專利名稱:基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一邊以運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板,一邊對基板依序施以濕式及干式處理的基板處理裝置,特別是關(guān)于具有優(yōu)異的基板干燥的均一性的基板處理裝置。
例如,在基板的洗凈工序,使用洗凈裝置,將純水等處理液對基板表面洗凈后,于干燥裝置內(nèi),對基板表面吹拂干燥用氣體,以除去附著于該基板表面的處理液。
此種洗凈裝置及干燥裝置是借助運(yùn)送機(jī)構(gòu)來一體連結(jié),而構(gòu)成基板處理裝置,通常在洗凈裝置與干燥裝置之間,是以具備用于將基板搬入搬出的開口部的間隔壁來加以隔開。
但,在前述洗凈裝置內(nèi),由于從噴嘴對基板噴灑霧狀的洗凈液,被噴灑的洗凈液的霧氣會通過前述開口部而容易滲入干燥裝置內(nèi),因此,滲入干燥裝置內(nèi)的霧氣會附著于基板上,故在基板表面容易產(chǎn)生點(diǎn)狀的染色。
因此,目前是在洗凈裝置與干燥裝置之間設(shè)置一定的間隔,來防止霧氣滲入于干燥裝置內(nèi)。
但,即使如上述構(gòu)成的現(xiàn)有基板處理裝置,仍然具有以下所述的問題。
即,在以前述洗凈裝置洗凈后的基板表面上,被供給至該表面上的洗凈液自然流下且從表面上除去后,洗凈液的殘留液會形成島狀的點(diǎn)的狀態(tài)。又,若于該殘留液呈點(diǎn)的狀態(tài)下而使用干燥用氣體來進(jìn)行基板干燥時,在除去、干燥島狀的殘留液之際,于該處會產(chǎn)生染色。
特別地,近年來,基板已朝大型化邁進(jìn),從而在該大型基板上,會有容易產(chǎn)生島狀的殘留液的問題。
本發(fā)明的基板處理裝置,具備以大致水平方式來運(yùn)送基板的運(yùn)送機(jī)構(gòu);對以前述運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送的基板施以濕式處理的濕式處理部;配設(shè)于比前述濕式處理部更靠運(yùn)送方向下流側(cè),使處理液形成膜狀(遮簾狀)后供給至前述基板上的膜液供給機(jī)構(gòu);以及具有狹縫狀的開口部,該開口部是以與前述基板的全面相對向的方式配置于前述膜液供給機(jī)構(gòu)的前述運(yùn)送方向下流側(cè),由前述開口部噴出氣體,產(chǎn)生板狀的氣流的氣體噴出機(jī)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置,首先,對由濕式處理部所排出的基板上,以膜液供給機(jī)構(gòu)供給形成膜狀的處理液。由此,可沿前述運(yùn)送方向及與其垂直的方向?qū)⒕荒ず竦奶幚硪和坎加诨迳希?,不會在基板上產(chǎn)生島狀的殘留液。
其次,當(dāng)涂布于基板上的處理液到達(dá)設(shè)于膜液供給機(jī)構(gòu)的運(yùn)送方向下流側(cè)的氣體噴出機(jī)構(gòu)正下方時,通過該氣體噴出機(jī)構(gòu)所噴出的板狀氣流將其自基板上除去,即,進(jìn)行液體去除,使該基板干燥。
如此,依此基板處理裝置,由于在基板上涂布均一膜厚的處理液的狀態(tài)下,即,不會在基板上產(chǎn)生島狀的殘留液的狀態(tài)下,進(jìn)行液體去除,因此,可根本防止現(xiàn)有問題的在進(jìn)行液體去除時所產(chǎn)生的染色。
又,由于從氣體噴出機(jī)構(gòu)于運(yùn)送方向上流側(cè)設(shè)置膜液供給機(jī)構(gòu),因此,可通過該膜液完全隔開在濕式處理部所產(chǎn)生的霧氣。因此,可有效地防止在液體除去、干燥后附著于基板表面上的霧氣,并且不會產(chǎn)生因霧氣所造成的染色。故不必拉長濕式處理部與氣體噴出機(jī)構(gòu)間的距離,而可獲得裝置的小型化。
又,前述氣體噴出機(jī)構(gòu),優(yōu)選是使其開口部長方向相對于與前述運(yùn)送方向垂直的方向呈傾斜的方式而配置。由此,通過自氣體噴出機(jī)構(gòu)所噴出的氣流,可將處理液推向基板的側(cè)邊且順利地從基板上除去。
又,在基板下側(cè),同樣地亦可設(shè)置前述氣體噴出機(jī)構(gòu)。
又,前述氣體噴出機(jī)構(gòu)的開口部與前述基板間的距離較佳是設(shè)為1mm以上5mm以下。若開口部與基板的距離小于1mm,則涂布于基板上的處理液會有接觸到開口部的危險,另一方面,若大于5mm,則干燥效果不佳。
又,前述氣體噴出機(jī)構(gòu),亦可沿前述運(yùn)送方向并列設(shè)置多個。藉此,可更提高基板的干燥效果。
圖2為
圖1的俯視圖。
圖3為圖2的要部詳細(xì)圖。
圖4為圖1中所示第1上氣刀的截面圖。
圖5為圖4箭頭V方向的俯視圖。
圖6為圖4箭頭VI方向的前視圖。
如圖1所示,本發(fā)明的基板處理裝置,具備沿箭頭10的方向水平運(yùn)送基板W的運(yùn)送機(jī)構(gòu)1;對以運(yùn)送機(jī)構(gòu)1所運(yùn)送的基板W施以濕式處理的濕式處理部WET;進(jìn)行干式處理的干式處理部DRY;以及配置于濕式處理部WET與干式處理部DRY之間的膜液供給機(jī)構(gòu)4、第1上氣刀(air knife)6、第1下氣刀7、第2上氣刀8、第2下氣刀9。
又,前述濕式處理部WET、膜液供給機(jī)構(gòu)4、第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8、第2下氣刀9及干式處理部DRY,是收納于由2個側(cè)壁15,15、底板17、上板17所構(gòu)成的蓋體內(nèi)。又,膜液供給機(jī)構(gòu)4,是配置于氣刀(在本例為第1上氣刀6及第1下氣刀7)的運(yùn)送方向上流側(cè)。
運(yùn)送機(jī)構(gòu)1具備大直徑的運(yùn)送滾輪R、及輔助滾輪r。如圖2所示,運(yùn)送滾輪R具有多個且以適當(dāng)間隔設(shè)置于橫跨前述兩側(cè)壁15、15間的軸11,而軸11的兩端是以可轉(zhuǎn)動方式被軸承所支撐。又,該軸11的一端是從一方側(cè)壁15往外部突出,并與設(shè)于側(cè)壁15外部的滾輪驅(qū)動裝置12連結(jié)。由此,運(yùn)送滾輪R是以滾輪驅(qū)動裝置12驅(qū)動,而將基板W往箭頭10方向運(yùn)送。
又,輔助滾輪r,是沿基板W的運(yùn)送方向,在第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8、及第2下氣刀9附近以小間隔設(shè)置多個,并且透過分別設(shè)置于支撐板21、23、25的支撐構(gòu)件22、24、26,以旋轉(zhuǎn)自如的方式支撐。如此,通過配置多個輔助滾輪r,可防止基板W的彎曲變形等,使基板W的平面度具有高精度,并可防止以膜液供給機(jī)構(gòu)4供給至基板W上的處理液的層形成不均一。又,支撐板21、23、25是適當(dāng)?shù)毓淘O(shè)于前述兩側(cè)壁15、15上。
在濕式處理部WET設(shè)置處理液供給機(jī)構(gòu)(未圖示),以對基板W的上面及/或下面供給處理液。該處理液供給機(jī)構(gòu)(未圖示),具備配置于基板W的上方及/或下方的配管、以及連結(jié)于該配管(未圖示)的多個噴嘴,并且與用以供給處理液的處理液供給源(未圖示)連接。又,噴嘴(未圖示)是將其各噴霧范圍全體配置成覆蓋基板W的寬方向全域。又,雖未圖示,但在底板16形成集液部,并在該集液部連接排液管,而在集液部所收集的處理液是通過排液管往外部排出。
如圖2所示,膜液供給機(jī)構(gòu)4,是使液體供給源40所供給的處理液形成膜狀(遮簾狀),且經(jīng)基板W上的全域流下。
又,在基板W的下方位置,在挾住該基板W而與前述膜液供給機(jī)構(gòu)4相對向的位置,設(shè)置朝基板W下面噴射處理液的處理液噴射機(jī)構(gòu)5。又,由膜液供給機(jī)構(gòu)4及處理液噴射機(jī)構(gòu)5所供給的處理液通常為純水,但并不限于此,亦可適用于各種處理液。
第1上氣刀6及第1下氣刀7,是以挾住基板W而相對向的方式設(shè)置,又,第2上氣刀8及第2下氣刀9亦同樣地,以挾住基板W而相對向的方式設(shè)置,由各吹出口61噴出干燥氣體,產(chǎn)生板狀氣流,而將附著于基板W上下面的處理液除去。
這些第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9,其長方向L是相對于與基板W的運(yùn)送方向正交的方向,即,相對于基板W的寬方向H呈傾斜的方式而配置,各吹出口61是與基板W的全面相對向。
以下,以圖4~圖6來說明上述第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9的具體構(gòu)成。又,第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9,分別具有相同構(gòu)成。因此,以第1上氣刀6為例來說明其構(gòu)成。
如圖4所示,前述第1上氣刀6,是以螺絲65將前板63鎖固于長尺狀的本體64上,而形成于前板63、本體64間的狹縫66的寬度M可調(diào)整。又,狹縫66的開口部形成前述吹出口61。
又,在本體64內(nèi),形成氣體室67、氣體供給路68,該氣體供給路68連接于氣體供給源60。又,特別地,雖未圖示,在氣體供給路68與氣體供給源60之間插入流量調(diào)整機(jī)構(gòu)及空氣過濾器。
如圖5及圖6所示,以前述狹縫66、氣體室67、及氣體供給路68作為1組而構(gòu)成的區(qū)塊B是與長方向L串聯(lián)而構(gòu)成,各氣體供給路68由氣體供給源60來供給氣體。又,各狹縫66及氣體室67分別沿長方向L而形成,而各狹縫66是與相鄰的狹縫66互相連通。又,氣體供給路68,是在區(qū)塊B的大致中央由上方朝氣體室67以直線方式形成。通過將區(qū)塊B連結(jié)的構(gòu)成,而可容易對應(yīng)寬度較寬的長尺狀的基板W。
具有以上構(gòu)成的第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9,如圖1所示,分別相對于基板W的法線方向,在運(yùn)送方向下流側(cè)僅傾斜角度θ1的狀態(tài)而固定。通過此種傾斜,可將附著于基板W的處理液朝運(yùn)送方向下流側(cè)吹掉。
又,在圖1中,針對第1上氣刀6及第2上氣刀8,雖為方便說明起見而省略角度調(diào)整用的刻度板62的圖示,但第1上氣刀6及第2上氣刀8也與第1下氣刀7及第2下氣刀9同樣地具有角度調(diào)整用的刻度板62,第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9,通過使用角度調(diào)整用的刻度板62,而可進(jìn)行前述傾斜角θ1的調(diào)整。
又,雖未圖示,在第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9的兩端,分別可沿上下方向移動地安裝在適當(dāng)支柱上,因而可調(diào)節(jié)與基板W間的距離。
又,第1上氣刀6及第2上氣刀8的吹出口61與基板W間的距離,較佳為1mm以上5mm以下的范圍。當(dāng)吹出口61與基板W間的距離不足1mm時,則吹出口61會有接觸到涂布于基板W的處理液的擔(dān)心,而當(dāng)其超過5mm時,則干燥效果不佳。又,前述傾斜角θ1,雖為15度以上60度以下,但較佳是形成不會有斑點(diǎn)且不飛散的穩(wěn)定的邊界面。
并且,雖未圖示,但在前述側(cè)壁15,15、底板17以及上板17所圍成的室中,連接有適宜的排氣機(jī)構(gòu),通過該排氣機(jī)構(gòu)可將前述室內(nèi)的氣體排氣。
依具有以上構(gòu)成的本例的基板處理裝置,以運(yùn)送機(jī)構(gòu)1來進(jìn)行運(yùn)送,而在由濕式處理部WET所排出的基板W上,供給從膜液供給機(jī)構(gòu)4所供給形成膜狀的處理液。藉此,沿前述運(yùn)送方向及與其正交方向,均一膜厚的處理液不會產(chǎn)生斑點(diǎn),即,不會產(chǎn)生島狀的殘留液,而將其涂布于基板W上。
另一方面,在基板W下面,吹附來自處理液噴射機(jī)構(gòu)5的處理液,并將該基板W下面洗凈。
又,當(dāng)進(jìn)一步運(yùn)送基板W,乃至到達(dá)第1上氣刀6與第1下氣刀7之間,通過第1上氣刀6所噴出的板狀的氣流,如圖3所示,在基板W上的處理液是沿箭頭13方向推壓除去,而使該基板W上面進(jìn)行干燥。
另一方面,在基板W下面,通過第1下氣刀7所噴出的板狀的氣流,來除去附著于該基板W下面的水滴,并予以干燥。
又,當(dāng)將基板W進(jìn)一步往箭頭10的方向運(yùn)送時,該基板W上下面是分別以第2上氣刀8及第2下氣刀9來進(jìn)行干燥,并將干燥后的基板W運(yùn)入干式處理部DRY。
如此,依該基板處理裝置,由于是在基板W上以涂上均一膜厚的處理液的狀態(tài)下,即,在基板上不會產(chǎn)生島狀的殘留液的狀態(tài)下,進(jìn)行液體去除,因此,可以根本防止在進(jìn)行液體去除時所產(chǎn)生的染色的現(xiàn)有問題。
又,由于從第1上氣刀6,在運(yùn)送方向上流側(cè)設(shè)置膜液供給機(jī)構(gòu)4,在濕式處理部所產(chǎn)生的霧氣可由該膜液來完全隔離。因此,在液體去除、干燥后的基板W表面所附著的霧氣可更有效地防止,從而,因霧氣所產(chǎn)生的染色皆不會發(fā)生。因此,濕式處理部WET與第1上氣刀6間的距離不必拉長,而可獲得裝置的小型化。
又,由于將第1上氣刀6配置成傾斜狀態(tài),因此,可將處理液朝基板W的側(cè)邊導(dǎo)流,藉此,可順利地將其自基板W上除去。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上所述,本發(fā)明的基板處理裝置,是可適用于液晶顯示器、光罩等的玻璃基板、或印刷電路板、半導(dǎo)體晶圓等的基板的制造工序上。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備以大致水平方式來運(yùn)送基板的運(yùn)送機(jī)構(gòu);對以所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)所運(yùn)送的基板施以濕式處理的濕式處理部;配設(shè)于比所述濕式處理部更靠運(yùn)送方向下流側(cè),使處理液形成膜狀后供給至所述基板上的膜液供給機(jī)構(gòu);以及氣體噴出機(jī)構(gòu),其具有狹縫狀的開口部,該開口部是以與所述基板的全面相對向的方式配置于所述膜液供給機(jī)構(gòu)的所述運(yùn)送方向下流側(cè),由所述開口部噴出氣體,產(chǎn)生板狀的氣流。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,將所述氣體噴出機(jī)構(gòu)以使其所述開口部長方向相對于與所述運(yùn)送方向垂直的方向呈傾斜的方式配置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,將所述氣體噴出機(jī)構(gòu)的開口部與所述基板間的距離設(shè)為1mm以上、5mm以下。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,沿所述運(yùn)送方向設(shè)置有多個所述氣體噴出機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一邊以運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板,一邊依序?qū)迨┮詽袷郊案墒教幚淼幕逄幚硌b置。該基板處理裝置具備用來運(yùn)送基板(W)的運(yùn)送機(jī)構(gòu)(1);對被運(yùn)送的基板(W)施以濕式處理的濕式處理部(WET);配設(shè)于比濕式處理部(WET)更靠運(yùn)送方向下流側(cè),使處理液形成膜狀后供給至基板(W)上的膜液供給機(jī)構(gòu)(4);以及其開口部以與基板(W)的全面相對向的方式配置于膜液供給機(jī)構(gòu)(4)的運(yùn)送方向下流側(cè),由開口部噴出氣體,產(chǎn)生板狀氣流的氣體噴出機(jī)構(gòu)。
文檔編號H01L21/00GK1455948SQ02800028
公開日2003年11月12日 申請日期2002年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月14日
發(fā)明者水川茂, 中田勝利, 松元俊二 申請人:住友精密工業(yè)株式會社