磁頭及讀卡器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁頭及包含該磁頭的讀卡器。
【背景技術】
[0002]磁卡通過設于其內的磁條可用于記錄客戶信息、個人認證等，極大地方便了人們的日常生活。與此同時，用于重現記錄于磁卡內的磁信息的讀卡器也被廣泛地使用。磁頭為讀卡器的關鍵部件，即讀卡器是借助磁頭來讀取磁卡內的磁信息，磁頭的靈敏度決定了讀卡器的靈敏度。在實際使用時，磁頭的檢測面與磁卡之間的距離越小，讀卡器的靈敏度越聞。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題就是針對讀卡器中存在的上述缺陷，提供一種磁頭及讀卡器，其靈敏度高，而且制作方便、成本低。
[0004]為此，本發(fā)明提供一種磁頭，包括:
[0005]芯片，所述芯片包括襯底、磁感應膜和芯片焊盤，所述磁感應膜和所述芯片焊盤設于所述襯底的表面，所述芯片焊盤作為所述芯片的輸入輸出端與所述磁感應膜對應電連接；
[0006]線路板，在所述線路板上設有布線和線路板焊盤，所述線路板焊盤與所述布線對應電連接；
[0007]還包括附件，所述附件固定于所述線路板，所述芯片固定于所述附件的側面，而且，所述芯片的頂面與所述附件的頂面的朝向一致，所述磁感應膜設于所述芯片的側面；所述芯片的輸入輸出端與設于所述附件的附件焊盤對應電連接，所述線路板焊盤與所述附件焊盤對應電連接。
[0008]其中，所述磁感應膜緊靠所述芯片的頂面設置。
[0009]其中，所述芯片的頂面不低于所述附件的頂面。
[0010]其中，所述芯片焊盤與所述磁感應膜設于所述芯片的同一面，所述芯片焊盤與所述附件焊盤通過導電金屬線電連接。
[0011]其中，所述磁感應膜與所述芯片的頂面之間的最短距離小于50微米。
[0012]其中，所述芯片包括2η條磁感應膜，每兩條所述磁感應膜形成一惠斯通半橋，共形成η個惠斯通半橋；或者，所述芯片包括4m條所述磁感應膜，每四條所述磁感應膜形成一惠斯通全橋，共形成m個惠斯通全橋；或者，所述芯片包括L條磁感應膜，每條所述磁感應膜形成一單臂電阻或阻抗元件，共形成L個單臂電阻或阻抗元件；其中，n、m、L為彡I的整數。
[0013]其中，所述磁感應膜包括GMR膜、巨磁阻抗膜、霍爾效應膜、各向異性磁阻膜、隧道效應磁阻膜或巨霍爾效應膜。
[0014]其中，還包括外殼，所述芯片、所述線路板和所述附件設于所述外殼內。
[0015]其中，在所述外殼的檢測面還設有窗口，設于所述外殼內的所述芯片與所述窗口的位置相對。
[0016]其中，還包括封裝層，用于封裝所述芯片、所述附件和所述支撐體。
[0017]其中，所述附件采用陶瓷材料制作。
[0018]本發(fā)明還提供一種讀卡器，包括磁頭，所述磁頭采用本發(fā)明提供的磁頭。
[0019]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0020]本發(fā)明提供的磁頭，包括附件，芯片設于附件的側面，而且磁感應膜設于所述芯片的側面，這樣可以使磁感應膜靠近磁頭的檢測面，縮小磁感應膜與被測介質之間的距離，從而提高磁頭的靈敏度；而且，使芯片焊盤與導電金屬線的焊接不影響磁感應膜與被測介質之間的距離，以及可避免芯片焊盤與導電金屬線的焊接點的脫落，提高磁頭的使用壽命。
[0021]本發(fā)明提供的讀卡器靈敏度高，而且使用壽命長。
【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實施例磁頭的結構示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例芯片的結構示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例另一種附件的結構示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明另一實施例磁頭的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的磁頭及讀卡器進行詳細描述。
[0027]如圖1所示，磁頭包括芯片1、線路板2和附件3，芯片I固定于附件3的側面，附件3固定于線路板2的頂面。需要說明的是，在本實施例所提及的頂面是圖1中所示的上表面，如附件3的頂面就是指圖1所示的附件3的上表面；底面是與頂面相對的面，即圖1中所示的下表面，如附件3的底面就是指圖1所示的附件3的下表面；側面是夾在頂面和底面之間的面。芯片I的頂面和附件3的頂面與被測介質之間的距離最小。
[0028]芯片I包括襯底11、磁感應膜12和芯片焊盤13，磁感應膜12和芯片焊盤13設于襯底11的同一面，并且芯片焊盤13作為芯片的輸入輸出端與磁感應膜12對應電連接。襯底11采用硅襯底或藍寶石襯底或其它合適的襯底。
[0029]在本實施例中，如圖2所示，芯片I包括兩條磁感應膜12和三個芯片焊盤13，三個芯片焊盤13與兩條磁感應膜12對應電連接，以形成惠斯通半橋電路。當芯片I感應磁場時，惠斯通半橋電路會輸出差分電壓信號。實際上，芯片I可以包括2η條磁感應膜12，每兩條磁感應膜12形成一惠斯通半橋，共形成η個惠斯通半橋；或者，每個芯片包括4m條磁感應膜12，每四條磁感應膜12形成一惠斯通全橋，共形成m個惠斯通全橋；或者，芯片包括L條磁感應膜12，每條磁感應膜12形成一單臂電阻或阻抗元件，共形成L個單臂電阻或阻抗元件；其中，n、m、L為彡I的整數。換言之，芯片I可以包括多個輸出通道。磁感應膜可以為GMR膜、巨磁阻抗膜、霍爾效應膜、各向異性磁阻膜、隧道效應磁阻膜或巨霍爾效應膜。另夕卜，每個磁頭可以包括一個或多個芯片I，每個芯片I可以包括一個或多個輸出通道。
[0030]附件3采用陶瓷材料制作。在附件3的側面設有附件焊盤31。如圖1所示，芯片I固定于附件3的側面，并使芯片I設置磁感應膜12的面位于芯片I的側面。而且，芯片焊盤13和磁感應膜12設于襯底11的同一面，即芯片焊盤13位于芯片I的側面，以降低芯片I的制作成本。在此還需說明的是，芯片I的側面是相對于芯片I的頂面而言的，芯片I的頂面是指芯片I中距離被測介質最近的面。芯片I的頂面和附件3的頂面也可被認為是磁頭的檢測面。在附件3上也可以成對地設置附件焊盤31，每對附件焊盤31電連接，每對附件焊盤31中一個與芯片焊盤13電連接，另一個與線路板焊盤電連接。
[0031]附件焊盤31和芯片焊盤13通過導電金屬線(如金線)6電連接。在焊接導電金屬線6和芯片焊盤13時，導電金屬線6的頂端要比芯片焊盤13高出幾十甚至上百微米。如果將芯片I設置磁感應膜12的面設置為距離被測介質最近的面，那么導電金屬線6與芯片焊盤13的焊接不僅會增加磁感應膜12與被測介質之間的距離，而且導電金屬線6與芯片焊盤13的焊接點容易在使用過程中脫落。本實施例芯片焊盤13未設置于距離被測介質最近的面，因此，芯片焊盤13與導電金屬線6的電連接不影響磁感應膜12與被測介質的距離；而且，由于導電金屬線6與芯片焊盤13的焊接點不在磁頭的檢測面，在使用過程中導電金屬線6與芯片焊盤13的焊接點不容易脫落。
[0032]優(yōu)選地，磁感應膜12緊靠芯片I的頂面設置，即磁感應膜12設于芯片I的側面并靠近其頂面一側，而且是盡量靠近芯片I的頂面，以縮小磁感應膜12與被測介質之間的距離，從而提高磁頭的靈敏度。更優(yōu)選地，磁感應膜12與芯片I的頂面之間的最短距離小于50微米，這樣既可提高磁頭的靈敏度，又可在加工磁頭過程中，避免磁感應膜12