各個(gè)方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法,例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法,例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。
背景技術(shù):
1、一般來(lái)說(shuō),各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而,發(fā)現(xiàn)電阻陣列對(duì)于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進(jìn)一步開發(fā),以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例如,這種具有非易失性、可重新配置電阻的器件可以被稱為憶阻器件或憶阻器。開發(fā)憶阻器交叉陣列是為了在一些數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中取代晶體管和存儲(chǔ)單元。然而,基于憶阻器的交叉陣列中泄漏電流的出現(xiàn)會(huì)限制這種結(jié)構(gòu)的可擴(kuò)展性。因此,已經(jīng)提出了幾種類型的具有非線性電阻行為的憶阻器,以減少在非選擇性憶阻器重新配置和讀取選擇性憶阻器時(shí)的泄漏電流。這些包括所謂的互補(bǔ)電阻開關(guān),其包括串聯(lián)連接的兩個(gè)憶阻結(jié)構(gòu),其中,這種技術(shù)的缺點(diǎn)可能是互補(bǔ)電阻的狀態(tài)只能破壞性地讀出,因此互補(bǔ)電阻開關(guān)在讀取后必須重寫?;パa(bǔ)電阻開關(guān)狀態(tài)的非破壞性讀取方法可以基于電容測(cè)量?;パa(bǔ)電阻開關(guān)可以包括具有強(qiáng)非線性電阻行為的雙層憶阻結(jié)構(gòu)和具有強(qiáng)非線性電阻行為的單層憶阻結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1.一種憶阻交叉陣列(500),包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500),進(jìn)一步包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的憶阻交叉陣列(500),
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的憶阻交叉陣列(500),
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500),包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500),
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500),
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500),
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500),
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500),
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的憶阻交叉陣列(500),
16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
17.根據(jù)權(quán)利要求9至16中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的憶阻交叉陣列(500),
19.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法,所述方法包括:
20.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法,所述方法包括: