寫部分、熱輔助磁頭滑動塊、磁頭折片組合及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分，包括：面向磁記錄媒介的空氣承載面；具有媒介面向表面的寫元件；波導路，用于引導由安裝于熱輔助磁頭滑動塊的襯底之上的光源模塊產(chǎn)生的光；及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面。其中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有碳層。本發(fā)明不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。本發(fā)明還公開了熱輔助磁頭滑動塊、磁頭折片組合、硬盤驅動器及制造方法。
【專利說明】寫部分、熱輔助磁頭滑動塊、磁頭折片組合及制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硬盤驅動器(hard disk drive, HDD),尤其涉及一種寫部分、熱輔助磁頭滑動塊以及具有該熱輔助磁頭滑動塊的磁頭折片組合(head gimbalassembly, HGA)及硬盤驅動器，以及該寫部分和熱輔助磁頭滑動塊的制造方法。
【背景技術】
[0002]硬盤驅動器是常見的信息存儲設備。圖1a為一典型硬盤驅動器100的示意圖。其包括安裝于一主軸馬達102上的一系列可旋轉磁盤101，以及繞驅動臂軸105旋轉用以存取磁盤上的數(shù)據(jù)的磁頭懸臂組合(head stack assembly,HSA) 130。該HSA130包括至少一驅動臂104及HGA150。典型地，還包括一主軸音圈馬達(圖未示)以控制在驅動臂104的運動。
[0003]參考圖lb，該HGA150包括具有熱輔助磁頭110的熱輔助磁頭滑動塊103，以及用于支撐該磁頭滑動塊103的懸臂件190。該懸臂件190包括負載桿106、基板108、絞接件107以及撓性件109，以上元件均裝配在一起。在熱輔助磁頭滑動塊103的極尖上埋植一寫傳感器和讀傳感器(圖未示)以讀取或寫入數(shù)據(jù)。當磁盤驅動器運作時，主軸馬達102使得磁盤101高速旋轉,而熱輔助磁頭滑動塊103因磁盤101旋轉而產(chǎn)生的氣壓而在磁盤101上方飛行。該熱輔助磁頭滑動塊103在音圈馬達的控制下，在磁盤101的表面以半徑方向移動。對于不同的磁軌，熱輔助磁頭滑動塊103能夠從磁盤表面上讀取數(shù)據(jù)或將數(shù)據(jù)寫進磁盤101。
[0004]請參考圖lc，該熱輔助磁頭滑動塊103包括具有空氣承載面(airbearingsurface, ABS) 1032的襯底1031以及形成在該襯底1031上的熱輔助磁頭110。該熱輔助磁頭110包括具有寫元件123的寫部分121以及具有讀元件124的讀部分122。一熱能源111安裝在襯底1031上用以向熱輔助磁頭110提供熱能，該熱能源111可以是位于寫部分121附近的激光二極管。傳統(tǒng)地，該熱能源111可通過焊球連接在襯底1031上。該熱能源111向磁記錄媒介的一部分提供能量，從而降低該部分的矯頑力。之后，通過在受熱的部分施加寫磁場從而便于進行寫操作。通常，該熱輔助磁頭110還包括一波導路125以及位于寫元件123附近的一等離子體激元天線(plasmon antenna, PA)或等離子體激元發(fā)生器(plasmon generator, PG) 127。該波導路125通過PG127的表面將激光至ABS1032上，從而提供近場光。這種提供近場光的方式有別于直接在元件上照射激光而產(chǎn)生近場光的方式。例如美國公開專利N0.2010/0103553A1已公開此種PG和波導路。
[0005]傳統(tǒng)地，為了防止讀部分122和寫部分121漏磁或被外界環(huán)境影響，通常會在上述提及的所有元件的頂面覆蓋一表層(例如由類金剛碳(diamond-1 ikecarbon,DLC)制成),從而形成ABS1032。然而，在熱輔助磁頭滑動塊103的寫操作過程中，此種DLC層無法經(jīng)受高溫，DLC層會強烈吸收PG127傳播的近場光，嚴重者，DLC層會因受熱過度而消熔。因此，目前在熱輔助磁頭滑動塊中，此種DLC層已被具有低消光系數(shù)(低光吸收系數(shù))的層體131取代，此種層體131采用的材料例如是SiOx, SiNx, SiOxNy, TaOx, TaNx, TaOxNy,氫化非晶碳等。此層體131覆蓋在上述元件的媒體面向表面上從而形成ABS1032，從而為寫操作帶來較好的熱穩(wěn)定性。
[0006]然而，由于除了 PG127之外，由腐蝕性材料制成的寫元件123、波導路125和讀元件124的媒介面向表面均被由氧化物材料制成的層體131覆蓋，而且該層體131相較DLC層而言具有較差的阻氧能力，因此這些寫元件123、波導路125和讀元件124等腐蝕性元件會被入侵的氧氣所腐蝕。再且，由氧化物材料制成的層體131的硬度較DLC層小，因此在多次讀寫操作時意外接觸媒介表面，會發(fā)生磨損，因此不適宜長期使用。
[0007]因此，亟待一種改進的寫部分、熱輔助磁頭滑動塊、HGA、HDD以及寫部分和熱輔助磁頭滑動塊的制造方法，以克服上述缺陷。

【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明的目的之一在于提供一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0009]本發(fā)明的另一目的在于提供一種熱輔助磁頭滑動塊，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0010]本發(fā)明的又一目的在于提供一種具有熱輔助磁頭滑動塊的HGA，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0011]本發(fā)明的又一目的在于提供一種具有熱輔助磁頭滑動塊的HDD，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0012]本發(fā)明的再一目的在于提供一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分的制造方法，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0013]本發(fā)明的再一目的在于提供一種熱輔助磁頭滑動塊的制造方法，其不僅能防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，而且可保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0014]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分，包括:面向磁記錄媒介的空氣承載面；具有媒介面向表面的寫元件；波導路，用于引導由安裝于熱輔助磁頭滑動塊的襯底之上的光源模塊產(chǎn)生的光；及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面。其中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有碳層。
[0015]作為一個優(yōu)選實施例，所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上覆蓋有低光吸收層。
[0016]較佳地,所述低光吸收層包括以下一種或多種材料:Ta0x, SiOx, AlOx, WOx, BCxNy,AlNx, SiNx, AlOxNy, SiOxNy, TiOx, MgOx, ZrOx, ZrOxNy, YOx, NbOx,以及 GaNx0
[0017]作為一個優(yōu)選實施例，所述低光吸收層延伸至覆蓋于所述碳層的表面以及波導路的媒介面向表面上。
[0018]可選地，所述碳層由碳化物或類金剛碳制成。
[0019]本發(fā)明提供一種熱輔助磁頭滑動塊，包括襯底，所述襯底具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面；讀部分，所述讀部分具有讀元件；寫部分，所述寫部分包括具有媒介面向表面的寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面。其中，在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋
有第一碳層。
[0020]作為一個優(yōu)選實施例，在所述讀元件的媒介面向表面上覆蓋有第二碳層。
[0021]作為另一優(yōu)選實施例，所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上覆蓋有第一低光吸收層。
[0022]較佳地，所述第一低光吸收層延伸至覆蓋于所述第一碳層和所述第二碳層的表面以及波導路的媒介面向表面上。
[0023]較佳地，所述第一碳層的表面上、所述波導路和所述讀元件的媒介面向表面上覆蓋有第二低光吸收層。
[0024]本發(fā)明提供一種HGA，包括熱輔助磁頭滑動塊及支撐所述熱輔助磁頭滑動塊的懸臂件。所述熱輔助磁頭滑動塊包括具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面的襯底，具有讀元件的讀部分以及寫部分。所述寫部分包括寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件和所述波導路附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面。其中，在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有第一碳層。
[0025]本發(fā)明提供一種HDD，包括具有熱輔助磁頭滑動塊的磁頭折片組合，與所述磁頭折片組合連接的驅動臂，旋轉硬盤以及用于旋轉所述硬盤的主軸馬達。所述熱輔助磁頭滑動塊包括具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面的襯底，具有讀元件的讀部分以及寫部分。所述寫部分包括寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件和所述波導路附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面。其中，在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有第一碳層。
[0026]相應地，本發(fā)明提供一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部件的制造方法，包括以下步驟:
[0027]提供具有寫元件、波導路及等離子體激元單元的寫部分；
[0028]研磨所述寫元件和所述波導路的媒介面向表面以及所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面；以及
[0029]僅在所述寫元件的媒介面向表面上形成碳層。
[0030]較佳地，還包括:在所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上和所述波導路的媒介面向表面上形成低光吸收層。
[0031]更佳地，還包括:在所述碳層上形成低光吸收層。
[0032]優(yōu)選地，所述碳層通過蝕刻方式形成。
[0033]相應地，本發(fā)明提供一種熱輔助磁頭滑動塊的制造方法，包括以下步驟:
[0034]提供具有多個熱輔助磁頭滑動塊元件的晶圓，每一所述熱輔助磁頭滑動塊元件包括具有空氣承載面的襯底、具有寫元件的讀部分及寫部分，所述寫部分包括寫元件、波導路及等離子體激元單元；
[0035]切割所述晶圓成多個長形條；[0036]研磨所述長形條的表面至預定規(guī)格；
[0037]在所述寫部分中，僅在所述寫元件的媒介面向表面上形成第一碳層；以及
[0038]切割所述長形條成多個獨立的熱輔助磁頭滑動塊。
[0039]作為一個優(yōu)選實施例，還包括:在所述讀元件的媒介面向表面上形成第二碳層。
[0040]較佳地，所述第一碳層和所述第二碳層通過蝕刻方式形成。
[0041 ] 較佳地，所述蝕刻方式包括干蝕刻和濕蝕刻。
[0042]作為另一優(yōu)選實施例，，還包括:在所述第一碳層和第二碳層的表面上、所述波導路的媒介面向表面上，以及等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上形成低光吸收層。
[0043]與現(xiàn)有技術相比，一方面，由于本發(fā)明的寫元件由碳層保護，該碳層具有良好的阻氧能力，因此寫元件可免于被腐蝕；另一方面，當在寫操作過程中意外接觸媒介表面時，寫元件可被保護而免于磨損，從而保持其穩(wěn)定性并維持其長期使用壽命。再且，由于等離子體激元單元和波導路沒有被碳層覆蓋，因此，在寫操作過程中，由近場光帶來的熱能不會被表層大量吸收并聚集，從而保證等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0044]通過以下的描述并結合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實施例。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1a為傳統(tǒng)的HDD的局部立體圖。
[0046]圖1b為傳統(tǒng)HGA的局部頂視圖。
[0047]圖1c為具有傳統(tǒng)的熱輔助磁頭的熱輔助磁頭滑動塊的立體圖。
[0048]圖1d為傳統(tǒng)的熱輔助磁頭滑動塊的剖視圖。
[0049]圖2為本發(fā)明的HDD的一個實施例的立體圖。
[0050]圖3為圖2所示的HDD的HGA的頂視圖。
[0051]圖4為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的一個實施例的立體圖。
[0052]圖5為圖4所示的熱輔助磁頭滑動塊的剖視圖。
[0053]圖6a為本發(fā)明的寫部件的第一實施例的簡化剖視圖。
[0054]圖6b為本發(fā)明的寫部件的第二實施例的簡化剖視圖。
[0055]圖6c為本發(fā)明的寫部件的第三實施例的簡化剖視圖。
[0056]圖7a為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的第一實施例的簡化剖視圖。
[0057]圖7b為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的第二實施例的簡化剖視圖。
[0058]圖7c為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的第三實施例的簡化剖視圖。
[0059]圖7d為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的第四實施例的簡化剖視圖。
[0060]圖8為本發(fā)明的寫部件的制造方法的一個實施例的簡化流程圖。
[0061]圖9為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的制造方法的一個實施例的簡化流程圖。
【具體實施方式】
[0062]下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個不同的最佳實施例，其中不同圖中相同的標號代表相同的部件。如上所述，本發(fā)明的實質在于一種寫部件、熱輔助磁頭滑動塊、HGA、HDD以及寫部件和熱輔助磁頭滑動塊的制造方法從而防止寫部分中的腐蝕性元件被腐蝕，防止寫元件磨損，并保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0063]圖2為本發(fā)明的HDD的一個實施例的立體圖。該HDD300包括HGA200，與HGA200連接的驅動臂304，一系列旋轉磁盤301，以及用以驅動磁盤301的主軸馬達302，上述元件均安裝于一殼體309中。本發(fā)明HDD300的結構不限于此，例如旋轉磁盤301、HGA200和驅動臂304的數(shù)量也可以是一個。如圖3所示,每一 HGA200包括懸臂件290以及承載于該懸臂件290上的用以在旋轉磁盤301上讀取或寫入數(shù)據(jù)的熱輔助磁頭滑動塊230。該懸臂件290包括裝配在一起的負載桿216、基板218、絞接件217以及撓性件215。具體地，該熱輔助磁頭滑動塊230由撓性件215支撐。
[0064]如圖4-5所示，該熱輔助磁頭滑動塊230包括襯底203、嵌入襯底203中的熱輔助磁頭340，以及安裝在襯底203上為熱輔助磁性記錄而設的光源模塊220。在本實施例中，該光源模塊220為激光二極管，但并不限于此。
[0065]具體地，如圖4所示，該熱輔助磁頭滑塊230包括前邊204、尾邊205、面向磁盤并為提供合適飛行高度而設的ABS241，以及與ABS241相對的相對面242、以及嵌入該尾邊205中的熱輔助磁頭340。讀寫元件則嵌入在尾邊205上。尾邊205上具有多個連接觸點207(如8個)用以與HGA200的懸臂件209連接。特定地，該光源模塊220安裝在相對面242上。
[0066]圖5為熱輔助磁頭滑動塊230的局部剖視圖。具體地，熱輔助磁頭滑動塊230中的熱輔助磁頭340包括形成在襯底203上的磁阻(Magnetoresistive, MR)讀部分341以及形成在MR讀部分341之上的寫部分343。例如，該MR讀部分341可為電流垂直平面型(Current Perpendicular to Plane, CPP)傳感器、電流在平面內型(Current InPlane, CIP)傳感器、隧道結磁阻(tunnel magnetoresistive, TMR)傳感器、巨磁阻(giantmagnetoresistive, GMR)傳感器或各向異性磁阻(anisotropic magnetoresistive, AMR)傳感器等。
[0067]在本實施例中，該MR讀部分341包括形成在襯底203上的第一屏蔽層343、第二屏蔽層345、層壓在該第一屏蔽層343和第二屏蔽層345之間的MR元件347。其中，一對硬磁層(圖未示)同樣層壓于第一、第二屏蔽層343、345之間，其分別放置于MR元件230的兩側。該MR讀部分341還包括形成在MR元件347遠離ABS241的一邊的非磁絕緣層(圖未示)，該非磁絕緣層使得第一屏蔽層343與第二屏蔽層345之間電性絕緣。
[0068]請參考圖5，寫部分342包括寫元件，該寫元件具有第一磁極344、第二磁極346、層壓在該兩磁極344、346之間的線圈348以及第一間隙層352，該寫部分342還包括形成在第一磁極344附近用以引導光源模塊220產(chǎn)生的光的波導路354，以及設置于第一磁極344和波導路345之間用于傳送近場光的等離子體激元單元356。通常，該第一磁極344為主極，第二磁極346為返回極。等離子體激元單元356可以是等離子體激元發(fā)生器或等離子體激元天線。具體地，該等離子體激元單元356具有面向ABS241的近場光產(chǎn)生表面3561。該等離子體激元單元356由非磁性材料如Au, Ag, Cu, Al, Ti, Ta, Ge或其合金制成,其具有高光吸收特性和低光折射率，該等離子體激元單元356的厚度范圍為lOnnTlOOOnm。
[0069]當進行讀寫操作時，熱輔助磁頭340氣動地在旋轉磁盤301上方以預定高度飛行，因此MR讀部分341和寫部分342的端部面向磁盤301的磁記錄層的表面，并相距合適的磁間距。繼而，MR讀部分341通過感應信號磁場而從磁記錄層上讀取數(shù)據(jù)，寫部分342通過施加信號磁場而向磁記錄層寫入數(shù)據(jù)。當進行寫操作時，信號電流通過線圈348傳導，并在第一及第二寫極344、346上產(chǎn)生磁通量，磁通量在ABS241上圍繞著極尖流動。該種磁通量使得在進行寫操作時將旋轉磁盤301的環(huán)形磁軌磁化。同時，由光源模塊220 (如激光二極管)產(chǎn)生的激光由波導路354傳播并由等離子體激元單元356引導，繼而等離子體激元單兀356的近場光產(chǎn)生表面3561產(chǎn)生的近場光即被傳播到ABS241上。該近場光到達磁盤301表面后將對磁盤301的磁記錄層的一部分進行加熱門從而該部分的矯頑力被降低至某一數(shù)值從而便于寫操作。
[0070]如圖6a所示，在本發(fā)明的構思下，在寫部分342中，寫元件由第一碳層361覆蓋。具體地，該具有預定厚度的第一碳層361覆蓋在第一、第二磁極344、346和線圈348的媒介面向表面上。較佳地，該第一碳層361可由碳化物或DLC材料制成。而在寫部分342的其他元件，例如等離子體激元單元356和波導路354的表面上則沒有覆蓋碳層?；趯懖糠?42的此種設置，一方面，第一、第二磁極324、346和線圈348被具有良好阻氧性能的第一碳層361所保護而免于被腐蝕；另一方面，當在寫操作過程中意外接觸媒介表面時，寫元件可被保護而免于磨損，從而保持其穩(wěn)定性并維持其長期使用壽命。再且，由于等離子體激元單元356和波導路354沒有被碳層覆蓋，因此，在寫操作過程中，由近場光帶來的熱能不會被表層大量吸收并聚集，從而保證等離子體激元單元356的熱穩(wěn)定性。
[0071]作為寫部分342的一個改進實施例，如圖6b所示，在等離子體激元單元356的近場光形成表面3561上形成低光吸收層363，從而保護等離子體激元單元356。具體地，該低光吸收層363可有以下一種或多種材料制成:Ta0x，SiOx, AlOx, WOx, BCxNy，AlNx, SiNx,AlOxNy, SiOxNy, TiOx, MgOx, ZrOx, YOx, NbOx和GaNx,上述材料的吸熱能力低，從而防止在熱輔助磁頭進行寫操作時，等離子體激元單元356的近場光產(chǎn)生表面3561因受熱從ABS241凸出從而撞擊磁記錄媒介表面。
[0072]較佳地，如圖6c所示，作為一個較佳實施例，該低光吸收層363’延伸至覆蓋于第一碳層361的表面以及波導路354的媒介面向表面上。
[0073]作為熱輔助磁頭滑動塊230的改進實施例，如圖7a所示，在讀部分341的媒介面向表面上形成具有良好阻氧能力的第二碳層362，從而防止讀元件347被氧氣腐蝕。
[0074]圖7b_7d展示了熱輔助磁頭滑動塊230基于上述實施例的三個可變實施例。與圖7a所示的實施例不同，圖7a展示的實施例中在等離子體激元單元356的近場光產(chǎn)生表面3561上形成低光吸收表面。與圖7b所示的實施例不同，如圖7c所示，低光吸收層363”延伸至覆蓋第一碳層361和讀部分341的表面。在圖7d所示的實施例中，在整個讀部分341的表面上覆蓋第二碳層362’，并僅在寫部分342的表面上覆蓋低光吸收層364。
[0075]圖8展示了一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分的制造方法的一個實施例的簡化流程圖。
[0076]步驟(801)，提供具有寫元件、波導路及等離子體激元單元的寫部分。
[0077]步驟(802)，研磨工序一研磨寫元件和波導路的媒介面向表面以及等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面。
[0078]步驟(803)，層體形成工序一僅在寫元件的媒介面向表面上形成碳層。
[0079]較佳地，該方法還包括在等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上和波導路的媒介面向表面上形成低光吸收層。該低光吸收層可覆蓋在碳層上。優(yōu)選地，該碳層由蝕刻方式形成。[0080]圖9為本發(fā)明的熱輔助磁頭滑動塊的制造方法的一個實施例的簡化流程圖。
[0081]步驟(901)，晶圓工序。具體地，該工序包括提供有多個熱輔助磁頭滑動塊元件的晶圓，每一熱輔助磁頭滑動塊元件包括具有ABS的襯底，讀部分及寫部分，該讀部分包括讀元件，該寫部分包括寫元件、波導路及等離子體激元單元。
[0082]步驟(902)，長形條切割工序。在此工序中，晶圓被切割成多個具有熱輔助磁頭滑動塊元件的長形條。
[0083]步驟(903)，長形條研磨工序。具體地，在此工序中，每一長形條的各個表面被研磨成預定規(guī)格。
[0084]步驟(904), ABS形成工序。具體地,該工序包括在寫元件的媒介面向表面上形成
第一碳層。
[0085]步驟(905)，磁頭滑動塊工序。在此工序，長形條被切割成多個獨立的熱輔助磁頭滑動塊。至此整個制造過程完成。
[0086]作為一個優(yōu)選實施例，該方法還包括在讀元件的媒介面向表面上形成第二碳層，且該第一碳層和第二碳層通過蝕刻方式形成，例如干蝕刻或濕蝕刻。
[0087]例如，在熱輔助磁頭滑動塊的媒介面向表面上放置具有高熱能的一碳層，繼而通過氧等離子體，如活性蝕刻方式移除在波導路和等離子體激元單元的表面上的碳層，進而，在腐蝕性元件(即寫元件和讀元件)表面上則形成第一、第二碳層。作為一個優(yōu)選實施例，在第一、第二碳層的表面和熱輔助磁頭滑動塊的其他元件表面上形成低光吸收層，從而保護等離子體激元單元的近場光形成表面和波導路的媒介面向表面。
[0088]綜上所述，本發(fā)明提供的寫部分和熱輔助磁頭滑動塊的制造方法可防止寫部分中的腐蝕性元件被氧氣腐蝕和因撞擊而磨損，并保持等離子體激元單元的熱穩(wěn)定性。
[0089]以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權利范圍，因此依本發(fā)明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分，包括: 面向磁記錄媒介的空氣承載面； 具有媒介面向表面的寫元件； 波導路，用于引導由安裝于熱輔助磁頭滑動塊的襯底之上的光源模塊產(chǎn)生的光；及 設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面； 其特征在于:僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有碳層。
2.如權利要求1所述的寫部分，其特征在于:所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上覆蓋有低光吸收層。
3.如權利要求2所述的寫部分，其特征在于:所述低光吸收層包括以下一種或多種材 14:TaOx, SiOx, AlOx, WOx, BCxNy, AlNx, SiNx, AlOxNy, SiOxNy, TiOx, MgOx, ZrOx,ZrOxNy, YOx, NbOx,以及 GaNx。
4.如權利要求2所述的寫部分，其特征在于:所述低光吸收層延伸至覆蓋于所述碳層的表面以及波導路的媒介面向表面上。
5.如權利要求1所述的寫部分，其特征在于:所述碳層由碳化物或類金剛碳制成。
6.如權利要求1所述的 寫部分，其特征在于:所述寫元件包括第一磁極、第二磁極以及層夾于所述第一磁極和第二磁極之間的線圈。
7.一種熱輔助磁頭滑動塊，包括: 襯底，所述襯底具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面； 讀部分，所述讀部分具有讀元件； 寫部分，所述寫部分包括具有媒介面向表面的寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面； 其特征在于:在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有第一碳層。
8.如權利要求7所述的熱輔助磁頭滑動塊，其特征在于:在所述讀元件的媒介面向表面上覆蓋有第二碳層。
9.如權利要求7所述的熱輔助磁頭滑動塊，其特征在于:所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上覆蓋有第一低光吸收層。
10.如權利要求9所述的熱輔助磁頭滑動塊，其特征在于:所述第一低光吸收層延伸至覆蓋于所述第一碳層和所述第二碳層的表面以及波導路的媒介面向表面上。
11.如權利要求7所述的熱輔助磁頭滑動塊，其特征在于:所述第一碳層的表面上、所述波導路和所述讀元件的媒介面向表面上覆蓋有第二低光吸收層。
12.一種磁頭折片組合，包括熱輔助磁頭滑動塊及支撐所述熱輔助磁頭滑動塊的懸臂件，所述熱輔助磁頭滑動塊包括具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面的襯底，具有讀元件的讀部分以及寫部分，所述寫部分包括具有媒介面向表面的寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面； 其特征在于:在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有第一碳層。
13.—種硬盤驅動器，包括具有熱輔助磁頭滑動塊的磁頭折片組合，與所述磁頭折片組合連接的驅動臂，旋轉硬盤以及用于旋轉所述硬盤的主軸馬達，所述熱輔助磁頭滑動塊包括具有光源模塊以及面向磁記錄媒介表面的空氣承載面的襯底，具有讀元件的讀部分以及寫部分，所述寫部分包括具有媒介面向表面的寫元件、用于引導由所述光源模塊產(chǎn)生的光的波導路，以及設置于所述寫元件附近的等離子體激元單元，所述等離子體激元單元具有一近場光產(chǎn)生表面以傳播近場光至所述空氣承載面； 其特征在于:在所述寫部分中，僅有所述寫元件的媒介面向表面上覆蓋有第一碳層。
14.一種用于熱輔助磁頭滑動塊的寫部分的制造方法，包括以下步驟: 提供具有寫元件、波導路及等離子體激元單元的寫部分； 研磨所述寫元件和所述波導路的媒介面向表面以及所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面； 僅在所述寫元件的媒介面向表面上形成碳層。
15.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于，還包括:在所述等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上和所述波導路的媒介面向表面上形成低光吸收層。
16.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于，還包括:在所述碳層上形成低光吸收層。
17.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于:所述碳層通過蝕刻方式形成。
18.一種熱輔助磁頭滑動塊的制造方法，包括以下步驟: 提供具有多個熱輔助磁頭滑動塊元件的晶圓，每一所述熱輔助磁頭滑動塊元件包括具有空氣承載面的襯底、具有寫元件的讀部分及寫部分，所述寫部分包括寫元件、波導路及等離子體激元單元； 切割所述晶圓成多個長形條； 研磨所述長形條的表面至預定規(guī)格； 在所述寫部分中，僅在所述寫元件的媒介面向表面上形成第一碳層；以及 切割所述長形條成多個獨立的熱輔助磁頭滑動塊。
19.如權利要求18所述的制造方法，其特征在于，還包括:在所述讀元件的媒介面向表面上形成第二碳層。
20.如權利要求19所述的制造方法，其特征在于:所述第一碳層和所述第二碳層通過蝕刻方式形成。
21.如權利要求20所述的制造方法，其特征在于:所述蝕刻方式包括干蝕刻和濕蝕刻。
22.如權利要求19所述的制造方法，其特征在于，還包括:在所述第一碳層和第二碳層的表面上、所述波導路的媒介面向表面上，以及等離子體激元單元的近場光產(chǎn)生表面上形成低光吸收層。
【文檔編號】G11B5/84GK104008756SQ201310057506
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月22日 優(yōu)先權日:2013年2月22日
【發(fā)明者】西島夏夫, 李東升 申請人:新科實業(yè)有限公司