半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)要求2014年8月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2014-0102525的韓國(guó)專(zhuān)利的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以參閱方式全文并入本申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]各種實(shí)施例主要涉及一種半導(dǎo)體集成電路，并具體涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置被配置成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并輸出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置根據(jù)數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)和保存的方案而被分類(lèi)為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置以及易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
[0005]該易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行更新操作以保存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置不需要分離操作(諸如刷新操作)以保存所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0006]在易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置之中，存在這樣的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中電荷根據(jù)將被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)而向電容器充電或從其中放電，并且所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括用于確定電容器的電荷量的電路(舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)放大器)。
[0007]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置趨向于微型化以及低能耗，電容器的尺寸被縮小，并且被充到電容器中的電荷量也被減少。在這個(gè)狀況下，正在開(kāi)發(fā)一種能夠確定電容器的電荷的減少量的電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括電聯(lián)接到字線和位線的第一存儲(chǔ)單元。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括電聯(lián)接到字線和位線的第二存儲(chǔ)單元。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括電聯(lián)接到位線和位線條(bit line bar)的感測(cè)放大器。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括切換單元，其被配置成響應(yīng)列選擇信號(hào)而將位線和位線條電聯(lián)接到輸入/輸出線以及輸入/輸出線條(line bar)。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第一存儲(chǔ)單元，其包括當(dāng)字線被啟用時(shí)電聯(lián)接到第一位線的第一電容器。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括第二存儲(chǔ)單元，其包括當(dāng)字線被啟用時(shí)電聯(lián)接到第一位線條的第二電容器。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第三存儲(chǔ)單元，其包括當(dāng)字線被啟用時(shí)電聯(lián)接到第二位線的第三電容器。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第四存儲(chǔ)單元，其包括當(dāng)字線被啟用時(shí)電聯(lián)接到第二位線條的第四電容器。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括電聯(lián)接到第一位線和第一位線條的第一感測(cè)放大器。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括電聯(lián)接到第二位線和第二位線條的第二感測(cè)放大器。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第一切換單元，該第一切換單元被配置成響應(yīng)第一列選擇信號(hào)而電聯(lián)接第一位線和第一輸入/輸出線并且電聯(lián)接第一位線條和第一輸入/輸出線條。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括第二切換單元，其被配置成響應(yīng)第二列選擇信號(hào)而電聯(lián)接第二位線和第二輸入/輸出線并且電聯(lián)接第二位線條和第二輸入/輸出線條。
[0010]優(yōu)選地，所述第一位線和所述第一位線條轉(zhuǎn)移具有不同電平的數(shù)據(jù)，其中，所述第一輸入/輸出線和所述第一輸入/輸出線條轉(zhuǎn)移具有不同電平的數(shù)據(jù)，其中，所述第二位線和所述第二位線條轉(zhuǎn)移具有不同電平的數(shù)據(jù)，并且其中，所述第二輸入/輸出線和所述第二輸入/輸出線條轉(zhuǎn)移具有不同電平的數(shù)據(jù)。
[0011]優(yōu)選地，所述第二位線，所述第一位線條和所述第二位線條被順序地設(shè)置在所述第一位線的一側(cè)。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括電聯(lián)接到字線的多個(gè)存儲(chǔ)單元。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括電聯(lián)接到多個(gè)存儲(chǔ)單元的多條位線。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還可以包括切換單元，其被配置成響應(yīng)列選擇信號(hào)將多條位線的一對(duì)位線與一對(duì)輸入/輸出線電聯(lián)接。此外，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括感測(cè)放大器，其被配置成感測(cè)并放大該對(duì)位線之間的電壓差，其中一對(duì)存儲(chǔ)單元響應(yīng)字線和列選擇信號(hào)而在多個(gè)存儲(chǔ)單元中被選擇，不同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所選擇的一對(duì)存儲(chǔ)單元中，并且該對(duì)存儲(chǔ)單元被配置成輸出不同的數(shù)據(jù)。
[0013]優(yōu)選地，如果高電平數(shù)據(jù)響應(yīng)所述字線和所述列選擇信號(hào)而被存儲(chǔ)在所述一對(duì)存儲(chǔ)單元中的一個(gè)中，則低電平數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在所述一對(duì)存儲(chǔ)單元的另一個(gè)中，并且如果所述一對(duì)存儲(chǔ)單元中的其中一個(gè)輸出高電平數(shù)據(jù)，則所述一對(duì)存儲(chǔ)單元的另一個(gè)輸出低電平數(shù)據(jù)。
[0014]優(yōu)選地，被選擇的所述一對(duì)存儲(chǔ)單元被分別電聯(lián)接到所述一對(duì)輸入/輸出線，并且被電聯(lián)接到所述感測(cè)放大器。
[0015]優(yōu)選地，當(dāng)所述位線的電壓電平高于所述位線條的電壓電平時(shí)，所述感測(cè)放大器提升所述位線的電壓電平并降低所述位線條的電壓電平。
[0016]優(yōu)選地，當(dāng)所述位線的電壓電平低于所述位線條的電壓電平時(shí)，所述感測(cè)放大器降低所述位線的電壓電平并且升高所述位線條的電壓電平。
[0017]優(yōu)選地，當(dāng)所述列選擇信號(hào)被啟用時(shí)，所述切換單元將所述位線和所述輸入/輸出線電聯(lián)接。
[0018]優(yōu)選地，當(dāng)所述列選擇信號(hào)被啟用時(shí)，所述切換單元將所述位線條和所述輸入/輸出線條電聯(lián)接。
[0019]優(yōu)選地，當(dāng)所述列選擇信號(hào)被停用時(shí)，所述切換單元將所述位線和所述輸入/輸出線電斷開(kāi)。
[0020]優(yōu)選地，當(dāng)所述列選擇信號(hào)被停用時(shí)，所述切換單元將所述位線條和所述輸入/輸出線條電斷開(kāi)。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示例的結(jié)構(gòu)圖。
[0022]圖2為根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行特征示意圖。
[0023]圖3為說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示例的結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖4為說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示例的結(jié)構(gòu)圖。
[0025]圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用存儲(chǔ)控制器電路的系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在下文中，以下將參考各個(gè)實(shí)施例的附圖，描述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
[0027]參考圖1，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括第一存儲(chǔ)單元10、第二存儲(chǔ)單元20、感測(cè)放大器30、以及切換單元40。
[0028]該第一存儲(chǔ)單元10被電聯(lián)接到字線WL以及位線BL。
[0029]該第二存儲(chǔ)單元20同樣電聯(lián)接到字線WL和位線條BLB。
[0030]該感測(cè)放大器30同樣被電聯(lián)接到位線BL和位線條BLB。
[0031]該切換單元40響應(yīng)列選擇信號(hào)Yi而將位線BL和輸入/輸出線10_L電聯(lián)接(couple)或電斷開(kāi)(decouple)并且將位線條BLB和輸入/輸出線條10B_L電聯(lián)接或電斷開(kāi)。
[0032]該第一存儲(chǔ)單元10包括第一晶體管N1和第一電容器C1。該第一晶體管N1具有柵極，漏極和源極，字線WL被電聯(lián)接到該柵極，該位線BL和第一電容器C1的一端被電聯(lián)接到所述漏極和源極。該第一電容器C1具有一端和另一端，第一晶體管N1被電聯(lián)接到該一端，單元板電壓VCP被應(yīng)用到該另一端上。
[0033]在第一存儲(chǔ)單元10中，如果該字線WL被啟用，則該第一電容器C1的電荷被傳遞到位線BL。另外，位線BL的電荷被傳遞到第一電容器C1。具體地，如果該字線WL被啟用，則該第一晶體管N1被打開(kāi)。如果該第一晶體管N1被打開(kāi)，則該第一電容器C1和位線BL被電聯(lián)接。如果該第一電容器C1與位線BL電聯(lián)接，則第一電容器C1的電荷被傳遞到位線BLo另外，該位線BL的電荷被傳遞到第一電容器C1。在位線BL的電荷量大于第一電容器C1的電荷量時(shí)，電荷從位線BL傳遞到第一電容器C1。另外，在位線BL的電荷量小于第一電容器C1的電荷量時(shí)，該位線BL將電荷從第一電容器C1傳遞。
[0034]該第二存儲(chǔ)單元20包括第二晶體管N2和第二電容器C2。該第二晶體管N2具有柵極，漏極和源極，字線WL被電聯(lián)接到該柵極，該位線條BLB和第二電容器C2的一端被電聯(lián)接到所述漏極和源極。該第二電容器C2具有一端和另一端，第二晶體管N2被電聯(lián)接到該一端，單元板電壓VCP被應(yīng)用到該另一端上。
[0035]在第二存儲(chǔ)單元20中，如果該字線WL被啟用，則第二電容器C2的電荷被傳遞到位線條BLB，或該位線條BLB的電荷被傳遞到第二電容器C2。具體地，如果該位線WL被啟用，則該第二晶體管N2被打開(kāi)。如果該第二晶體管N2被打開(kāi)，則該第二電容器C2以及該位線條BLB被電聯(lián)接。如果該第二電容器C2與位線條BLB電聯(lián)接，則該第二電容器C2的電荷被傳遞到位線條BLB。另外，該位線條BLB的電荷被傳遞到第二電容器C2。在位線條BLB的電荷量大于第二電容器C2的電荷量時(shí)，電荷從位線條BLB被傳遞到第二電容器C2。此外，在位線條BLB的電荷量小于第二電容器C2的電荷量時(shí)，該位線條BLB將電荷從第二電容器C2傳遞。
[0036]該感測(cè)放大器30被電聯(lián)接到位線BL以及位線條BLB。該感測(cè)放大器30還感測(cè)并放大位線BL的電壓電平和位線條BLB的電壓電平之間的差。舉例來(lái)說(shuō)，在位線BL的電壓電平高于位線條BLB的電壓電平時(shí)，該感測(cè)放大器30提升位線BL的電壓電平并降低位線條BLB的電壓電平。在位線BL的電壓電平低于位線條BLB的電壓電平時(shí)，該感測(cè)放大器30降低位線BL的電壓電平并提