各個(gè)方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。

背景技術(shù)：

1、一般來(lái)說(shuō)，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對(duì)于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進(jìn)一步開發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例如，這種具有非易失性、可重新配置電阻的器件可以被稱為憶阻器件或憶阻器。開發(fā)憶阻器交叉陣列是為了在一些數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中取代晶體管和存儲(chǔ)單元。然而，基于憶阻器的交叉陣列中泄漏電流的出現(xiàn)會(huì)限制這種結(jié)構(gòu)的可擴(kuò)展性。因此，已經(jīng)提出了幾種類型的具有非線性電阻行為的憶阻器，以減少在非選擇性憶阻器重新配置和讀取選擇性憶阻器時(shí)的泄漏電流。這些包括所謂的互補(bǔ)電阻開關(guān)，其包括串聯(lián)連接的兩個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)，其中，這種技術(shù)的缺點(diǎn)可能是互補(bǔ)電阻的狀態(tài)只能破壞性地讀出，因此互補(bǔ)電阻開關(guān)在讀取后必須重寫?；パa(bǔ)電阻開關(guān)狀態(tài)的非破壞性讀取方法可以基于電容測(cè)量?；パa(bǔ)電阻開關(guān)可以包括具有強(qiáng)非線性電阻行為的雙層憶阻結(jié)構(gòu)和具有強(qiáng)非線性電阻行為的單層憶阻結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種憶阻交叉陣列(500)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500)，進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的憶阻交叉陣列(500)，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的憶阻交叉陣列(500)，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500)，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500)，

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500)，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的憶阻交叉陣列(500)，

16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

17.根據(jù)權(quán)利要求9至16中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500)，

19.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法，所述方法包括：

20.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)各個(gè)方面，提供了一種憶阻交叉陣列，包括：交叉配置中的第一控制線和第二控制線，其限定了多個(gè)交叉點(diǎn)區(qū)域，憶阻材料部分，其設(shè)置在第一控制線中的一個(gè)控制線和第二控制線中的一個(gè)控制線的相應(yīng)對(duì)之間的多個(gè)交叉點(diǎn)區(qū)域的每個(gè)交叉點(diǎn)區(qū)域中，以形成對(duì)應(yīng)的憶阻結(jié)構(gòu)。每個(gè)憶阻材料部分可以具有預(yù)定范圍的厚度，使得每個(gè)對(duì)應(yīng)憶阻結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱的讀取特性和/或讀取特性中的至少一個(gè)曲率變化。

技術(shù)研發(fā)人員：海德馬里·施密特,杜楠,伊洛娜·斯科魯帕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：泰奇法布有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21