技術(shù)編號(hào)：39725816
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。各個(gè)方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個(gè)憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。背景技術(shù)、一般來(lái)說，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對(duì)于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進(jìn)一步開發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例如，這種具有非易失性、可重新配置電阻的器件可以被稱為憶阻器件或憶阻器。開發(fā)憶阻器交叉陣列是為了在一些數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中取代晶體管和存儲(chǔ)單元。然而，基于憶阻器的交叉陣列中泄漏電流的出現(xiàn)會(huì)限制這種結(jié)...
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