降低存儲(chǔ)陣列功耗的方法及裝置、存儲(chǔ)陣列的外圍電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種降低存儲(chǔ)陣列功耗的方法及裝置、存儲(chǔ)陣列的外圍電路。
【背景技術(shù)】
[0002]只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory, ROM),是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)陣列，其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，并且資料不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而丟失ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)陣列那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變；其結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，存儲(chǔ)陣列中同一列中的晶體管的漏端與同一位線連接，同一行中的晶體管的柵端均與同一字線連接，且各個(gè)晶體管的源端均直接與地線相接，在對(duì)位線進(jìn)行預(yù)充電時(shí)和打開相應(yīng)的待讀取的只讀存儲(chǔ)單元的字線時(shí)，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生較大的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例解決的是如何降低只讀存儲(chǔ)單元的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗的問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種降低存儲(chǔ)陣列功耗的方法，所述存儲(chǔ)陣列包括多個(gè)晶體管，所述存儲(chǔ)中同行晶體管的柵端與同一字線連接，不同行晶體管的柵端分別與不同的字線連接；同列晶體管的漏端與同一位線連接，不同列晶體管的漏端分別與不同的位線連接；同列晶體管的源端均通過同一接地控制單元與地線連接，不同列晶體管的源端均通過不同的接地控制單元與地線連接，所述方法包括:
[0006]判斷所述位線是否被位線解碼電路選中；
[0007]當(dāng)確定所述位線是所述位線解碼電路選中的位線時(shí)，將漏端與所述位線連接的晶體管的源端連接的接地控制單元打開；
[0008]當(dāng)確定所述位線非位線解碼電路選中的位線時(shí)，將漏端與所述位線連接的晶體管的源端連接的接地控制單元斷開。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置，所述存儲(chǔ)陣列包括多個(gè)晶體管，所述存儲(chǔ)中同行晶體管的柵端與同一字線連接，不同行晶體管的柵端分別與不同的字線連接；同列晶體管的漏端與同一位線連接，不同列晶體管的漏端分別與不同的位線連接；同列晶體管的源端均通過同一接地控制單元與地線連接，不同列晶體管的源端均通過不同的接地控制單元與地線連接，其特征在于，所述降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置包括:
[0010]判斷單元，適于判斷所述位線是否被位線解碼電路選中；
[0011]第一控制單元，當(dāng)確定所述位線是位線解碼電路選中的位線時(shí)，將漏端與所述位線連接的晶體管的源端連接的接地控制單元打開；
[0012]第二控制單元，當(dāng)確定所述位線非位線解碼電路選中的位線時(shí)，將漏端與所述位線連接的晶體管的源端連接的接地控制單元斷開。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種存儲(chǔ)陣列的外圍電路，所述外圍電路包括:上述的降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置、位線解碼電路和接地控制單元，所述降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置分別與所述位線解碼電路和所述接地控制單元連接。
[0014]可選地，所述接地控制單元為控制晶體管，所述控制晶體管的柵端與所述降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置連接，所述控制晶體管的漏端與同列晶體管的源端均連接，所述控制晶體管的源端與所述地線連接。
[0015]可選地，所述存儲(chǔ)陣列中的晶體管為金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0016]可選地，所述控制晶體管為金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0018]由于在確定位線為所述位線解碼電路選中的位線時(shí)，將存儲(chǔ)陣列中同列晶體管的漏端均與所述位線連接的只讀存儲(chǔ)單元的源端與地線連接，反之，則只讀存儲(chǔ)單元的源端與地線斷開連接，因此，可以有效降低只讀存儲(chǔ)單元的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。
【附圖說明】
[0019]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種存儲(chǔ)陣列與地線之間的連接關(guān)系示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的一種存儲(chǔ)陣列的外圍電路與存儲(chǔ)陣列的連接關(guān)系示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的降低存儲(chǔ)陣列功耗的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種存儲(chǔ)陣列與地線之間的連接關(guān)系示意圖。圖1中示出的存儲(chǔ)陣列可以包括由8個(gè)晶體管100，其中:
[0023]第一行、第二行、第三行和第四行晶體管100的柵端分別與第一字線WL1、第二字線WL2、第三字線WL3和第四字線WL4分別連接，第一列和第二列晶體管100的漏端分別與第一位線BL1和第二位線BL2連接，且第一列和第二列晶體管100的源端均與地線101連接。
[0024]圖1所示的存儲(chǔ)陣列會(huì)存在著較大的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗,具體地:
[0025]為了提高讀取速度，在存儲(chǔ)陣列不工作時(shí)，第一位線BL1和第二位線BL2均預(yù)充電至高電平狀態(tài)。由于第一列晶體管100的漏端均與第一位線BL1連接，第二列晶體管100均與第二位線BL2連接，使得第一列和第二列中的晶體管100分別構(gòu)成從第一位線BL1或第二位線BL2的高電平到地線101的低電平的漏電通路，產(chǎn)生漏電電流。雖然所述漏電電流較小，但是，當(dāng)存儲(chǔ)陣列中的晶體管的數(shù)量較多時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生較大的靜態(tài)功耗。
[0026]再如，當(dāng)將第一字線WL1開啟時(shí)，由于第一字線WL1與第二行中的晶體管100的柵端均連接，所有和第一字線WL1連接的第一行中的晶體管100均打開，使得所有與第一字線WL1連接的第一行中的晶體管100分別構(gòu)成從第一位線BL1或者第二位線BL2的高電平到地線101的低電平的直流通路。并且，當(dāng)?shù)谝蛔志€WL1打開時(shí)，使得柵端均與第一字線WL1連接的第一行中的晶體管100的阻值急劇降低，進(jìn)而使得從第一位線BL1或者第二位線BL2的高電平到地線101的低電平的直流通路中產(chǎn)生較大的放電電流，造成了較大的動(dòng)態(tài)功耗。
[0027]同理，在將第二字線WL2、第三字線WL3和第四字線WL4開啟時(shí)，第二行、第三行和第四行中的晶體管100也會(huì)分別構(gòu)成從第一位線BL1或者第二位線BL2的高電平到地線101上的直流通路，進(jìn)行放電，產(chǎn)生了較大的動(dòng)態(tài)功耗。
[0028]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案通過在確定位線為所述位線解碼電路選中的位線時(shí)，將存儲(chǔ)陣列中同列晶體管的漏端均與所述位線連接的晶體管的源端連接的接地控制單元開啟，反之，則將相應(yīng)的接地控制單元關(guān)閉，可以有效降低存儲(chǔ)陣列的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。
[0029]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0030]請(qǐng)參見圖2所示，其中示出的存儲(chǔ)陣列可以包括4行*2列的晶體管，在所述存儲(chǔ)陣列中:第一行晶體管20(^的柵端均與第一字線WL21連接，第二行晶體管2002]的柵端均與第二字線WL22連接，第三行晶體管2003j的柵端均與第三字線WL23連接，第四行晶體管2004j的柵端均與第四字線WL24連接。第一列晶體管200u的漏端均與第一位線BL21連接，第二列晶體管20012的漏端均與第二位線BL22連接。
[0031]如圖2所示的存儲(chǔ)陣列的外圍電路可以包括:降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置201、位線解碼電路202、第一接地控制單元和第二接地控制單元，其中:
[0032]降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置201分別與位線解碼電路202、第一接地控制單元和第二接地控制單元相連接。同時(shí)，第一接地控制單元、第二接地控制單元還分別連接在所述存儲(chǔ)陣列中第一列晶體管200u的源端、第二列晶體管20012的源端和地線205之間。
[0033]在具體實(shí)施中，所述降低存儲(chǔ)陣列功耗的裝置201可以包括判斷單元2011、第一控制單元2012和第二控制單元2013，其中，判斷單元2011分別所述第一控制單元2012和第二控制單元2013相連接。
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