本發(fā)明涉及集成電路的評(píng)測(cè)方法，尤其涉及一種芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法、裝置及芯片。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向深亞微米、超深亞微米方向迅速發(fā)展，集成電路的特征尺寸不斷縮小，但是電離輻射效應(yīng)的損傷也更為明顯。由于宇宙和外層空間中存在著大量的宇宙射線，當(dāng)集成電路應(yīng)用在航天器上時(shí)，其抗輻射能力的大小和測(cè)評(píng)變得極為重要。

當(dāng)前集成電路設(shè)計(jì)的規(guī)模越來(lái)越大，存儲(chǔ)器在芯片中的面積將超過(guò)80％。存儲(chǔ)器抗輻射能力的高低直接決定著其所在芯片的抗輻射能力?，F(xiàn)有存儲(chǔ)器抗輻射能力測(cè)評(píng)常用的方法可以概括為：在存儲(chǔ)器被寫入數(shù)據(jù)后，用粒子束照射存儲(chǔ)器，然后再讀出存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，判斷讀出的數(shù)據(jù)是否受粒子束影響而發(fā)生比特翻轉(zhuǎn)，最后統(tǒng)計(jì)存儲(chǔ)器在輻射一定時(shí)間后比特翻轉(zhuǎn)的概率。

但是通常芯片中存儲(chǔ)器沒有與外部的輸入/輸出管腳直接相連，無(wú)法直接對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫。因此現(xiàn)有技術(shù)通常需為存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)專門的外部電路和功能邏輯，利用功能邏輯通過(guò)軟件控制對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫操作，但這種方式靈活性差且開銷大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法、裝置及芯片，以解決現(xiàn)有評(píng)測(cè)方法靈活性差且開銷大的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例一方面提供一種芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法，芯片內(nèi)部集成有存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試MBIST電路，所述方法包括：

通過(guò)向所述MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)所述MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

確定所述MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)所述芯片進(jìn)行輻射；

在輻射結(jié)束后，確定所述MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在所述MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取所述芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取所述芯片的抗輻射能力。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面提供一種芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置，芯片內(nèi)部集成有存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試MBIST電路，所述評(píng)測(cè)裝置包括：

測(cè)試執(zhí)行模塊，用于通過(guò)向所述MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)所述MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

輻射模塊，用于確定所述MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)所述芯片進(jìn)行輻射；

抗輻射能力計(jì)算模塊，用于在輻射結(jié)束后，確定所述MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在所述MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取所述芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取所述芯片的抗輻射能力。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面提供一種芯片，包括：芯片主體、存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試MBIST電路和如上所述的評(píng)測(cè)裝置；

所述評(píng)測(cè)裝置用于通過(guò)向所述MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)所述MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；確定所述MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)所述芯片主體進(jìn)行輻射；在輻射結(jié)束后，確定所述MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在所述MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取所述芯片主體輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取所述芯片的抗輻射能力。

本發(fā)明提供的芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法、裝置及芯片，利用芯片內(nèi)部集成的自測(cè)試電路，先對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫操作，在寫操作完成后進(jìn)行粒子束輻射，對(duì)輻射后的存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作，讀取輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，將存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)相比較，得到被粒子束影響而發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位，根據(jù)數(shù)據(jù)位的數(shù)量對(duì)芯片的抗輻射能力進(jìn)行評(píng)價(jià)。本發(fā)明提供的測(cè)評(píng)方法，方式靈活且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，節(jié)約了評(píng)測(cè)開銷。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法一實(shí)施例的流程圖；

圖2為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法另一實(shí)施例的流程圖；

圖3為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法一實(shí)施例的流程圖。本實(shí)施例的執(zhí)行主體可以為芯片內(nèi)的新增邏輯，也可以為芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置，該裝置可以通過(guò)軟件和/或硬件實(shí)現(xiàn)，該裝置還可以嵌入到芯片或終端中實(shí)現(xiàn)。

本實(shí)施例中的芯片內(nèi)部集成有存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試(Memory Built-In Self-Test，簡(jiǎn)稱MBIST)電路，MBIST電路是在芯片內(nèi)部加入少量的專用測(cè)試邏輯以實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的單獨(dú)測(cè)試。MBIST電路包括測(cè)試向量產(chǎn)生電路，通過(guò)執(zhí)行測(cè)試向量產(chǎn)生電路生成的多種測(cè)試向量，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的多種讀寫操作。如圖1所示，本發(fā)明提供的芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法包括：

步驟101、通過(guò)向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

步驟102、確定MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)芯片進(jìn)行輻射；

步驟103、在輻射結(jié)束后，確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù) 設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力。

本實(shí)施例中，考慮到芯片內(nèi)部的MBIST電路具有存儲(chǔ)器的讀寫功能，可將該讀寫功能與粒子束照射相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)在不增加大量外部電路的基礎(chǔ)上，完成對(duì)芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)。

具體的，可在步驟101之前，首先判斷芯片內(nèi)部MBIST電路的測(cè)試狀態(tài)是否處于處于空閑狀態(tài)。MBIST電路內(nèi)設(shè)置有狀態(tài)機(jī)，用于指示該電路當(dāng)前的狀態(tài)，當(dāng)MBIST電路正在進(jìn)行自測(cè)試時(shí)，狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)為工作狀態(tài)，當(dāng)MBIST電路沒有在進(jìn)行自測(cè)試時(shí)，則為空閑狀態(tài)。當(dāng)MBIST電路為空閑狀態(tài)時(shí)，執(zhí)行步驟101，向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，該測(cè)試執(zhí)行信號(hào)用于使MBIST電路執(zhí)行讀寫操作，且根據(jù)測(cè)試執(zhí)行信號(hào)內(nèi)容的不同，可選擇執(zhí)行MBIST電路中不同的讀寫操作。在本申請(qǐng)中由于要對(duì)存儲(chǔ)器的抗輻射能力進(jìn)行測(cè)試，因而可選擇對(duì)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫的讀寫操作。當(dāng)讀寫操作開始執(zhí)行后，MBIST電路中狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)切換為工作狀態(tài)。

在步驟102中，芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置先檢測(cè)MBIST電路執(zhí)行寫操作是否完成，當(dāng)寫操作完成時(shí)，觸發(fā)粒子束打開，通過(guò)粒子束對(duì)芯片進(jìn)行輻射，模擬芯片被應(yīng)用到航天器上時(shí)，在宇宙和外層空間中遇到的宇宙射線。具體在確認(rèn)寫操作是否完成時(shí)，可利用MBIST電路的地址信號(hào)進(jìn)行判斷。當(dāng)MBIST電路正在以地址上升的方式進(jìn)行寫數(shù)據(jù)，則當(dāng)?shù)刂沸盘?hào)顯示當(dāng)前地址為最大值時(shí)，表明MBIST電路剛完成一次對(duì)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元的寫操作。

在步驟103中，在輻射結(jié)束后，確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，能夠讀取到芯片被輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由于經(jīng)過(guò)輻射后，存儲(chǔ)空間中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可能受粒子束影響而發(fā)生比特翻轉(zhuǎn)，例如原本存儲(chǔ)了1的數(shù)據(jù)位中的數(shù)據(jù)可能變更為0。將讀取到的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)相比較，可得到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)位，可根據(jù)數(shù)據(jù)位統(tǒng)計(jì)計(jì)算出芯片的抗輻射能力。

本發(fā)明提供的芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法，利用芯片內(nèi)部集成的自測(cè)試電路，評(píng)測(cè)裝置先對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫操作，在寫操作完成后控制粒子束進(jìn)行輻射，對(duì)輻射后的存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作，讀取輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，將存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)相比較，得到被粒子束影響而發(fā)生翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位，根據(jù)數(shù)據(jù)位的數(shù) 量對(duì)芯片的抗輻射能力進(jìn)行評(píng)價(jià)。本發(fā)明提供的測(cè)評(píng)方法，方式靈活且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，節(jié)約了評(píng)測(cè)開銷。

下面，采用具體的實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法的具體實(shí)現(xiàn)方式。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法另一實(shí)施例的流程圖。本實(shí)施例在圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，增加了通過(guò)控制MBIST電路中的時(shí)鐘信號(hào)開始，利用時(shí)鐘信號(hào)翻轉(zhuǎn)產(chǎn)生的上升沿來(lái)觸發(fā)讀寫操作的執(zhí)行，并通過(guò)控制MBIST電路中的時(shí)鐘信號(hào)的停止來(lái)控制輻射的開始和結(jié)束的具體實(shí)現(xiàn)方法。如圖2所示，該評(píng)測(cè)方法包括：

步驟201、通過(guò)向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，控制MBIST電路的時(shí)鐘啟動(dòng)，在時(shí)鐘啟動(dòng)后，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

步驟202、確定MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，通過(guò)暫停MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路暫停工作，觸發(fā)粒子束對(duì)芯片進(jìn)行輻射；

步驟203、在輻射結(jié)束后，通過(guò)啟動(dòng)MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路開始執(zhí)行讀操作；

步驟204、確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力。

本實(shí)施例中的步驟204與圖1所示實(shí)施例中的步驟103類似，本實(shí)施例此處不再贅述。

在本實(shí)施例中，在確定芯片內(nèi)部的自測(cè)試電路處于空閑狀態(tài)，并向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)之后，測(cè)試裝置通過(guò)測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，控制MBIST電路的時(shí)鐘啟動(dòng)，使得MBIST電路可以在該時(shí)鐘下開始讀寫操作；在步驟202中，當(dāng)檢測(cè)到寫操作完成后，測(cè)試裝置暫停MBIST電路的時(shí)鐘，即MBIST電路中的時(shí)鐘信號(hào)不再翻轉(zhuǎn)，無(wú)法提供時(shí)鐘的上升沿或下降沿觸發(fā)信號(hào)，從而暫停了MBIST電路的工作，然后對(duì)寫滿數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器通過(guò)粒子束進(jìn)行輻射，在輻射預(yù)設(shè)時(shí)間后，執(zhí)行步驟203，通過(guò)再次啟動(dòng)MBIST電路的時(shí)鐘，使得時(shí)鐘信號(hào)重新開始翻轉(zhuǎn)，控制MBIST電路可以繼續(xù)讀操作。在上述步驟中，粒子束輻射預(yù)設(shè)時(shí)間可提前設(shè)定。通過(guò)對(duì)MBIST電路的時(shí)鐘的控制，實(shí)現(xiàn)了對(duì)芯片的讀寫操作及輻射時(shí)間的靈活控制。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供的方法還可以將芯片讀操作結(jié)果輸出，以便對(duì)芯片進(jìn)行分析。具體如下：

將與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址和數(shù)據(jù)位輸出，以便對(duì)芯片進(jìn)行分析。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)方法不僅可以對(duì)芯片的抗輻射能力進(jìn)行評(píng)價(jià)，同時(shí)，還可將芯片中存儲(chǔ)器讀操作的結(jié)果輸出，具體的，將與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址和數(shù)據(jù)位輸出，可用于對(duì)芯片的分析，統(tǒng)計(jì)芯片中易被粒子束翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位，并定位芯片中存儲(chǔ)器內(nèi)抗輻照能力薄弱的單元。

下面采用具體的實(shí)施例，對(duì)根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力的過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，包括以下可行的實(shí)現(xiàn)方式。

一種可行的實(shí)現(xiàn)方式，獲取與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位的位數(shù)，作為芯片的抗輻射能力。

在對(duì)芯片的抗輻射能力進(jìn)行衡量時(shí)，具體的，可以在讀操作讀出的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中，對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行按位比較，得到不相同的數(shù)據(jù)位，采用累加的方法統(tǒng)計(jì)共有多少個(gè)不同的數(shù)據(jù)位，將數(shù)據(jù)位的多少作為芯片的抗輻射能力，即數(shù)值越大，抗輻射能力越低。

另一種可行的實(shí)現(xiàn)方式，獲取與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位的位數(shù)占所有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位數(shù)的比例，作為芯片的抗輻射能力。

與上述實(shí)現(xiàn)方式類似，只是在累計(jì)得到不同的數(shù)據(jù)位后，將不同的數(shù)據(jù)位占所有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的比例，作為所述芯片的抗輻射能力，同樣數(shù)值越大，抗輻射能力越低。

在具體實(shí)際應(yīng)用中，芯片的抗輻射能力還有其他計(jì)算或表示方法，本發(fā)明僅以上述方法為例，而非對(duì)其的限定。

進(jìn)一步地，在上述實(shí)現(xiàn)方式的基礎(chǔ)上，還可以將評(píng)測(cè)方法多次執(zhí)行取均值，以得到更準(zhǔn)確的抗輻射能力。

又一種可行的實(shí)現(xiàn)方式，對(duì)MBIST電路的時(shí)鐘進(jìn)行控制，使MBIST電路重復(fù)執(zhí)行讀寫操作，從而多次獲取芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

即在向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)時(shí)，選擇重復(fù)執(zhí)行讀寫操作的測(cè)試 執(zhí)行信號(hào)，該測(cè)試執(zhí)行信號(hào)直接指示MBIST電路多次循環(huán)執(zhí)行步驟101中的觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作、步驟102和步驟103。這樣，只需在循環(huán)過(guò)程中，多次配合進(jìn)行時(shí)鐘的暫停和恢復(fù)，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的多次讀寫，獲得多次的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。將每次獲取的芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)均與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，統(tǒng)計(jì)多次獲得的不同的數(shù)據(jù)位。可統(tǒng)計(jì)累加各次的不同數(shù)據(jù)位的數(shù)量，以計(jì)算芯片的抗輻射能力；也可僅統(tǒng)計(jì)累加首次出現(xiàn)的與存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不同的預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)位，并計(jì)算芯片抗輻射能力。

在具體操作中，也可多次向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)重復(fù)讀寫存儲(chǔ)器的目的。示例性的，直接重復(fù)循環(huán)執(zhí)行步驟101、102和103，以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的多次讀寫，獲得多次的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

圖3為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該評(píng)測(cè)裝置包括：

測(cè)試執(zhí)行模塊301，用于通過(guò)向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

輻射模塊302，用于確定MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)芯片進(jìn)行輻射；

抗輻射能力計(jì)算模塊303，用于在輻射結(jié)束后，確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力。

圖4為本發(fā)明芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例在圖3所示裝置實(shí)施例的基礎(chǔ)上，增加了通過(guò)控制MBIST電路中的時(shí)鐘信號(hào)開始，利用時(shí)鐘信號(hào)翻轉(zhuǎn)產(chǎn)生的上升沿來(lái)觸發(fā)讀寫操作的執(zhí)行，并通過(guò)控制MBIST電路中的時(shí)鐘信號(hào)的停止來(lái)控制輻射的開始和結(jié)束的具體實(shí)現(xiàn)方法。如圖4所示，該評(píng)測(cè)裝置還包括：

啟動(dòng)模塊401，用于通過(guò)向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，控制MBIST電路的時(shí)鐘啟動(dòng)，在時(shí)鐘啟動(dòng)后，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；

暫停模塊402，用于通過(guò)暫停MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路暫停工作；

重啟動(dòng)模塊403，用于通過(guò)啟動(dòng)MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路開始執(zhí)行讀操作。

在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，抗輻射能力計(jì)算模塊303，包括：

數(shù)量統(tǒng)計(jì)模塊，用于獲取與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位的位數(shù)，作為芯片的抗輻射能力；或者

比例統(tǒng)計(jì)模塊，用于獲取與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位的位數(shù)占所有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位數(shù)的比例，作為芯片的抗輻射能力。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在具體使用過(guò)程中，測(cè)試執(zhí)行模塊、輻射模塊、抗輻射能力計(jì)算模塊、啟動(dòng)模塊、暫停模塊和重啟動(dòng)模塊重復(fù)工作。

具體的，測(cè)試執(zhí)行模塊每次向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，則觸發(fā)啟動(dòng)模塊控制MBIST電路的時(shí)鐘啟動(dòng)，在時(shí)鐘啟動(dòng)后，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；輻射模塊，確定MBIST電路執(zhí)行寫操作完成后，暫停模塊通過(guò)暫停MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路暫停工作，觸發(fā)粒子束對(duì)芯片進(jìn)行輻射；在輻射結(jié)束后，重啟動(dòng)模塊通過(guò)啟動(dòng)MBIST電路的時(shí)鐘，控制MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，抗輻射能力計(jì)算模塊，確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取芯片輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力。

在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，為實(shí)現(xiàn)多次重復(fù)執(zhí)行讀寫存儲(chǔ)器，以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的多次讀寫，獲得多次的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)以準(zhǔn)確評(píng)價(jià)芯片的抗輻射能力，只需測(cè)試執(zhí)行模塊多次向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)即可。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本發(fā)明提供的芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置，還包括：

輸出模塊，用于將與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址和數(shù)據(jù)位輸出，根據(jù)與所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的地址和數(shù)據(jù)位，對(duì)芯片進(jìn)行分析。

本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片抗輻射能力的評(píng)測(cè)裝置，可執(zhí)行上述方法實(shí)施例，其具體實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果，可參見上述方法實(shí)施例，本實(shí)施例此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種芯片，包括：芯片主體、MBIST電路和如上述任一裝置實(shí)施例所述的評(píng)測(cè)裝置；

評(píng)測(cè)裝置用于通過(guò)向MBIST電路發(fā)送測(cè)試執(zhí)行信號(hào)，觸發(fā)MBIST電路執(zhí)行讀寫操作；確定MBIST電路執(zhí)行寫操作完成，觸發(fā)粒子束對(duì)芯片主體進(jìn)行 輻射；在輻射結(jié)束后，確定MBIST電路開始執(zhí)行讀操作，在MBIST電路執(zhí)行讀操作的過(guò)程中，獲取芯片主體輻射后的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，根據(jù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)中的不同的數(shù)據(jù)位，獲取芯片的抗輻射能力。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory，ROM)、隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。