專利名稱：磁盤重現(xiàn)裝置和用于控制該裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤重現(xiàn)裝置和用控制磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于檢測和控制熱致波動(themalesperity)的磁盤重現(xiàn)裝置和涉及一種用于這樣一種磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法。
近來，利用磁控電阻效應(yīng)型磁頭(MR磁頭)的磁盤重現(xiàn)裝置已經(jīng)投入使用，該磁頭采用磁控電阻元件(MR元件)。尤其是最近，MR磁頭的巡行高度已經(jīng)降低，從而得到較高的記錄密度，但與熱致波動相關(guān)的問題已經(jīng)出現(xiàn)，或者換句話說，由于磁盤媒體上的突起和MR磁頭之間的碰撞引起的熱摩擦導(dǎo)致重現(xiàn)信號的波形的脈動。因此，需要能夠校正重現(xiàn)信號以及即使當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時也能讀出正確的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置(例如磁盤驅(qū)動器)。
近些年來，磁盤驅(qū)動器的存儲容量(即存儲能力)不斷增加。記錄密度的增加是存儲能力增加的主要原因。增加記錄密度的方法通?？梢苑譃槿缦聝煞N方法。一種方法是沿徑向增加數(shù)據(jù)磁通的數(shù)目，另一種方法是沿圓周方向增加存儲能力。
某些最新的磁盤驅(qū)動器通過利用用于重現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁頭的MR元件來增加沿圓周方向的存儲能力，為了進一步增加存儲能力，需要降低重現(xiàn)磁頭(MR磁頭)距媒體表面的巡行高度和改進在重現(xiàn)磁頭的輸出中的S/N(信噪比)。
此處，MR元件具有的特征是它的電阻按照外部磁場的變化而變化。MR磁頭利用MR元件的這種特性，使預(yù)定電流流徑MR元件，以及拾取媒體的磁化信息產(chǎn)生電壓信號。與感應(yīng)式磁頭不同，即使當(dāng)該媒體低速旋轉(zhuǎn)時，MR磁頭也能易于取出信號，因此是一種有效增加磁盤重現(xiàn)裝置的存儲能力和降低尺寸的裝置。


圖1是用于解釋當(dāng)采用磁控電阻效應(yīng)式磁頭(MR磁頭)時產(chǎn)生熱致波動的示意圖。在圖中，參考標(biāo)號1代表磁盤(媒體)；參考標(biāo)號10代表磁盤媒體的表面；參考標(biāo)號10a是一突起；參考標(biāo)號20代表磁頭懸置部分；24是MR磁頭。
當(dāng)對磁盤媒體1的表面10進行顯微觀察時，例如在磁盤重現(xiàn)裝置(硬盤裝置)上隨著使用時間的延長或其它原因，由于質(zhì)量發(fā)生變化，在磁盤媒體1的表面10上產(chǎn)生突起10a，如圖1所示。當(dāng)MR磁頭的巡行高度降低以便增加存儲能力時，MR磁頭碰撞在磁盤媒體表面上的突起10a，因而引起使重現(xiàn)信號的波形脈動的熱致波動問題。
換句話說，當(dāng)MR磁頭的巡行高度降低以實現(xiàn)更高記錄密度時，MR磁頭與突起(突起部分)產(chǎn)生碰撞。這種碰撞在MR磁頭中產(chǎn)生摩擦熱，并且由于在MR器件中溫度上升使電阻改變(增加)，因而產(chǎn)生熱致波動，使重現(xiàn)信號的波形脈動。
圖2是表示由于熱致波動引起重現(xiàn)信號的DC(直流)電平的脈動的信號波形示意圖。
假設(shè)，如在制造磁盤媒體的制造過程中引起某些問題使得在磁盤媒體1的表面上存在突起10a，如圖2所示，MR磁頭24與磁盤媒體上的突起10a相碰撞，由于熱致波動使重現(xiàn)信號的DC電平產(chǎn)生很大的變化，在某些情況下，波形產(chǎn)生不正常。
雖然這種不正常的波形在幾個微秒(MS)之內(nèi)會返回到原有的波形，但在這幾微秒的時間階段內(nèi)數(shù)據(jù)不能正確地解調(diào)。數(shù)據(jù)不能正確地讀出的部分可以記錄作為媒體缺陷，在設(shè)備出廠之前可以禁止使用這些部分。然而，由于缺陷部分(突起)總是重復(fù)地與磁頭相碰撞，由于隨使用時間的延長使質(zhì)量變化，在媒體表面上的缺陷有可能沿徑向/圓周方向擴展，并且隨使用時間的延長使質(zhì)量變化，在磁盤媒體10的表面上還可能產(chǎn)生新的突起。由于隨使用時間的延長使質(zhì)量變化，對于磁盤媒體的表面狀態(tài)的變化(突起的產(chǎn)生和擴展)，在裝運設(shè)備之前不可能記錄媒體缺陷。
如在圖3到6中所示，當(dāng)MR磁頭與磁盤媒體上的突起碰撞時，由于熱致波動使重現(xiàn)的信號的波形脈動。換句話說，由于MR磁頭將MR元件的電阻變換為電壓，假如在磁盤媒體上的突起與MR磁頭碰撞并產(chǎn)生摩擦熱，由于該摩擦熱使MR元件的電阻變化(變大)，波形急劇地脈動(上升)。因此，重現(xiàn)信號超過該調(diào)節(jié)波形包絡(luò)線為一恒定值的自動增益控制電路(AGC電路)的能力，或者超過信號處理電路的動態(tài)范圍，重現(xiàn)信號進入飽和。因而，記錄的數(shù)據(jù)信號不能被解調(diào)。更具體地說，在圖3中的256比特，圖4中的521比特，圖5中的775比特以及圖6中的1128比特不能被解調(diào)。
如上所述，當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時，重現(xiàn)信號的電平急劇地上升并不能進行解調(diào)。當(dāng)幅射熱量時，由于摩擦熱使溫度上升的MR磁頭在其之后返回到正常的溫度，重現(xiàn)信號的電平脈動按指數(shù)衰減。此處，由圖3至6可明顯看出，由于熱致波動形成的重現(xiàn)電平的脈動呈現(xiàn)這樣的特性，其中熱致波動的時間常數(shù)τ的數(shù)值越大，則不能被解調(diào)的比特數(shù)就越大。由于電平脈動的衰減，電平按照與熱致波動的時間常數(shù)τ的數(shù)值相對應(yīng)的函數(shù)也返回到原來的電平。
為了尋址這種熱致波動，US專利No.5233482公開了一種解決方案。這種先有技術(shù)參考文獻介紹了一種用于穩(wěn)定(holding)該調(diào)節(jié)重現(xiàn)波形包絡(luò)線的AGC電路(自動增益控制電路)的技術(shù)以及一種用于穩(wěn)定AGC電路所需的時間的技術(shù)。更具體地說，上述參考文獻介紹了一種通過利用一個AC(交流)耦合電容器改變截止頻率來消除波形脈動的比特數(shù)的方法；以及一種通過擴展ADC工作范圍來消除由于熱致波動引起的波形的飽和的方法。然而，因為這種方法并不是校正熱致波動本身的方法，在降低用比特數(shù)(比特值)表示的，與產(chǎn)生解調(diào)數(shù)據(jù)相關(guān)的誤差的時間周期方面存在局限性。
考慮到上述先有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明意在提供一種即使當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時通過校正重現(xiàn)的信號，能夠讀出正確數(shù)據(jù)的重現(xiàn)磁盤數(shù)據(jù)的技術(shù)。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于利用磁頭重現(xiàn)記錄在旋轉(zhuǎn)磁盤上一任選位置的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置，該裝置包括電平檢測裝置，用于檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平；延遲裝置，用于將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；以及校正裝置，用于當(dāng)利用電平檢測裝置檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正由延遲裝置輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。
最好，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置是一個用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置，該裝置包括電平檢測裝置，用于檢測從重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)起直到經(jīng)過預(yù)定時間止由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；以及電平比較裝置，用于將自電平檢測裝置輸出的平均電平與通過重現(xiàn)在上述磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平進行比較。在這種情況下，電平比較裝置在平均電平大于在上述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，判斷在接近上述一個位置處存在缺陷。
此外，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置最好包括電平檢測單元，用于檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平，以便重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的一個磁道上的任選位置記錄的數(shù)據(jù)；一個延遲電路，用于延遲由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號；校正單元，用于當(dāng)由電平檢測單元檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；以及模/數(shù)變換單元，用于將其DC分量的電平已被校正單元校正的重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號。
此外，為了利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的一任選磁道上記錄的數(shù)據(jù)，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置最好包括電平檢測單元，用于檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；延遲裝置，用于將重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；模/數(shù)變換單元，用于通過采樣將由電平檢測單元檢測的和代表DC分量電平的模擬檢測信號以及由延遲電路輸出的重現(xiàn)的模擬信號分別變換為數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號；以及校正單元，用于當(dāng)包含在數(shù)據(jù)檢測信號中的DC分量的電平變得大于預(yù)定閾值電平時，校正重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平。
此外，最好本發(fā)明的電平檢測單元將上述重現(xiàn)信號的波形與預(yù)定的閾值電平進行比較，并且當(dāng)重現(xiàn)信號的波形超過閾值電平時，通知校正單元，重現(xiàn)信號的DC分量的電平必須進行校正。
此外，最好，本發(fā)明的電平檢測單元包括第一比較器，低通濾波器和第二比較器。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置當(dāng)重現(xiàn)信號的DC分量的電平持續(xù)超過閾值電平至少為一預(yù)定時間時，校正DC分量的電平。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置當(dāng)出現(xiàn)這樣一種現(xiàn)象時，即按照預(yù)定頻率或高于該預(yù)定頻率的其它頻率出現(xiàn)該DC分量的電平近于超過，或沒有超過預(yù)定閾值電平的現(xiàn)象時，以及當(dāng)這種轉(zhuǎn)換現(xiàn)象持續(xù)至少預(yù)定時間時，校正DC分量的電平。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，設(shè)定上述多個閾值電平。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，設(shè)定上述多個閾值電平，將通過低通濾波器的信號與另一閾值電平進行比較。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，設(shè)定多個閾值電平，并按照預(yù)定頻率或高于該預(yù)定頻率的其它頻率進行轉(zhuǎn)換。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，將上述重現(xiàn)的模擬信號通過低通濾波器，對于這一低通濾波器的輸出設(shè)定閾值電平；以及當(dāng)輸出超過閾值電平持續(xù)一預(yù)定時間時，校正DC分量的電平。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，一個選擇器選擇工作方式，使得僅當(dāng)存在熱致波動對才進行校正。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置包括一用于對上述重現(xiàn)的模擬信號施加一電壓偏置的電壓疊加器。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置向高通濾波器作用一階躍函數(shù)，將作用結(jié)果疊加到重現(xiàn)的模擬信號上并根據(jù)疊加的結(jié)果進行校正處理。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置，通過利用比較器的輸出信號的高電平“H”和低電平“L”之間的轉(zhuǎn)換時間確定高通濾波器的傳遞函數(shù)。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置，當(dāng)重現(xiàn)信號的電平變得大于閾值電平時開始校正處理，并且當(dāng)重現(xiàn)信號的電平變得小于閾值電平時中止校正處理。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中止一可變頻率振蕩器的時鐘。持續(xù)的時間對應(yīng)于重現(xiàn)信號電平持續(xù)超過多個閾值電平中的一個電平的時間與一預(yù)定常數(shù)相乘得到的乘積，并保持可變頻率振蕩器的振蕩頻率穩(wěn)定。
此外，最好磁盤重現(xiàn)裝置根據(jù)比較器的低電平“L”和高電平“H”取出可變頻率振蕩器的時鐘信號，或固定可變頻率振蕩器的振蕩頻率。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置穩(wěn)定自動增益控制電路的增益，持續(xù)的時間對應(yīng)于重現(xiàn)信號電平持續(xù)超過多個閾值電平中的一個閾值電平的時間與一預(yù)定常數(shù)相剩得到的乘積。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置根據(jù)比較器的輸出信號的低電平“L”和高電平“H”，使自動增益控制電路的增益是可變的或是穩(wěn)定的。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，電平檢測裝置包括一含有用于消除噪聲的濾波器的電平檢測單元。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，上述電平檢測裝置包含一具有用于消除噪聲的比較電路。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置包括一微處理器單元，用于接收代表比較器電路的輸出是含缺陷的輸出的輸出。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置記錄在有缺陷的磁道的相同位置以及該位置之前或之后的缺陷。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置對每個磁頭的缺陷數(shù)進行計數(shù)，并且當(dāng)這樣計數(shù)的數(shù)目超過預(yù)定值時，不再使用磁頭的該區(qū)域。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置當(dāng)比較電路無輸出時，記錄在先前和隨后的磁道中的相同位置處的缺陷，以及當(dāng)對于每個磁頭缺陷的記錄位置相同時，各個地址是彼此鄰近的。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置當(dāng)比較電路有輸出時和對于每個磁頭的缺陷的記錄位置相同以及各地址鄰近時，不再使用磁頭的該區(qū)域。
此外，最好在本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置中，磁頭是利用磁控電阻元件的磁控電阻效應(yīng)型磁頭，并對由于這種磁控電阻效應(yīng)型磁頭和磁盤上的突起之間碰撞引起的重現(xiàn)信號的脈動進行校正。
另一方面，控制磁盤重現(xiàn)裝置用以當(dāng)利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的一個任選位置記錄的數(shù)據(jù)時，對于根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法包含的步驟有檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平；將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；以及當(dāng)這樣檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正延遲的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。
此外，最好本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法是一種用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該方法包含的步驟是檢測由重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)起到經(jīng)過一預(yù)定時間止的由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；將這樣檢測的平均電平與通過重現(xiàn)在磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平進行比較；以及當(dāng)平均電平大于在該一個位置記錄的信號的重現(xiàn)信號的電平時，判斷在上述一個位置附近存在缺陷。
此外，最好根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法是用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的磁道的一任選位置記錄的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該方法包含的步驟有檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC公量的電平；將重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；當(dāng)檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正這樣延遲的重現(xiàn)的模擬信號DC分量的電平；以及將其DC分量電平已經(jīng)校正的重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號。
此外，最好當(dāng)控制一用以利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的任選的磁道記錄的數(shù)據(jù)的磁盤再現(xiàn)裝置時，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法包含的步驟有檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號DC分量的電平；將重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；通過采樣將代表檢測的DC分量的電平的模擬檢測信號和這樣延遲的重現(xiàn)的模擬信號分別變換為數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號；以及當(dāng)包含在數(shù)字檢測信號中的DC分量電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，磁盤重現(xiàn)裝置利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的一任選位置記錄的數(shù)據(jù)，這一磁頭的輸出(重現(xiàn)的信號)經(jīng)過讀/寫控制單元提供到電平檢測裝置和延遲裝置。
電平檢測裝置檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的信號DC分量的電平，并且當(dāng)由這一電平檢測裝置檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正裝置校正由延遲裝置輸出的重現(xiàn)的信號DC分量的電平。此處，延遲裝置將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值，以及這一延遲裝置使由電平檢測裝置進行的對重現(xiàn)信號的電平檢測與根據(jù)檢測結(jié)果由校正裝置對重現(xiàn)信號的校正相同步。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)，這一磁頭的輸出(重現(xiàn)的信號)經(jīng)過讀/寫控制單元提供到電平檢測裝置和電平比較裝置。
電平檢測裝置檢則由重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)起直到經(jīng)過預(yù)定的時間止的由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平。電平比較裝置將由電平檢測裝置輸出的平均電平與通過重現(xiàn)在上述磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)的信號的電平進行比較。當(dāng)平均電平大于在上述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)的信號的電平時，判斷在這一位置附近存在缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置可以檢測和校正熱致波動。即使是當(dāng)發(fā)生熱致波動時，該磁盤重現(xiàn)裝置也能校正重現(xiàn)的信號并能讀出正確的數(shù)據(jù)。
通過參照附圖對各優(yōu)選實施例的如下介紹，使本發(fā)明的上述目的或特征將變得更清楚，其中圖1是用于解釋當(dāng)磁控電阻型磁頭采用時產(chǎn)生的熱致波動的示意圖；圖2是由于熱致波動使重現(xiàn)信號的DC電平變化方式的信號波形示意圖；圖3是表示當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時利用模擬技術(shù)重現(xiàn)的信號電平變化的第一示例的信號波形示意圖；圖4是表示當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時利用模擬技術(shù)重現(xiàn)的信號電平變化的第二示例的信號波形示意圖；圖5是表示當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時利用模擬技術(shù)重現(xiàn)的信號電平變化的第三示例的信號波形示意圖；圖6是表示當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時利用模擬技術(shù)重現(xiàn)的信號電平變化的第四示例的信號波形示意圖；圖7是表示本發(fā)明的第一種原理結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖8是表示本發(fā)明的第二種原理結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖9是表示本發(fā)明的第一實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖10是表示用于本發(fā)明第一實施例的磁盤驅(qū)動器的示意結(jié)構(gòu)的示意圖；圖11是適用于本發(fā)明的第一實施例的磁盤驅(qū)動器的磁盤機構(gòu)部分以局部斷面圖表示的平面圖；圖12是表示本發(fā)明的第二實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖13是表示本發(fā)明的第三實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖14是表示本發(fā)明的第四實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖15是在本發(fā)明的第四實施例中的每一部分處的信號波形的信號波形示意圖；圖16是表示本發(fā)明的第五實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖17是表示在本發(fā)明的第五實施例中的每一部分處的信號波形的信號波形示意圖；圖18是表示本發(fā)明的第六實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖19是表示在本發(fā)明的第六實施例中的比較器的輸出信號波形的波形圖；圖20是表示本發(fā)明的第七實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖21是表示在本發(fā)明的第七實施例中的每一部分的工作波形的方塊圖；圖22是表示本發(fā)明的第八實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖23是表示在本發(fā)明的第八實施例中的第三比較器的輸出信號波形的波形示意圖；圖24是表示本發(fā)明的第九實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖25是表示在本發(fā)明的第九實施例中的每一部分的信號波形的波形示意圖；圖26是表示本發(fā)明的第十實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖27是表示圖26中的選擇器的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖28是表示本發(fā)明的第十一實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖29是表示本發(fā)明的第十二實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖30是表示在本發(fā)明的該實施例中采用的模/數(shù)(A/D)變換器的結(jié)構(gòu)示例的電路圖31是表示在本發(fā)明的一實施例中采用的A/D變換器的第一種改進示例的電路圖；圖32是表示在本發(fā)明的一實施例中采用的A/D變換器的第二種改進示例的電路圖；圖33是表示在本發(fā)明的一實施例中采用的A/D變換器的第三種改進示例的電路圖；圖34是表示本發(fā)明的第十三實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖；圖35是用于解釋本發(fā)明的第十三實施例的工作情況的流程圖。
參照圖7和8從作為根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置和方法或其控制裝置和方法的優(yōu)選實施例的基礎(chǔ)的原理結(jié)構(gòu)開始解釋。
圖7是表示本發(fā)明的第一種原理結(jié)構(gòu)的方塊圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面(原理結(jié)構(gòu))，提供一種磁盤重現(xiàn)裝置，用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)的磁盤上的任選位置記錄的數(shù)據(jù)。這種裝置包括電平檢測裝置4，用于檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平；延遲裝置5，將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；以及校正裝置6，用于當(dāng)由電平檢測裝置4檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正由延遲裝置5輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。
根據(jù)本發(fā)明的第一種原理結(jié)構(gòu)的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法是一種控制用于利用磁頭重現(xiàn)記錄在旋轉(zhuǎn)磁盤的任選位置的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置的方法。這樣一種方法包括的步驟有檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平，將重現(xiàn)信號延遲預(yù)定的量值；以及當(dāng)被檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正經(jīng)過延遲的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。
圖8是表示本發(fā)明的第二種原理結(jié)構(gòu)的方塊圖。順便指出，相似的參考標(biāo)號下文將用于標(biāo)識與上述相似的組成部分。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面(原理結(jié)構(gòu))，提供一種用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的多個位置記錄的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置。這種裝置包括電平檢測裝置4a，用于檢測當(dāng)重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)時從該時到經(jīng)過一預(yù)定時間止由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；以及電平比較裝置6a，用于將由電平檢測裝置4a輸出的平均電平與通過重現(xiàn)在磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平相比較。當(dāng)該平均電平大于在上述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，該電平比較裝置6a判斷在接近上述一個位置存在缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的第二種原理結(jié)構(gòu)的磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法是一種用于控制利用磁頭重現(xiàn)記錄在旋轉(zhuǎn)磁盤上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)的磁盤重現(xiàn)裝置的方法。這種方法包括的步驟有檢測當(dāng)重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)時從該時直到經(jīng)過一預(yù)定的時間止由磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；將經(jīng)這樣檢測的平均電平與通過重現(xiàn)在磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平相比較；以及當(dāng)該平均電平大于在該一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，判斷在接近上述一個位置處存在缺陷。
在上述圖7和圖8中，參考標(biāo)號1標(biāo)注磁盤(磁盤媒體)，2為磁頭(磁控電阻效應(yīng)型磁頭，MR磁頭)，3為磁盤驅(qū)動器(磁盤重現(xiàn)裝置)；以及30為磁盤機構(gòu)部分。
如在圖7中所示，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的第一個方面是利用磁頭2重現(xiàn)記錄在磁盤1上的任選位置的數(shù)據(jù)，以及磁頭2的輸出(重現(xiàn)的信號)經(jīng)過一讀/寫控制單元33提供到電平檢測裝置4和延遲裝置5(Sr)。
電平檢測裝置4檢測由磁頭2輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平，校正裝置6當(dāng)由電平檢測裝置4檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時校正由延遲裝置5輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。此處，延遲裝置5將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；并使由電平檢測裝置4對重現(xiàn)信號的電平檢測與由校正裝置6對重現(xiàn)信號的校正同步。
按根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的第二方面，如圖8所示，由磁頭2重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤1上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)，并將磁頭1的輸出(重現(xiàn)的信號)經(jīng)過讀/寫控制單元33提供到電平檢測裝置4a和電平比較裝置6a(Sr’)。
電平檢測裝置4a檢測當(dāng)重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)時從該時經(jīng)過預(yù)定時間止由磁頭2輸出的重現(xiàn)信號的平均電平。電平比較裝置6a將由電平檢測裝置4a輸出的平均電平與通過重現(xiàn)在磁盤1的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平相比較。當(dāng)平均電平大于在上述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，判斷在接近這一位置處存在缺陷。
本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置的第一和第二實施例可以檢測和控制熱致波動，以及即使出現(xiàn)熱致波動時通過校正重現(xiàn)的信號能夠讀出正確的數(shù)據(jù)。
在下文中，將參照各附圖解釋根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的磁盤重現(xiàn)裝置和控制該裝置的方法。
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的磁盤重現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的方塊圖。在圖中，參考標(biāo)號14代表電平檢測單元，50代表延遲電路，60代表校正單元，62代表模/數(shù)變換單元(ADC)。
在圖9所示的第一實施例中，電平檢測單元14檢測由磁頭(MR磁頭)輸出的重現(xiàn)的模擬信號(由于熱致波動引起的電平變化的波形)Sr。當(dāng)由電平檢測單元14檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平(例如，該電平對應(yīng)于重現(xiàn)的信號幅值的約1.5倍的一個幅值)，校正電路60校正由延遲電路50輸出的重現(xiàn)模擬信號的DC分量的電平。此處，延遲電路50將重現(xiàn)的模擬信號Sr延遲預(yù)定的量值，并使由電平檢測單元14對重現(xiàn)信號Sr的電平檢測與由校正單元60對重現(xiàn)信號Sr的校正同步。換句話說，為什么要配置延遲電路50的原因在于，必須校準(zhǔn)時間關(guān)系，以便在電壓檢測單元14已經(jīng)判斷產(chǎn)生還是未產(chǎn)生熱致波動之后，再利用校正單元60校正重現(xiàn)的信號。
模/數(shù)變換單元62將已由校正單元60校正的DC分量電平的重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號(Sc)。正如參照圖7所解釋的，通過利用磁頭(MR磁頭)2重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)的磁盤上的一個任選位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)的模擬信號，并經(jīng)過讀/寫控制單元33提供到電平檢測單元14和延遲電路50。
在圖9如示的第一實施例中，在模/數(shù)變換器單元62的前置級部分按照模擬處理方式由校正單元60對于重現(xiàn)的信號進行每一次校正處理。順便指出，下文將利用數(shù)字表達(dá)式更詳細(xì)地介紹對于由于熱致波動形成電平變化的重現(xiàn)信號的校正處理。
如上所述，根據(jù)第一實施例，能夠檢測熱致波動和校正由于這種熱致波動形成的重現(xiàn)信號的波形(校正DC電平)，是通過檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平，將重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值，當(dāng)檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值量值時，將經(jīng)這樣延遲的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平進行校正來實現(xiàn)的，并且將DC分量電平已校正的重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號。因此，即使當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時，通過校正重現(xiàn)的信號可以讀出正確的數(shù)據(jù)。
圖10是表示適于本發(fā)明的該實施例的磁盤驅(qū)動器的示意結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖中，參考標(biāo)號1代表磁盤(磁盤媒體)；2代表磁頭；10代表盤的表面；11代表主軸；20代表磁頭支承部分(操作機構(gòu))；22代表傳動部分(音圈電動機VCM)；以及30代表磁盤機構(gòu)部分。
如圖10所示，與主軸11相連接和由主軸電動機(未表示)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的多個磁盤1同軸裝在磁盤機構(gòu)部分30上。一個進行伺服控制的表面位于這些磁盤中的任一磁盤的其中一個表面上。以及其它磁盤的表面均是數(shù)據(jù)表面。
一主MPU(微處理機單元主控制器)32在磁盤驅(qū)動器(磁盤重現(xiàn)裝置)內(nèi)部進行各種控制，并且還在各主設(shè)備(主機)之間執(zhí)行指令和數(shù)據(jù)控制。讀/寫控制單元33根據(jù)由主MPU32經(jīng)過前置放大電路(前置放大器)31輸入的指令對于磁盤機構(gòu)部分30進行數(shù)據(jù)的讀/寫控制。此處，作為讀/寫控制單元33的輸出的重現(xiàn)信號Sr經(jīng)過調(diào)制/解調(diào)電路35和經(jīng)過接口電路34提供到主MPU32。該重現(xiàn)的信號Sr還提供到上述電平檢測單元14。順便指出，硬盤重現(xiàn)裝置的輸出信號(數(shù)據(jù)信號)經(jīng)過接口電路34輸出。
通過由主MPU32接收索引指令，驅(qū)動電路36驅(qū)動和控制傳動單元22并在磁盤機構(gòu)部分30內(nèi)部對磁頭2進行定位控制。
圖11是以局部斷面圖的方式表示本發(fā)明的該實施例適用的磁盤驅(qū)動器的磁盤機構(gòu)部分30的平面圖。在圖中，參考標(biāo)號12代表各導(dǎo)帶，參考標(biāo)號13代表刪除(erose)區(qū)。正向參照圖4所表示的，磁頭2配置在由傳動單元22(VCM)控制的磁頭支承單元(操作機構(gòu))22的遠(yuǎn)端。磁頭2裝有用于重現(xiàn)的MR磁頭。
如圖11所示，利用主軸電動機同時驅(qū)動旋轉(zhuǎn)多個磁盤1(見圖10)，預(yù)定格式的數(shù)據(jù)寫入每個磁盤1的旋轉(zhuǎn)表面上的磁道。防護帶12即將某種用于中止磁頭2的搜索操作的特定的信息(pattern)代替數(shù)據(jù)信息寫入例如磁盤1的內(nèi)側(cè)和外側(cè)端部處的各磁道。該刪除區(qū)13形成在這些防護帶12的內(nèi)外側(cè)，以便以機械方式中止磁頭2。
圖12是表示本發(fā)明的第二實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。在圖中，參考標(biāo)號14代表電平檢測單元，51代表延遲電路，60代表校正單元，60是模/數(shù)變換單元(ADC)。
如圖12所示，在第二實施例中的電平檢測單元14檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號Sr的DC分量的電平，延遲電路51將重現(xiàn)的模擬信號Sr延遲預(yù)定的量值。模/數(shù)變換單元66將代表該DC分量的電平以及由電平檢測單元14檢測的模擬檢測信號以及由延遲電路51輸出的重現(xiàn)的模擬信號分別利用采樣法變換成數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號。
當(dāng)包含在數(shù)字檢測信號中的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正單元60校正重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平。
在圖12中所示的第二實施例在圖9所示的第一實施例中的模/數(shù)變換單元66的后置級部分增加了校正單元60，以便對所有采樣和量化的信號的產(chǎn)生的熱致波動進行校正處理。其余的結(jié)構(gòu)與第一實施例相同，這一第二實放例的磁盤重現(xiàn)裝置可以校正重現(xiàn)的信號并且即使當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時也能讀出正確的數(shù)據(jù)。換句話說，根據(jù)第二實施例，通過檢測由磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平，將該重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值，將代表這樣檢測的DC分量的電平的模擬檢測信號以及經(jīng)這樣延遲的重現(xiàn)的模擬信號分別通過采樣變換為數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號，以及當(dāng)包含在數(shù)字檢測信號中的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平。
圖13是表示本發(fā)明的第三實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。在圖中，參考標(biāo)號40代表比較器(電平檢測單元)14。
如圖13所示，第三實施例在上述第一和第二實施例的基礎(chǔ)上設(shè)置電平檢測單元14，與比較器40一樣，用于將重現(xiàn)信號Sr的波形與預(yù)定的閾值電平Vsi相比較。當(dāng)重現(xiàn)信號的波形Sr超過該閾值電平Vs1時，通知校正單元60重現(xiàn)的信號Sr的DC分量的電平必須進行校正。
換句話說，如圖13所示，第三實施例設(shè)定閾值電平Vs1，比較器40將這一閾值電平Vs1與重現(xiàn)的波形(重現(xiàn)的信號Sr的波形)的電平相比較。當(dāng)例如重現(xiàn)的波形超過該閾值電平時，輸出高電平“H”，而當(dāng)前者電平?jīng)]有超過后者電平時，輸出低電平“L”。因此，當(dāng)比較器40的輸出達(dá)到高電平時，可以判斷已檢測到熱致波動。
圖14是表示本發(fā)明的第四實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。在圖中，參考標(biāo)號7代表低通濾波器(LPF)，標(biāo)號41代表第一比較器，標(biāo)號42代表第二比較器。
如通過將圖9和圖14比較可以清楚地看出，第四實施例為在第一實施例中的電平檢測單元14設(shè)置了第一比較器41、低通濾波器7和第二比較器42。此處，具有這樣一種結(jié)構(gòu)的電平檢測單元14也可以適用于圖12中所示的第二實施例。
這一第四實施例檢測熱致波動的時間長度，即由于產(chǎn)生熱致波動受到影響的時間長度。換句話說，當(dāng)熱致波動穩(wěn)定(settle)時，第三實施例中的比較器40的輸出在高電平“H”和低電平“L”之間形成脈動，這是由于讀出的數(shù)據(jù)部分由于該閾值而被鎖定(hooked)(即讀出的數(shù)據(jù)部分經(jīng)過該閥值)。為了消除這種脈動，第四實施例配置了低通濾波器7，它的截止頻率低于在第一比較器41的輸出側(cè)的信號頻率，以及還配置第二比較器42，用于進一步與預(yù)定的閾值Ve比較。
圖15是表示在本發(fā)明的第四實施例中的每個部分處的信號波形的波形示意圖。這一示意圖總體表示了第一比較器41的輸出信號(1)(圖14中的位置(1))、第二比較器42的輸出信號(2)(圖14中的位置(2))和輸出信號(3)(圖14中的位置(3))，這些信號在圖14一起用重現(xiàn)信號Sr表示，順便指出，符號Vs1表示預(yù)定的閾值電平(例如，該電平對應(yīng)于原有的重現(xiàn)信號的幅值1.5倍的一個幅值)。
正如圖15可以看到的，通過配置低通濾波器7可以消除數(shù)據(jù)信號部分。此外，通過將低通濾波器7的輸出利用第二比較器42與單獨設(shè)定的另一閾值電平Ve進行比較，能夠了解該輸出的高電平“H”的時間長度為熱致波動的時間長度。由于低通濾波器7的作用，可以消除與熱致波動不同的外部噪聲所形成的峰值，從而可以防止錯誤運作。
圖16是表示本發(fā)明的第五實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖，圖17是表示在五實施例中的每一部分的信號波形的波形示意圖。在圖16中，參考標(biāo)號9標(biāo)注高通濾波器(HPF)，參考標(biāo)號43標(biāo)注第三比較器，參考標(biāo)號44標(biāo)注延遲單元，參考標(biāo)號45標(biāo)注AND門，參考標(biāo)號71標(biāo)注第一低通濾波器(LPF)，參考標(biāo)號72標(biāo)注第二低通濾波器。
當(dāng)形成或者重現(xiàn)的信號近于超過這一閾值電平Vs1，或者沒有超過這一閾值的轉(zhuǎn)換現(xiàn)象按照預(yù)定的頻率產(chǎn)生時，當(dāng)這種轉(zhuǎn)換現(xiàn)象持續(xù)預(yù)定的時間時，在圖16中所表示的第五實施例進行校正處理。換句話說，AND門45計算高通濾波器9的輸出(2)’(圖16中的位置(2)’)與第二比較器42的輸出(3)’(圖16中的位置(3)’) (即延遲電路9的輸出(4)’(圖16中的位置(4)’)的邏輯積，該輸出(2)’代表對于或者重現(xiàn)的信號Sr近于超過閾值電平Vs1，或者沒有超過這一閾值電平的現(xiàn)象按照預(yù)定的頻率或者高于該預(yù)定頻率的其它頻率產(chǎn)生，而輸出(3)’代表這種轉(zhuǎn)換現(xiàn)象持續(xù)的時間等于或長于預(yù)定的時間。另外，AND門45的輸出(5)’(圖16中的位置(5)’)用于通過第二低通濾波器72和第三比較器43控制該校正單元60。此處，第二比較器42和第三比較器43分別將第一和第二低通濾波器71和72的輸出與閾值電平Ve比較。
此處，僅當(dāng)數(shù)據(jù)信號部分判斷超過閾值電平時，才取出ADN門45的輸出(5)’，以及配置用于與閾值電平Ve比較的第二低通濾波器72和第三比較器43以便將在這一期間的ADN門45的狀態(tài)變換為一些相應(yīng)的脈沖。當(dāng)利用第三比較器43判斷其狀態(tài)為低通濾波器72的輸出(6)’(圖16中的位置(6’))處于高電平“H”持續(xù)一定時間時，就判斷已出現(xiàn)熱致波動。
如上所述，當(dāng)由于熱致波動引起的電平脈動減少時，按閾值電平Vs1檢測數(shù)據(jù)的信號幅值，通過判斷檢測的數(shù)據(jù)，這一第五實施例判斷熱致波動。
圖18是表示本發(fā)明的第六實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖，圖19是表示在第六實施例中的比較器的輸出信號波形的波形示意圖。
由圖18和19可以看出，這一第六實施例設(shè)定多個上述閾值電平(Vs1)(在這一實施例中為Vs1到Vs3)。
換句話說，這一第六實施例通過設(shè)定多個閾值電平(Vs1到Vs3)可以正確地檢測熱致波動。
此外，熱致波動按指數(shù)衰減，直到該信號返回的原有的電平，以及當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時，如圖19所示，重現(xiàn)波形的電平超過為低電平的閾值電平會持續(xù)一較長的時間。按照這種方式，判斷已經(jīng)產(chǎn)生熱致波動。
此處，可以通過將可變頻率振蕩器(VFO)的時鐘終止一定時間，保持該VFO的穩(wěn)定的振蕩的振蕩頻率。而該時間是通過將重現(xiàn)信號的電平超過多個閾值電平的其中之一的時間乘與一預(yù)定常數(shù)所得到的乘積。還可以采用這樣一種結(jié)構(gòu)，其中AGC電路的增益持續(xù)的時間為重現(xiàn)的信號的電平超過多個閾值電平的其中之一的持續(xù)時間與一預(yù)定常數(shù)的乘積。
圖20是表示本發(fā)明的第七實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖，圖21是表示在第七實施例中的每一部分的工作波形的波形示意圖。
如圖20和21(還與在圖14和15中所示的第四實施例相關(guān))所示，這一第七實施例設(shè)定多個閾值電平(Vs1到Vs3)并將通過低通濾波器7的信號與其它的閾值Ve相比較。
在圖21中，第一比較器41的輸出(1b)(圖20中的位置(1b)、低通濾波器7的輸出(2b) (圖20中的位置(2b))以及第二比較器42的輸出(3b)(圖20中的位置(3b))分別對應(yīng)于圖15中的輸出(1)、(2)和(3)。
按照這種方式，第七實施例設(shè)定多個閾值電平和當(dāng)信號電平分別超過閾值電平Vs1、Vs2和Vs3的持續(xù)時間t1、t2和t3滿足t1＜t2＜t3的表達(dá)式時，判斷熱致波動的發(fā)生。
此處，可以采用這樣一種結(jié)構(gòu)，其中，按這樣一種方式，即對應(yīng)于比較器的輸出信號的低電平“L”和高電平“H”取得VFO的時鐘；或者采用這樣一種結(jié)構(gòu)，其中VFO的振蕩頻率是穩(wěn)定的。此外，AGC電路的增益可以是可變的或可以是穩(wěn)定的，這取決于比較器的輸出信號的低電平“L”和高電平“H”。
圖22是表示本發(fā)明的第八實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖，圖23是表示在本發(fā)明的第八實施例的第三比較器的輸出信號波形的波形示意圖。
如圖22和23(還涉及在圖16和17中所示的第五實施例)所示，這一第八實施例設(shè)定多個閾值電平(Vs1到Vs3)，以及當(dāng)對于或者信號電平近于超過每個閾值Vs1到Vs3，或者沒有超過這一閾值電平的轉(zhuǎn)換現(xiàn)象按照預(yù)定的頻率或高于該預(yù)定的頻率的其它頻率產(chǎn)生時，當(dāng)這種轉(zhuǎn)換現(xiàn)象持續(xù)時間等于或長于一預(yù)定時間時，對重現(xiàn)的信號進行校正。換句話說，這一第八實施例設(shè)定多個閾值并按照預(yù)定的頻率或高于該預(yù)定的頻率的其它頻率進行上述校正。
更具體地說，當(dāng)設(shè)定3個閾值電平(Vs1到Vs3)時，第三比較器43的輸出3C(3C1到3C3)(即圖22中的位置(3C))變成例如為在圖23中所示的情況。這一第八實施例將輸出值3C1到3C3分別達(dá)到高電平“H”的時間階段tc1、tc2和tc3彼此相比較，并且當(dāng)滿足關(guān)系式tc1＜tc2＜tc3且這些時間階段的差超過這3個時間階段中的預(yù)定值時，判斷產(chǎn)生了熱致波動。此外，第三比較器的輸出(3C1到3C3)分別對應(yīng)于閾值電平分別為Vs1到Vs3的情況。
圖24是表示本發(fā)明的第九實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖，圖25是表示在本發(fā)明的第九實施例中的每一部分的信號波形的波形示意圖。
如圖24所示，這一第九實施例、使重現(xiàn)的模擬信號(重現(xiàn)信號Sr)通過低通濾波器7，對于低通濾波器輸出(1d)設(shè)定閾值電平Vs，以及當(dāng)信號電平超過這一閾值電平Vs持續(xù)時間等于或長于預(yù)定時間時對重現(xiàn)的信號進行校正。此處，低通濾波器7的截止頻率設(shè)定到一個能夠消除數(shù)據(jù)信號部分的數(shù)值。因此，當(dāng)存在熱致波動時，低通濾波器的輸出(1d)取如圖25中所示的形式。在這第九實施例中，利用比較器40比較低通濾波器7的輸出和閾值電平Vs，當(dāng)該輸出超過值電平Vs時(涉及在圖24和25中的位置(2d)判斷產(chǎn)生熱致波動。
圖26是表示本發(fā)明第十實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。在這一圖中，參考標(biāo)號8代表一選擇器。
在圖26中所示的第十實施例中，將重現(xiàn)的信號Sr提供到電平檢測單元14、第一延遲電路51和第三延遲電路53。第一延遲電路51的輸出提供到校正單元60。當(dāng)電平檢測單元14判斷有熱致波動時(例如涉及在圖9中所示的第一實施例)，校正單元60校正重現(xiàn)信號Sr的DC分量的電平。這一校正單元的輸出提供到第二延遲電路52，第二延遲電路52的輸出(Sd2)提供到選擇器8。第三延遲電路53的輸出(Sd3)也提供到選擇器8。電平校正單元14的輸出Sse提供到選擇器8，校正單元60校正DC分量的電平。重現(xiàn)信號(Sd2)和重現(xiàn)信號(Sd3)的其中之一(不過已由第三延遲電路53進行延遲)被選擇并經(jīng)過模/數(shù)變換單元62作為數(shù)字信號(Sc)輸出。
換句話說，在第十實施例中，當(dāng)重現(xiàn)信號超過在電平檢測單元中的閾值電平時，由校正單元60對重現(xiàn)信號校正。當(dāng)電平檢測單元14在以之后判斷重現(xiàn)信號沒有熱致波動時，選擇器8選擇流經(jīng)第三延遲電路53的數(shù)據(jù)信號Sd3。此處，即使電平檢測單元14判斷沒有出現(xiàn)熱致波動狀態(tài)，當(dāng)校正單元60開始處理時，第三延遲電路53用于將該狀態(tài)返回到起始狀態(tài)。第二延遲電路52用于校準(zhǔn)所有信號。
如上所述，僅當(dāng)存在熱致波動時，這一第十實施例輸出校正的重現(xiàn)信號，按照這種方式，在熱致波動未正確地檢測后，可以消除不必要的校正。
圖27是表示圖26中所示的選擇器的一種結(jié)構(gòu)示例的電路圖。如圖27所示，選擇器8采用包含多個雙極型晶體管(81到88、91、92、94、95，…126、129和130)以及多個電阻(90、93、97，…127、128和131)的差分結(jié)構(gòu)。
換句話說，通過將圖26和27比較可以清楚地認(rèn)識到，在圖27中所示的選擇器8中的信號具有不同的結(jié)構(gòu)(互補的信號)，以及對于正相信號的前部的前綴x代表反相的信號。因此，第二延遲電路的互補的輸出(Sd2)和(xSd2)、電平檢測電路14的互補的輸出(Sd3)和(xSd3)以及互補的輸出(Sse)和(xSse)提供到在圖27中表示的選擇器8，選擇器8輸出互補的信號Sn和XSn。此外，電平檢測電路14的輸出(Sse)和(XSse)是選擇控制信號，第二延遲電路的輸出(SD2)和(XSD2)或第三延遲電路的輸出(Sd3)和(XSd3)根據(jù)這些信號(Sse)和(XSse)的電平由選擇器8按照輸出(Sn)和(XSn)輸出。
圖28是表示本發(fā)明的第十一實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。參考標(biāo)號15代表一電壓疊加器。
如圖28所示，第十一實施例在圖12中所示的第二實施例中的延遲電路51和模/數(shù)變換單元66之間增加了電壓疊加器15。這一電壓疊加器15向重現(xiàn)的模擬信號Sr施加一電壓偏置。
換句話說，當(dāng)在模/數(shù)變換單元66的后置級部分進行熱致波動校正(在校正單元60)時，如果已疊加到熱致波動的信號僅輸入到模/數(shù)變換單元66，則輸出超出動態(tài)范圍呈現(xiàn)飽和。因此，這一第十一實施例通過改變在電壓疊加器15的疊加電壓防止在模/數(shù)變換單元66出現(xiàn)這種電壓飽和。
此處，熱致波動的最大電平A由下述公式(a)到(g)確定，以及在電壓疊加器15的疊加電平可以改變。按這種方式，可以防止在模/數(shù)變換單元66的電壓飽合。
圖29是表示本發(fā)明的第十二實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。在該圖中，參考標(biāo)號68代表高通濾波器，參考標(biāo)號69代表疊加器。
如在圖29中所示，這一第十二實施例將一階躍函數(shù)通過高通濾波器68，將該階躍函數(shù)疊加到重現(xiàn)信號Sr上并根據(jù)這一疊加結(jié)果進行校正處理。
換句話說，由于熱致波動引起的重現(xiàn)信號的電平脈動分量可能接近在這一第十二實施例中的階躍函數(shù)的差分波形，向高通濾波器68施加一個預(yù)先準(zhǔn)備的階躍函數(shù)，并且將作用結(jié)果疊加到重現(xiàn)模擬信號波形，以便消除電平脈動分量。此后，高通濾波器68的傳遞函數(shù)必須根據(jù)熱致波動造成的電平脈動量來確定。
接著，解釋確定高通濾波器68的傳遞函數(shù)的方法。此處，按照作為多個閾值電平的一個示例設(shè)置兩種電平的實例來進行解釋。
當(dāng)由于熱致波動引起的電平脈動現(xiàn)象變化接近指數(shù)函數(shù)曲線時，閾值電平Vs1和Vs2可以表達(dá)如下Vs1＝A×exp(-t1/τ)…(a)Vs2＝A×exp(-t2/τ)…(b)
此處，未知量A是電平脈動的最大值，以及未知量C是指數(shù)函數(shù)的時間常數(shù)。
由于通過確定A和τ就可以了解指數(shù)函數(shù)曲線的形狀，A可以由方程(a)和(b)表達(dá)如下A＝Vs1＝exp(t1/τ)＝Vs2＝exp(t2/τ) …(c)因此，Vs2/Vs1＝exp{(t1-t2/τ)} …(d)＝(t1-t2)/{log(Vs2/Vs1)}…(e)因此，通過將這一表達(dá)式代入公式(a)或(b)可以確定A。
由于這一指數(shù)函數(shù)曲線V(t)因此可以表示如下V(t)＝A×exp(t1/τ)…(f)通過對V(t)進行拉普拉斯變換，可以得到傳遞函數(shù)如下F(S)＝∫{A×exp(t1/τ)×exp(-sp)}dt …(g)因此，當(dāng)將預(yù)先準(zhǔn)備的階躍函數(shù)乘以由上述方程式(g)得到的傳遞函數(shù)F(S)時，可以重現(xiàn)由于熱致波動產(chǎn)生的電平脈動。當(dāng)由原始波形數(shù)據(jù)減去這一數(shù)值時，可以校正熱致波動。
根據(jù)上述計算，該多個閾值的數(shù)目至少可為兩種，但為了得到電平脈動，較大的數(shù)目是更為優(yōu)選的。
因此，通過利用在比較器的輸出信號的高電平“H”和低電平“L”之間的轉(zhuǎn)換時間可以確定高通濾波器68的傳遞函數(shù)。
順便指出，為了檢測熱致波動，需要相對長的時間，一直到對于熱致波動的出現(xiàn)作出判斷(決定)。因此，只要數(shù)據(jù)波形-超過設(shè)定的閾值，在校正單元中就進行校正處理，以及例如外部噪聲疊加到數(shù)據(jù)之后判斷沒有熱致波動產(chǎn)生時，在校正單元中的校正處理中止，并輸送這時的數(shù)據(jù)信號。
換句話說，當(dāng)重現(xiàn)信號Sr的電平超過閾值電平時開始校正處理，以及當(dāng)重現(xiàn)信號的電平變得小于閾值電平時，結(jié)束校正過程。
按照上面提供的解釋，將其中一個閾值電平設(shè)定為該與重現(xiàn)信號幅值的1.5倍的幅值相對應(yīng)的電平作為一個參考值，其它的閾值電平在此閾值電平之前和之后設(shè)定。然而，無須說，這一閾值電平可以設(shè)為一最佳電平。
圖30是表示在本發(fā)明的該實施例中所采用的模/數(shù)變換器的結(jié)構(gòu)示例的電路圖。
如圖30所示，模/數(shù)變換器66(62)包括在高電位側(cè)(高電位電源線)和低電位側(cè)(低電位電源線)之間分別串聯(lián)的多個電阻R1到R5，以及多個比較器A1到A4。模擬數(shù)據(jù)信號和利用多個電阻R1到R5分壓產(chǎn)生的不同的比較電壓提供到這些比較器A1到A4中的每一個比較器上。每個比較器將模擬數(shù)據(jù)信號與每個比較電壓相比較并輸出與這一模擬數(shù)據(jù)信號相對應(yīng)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號。
圖31到33是表示每個采用在本發(fā)明的該實施例中的模/數(shù)變換器66的改進的示例的電路圖。構(gòu)成這些改進的示例，以便模/數(shù)變換單元66改變它的工作范圍，使它避免進入飽和，防止由于熱致波動使重現(xiàn)電壓出現(xiàn)脈動。每一圈都用于以舉例的方式進行解釋，說明通過降低比特數(shù)通常用于電位可變的半導(dǎo)體器件的瞬時式模/數(shù)變換器66。
如圖31如示，模/數(shù)變換器66的第一改進示例包括在高電位側(cè)的高電位側(cè)電壓疊加器160，并利用這一高電位側(cè)電壓疊加器160的輸出電壓作出高電位側(cè)的電壓。參考電壓和待疊加的可變電壓施加到高電位側(cè)電壓疊加器160，因而通過控制模/數(shù)變換單元66的高電位側(cè)可以移動工作范圍。
在圖12中所示的第二實施例中，當(dāng)電平檢測單元14檢測到熱致波動時，用于改變模/數(shù)變換單元66的工作范圍的控制信號輸出到這一數(shù)/模變換單元66，以及按照這種方式，待疊加的可變電壓疊加到參考電壓(原有的高電位電源電壓)，因而，被移動到高電位側(cè)的該電壓可以用作高電位側(cè)的電壓。因此，模/數(shù)變換單元66的動態(tài)范圍可以擴展，以及沒有產(chǎn)生飽和且防止由于熱致波動引起重現(xiàn)電壓變化。
按照圖32中所示的模/數(shù)變換器66的第二改進示例，在低電位側(cè)配置一個低電位側(cè)電壓疊加器，以及這一低電位側(cè)電壓疊加器161的輸出電壓用作低電位側(cè)的電壓。參考電壓和待疊加的可變電壓加到這一低電位側(cè)電壓疊加器161上，通過控制模/數(shù)變換單元66的低壓側(cè)可以移動其工作范圍。
換句話說，在圖12中所示的第二實施例中，當(dāng)電平檢測單元14檢測熱致波動時，向這一模/數(shù)變換單元66輸出用于改變模/數(shù)變換單元66的工作范圍的控制信號。因此，待疊加的可變電壓(負(fù)電壓)疊加到參考電壓(原有的低電位電源電壓)，該移動到低電位側(cè)的電壓用作低電位側(cè)電壓。因而，模/數(shù)變換單元66的動態(tài)范圍擴展，不會產(chǎn)生飽合，且防止由于熱致波動引起的重現(xiàn)電壓的變化。
按照圖33中所示的模/數(shù)變換器66的第三改進示例，配置了在第一和第二改進示例中的高電位側(cè)電壓疊加器160(162)和低電位側(cè)電壓疊加器，當(dāng)電平檢測單元14檢測熱致波動時，在高電位和低電位側(cè)的電壓分別移動到高電位側(cè)和低電位側(cè)，從而擴展了動態(tài)范圍。因而，即使為了防止由于熱致波動引起重現(xiàn)電壓變化，模/數(shù)變換單元66也不會變飽和。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的磁盤重現(xiàn)裝置可以校正熱致波動，并且對于在檢測熱致波動所需的僅一些比特相對應(yīng)的短的時間階段內(nèi)產(chǎn)生的誤差，可以限制與重現(xiàn)信號相關(guān)的誤差。
圖34是表示本發(fā)明的第十三實施例的結(jié)構(gòu)的方塊圖。這一實施例的基本結(jié)構(gòu)與參照圖10解釋的結(jié)構(gòu)相同。
如圖34所示，在第十三實施例中配置多個磁頭(MR磁頭)2，這些磁頭經(jīng)過前置放大電路(前置放大器)31連接到讀/寫控制單元33。作為讀/寫控制單元33的輸出的重現(xiàn)信號Sr’經(jīng)過調(diào)制/解調(diào)電路35并經(jīng)過接口電路34輸出并還提供到主MPU32。此外，重現(xiàn)信號Sr’還提供到電平檢測單元40a和比較電路60a，比較電路60a的輸出(Se’)提供到主MPU32。換句話說，主MPU32這樣設(shè)置以便接收代表存在缺陷的比較電路60a的輸出Sc’。
主MPU32在磁盤裝置(磁盤重現(xiàn)裝置)內(nèi)部進行各種控制，并且在磁盤裝置和主設(shè)備之間控制指令和數(shù)據(jù)。讀/寫控制單元33根據(jù)來自主MPU32通過前置放大器31的指令對磁盤機構(gòu)單元32進行讀/寫數(shù)據(jù)等方面的控制。通過接收來自至MPU32的搜索指令，驅(qū)動電路36驅(qū)動和控制傳動單元32，并對磁頭2進行定位控制，以及其它控制。
此處，電平檢測單元40a可以包括用于除去噪聲的濾波器，例如按照與在圖14中表示的第四實施例相同的方式利用。這一濾波器的特性對于每一圓柱面可進行轉(zhuǎn)換。
還可以配置比較器電路60a，以便包括去噪聲用濾波器和對于每一圓柱面轉(zhuǎn)換這一濾波器的特性。順便指出，可以將在電平檢測單元40a內(nèi)部的濾波器的特性設(shè)定得與在比較電路60a內(nèi)部的濾波器的特性相同。
圖35是用于解釋本發(fā)明的第十三實施例的工作情況的流程圖。
為了進行媒體(磁盤媒體)的缺陷檢測處理，首先由主設(shè)備(主機)向接口電路34產(chǎn)生和輸送指令，以便進行對媒體的缺陷檢測處理，而接口電路向主MPU32通知收到這一指令。
當(dāng)開始媒體的缺陷檢測處理時，在步驟S1，首先將磁頭地址/圓柱面地址設(shè)定為起始值(0，0)。更具體地說，將連接到前置放大電路(前置放大級)31的磁頭2的地址為0，并控制驅(qū)動電路36，因而使磁頭定位在圓柱面0位置，傳動裝置22動作。
流程進行到步驟S2，寫入數(shù)據(jù)。流程進行到步驟S3，讀出這樣寫入的數(shù)據(jù)。換句話說，在將數(shù)據(jù)寫入到磁盤媒體上所選擇的磁道之后，讀出該數(shù)據(jù)。
流程進行到步驟S4，鑒別是否有這樣的位置，由該位置不能讀出數(shù)據(jù)。換句話說，在將數(shù)據(jù)寫入到選擇的磁道之后，通過讀出數(shù)據(jù)檢測缺陷的位置，同時，根據(jù)用于放大磁頭2的重現(xiàn)信號的前置放大器31的輸出，電平檢測單元40a檢測環(huán)繞磁道一個圓周的平均幅值。通過將這樣檢測的信號與前置放大器31的原有輸出進行比較，檢測產(chǎn)生不正常幅值變化的位置。當(dāng)在步驟40判斷存在不能讀出數(shù)據(jù)的位置時，流程進行到步驟S5，在步驟S5，判斷是否由比較電路60a形成中斷請求。
當(dāng)判斷在步驟S5沒有由比較電路60a向主MPU32發(fā)出中斷請求時，流程進行到步驟S6，將不能讀出數(shù)據(jù)的位置作為缺陷記錄(原有缺陷或常有缺陷)。在此之后，流程進行到步驟S7。
另一方面，當(dāng)在步驟S5判斷由比較電路60a向主MPU32發(fā)生中斷請求時，如果由于熱致波動引起的重現(xiàn)信號脈動以及異常波形(例如圖3到6所示的波形)被檢測到，流程進行到步驟S11，以由于該缺陷作為媒體的不正常突起引起的媒體缺陷(特定缺陷)將該缺陷記錄下來。流程進行到步驟S12，并且對在這個缺陷之前和之后的N個字節(jié)也被用于記錄缺陷。流程進行到步驟S13，將對于在這一缺陷的磁道的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的相同位置的M個磁道作為缺陷記錄下來。流程進行到步驟S7。換句話說，假設(shè)這樣檢測的缺陷是有可能擴展的缺陷，該缺陷信息記錄在這一缺陷之前和之后N個字節(jié)的位置處，記錄到這一缺陷的磁道的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的M個磁帶的相同位置。在此之后，流程進行到步驟S7。
當(dāng)比較電路60a無輸出時，缺陷擴展到更寬范圍的可能性是很小的。因此，當(dāng)對于每個磁頭的缺陷的記錄位置相同，以及各地址彼此鄰近時，該缺陷記錄在具有這一缺陷的磁道以前和以后的各磁道的相同位置上。當(dāng)比較電路60a有輸出時(即由于熱致波動產(chǎn)生重現(xiàn)信號的脈動時)，假如對每個磁頭的缺陷的記錄位置相同以及各地址彼此鄰近時，則存在缺陷在更寬范圍擴展的可能性。因此，進行處理，因而磁頭該范圍不被使用。
在步驟S7，判斷磁頭(磁頭地址)是否有MAX(最大值)。假如，判斷磁頭沒有MAX值，在步驟S8將磁頭地址加“1”，流程返回到步驟S2。假如在步驟S7判別磁頭有MAX值，流程進行到步驟S9，判斷圓柱面(圓柱面地址)是否有MAX值。換句話說，當(dāng)這一磁道的缺陷檢測處理完成時，磁頭地址加1，在其它磁道進行相同的處理。當(dāng)磁頭地址超過最大磁頭地址值時，磁頭地址返回到0，圓柱面地址遞增+1。最終，通過進行相似的處理，對于所有的磁道進行缺陷的檢測/記錄處理。
當(dāng)在步驟S9，判斷圓柱面地址沒有MAX值時，在步驟S10，圓柱面地址加1，然后流程返回到步驟S2。另一方面，當(dāng)在步驟S9判斷圓柱面具有MAX值時，對于所有的磁頭地址和所有的圓柱面地址(對于所有的磁盤媒體)完成所有的處理，因而完成缺陷檢測處理。
如上所述，根據(jù)第十三實施例，在使用該裝置的過程中(由于隨著使用時間的延長質(zhì)量的變化引起的)可能擴展的缺陷被預(yù)先記錄，以及可以避免在用戶方與讀/寫誤差相關(guān)的誤差相關(guān)的特性惡化。
權(quán)利要求
1.一種磁盤重現(xiàn)裝置，用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的一任選位置記錄的數(shù)據(jù)，包含電平檢測裝置(4)，用于檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平；延遲裝置(5)，用于將所述重現(xiàn)信號延遲預(yù)定的量值；以及校正裝置(6)，用于當(dāng)由電平檢測裝置檢測的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正由所述延遲裝置(5)輸出的所述重現(xiàn)信號的DC分量的電平。
2.一種磁盤重現(xiàn)裝置，用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的許多位置記錄的數(shù)據(jù)，包含電平檢測裝置(4a)，用于檢測從重現(xiàn)在多個位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)起到經(jīng)過預(yù)定時間上的由所述磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；以及電平比較裝置(6a)，用于將由所述檢測裝置(4a)輸出的所述平均電平與通過重現(xiàn)在所述磁盤的所述一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的所述重現(xiàn)信號的電平進行比較；其中，當(dāng)所述平均電平大于在所述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，所述電平比較裝置(6a)判斷在所述一個位置附近存在缺陷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述電平檢測裝置具有一含消除噪聲的濾波器的電平檢測單元(40a)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述的電平比較裝置具有一含消除噪聲的濾波器的比較電路(60a)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中在所述電平檢測單元內(nèi)的濾波器的特性與在所述比較電路內(nèi)的所述濾波器的特性是相同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述濾波器的特性對于每圓柱面是轉(zhuǎn)換的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述濾波器的特性對于每一圓柱面是轉(zhuǎn)換的。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁盤重現(xiàn)裝置，還包含一微處理器單元，用于接收代表所述比較電路的輸出為有缺陷的輸出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中在所述有缺陷的磁道的相同位置以及在所述有缺陷的磁道之前和之后記錄所述缺陷。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中對于每個磁頭的缺陷的數(shù)目計數(shù)，以及當(dāng)因此計數(shù)的數(shù)目大于預(yù)定值時，不使用所述磁頭的該區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中，當(dāng)所述比較電路無輸出時，以及當(dāng)對于每個磁頭的所述缺陷的記錄位置相同以及當(dāng)?shù)刂繁舜肃徑鼤r，各缺陷記錄在該磁道內(nèi)側(cè)和外側(cè)的各磁道的相同位置上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)所述比較電路有輸出時，以及當(dāng)對于每個磁頭的所述缺陷的記錄位置相同以及當(dāng)?shù)刂粪徑鼤r，不使用所述磁頭的該區(qū)域。
13.一種磁盤重現(xiàn)裝置，用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的磁道中的任選位置處記錄的數(shù)據(jù)，包括電平檢測單元(14)用于檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)模擬信號的DC分量的電平；延遲電路(50)，用于將所述重現(xiàn)的模擬信號延遲一預(yù)定的量值；校正單元(60)，用于當(dāng)由所述電平檢測單元(14)檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，校正由所述延遲電路(50)輸出的所述重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；以及模/數(shù)變換單元(62)，用于將利用所述校正單元(60)校正該DC分量的重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述的電平檢測裝置(14)將所述重現(xiàn)信號的波形與預(yù)定的閾值電平(Vs1)進行比較，并且當(dāng)所述重現(xiàn)信號的波形超過所述閾值電平(Vs1)時，向所述校正單元(60)提供對于所述重現(xiàn)信號的DC分量的電平進行校正的指令。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述的電平檢測單元(14)包括第一比較器(41)、低通濾波器(7)和第二比較器(42)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)所述重現(xiàn)信號的DC分量的電平超過所述閾值電平持續(xù)至少一預(yù)定時間時，進行校正處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)按預(yù)定的頻率或按高于所述預(yù)定頻率的其它頻率產(chǎn)生一種所述重現(xiàn)信號的電平近于超，或不超過所述閾值電平的轉(zhuǎn)換現(xiàn)象時，或當(dāng)所述轉(zhuǎn)換現(xiàn)象存在至少持續(xù)一預(yù)定時間時，進行校正處理。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述重現(xiàn)的模擬信號通過一低通濾波器，對于所述低通濾波器的輸出設(shè)定閾值電平，以及當(dāng)該輸出超過所述閾值電平至少持續(xù)一預(yù)定時間時，進行校正處理。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中僅當(dāng)存在熱致波動時才利用一選擇器電路選擇進行校正。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中將一階躍函數(shù)作用于高通濾波器，將作用結(jié)果加到所述重現(xiàn)的模擬信號，并根據(jù)疊加結(jié)果進行校正處理。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)所述重現(xiàn)信號的電平大于所述閾值電平開始校正處理，而當(dāng)所述重現(xiàn)信號的電平小于所述閾值電平時則中止校正處理。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平，以及將通過所述低通濾波器的信號與其它各閾值電平比較。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平，并且按照預(yù)定頻率和高于所述預(yù)定頻率的其它頻率進行轉(zhuǎn)換。
25.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中中止可變頻率振蕩器的時鐘，持續(xù)的時間對應(yīng)于所述重現(xiàn)的信號的電平持續(xù)超過所述多個閾值中的一個閾值的時間與一預(yù)定的常數(shù)相乘得到的乘積，以及使所述可變頻率振蕩器的振蕩頻率保持固定。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中穩(wěn)定自動增益控制電路的增益，持續(xù)的時間對應(yīng)于所述重現(xiàn)的信號的電平持續(xù)超過多個所述閾電平中的一個閾值電平的時間與一預(yù)定的常數(shù)得到的乘積。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中根據(jù)所述比較器的輸出信號的低電平(“L”)或高電平(“H”)取出所述可變頻率振蕩器的時鐘，或者所述可變頻率振蕩器的振蕩頻率是固定的。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中使所述自動增益控制電路的增益是按照所述比較器的輸出信號的低電平(“L”)或高電平(“H”)變化的，或者是固定的。
29.一種磁盤重現(xiàn)裝置，用于重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的一任選磁道記錄的數(shù)據(jù)，包括電平檢測裝置(14)，用于檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；延遲電路(51)，用于將所述重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；模/數(shù)變換單元(66)，用于利用采樣技術(shù)將由所述電平檢測單元14的和代表DC分量電平的模擬檢測信號和由所述延遲電路(51)輸出的重現(xiàn)的模擬信號分別變換為數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號，以及校正單元(60)，用于當(dāng)包含在所述數(shù)字檢測信號中的DC分量的電平大于預(yù)定的閾值電平時，校正所述重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述的電平檢測單元(14)將所述重現(xiàn)信號的波形與預(yù)定的閾值電平(Vs1)相比較，并且當(dāng)所述重現(xiàn)的信號超過所述閾值電平(Vs1)時，向所述校正單元(60)發(fā)出校正指令，以便校正所述重現(xiàn)的信號的DC分量的電平。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述電平檢測單元(14)包括第一比較器(41)，低通濾波器(7)和第二比較器(42)。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)所述重現(xiàn)的信號的DC分量的電平持續(xù)超過所述閾值電平至少一預(yù)定時間時才進行校正。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)按照預(yù)定頻率或高于所述預(yù)定頻率的其它頻率上出現(xiàn)所述重現(xiàn)的信號的電平近于超過或者不超過所述閾值電平的轉(zhuǎn)換現(xiàn)象時，或當(dāng)所述轉(zhuǎn)換存在至少持續(xù)一預(yù)定時間時進行校正。
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平。
35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述重現(xiàn)的模擬波形通過低通濾波器，對于所述低通濾波器的輸出設(shè)定閾值電平，以及當(dāng)所述低通濾波器的輸出超過所述閾值電平持續(xù)至少一預(yù)定時間時進行校正。
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中僅當(dāng)產(chǎn)生熱致波動時利用一選擇器電路選擇進行校正。
37.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，還包含一電壓疊加器(15)，用于對所述重現(xiàn)的模擬信號施加電壓偏置。
38.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中將一階躍函數(shù)作用于高通濾波器，將作用結(jié)果疊加到所述重現(xiàn)的模擬信號，并根據(jù)疊加結(jié)果進行校正。
39.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中當(dāng)所述重現(xiàn)信號的電平大于所述閾值電平時開始校正處理，而當(dāng)所述重現(xiàn)信號的電平小于所述閾值電平時中止校正處理。
40.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述模/數(shù)變換單元(66)的工作范圍是移動的。
41.根據(jù)權(quán)利要求32所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平，以及將通過所述低通濾波器的信號與其它的閾值電平比較。
42.根據(jù)權(quán)利要求33所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中設(shè)定多個所述閾值電平，并按照預(yù)定頻率或高于所述預(yù)定頻率的其它頻率進行轉(zhuǎn)換。
43.根據(jù)權(quán)利要求34所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中中止可變頻率振蕩器的時鐘，持續(xù)的時間對應(yīng)于所述重現(xiàn)信號的電平持續(xù)超過多個所述閾值電平的時間與一預(yù)定的常數(shù)相乘得到的乘積，以及使所述可變頻率振蕩器的振蕩頻率保持固定。
44.根據(jù)權(quán)利要求34所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中穩(wěn)定自動增益控制電路的增益，持續(xù)的時間對應(yīng)于所述重現(xiàn)的信號的電平持續(xù)超過多個所述閾值電平中的一個閾值電平的時間與一預(yù)定的時間常數(shù)相乘得到的乘積。
45.根據(jù)權(quán)利要求41的所述磁盤重現(xiàn)裝置，其中根據(jù)所述比較器的輸出信號的低電平(“L”)或高電平(“H”)取出所述可變頻率振蕩器的時鐘，或者所述可變頻率振蕩器的振蕩頻率是固定的。
46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中根據(jù)所述比較器的輸出信號的低電平(“L”)或高電平(“H”)，使所述自動增益控制電路是可變的；或者是固定的。
47.根據(jù)權(quán)利要求1到46中的任一權(quán)利要求所述的磁盤重現(xiàn)裝置，其中所述磁頭裝有利用磁控電阻元件的磁控電阻效應(yīng)型磁頭，其對所述磁控電阻效應(yīng)型磁頭與在所述磁盤上的突起之間由于碰撞引起熱致波動所形成的所述重現(xiàn)信號的脈動進行校正。
48.一種磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該裝置用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的一任選位置記錄的數(shù)據(jù)，該方法包括的步驟是檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平；將所述重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；及當(dāng)檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，對這樣延遲的所述重現(xiàn)的信號的DC分量的電平進行校正。
49.一種磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該裝置用于重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的多個位置記錄的數(shù)據(jù)，該方法包含的步驟是檢測從重現(xiàn)在多個所述位置中的一個位置記錄的數(shù)據(jù)起到經(jīng)過預(yù)定時間止的從所述磁頭輸出的重現(xiàn)信號的平均電平；將這樣檢測的所述平均電平與通過重現(xiàn)在所述磁盤上的一個位置記錄的數(shù)據(jù)得到的重現(xiàn)信號的電平相比較；以及當(dāng)所述平均電平大于在所述一個位置記錄的數(shù)據(jù)的重現(xiàn)信號的電平時，判斷在所述一個位置附近存在缺陷。
50.一種磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該裝置用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤的磁道上的一任選位置記錄的數(shù)據(jù)，該方法包含的步驟有檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；將所述重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；當(dāng)這樣檢測的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，對這樣延遲的所述重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平進行校正；以及將其DC分量的電平已校正的所述重現(xiàn)的模擬信號變換為重現(xiàn)的數(shù)字信號。
51.一種磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法，該裝置用于利用磁頭重現(xiàn)在旋轉(zhuǎn)磁盤上的一任選磁道記錄的數(shù)據(jù)，該方法包含的步驟有檢測由所述磁頭輸出的重現(xiàn)的模擬信號的DC分量的電平；將所述重現(xiàn)的模擬信號延遲預(yù)定的量值；將代表所述檢測的DC分量的電平的模擬檢測信號和所述延遲的重現(xiàn)的模擬信號利用取樣技術(shù)分別變換為數(shù)字檢測信號和重現(xiàn)的數(shù)字信號；以及當(dāng)包含在所述數(shù)字檢測信號中的DC分量的電平變得大于預(yù)定的閾值電平時，對所述重現(xiàn)的數(shù)字信號的DC分量的電平進行校正。
全文摘要
一種磁盤重現(xiàn)裝置，包括電平檢測單元(4)，用于檢測磁頭輸出信號的DC分量的電平；延遲單元(5)，用于將重現(xiàn)的信號延遲預(yù)定的量值；以及校正單元(6)，用于當(dāng)電平檢測單元(4)檢測的DC分量電平大于預(yù)定閾值電平時，校正延遲單元輸出的重現(xiàn)信號的DC分量的電平。磁盤重現(xiàn)裝置的控制方法包含步驟檢測由磁頭輸出信號的DC分量電平；延遲信號延遲；以及當(dāng)DC分量的電平大于閾值電平時，校正DC分量的電平。
文檔編號G11B20/10GK1167321SQ9710264
公開日1997年12月10日 申請日期1997年2月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月31日
發(fā)明者笠井希一郎, 木村俊樹 申請人:富士通株式會社