專(zhuān)利名稱(chēng)：擦除閃速存儲(chǔ)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種擦除存儲(chǔ)器件的方法，特別涉及一種能夠通過(guò)給漏區(qū)加低電壓并隨后加正常擦除電壓禁止電流從漏區(qū)流到硅襯底的擦除存儲(chǔ)器件的方法。
閃速存儲(chǔ)器中，通常利用隧道現(xiàn)象擦除單元。即，如

圖1所示，控制柵5加-13V電壓，漏區(qū)3加5V電壓，源區(qū)2浮置。因而，存儲(chǔ)在浮柵4中的電子轉(zhuǎn)移到漏區(qū)3，由此擦除存儲(chǔ)單元。
此時(shí)，漏區(qū)3加5V電壓，控制柵5加-13V電壓時(shí)，由于空穴有向低能級(jí)運(yùn)動(dòng)的性質(zhì)及在漏區(qū)3和襯底1之間形成的電場(chǎng)，所以漏區(qū)3產(chǎn)生的空穴遷移到襯底1。因而，電流過(guò)量地從漏區(qū)3流到襯底1(此后稱(chēng)之為“BTBT”電流帶-帶隧穿電流)，BTBT電流妨礙了很好地擦除器件。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法，能夠減少擦除操作期間產(chǎn)生的BTBT電流，從而很好地擦除器件。
根據(jù)本發(fā)明的擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法在給定時(shí)間T1內(nèi)進(jìn)行第一擦除操作和在給定時(shí)間T2內(nèi)進(jìn)行第二擦除操作。
在控制柵加-13V電壓，漏區(qū)和源區(qū)接地的條件下，進(jìn)行第一擦除操作。在控制柵加-13V電壓，漏區(qū)加5V電壓，源區(qū)浮置的條件下，進(jìn)行第二擦除操作。
通過(guò)閱讀結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，可以理解本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是展示擦除閃速存儲(chǔ)器件的常規(guī)電壓條件的器件剖面圖。
圖2A和2B是展示根據(jù)本發(fā)明擦除閃速存儲(chǔ)器件的電壓條件的器件剖面圖。
圖3是展示根據(jù)本發(fā)明加到漏區(qū)的電壓的變化曲線(xiàn)圖。
圖4是展示響應(yīng)漏電壓的BTBT電流量的曲線(xiàn)圖。
下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
圖2A和2B是展示根據(jù)本發(fā)明擦除閃速存儲(chǔ)器件的電壓條件的器件剖面圖，圖3是展示根據(jù)本發(fā)明加到漏區(qū)的電壓的變化曲線(xiàn)圖。
為了擦除閃速存儲(chǔ)器件，如圖2A所示，在時(shí)間T1內(nèi)，控制柵15加-13V電壓，漏區(qū)13和源區(qū)12分別加0V電壓，由此，存儲(chǔ)在浮柵14中的電子向漏區(qū)13轉(zhuǎn)移(第一擦除狀態(tài))。
然而，由于漏區(qū)13加了0V電壓，使漏區(qū)13和浮柵14之間的電位差變得較小，所以漏區(qū)13和襯底11之間形成了較弱電場(chǎng)。于是，由于形成于漏區(qū)13和襯底11之間的電場(chǎng)較弱，漏區(qū)13和襯底11之間的電位差可以忽略，漏區(qū)13中產(chǎn)生且然后移向襯底11的空穴數(shù)極大地減少。
此后，如圖2B和3所示，在時(shí)間T2內(nèi)，漏區(qū)13加正常擦除時(shí)的5V電壓，源區(qū)12浮置，控制柵15加-13V電壓(第二擦除狀態(tài))。
圖4是展示響應(yīng)漏電壓的BTBT電流量的曲線(xiàn)圖。圖4中，可以看出加于漏區(qū)的電壓越低，流過(guò)的BTBT電流越小。
如上所述，在控制柵加-13V電壓，漏區(qū)和源區(qū)接地的條件下進(jìn)行第一擦除操作，然后，在控制柵加-13V電壓，漏區(qū)加5V電壓，源區(qū)接地的條件下進(jìn)行第二擦除操作，這樣便可以使從漏區(qū)流到襯底的電流最小。
前面的說(shuō)明，盡管在對(duì)優(yōu)選實(shí)施例說(shuō)明中帶有某種程度的特殊性，但這只是對(duì)本發(fā)明原理的說(shuō)明。應(yīng)該明了，本發(fā)明并不限于這里所公開(kāi)的這些優(yōu)選實(shí)施例。因此，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以做出各種變化，但所有變化皆包含于本發(fā)明的另外的實(shí)施例中。
權(quán)利要求
1.一種擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟在控制柵加-13V電壓、漏區(qū)和源區(qū)接地的條件下進(jìn)行第一擦除操作；在控制柵加-13V電壓、漏區(qū)加5V電壓、源區(qū)浮置的條件下進(jìn)行第二擦除操作。
2.一種擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，在給定時(shí)間T1內(nèi)進(jìn)行第一擦除操作，然后在給定時(shí)間T2內(nèi)進(jìn)行第二擦除操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，第一擦除操作在控制柵加-13V電壓、漏區(qū)和源區(qū)接地的條件下進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的擦除閃速存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，第二擦除操作在控制柵加-13V電壓、漏區(qū)加5V電壓、源區(qū)浮置的條件下進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種擦除閃速存儲(chǔ)器件方法,在擦除時(shí),能使由于形成于漏區(qū)和襯底之間的強(qiáng)電場(chǎng)引起的從漏區(qū)流到襯底的電流最小。在控制柵加－13V電壓、漏區(qū)和源區(qū)接地的條件下進(jìn)行第一擦除操作,然后,在控制柵加－13V電壓、漏區(qū)加5V電壓、源區(qū)浮置的條件下進(jìn)行第二擦除操作。
文檔編號(hào)G11C16/06GK1172328SQ9711250
公開(kāi)日1998年2月4日 申請(qǐng)日期1997年6月27日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月29日
發(fā)明者宋福男 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社