專利名稱：非易失性存儲器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種非易 失性存儲器的制造方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲器由于具有可多次進行數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動作， 且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點，所以已成為個人電腦和電子設(shè)備 所廣泛采用之一種非易失性存儲器。
典型的非易失性存儲器， 一般是被設(shè)計成具有堆疊式(stacked)柵極結(jié)構(gòu)， 其中包括以摻雜多晶硅制造的浮置柵極(floating gate)與控制柵極(control gate)。浮置柵極位于控制柵極和基底之間，且處于浮置狀態(tài)，沒有和任何電 路相連接，而控制柵極則與字線(word line)相接。此外，還包括穿隧氧化層 (tunneling oxide layer)和片冊間介電層(inter-gate dielectric layer)分另'H立于基底 和浮置柵極之間以及浮置柵極和控制柵極之間。
在目前的工藝中，在形成柵間介電層以及控制柵極之前，會先進行回蝕 刻工藝來移除部分隔離結(jié)構(gòu)，將浮置柵極的側(cè)壁暴露出來以增加浮置柵極與 控制柵極之間的重疊面積，以增加元件的耦合率(coupling ratio)。
然而，在進行上述回蝕刻工藝之后，源極區(qū)域與漏極區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)在 后續(xù)形成存儲單元與選擇柵極的圖案化工藝中往往還會被移除一部分，導(dǎo)致 其頂面低于基底的表面，使得后續(xù)在漏極區(qū)域形成位線接觸窗之后，當(dāng)部分 位線接觸窗形成在隔離結(jié)構(gòu)上時，位線接觸窗會與有源區(qū)的邊角接觸而使元 件短路。如圖5A所示，當(dāng)層間介電層14、 16依序形成于基底IO上之后， 會先進行第一次蝕刻工藝移除部分介電層16,再進行第二次蝕刻工藝移除部 分層間介電層14，以形成溝槽18。然后，于溝槽18中形成位線接觸窗20。 由于隔離結(jié)構(gòu)12的頂面低于基底10的表面，因此當(dāng)位線接觸窗20因工藝 因素而有部分形成在隔離結(jié)構(gòu)12上時，位線接觸窗20除了與摻雜區(qū)22電 性連接之外，還會與基底10的有源區(qū)的邊角接觸，導(dǎo)致漏電流的產(chǎn)生。此外，在形成作為源極線的材料的導(dǎo)體層之前， 一般會先于源極區(qū)域共 形地形成一層阻障層。阻障層在后續(xù)的工藝中會與基底產(chǎn)生反應(yīng)形成金屬硅 化物，可以降低元件的阻值。然而，當(dāng)源極區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)的頂面低于基底 的表面時，阻障層不僅僅形成在基底的頂面上，還會形成在基底的周圍，因 此在形成上述金屬硅化物時會同時消耗掉基底中的硅原子，導(dǎo)致基底中產(chǎn)生 孔隙(void)而產(chǎn)生缺陷，因而影響元件效能。如圖5B所示，在形成源極線 26之前，先于基底上形成阻障層24。然后，于阻障層24上形成源極線26。 由于隔離結(jié)構(gòu)12的頂面低于基底10的表面，因此使得阻障層24形成在基 底10的頂面上以及周圍，導(dǎo)致阻障層24在后續(xù)工藝中與基底IO反應(yīng)形成 金屬硅化物時，消耗了基底10中的硅原子而在基底10中產(chǎn)生孔隙(未繪示)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種非易失性存儲器的制造方法， 可以避免源極區(qū)域的基底產(chǎn)生缺陷，以及避免位線接觸窗與有源區(qū)的邊角接 觸而導(dǎo)致元件發(fā)生短路的現(xiàn)象。
本發(fā)明提出一種非易失性存儲器的制造方法，此方法是先于基底上依序 形成穿隧介電層與第一導(dǎo)體層，其中基底具有源極區(qū)域與漏極區(qū)域。然后， 于第一導(dǎo)體層、穿隧介電層與基底中形成隔離結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)的延伸方向與 源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的延伸方向交錯。接著，于源極區(qū)域與漏極區(qū)域形成 保護層。而后，移除部分隔離結(jié)構(gòu)，以使隔離結(jié)構(gòu)的表面低于第一導(dǎo)體層的 表面。繼的，移除保護層。隨后，于基底上形成柵間介電層。之后，移除源 極區(qū)域以及漏極區(qū)域的柵間介電層。然后，于基底上形成第二導(dǎo)體層。接著， 進行圖案化工藝，圖案化第二導(dǎo)體層、柵間介電層、第一導(dǎo)體層與穿隧介電 層，以形成多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)，并同時移除源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第二導(dǎo) 體層、第一導(dǎo)體層與穿隧介電層。而后，于堆疊柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)、源極區(qū)域以 及漏極區(qū)域的基底中分別形成摻雜區(qū)。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的保護層例 如為光致抗蝕劑層。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述在形成摻雜 區(qū)之后，還可以于基底上形成層間介電層。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，還可以于層間介電層中形成多個位線接觸窗、源極線與多個接觸窗，且源極線與位線接觸窗 以及接觸窗是在不同步驟中形成。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述在形成源極 線之前，還可以于源極區(qū)域共形地形成阻障層。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的阻障層的 材料例如為氮化鈦/鈦。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的基底還具 有選擇柵極區(qū)域。在移除源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的柵間介電層的步驟中，還 可以移除選擇柵極區(qū)域的部分柵間介電層。然后，在圖案化工藝中，還可以 同時于選4奪一冊極區(qū)域形成選擇4冊極。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，還可以于堆疊柵 極結(jié)構(gòu)與選擇柵極的側(cè)壁形成間隙壁。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述在形成隔離 結(jié)構(gòu)的步驟中，還可以先于第一導(dǎo)體層上形成硬掩模層。然后，于硬掩模層、 第一導(dǎo)體層、穿隧介電層與基底中形成溝槽。接著，于基底上形成介電材料 層，以填滿溝槽。之后，進行第一平坦化工藝，移除部分介電材料層直到暴 露出硬掩模層。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上迷在進行第一 平坦化工藝之后，還可以先移除硬掩模層。然后，于基底上形成導(dǎo)體材料層。 之后，進行第二平坦化工藝，移除部分導(dǎo)體材料層直到暴露出隔離結(jié)構(gòu)。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的柵間介電 層的材料例如為氧化硅/氮化硅/氮化硅。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第一導(dǎo)體 層的材料例如為摻雜多晶硅。 '
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的第二導(dǎo)體 層的材料例如為摻雜多晶硅。
依照本發(fā)明實施例所述的非易失性存儲器的制造方法，上述的摻雜區(qū)的 形成方法例如為離子注入工藝。
由于本發(fā)明在進行回蝕刻工藝移除部分隔離結(jié)構(gòu)之前，先于源極區(qū)域與 漏極區(qū)域形成保護層來保護隔離結(jié)構(gòu)，因此在后續(xù)于源極區(qū)域與漏極區(qū)域分 別形成源極線與位線接觸窗的過程中，源極區(qū)域與漏極區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)的頂面仍然可以高于基底表面，使得源極區(qū)域的基底不會在與阻障層產(chǎn)生反應(yīng)而 形成金屬硅化物之后產(chǎn)生缺陷，且當(dāng)位線接觸窗之一部分形成在隔離結(jié)構(gòu)上 時，位線接觸窗不會與有源區(qū)的邊角接觸而導(dǎo)致元件短路。
為讓本發(fā)明之上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合 所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1D為依照本發(fā)明實施例所繪示的非易失性存儲器的制造流
程上視圖。
圖2a至圖2d分別為依照圖1a至圖1d中I-I，剖面線所繪示的非易失 性存儲器的制造流程剖面圖。
圖3A至圖3D分別為依照圖1A至圖1D中II-II，剖面線所繪示的非易失
性存儲器的制造流程剖面圖。
圖4a至圖4d分別為依照圖iA至圖id中m-nr剖面線所繪示的非易
失性存儲器的制造流程剖面圖。
圖5 a繪示為公知技術(shù)中于漏極區(qū)域形成位線接觸窗的剖面示意圖。 圖5b繪示為公知技術(shù)中于源極區(qū)域形成源極線的剖面示意圖。
主要元件符號說明 10、 100:基底
14、 16、 125、 126:層間介電層 20、 135:位線接觸窗 24、 134:阻障層
101源才及區(qū)域103漏極區(qū)域
105選擇柵極區(qū)域
112保護層
118堆疊柵極結(jié)構(gòu)
122間隙壁
具體實施例方式
12、 108:隔離結(jié)構(gòu)
18、 128、 130、 132:溝槽
22、 124:摻雜區(qū)
26、 138:源極線
102:穿隧介電層
104、 110、 116:導(dǎo)體層
106:硬掩模層
114: 4冊間介電層
120:選擇柵極
136:接觸窗圖1A至圖ID為依照本發(fā)明實施例所繪示的非易失性存儲器的制造流
程上視圖。圖2A至圖2D分別為依照圖IA至圖ID中I-I，剖面線所繪示的 非易失性存儲器的制造流程剖面圖。圖3A至圖3D分別為依照圖1A至圖 II)中n-II，剖面線所繪示的非易失性存儲器的制造流程剖面圖。圖4A至圖 4D分別為依照圖1A至圖1D中III-Iir剖面線所繪示的非易失性存儲器的制
造流程剖面圖。
首先，請同時參照圖1A、圖2A、圖3A與圖4A,提供基底100,基底 100具有源極區(qū)域101、漏極區(qū)域103與選擇柵極區(qū)域105。于基底100上依 序形成穿隧介電層102、導(dǎo)體層104與硬掩模層106。穿隧介電層102的材 料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。導(dǎo)體層104的材料例如是摻 雜多晶硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。硬掩模層106的材料例如是 氮化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，于硬掩模層106、導(dǎo)體 層104、穿隧介電層102與基底100中形成隔離結(jié)構(gòu)108。隔離結(jié)構(gòu)108的 延伸方向與源極區(qū)域101 、漏極區(qū)域103以及選擇柵極區(qū)域105的延伸方向 交錯。隔離結(jié)構(gòu)108例如是淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其形成方法例如是先于掩模層 106、導(dǎo)體層104、穿隧介電層102與基底100中形成溝槽(未繪示)，然后于 基底100上形成隔離材料層(未繪示)以填滿溝槽，之后例如使用化學(xué)機械研 磨法進行平坦化工藝，移除部分隔離材料層直到暴露出隔離結(jié)構(gòu)108。隔離 材料層的材料例如是高密度等離子體(high density plasma， HDP)氧化物。在 本實施例中，隔離結(jié)構(gòu)108例如是在X方向上延伸，而源極區(qū)域IOI、漏極 區(qū)域103以及選擇柵極區(qū)域105例如是在Y方向上延伸。
然后，請同時參照圖1B、圖2B、圖3B與圖4B,移除掩模層106，以 暴露出導(dǎo)體層104。接著，于導(dǎo)體層104上形成另一層導(dǎo)體層110。導(dǎo)體層 110的材料例如為摻雜多晶硅，其形成方法例如是先于基底100上形成導(dǎo)體 材料層(未繪示)，然后進行化學(xué)機械研磨工藝直到暴露出隔離結(jié)構(gòu)108。導(dǎo) 體層104、 IIO是用來作為非易失性存儲器的浮置柵極的材料。
請繼續(xù)參照圖1B、圖2B、圖3B與圖4B，于源極區(qū)域101與漏極區(qū)域 103形成保護層112。保護層112例如為光致抗蝕劑層。然后，進行回蝕刻 工藝，移除未被保護層112覆蓋的隔離結(jié)構(gòu)108之一部分，以暴露出導(dǎo)體層 104、 IIO的側(cè)壁，其目的是用以增加后續(xù)所形成的浮置柵極與控制柵極之間 的重疊面積，以增加元件的耦合率。接著，請同時參照圖1C、圖2C、圖3C與圖4C,移除保護層112。然 后，于基底100上形成柵間介電層114。柵間介電層114的材料例如是氧化 硅/氮化硅/氧化硅，其形成方法例如是先以熱氧化法形成于基底100上共形 地形成第 一層氧化硅層，接著進行化學(xué)氣相沉積工藝以于氧化硅層上共形地 形成一層氮化硅層，之后再于氮化硅層上共形地形成第二層氧化硅層。當(dāng)然， 柵間介電層114的材料也可以是氧化硅、氧化硅/氮化硅或其他的介電材料。 而后，進行光刻工藝與蝕刻工藝，移除源極區(qū)域101與漏極區(qū)域103的柵間 介電層114,以及移除選擇柵極區(qū)域105的部分柵間介電層114。
請繼續(xù)參照圖1C、圖2C、圖3C與圖4C，于基底上形成導(dǎo)體層116。 導(dǎo)體層116的材料例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。 導(dǎo)體層116是用來作為非易失性存儲器的控制柵極的材料。當(dāng)然，在其他實 施例中，還可以在導(dǎo)體層116上形成一層金屬硅化物層，以降低元件的電阻 值。金屬硅化物層的材料例如為硅化鎢、硅化鈦、硅化鈷、硅化鉭、硅化鎳、 硅化鉑或硅化釔。繼之，進行圖案化工藝，移除部分導(dǎo)體層116、導(dǎo)體層110、 柵間介電層114、導(dǎo)體層104與穿隧介電層102，以形成多個堆疊4冊;f及結(jié)構(gòu) 118,以及于選擇柵極區(qū)域105形成選捐:柵極120。當(dāng)然，源極區(qū)域101以及 漏極區(qū)域103的隔離結(jié)構(gòu)108在圖案化工藝中也會被移除一部分，但是由于 源極區(qū)域101以及漏極區(qū)域103的隔離結(jié)構(gòu)108在圖1B、 2B、 3B與4B所 述的回蝕刻工藝中受到保護層112的保護而未先被移除一部分，因此其頂面 仍然可以高于基底100的表面。
也就是說，在進行上述的蝕刻工藝之后，移除了源極區(qū)域IOI以及漏極 區(qū)域103的導(dǎo)體層IIO、 104與穿隧介電層102;于選擇柵極區(qū)域105保留了 導(dǎo)體層116、柵間介電層1M、導(dǎo)體層110、導(dǎo)體層104與穿隧介電層102而 形成了選擇柵極120。此外，堆疊柵極結(jié)構(gòu)118與其下方的穿隧介電層102 構(gòu)成非易失性存儲器中的存儲單元。在堆疊柵極結(jié)構(gòu)118中，導(dǎo)體層110、 104共同構(gòu)成浮置柵極，而導(dǎo)體層116構(gòu)成控制柵極。
請繼續(xù)參照圖1C、圖2C、圖3C與圖4C,于堆疊柵極結(jié)構(gòu)118與選擇 柵極20的側(cè)壁形成間隙壁122。間隙壁122的形成方法例如是先于基底100 上共形地形成間隙壁材料層(未繪示)，然后再進行各向異性蝕刻工藝。之后， 利用堆疊柵極結(jié)構(gòu)118、選擇柵極120與間隙壁122為掩模，進行離子注入 工藝，以于堆疊柵極結(jié)構(gòu)118以及選褲二柵極120 二側(cè)、源極區(qū)域101以及漏極區(qū)域103的基底100中形成摻雜區(qū)124,以完成本發(fā)明的非易失性存儲器
的制造。
之后，請同時參照圖1D、圖2D、圖3D與圖4D，于基底100上形成層 間介電層125。層間介電層125的材料例如是氧化硅，形成方法例如是化學(xué) 氣相沉積法。然后，進行光刻工藝與蝕刻工藝，以于層間介電層125中形成 溝槽132。溝槽132暴露出源極區(qū)域101的摻雜區(qū)124與隔離結(jié)構(gòu)108。繼 之，于源極區(qū)域101形成阻障層134。阻障層134的材料例如為氮化鈦/鈦， 其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法。然后，于溝槽132中形成源極線138。 源極線138的材料例如為鎢，其形成方法例如是先于基底100上形成導(dǎo)體材 料層(未繪示)以填滿溝槽132,然后進行化學(xué)機械研磨工藝，移除部分導(dǎo)體 材料層直到暴露出層間介電層125。
請繼續(xù)參照圖1D、圖2D、圖3D與圖4D,于層間介電層125上形成另 一層層間介電層126。層間介電層126的材料例如是氧化硅，形成方法例如 是化學(xué)氣相沉積法。然后，進行光刻工藝與蝕刻工藝，以于層間介電層126 中形成溝槽128、 130。溝槽128暴露出漏極區(qū)域103的摻雜區(qū)124。溝槽130 暴露出堆疊柵極結(jié)構(gòu)118與選擇柵極120的頂面。之后，于溝槽128、 130 中分別形成位線接觸窗135、接觸窗136。位線接觸窗135、接觸窗136的材 料例如為鎢，其形成方法例如是先于基底100上形成導(dǎo)體材料層(未繪示)以 填滿溝槽128、 130，然后進行化學(xué)機械研磨工藝，移除部分導(dǎo)體材料層直到 暴露出層間介電層126。
重要的是，由于在一般的工藝中隔離材料的蝕刻速率小于層間介電層 125、 126的蝕刻速率，且源極區(qū)域101以及漏極區(qū)域103的隔離結(jié)構(gòu)108 的頂面高于基底100的表面，因此在以蝕刻工藝形成溝槽128、 132時，并 不會移除過多的隔離結(jié)構(gòu)108而使其頂面低于基底100的表面。
特別一提的是，由于源極區(qū)域101的隔離結(jié)構(gòu)108的頂面高于基底100 的表面，因此阻障層134與基底100僅有一個接觸面，進而避免在后續(xù)工藝 中阻障層134與基底100反應(yīng)產(chǎn)生金屬硅化物后使基底100產(chǎn)生缺陷。此外， 由于漏極區(qū)域103的隔離結(jié)構(gòu)108的頂面高于基底100的表面，因此當(dāng)部分 位線接觸窗135形成在隔離結(jié)構(gòu)108上時，位線接觸窗135僅會與摻雜區(qū)124 電性連接而不會直接與基底100的有源區(qū)的邊角接觸，可以避免元件發(fā)生短 路的現(xiàn)象。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動 與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種非易失性存儲器的制造方法，包括在一基底上依序形成一穿隧介電層與一第一導(dǎo)體層，其中該基底具有一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域；在該第一導(dǎo)體層、該穿隧介電層與該基底中形成一隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)的延伸方向與該源極區(qū)域以及該漏極區(qū)域的延伸方向交錯；在該源極區(qū)域與該漏極區(qū)域形成一保護層；移除部分該隔離結(jié)構(gòu)，以使該隔離結(jié)構(gòu)的表面低于該第一導(dǎo)體層的表面；移除該保護層；在該基底上形成一柵間介電層；移除該源極區(qū)域以及該漏極區(qū)域的該柵間介電層；在該基底上形成一第二導(dǎo)體層；進行一圖案化工藝，圖案化該第二導(dǎo)體層、該柵間介電層、該第一導(dǎo)體層與該穿隧介電層，以形成多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)，并同時移除該源極區(qū)域以及該漏極區(qū)域的該第二導(dǎo)體層、該第一導(dǎo)體層與該穿隧介電層；以及在所述堆疊柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)、該源極區(qū)域以及該漏極區(qū)域的該基底中分別形成一摻雜區(qū)。
2. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該保護層包括光致 抗蝕劑層。
3. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中在形成該摻雜區(qū)之 后，還包括在該基底上形成一層間介電層。
4. 如權(quán)利要求3的非易失性存儲器的制造方法，還包括在該層間介電層 中形成多個位線接觸窗、 一源極線與多個接觸窗，且該源極線與所述位線接 觸窗以及所述接觸窗是在不同步驟中形成。
5. 如權(quán)利要求4的非易失性存儲器的制造方法，其中在形成該源極線之 前，還包括在該源極區(qū)域共形地形成一阻障層。
6. 如權(quán)利要求5的非易失性存儲器的制造方法，其中該阻障層的材料包 括氮化鈦/鈦。
7. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該基底還具有一選擇柵極區(qū)域；除該選擇柵極區(qū)域的部分該柵間介電層；以及在該圖案化工藝中，還包括同時在該選擇柵極區(qū)域形成一選擇柵極。
8. 如權(quán)利要求7的非易失性存儲器的制造方法，還包括在所述堆疊柵極 結(jié)構(gòu)與該選擇柵極的側(cè)壁形成 一 間隙壁。
9. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中在形成該隔離結(jié)構(gòu) 的步驟中，還包括在該第一導(dǎo)體層上形成一硬掩模層；在該硬掩模層、該第一導(dǎo)體層、該穿隧介電層與該基底中形成一溝槽；在該基底上形成一介電材料層，以填滿該溝槽；以及進行一第 一平坦化工藝，移除部分該介電材料層直到暴露出該硬掩模層。
10. 如權(quán)利要求9的非易失性存儲器的制造方法，其中在進行該第一平坦 化工藝之后，還包括移除該硬掩模層；在該基底上形成一導(dǎo)體材料層；以及進行一第二平坦化工藝，移除部分該導(dǎo)體材料層直到暴露出該隔離結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該柵間介電層的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
12. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第一導(dǎo)體層的材 料包括摻雜多晶硅。
13. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該第二導(dǎo)體層的材 料包括摻雜多晶硅。
14. 如權(quán)利要求1的非易失性存儲器的制造方法，其中該摻雜區(qū)的形成方 法包括離子注入工藝。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲器的制造方法，此方法包括在基底上依序形成穿隧介電層與第一導(dǎo)體層；于第一導(dǎo)體層、穿隧介電層與基底中形成隔離結(jié)構(gòu)；于源極區(qū)域與漏極區(qū)域形成保護層；移除部分隔離結(jié)構(gòu)；移除保護層；于基底上形成柵間介電層；移除源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的柵間介電層；于基底上形成第二導(dǎo)體層；進行圖案化工藝，圖案化第二導(dǎo)體層、柵間介電層、第一導(dǎo)體層與穿隧介電層，并同時移除源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第二導(dǎo)體層、第一導(dǎo)體層與穿隧介電層；在堆疊柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)、源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的基底中分別形成摻雜區(qū)。
文檔編號H01L21/70GK101452889SQ20071019644
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月3日
發(fā)明者陳啟明, 魏鴻基 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司