于粘貼層14，因?yàn)槊芎狭]有降低，所以在將粘貼膠帶10粘貼在板狀物支撐部件11的狀態(tài)下，可以從半導(dǎo)體晶片W1上將其剝離。
即，在使粘貼膠帶10的粘貼力降低后，如圖9所示，將板狀物支撐部件11提升到上方，將板狀物支撐部件11從半導(dǎo)體晶片W1的表面上剝離。此時(shí)，因?yàn)檎迟N膠帶10的粘貼層13的粘貼力弱于粘貼層14的粘貼力，所以粘貼膠帶10和板狀物支撐部件11一起從半導(dǎo)體晶片W1上被剝離。
另一方面，因?yàn)檎迟N膠帶10的粘貼層14的粘貼力有所殘存，所以可以維持粘貼膠帶10粘貼到板狀物支撐部件11上的狀態(tài)。因此，僅是變薄的半導(dǎo)體晶片W1呈保持在切割膠帶40以及切割架41上的狀態(tài)(粘貼轉(zhuǎn)換工序)。
象這樣，因?yàn)槭怯捎谕庖蚨拐迟N力降低后，使板狀物支撐部件11脫離，所以即使是變薄的半導(dǎo)體晶片W1也不會(huì)破損，可以容易地轉(zhuǎn)貼到切割膠帶上。
另外，在粘貼轉(zhuǎn)換工序中，使外因作用于粘貼膠帶10的作業(yè)也可以在膠帶粘貼工序之前進(jìn)行。在該情況下，因?yàn)檎迟N層13的粘貼力降低，殘存微弱的粘貼力，所以不會(huì)使半導(dǎo)體晶片W1從板狀物支撐部件11上脫落，對(duì)粘貼轉(zhuǎn)換工序不會(huì)產(chǎn)生妨礙。
介于切割膠帶40與切割架41成為一體的半導(dǎo)體晶片W1是通過例如圖10所示的切割裝置50而切割的。
在該切割裝置50中，介于切割膠帶40與切割架41成為一體的半導(dǎo)體晶片W1多個(gè)收納在盒51內(nèi)。
于是，與切割架41成為一體的半導(dǎo)體晶片W1，通過運(yùn)出搬入裝置52，從盒51中搬出，載置于臨時(shí)放置區(qū)域53，受到第1運(yùn)送裝置54的吸引，通過第1運(yùn)送裝置54的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，運(yùn)送載置于卡盤臺(tái)55上，并被吸引保持。
半導(dǎo)體晶片W1若被吸引保持在卡盤臺(tái)55上，則卡盤臺(tái)55向+X方向移動(dòng)，安裝在位于定位裝置56的正下方，通過模式匹配等的處理，檢測(cè)出需要切削的分割道S，進(jìn)行該分割道S與旋轉(zhuǎn)刀片57的在Y軸方向的定位。這樣若定位完成，則卡盤臺(tái)55進(jìn)一步向X軸方向移動(dòng)，受到旋轉(zhuǎn)刀片57的作用，進(jìn)行切削。
一邊計(jì)算分割道間隔，僅在Y軸方向輸送旋轉(zhuǎn)刀片57，一邊進(jìn)行這樣的切削，進(jìn)一步，若使卡盤臺(tái)55旋轉(zhuǎn)90度，進(jìn)行同樣的切削，則如圖11所示，所有的分割道S被縱橫切削而分離，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片C(切割工序)。
如上所述，通過從研磨開始進(jìn)行切割，即使是在由于研磨而使半導(dǎo)體晶片薄如紙的情況下，也可以不使其破損而制造出半導(dǎo)體芯片。
另外，僅靠由于外因而使粘貼力降低，不能解除半導(dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片與板狀物支撐部件的密合性，用于取下未必能說是充分的，若使用具有通過紫外線的照射而使粘貼力降低，同時(shí)發(fā)泡而使密合力降低的性質(zhì)的粘貼膠帶，則因?yàn)樵诎雽?dǎo)體晶片W1與板狀物支撐部件11之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實(shí)地將其取下。
接著，就通過所謂的先行切割的方法制造半導(dǎo)體芯片的情況進(jìn)行說明。
首先，最初將半導(dǎo)體晶片載置于例如圖10所示的切割裝置50的卡盤臺(tái)55上，使用旋轉(zhuǎn)刀片57，如圖12以及圖13所示，在表面的分割道S上，成為形成有深度與最終的半導(dǎo)體芯片C的厚度相當(dāng)?shù)牟?0的半導(dǎo)體晶片W2(槽形成工序)。
接著，與圖2的情況相同，如圖14所示，翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片W2，介于粘貼膠帶10，將半導(dǎo)體晶片W2的表面粘貼到板狀物支撐部件11上，呈圖15所示的狀態(tài)(板狀物支撐部件一體化工序)。
于是，若在例如圖5所示的研磨裝置20的卡盤臺(tái)27上，載置成為板狀物支撐部件11的半導(dǎo)體晶片W2，使用研磨裝置25，研磨半導(dǎo)體晶片W2的背面，則如圖16所示，顯現(xiàn)出槽60(研磨工序)。
接著，為可以通過提取裝置而提取半導(dǎo)體芯片C，在外周上粘貼有架子43的膠帶42的粘貼面上，將顯現(xiàn)出槽60的背面向下，粘貼半導(dǎo)體晶片W2(膠帶粘貼工序)。于是，如圖17所示，通過從板狀物支撐部件11的上方照射紫外線，使粘貼膠帶10的粘貼層13的粘貼力降低。
接著，如圖18所示，將板狀物支撐部件11提升到上方，將板狀物支撐部件11從半導(dǎo)體晶片W2的表面剝離。此時(shí)，因?yàn)檎迟N膠帶10的下面的粘貼層13的粘貼力弱于切割膠帶40的粘貼力，所以粘貼膠帶10也被從半導(dǎo)體晶片W2上剝離。
一方面，因?yàn)檎迟N膠帶10的上面的粘貼層14的粘貼力有所殘存，所以可以維持粘貼膠帶10粘貼到板狀物支撐部件11上的狀態(tài)。因此，僅是很薄的半導(dǎo)體晶片W2呈保持在切割膠帶40以及切割架41上的狀態(tài)(粘貼轉(zhuǎn)換工序)。
象這樣，因?yàn)槭怯捎谕庖蚨拐迟N力降低后，使板狀物支撐部件11脫離，所以即使是很薄的半導(dǎo)體晶片W2也不會(huì)破損，可以容易地轉(zhuǎn)貼到切割膠帶上。
還有，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體晶片W2與板狀物支撐部件之間形成間隙，解除密合性，所以可以更確實(shí)地將其取下。
另外，在粘貼轉(zhuǎn)換工序中，使外因作用于粘貼膠帶10的作業(yè)也可以在膠帶粘貼工序之前進(jìn)行。在該情況下，因?yàn)檎迟N層13的粘貼力降低，殘存微弱的粘貼力，所以不會(huì)使半導(dǎo)體晶片W2從板狀物支撐部件11上脫落，對(duì)粘貼轉(zhuǎn)換工序不會(huì)產(chǎn)生妨礙。
還有，通過研磨工序，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片C，在所有的半導(dǎo)體芯片C一邊維持半導(dǎo)體晶片W2的外形，一邊通過粘貼膠帶10，支撐在板狀物支撐部件11上的狀態(tài)下，如圖19所示，若介于板狀物支撐部件11，將紫外線照射到粘貼膠帶10，則粘貼力降低，可以將半導(dǎo)體芯片C直接從板狀物支撐部件11上提取，無需粘貼轉(zhuǎn)換工序，提高了生產(chǎn)性，同時(shí)也無需切割膠帶40以及切割架41，十分經(jīng)濟(jì)(半導(dǎo)體芯片脫離工序)。
在研磨半導(dǎo)體晶片W1、W2的情況下，因?yàn)橐棺罱K形成的半導(dǎo)體芯片C達(dá)到所需的厚度，所以有必要一邊計(jì)量半導(dǎo)體晶片W1、W2的厚度，一邊進(jìn)行研磨。
因此，如圖20所示，使板狀物支撐部件11a的外形形成大于半導(dǎo)體晶片W1(W2)的外形，將支撐在板狀物支撐部件11a上的半導(dǎo)體晶片W1(W2)保持在如圖5所示的研磨裝置20的卡盤臺(tái)27中，如圖21所示，使觸針70與板狀物支撐部件11a的表面接觸，同時(shí)也使觸針71與半導(dǎo)體晶片W1(W2)的背面接觸。
觸針70和觸針71，構(gòu)成根據(jù)其高度的不同，可以求得半導(dǎo)體晶片W1(W2)的厚度的厚度測(cè)定儀72，通過使板狀物支撐部件11a形成大于半導(dǎo)體晶片W1(W2)，這樣，因?yàn)榭梢噪S時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體晶片W1(W2)的厚度，所以若一邊測(cè)量半導(dǎo)體晶片W1(W2)的厚度，一邊完成研磨工序，就可以正確地管理最終的半導(dǎo)體芯片的厚度。
還有，在將半導(dǎo)體晶片收納到圖10所示的盒51中時(shí)，為了防止半導(dǎo)體晶片與盒51的側(cè)面內(nèi)部等的接觸而造成損傷，也希望使板狀物支撐部件11的外形，形成為大于半導(dǎo)體晶片的外形例如1mm-2mm左右。
另外，在上述的說明中，舉出了以通過使用旋轉(zhuǎn)刀片，切削半導(dǎo)體晶片的分割道、或是分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片、或是形成槽的情況為例進(jìn)行了說明，也可以使用激光來分割半導(dǎo)體芯片或形成槽，本發(fā)明可以適用于使用了旋轉(zhuǎn)刀片的切割裝置以及使用了激光的切割裝置的任意一種情況。
如上所述，有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的制造方法，因?yàn)槭鞘褂捎谕庖蚨拐迟N力降低的粘貼層介于其間，將半導(dǎo)體晶片粘貼到板狀物支撐部件上，進(jìn)行研磨，由于可以不使半導(dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片損傷，而容易地脫離，所以適用于所有的半導(dǎo)體芯片的制造，特別是在很薄的半導(dǎo)體芯片的制造中極為有用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，是由下述工序構(gòu)成使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上、研磨該半導(dǎo)體晶片的背面的研磨工序；在與該板狀物支撐部件成為一體的研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼切割膠帶的同時(shí)，通過切割架支撐該切割膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在該膠帶粘貼工序前或后，使該外因作用于該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，在該膠帶粘貼工序后，將該板狀物支撐部件和該粘貼層從該半導(dǎo)體晶片的表面取下的粘貼轉(zhuǎn)換工序；將介于該切割膠帶而與該切割架成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，通過該分割道進(jìn)行分離，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片的切割工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半導(dǎo)體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構(gòu)成厚度測(cè)定器的觸針分別與該半導(dǎo)體晶片的研磨面和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計(jì)量該半導(dǎo)體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在粘貼層中包含有由于外因而發(fā)泡的發(fā)泡劑。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，粘貼層是將含有由于光而發(fā)泡的發(fā)泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個(gè)單面上涂敷的粘貼膠帶。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是由透明的材質(zhì)而形成的。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
7.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，是由下述工序構(gòu)成將半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，在該分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將該半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上，研磨該半導(dǎo)體晶片的背面，直至該槽顯現(xiàn)出來的研磨工序；在與該板狀物支撐部件成為一體的研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼膠帶，同時(shí)通過架子支撐該膠帶的外周的膠帶粘貼工序；在該膠帶粘貼工序前或后，使該外因作用于該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，在該膠帶粘貼工序后，將該板狀物支撐部件和該粘貼層從該半導(dǎo)體晶片的表面取下的粘貼轉(zhuǎn)換工序。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半導(dǎo)體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構(gòu)成厚度測(cè)定器的觸針分別與該半導(dǎo)體晶片的研磨面和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計(jì)量該半導(dǎo)體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在粘貼層中包含有由于外因而發(fā)泡的發(fā)泡劑。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，粘貼層是將含有因光而發(fā)泡的發(fā)泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個(gè)單面上涂敷的粘貼膠帶。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是通過透明的材質(zhì)而形成的。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
13.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是將通過分割道被劃分、在表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，是由下述工序構(gòu)成將半導(dǎo)體晶片載置于切割裝置的卡盤臺(tái)上，在該分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘貼力降低的粘貼層介于其間，將該半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上的板狀物支撐部件一體化工序；將與該板狀物支撐部件成為一體的半導(dǎo)體晶片載置于研磨裝置的卡盤臺(tái)上，研磨該半導(dǎo)體晶片的背面，直至該槽顯現(xiàn)出來，分割為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體芯片的研磨工序；使該外因作用于該粘貼層，使該粘貼層的粘貼力降低，將該半導(dǎo)體芯片從該板狀物支撐部件和該粘貼層上取下的半導(dǎo)體芯片脫離工序。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半導(dǎo)體晶片的外形大的外形的板狀物支撐部件、完成板狀物支撐部件的一體化工序，通過使構(gòu)成厚度測(cè)定器的觸針分別與該半導(dǎo)體晶片的研磨面和該板狀物支撐部件的表面相接觸，一邊計(jì)量該半導(dǎo)體晶片的厚度、一邊完成研磨工序。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，在粘貼層中包含有由于外因而發(fā)泡的發(fā)泡劑。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，粘貼層是將含有因光而發(fā)泡的發(fā)泡劑的粘貼劑在薄膜狀的中間層的至少一個(gè)單面上涂敷的粘貼膠帶。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是通過透明的材質(zhì)而形成的。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其特征在于，板狀物支撐部件是通過透明的玻璃形成的，其厚度是從0.5mm至2.5mm。
全文摘要
使有由于外因而使粘貼力降低的粘貼層的粘貼膠帶10介于其間，將半導(dǎo)體晶片的表面粘貼到板狀物支撐部件上，在該狀態(tài)下，研磨半導(dǎo)體晶片的背面，在研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面，粘貼切割膠帶，同時(shí)通過切割架支撐切割膠帶的外周，由于使外因作用于粘貼層，而使粘貼層的粘貼力降低，所以不損傷半導(dǎo)體晶片或者半導(dǎo)體芯片，就可以取下板狀物支撐部件和粘貼膠帶。
文檔編號(hào)H01L21/784GK1493086SQ02805229
公開日2004年4月28日 申請(qǐng)日期2002年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月30日
發(fā)明者北村政彥, 一, 矢島興一, 木村祐輔, 輔, 田渕智隆, 隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科