專利名稱：磁頭滑塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁頭滑塊的制造方法，尤其是涉及具備形成有薄膜磁頭的磁頭滑 塊的制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年，磁盤裝置的記錄密度方面有著顯著的進(jìn)步，并仍在持續(xù)提升。而且， 到目前為止主要采用 一種稱為面內(nèi)記錄的方式，即相對(duì)于》茲盤水平配置》茲性數(shù)據(jù)。 但是，這種面內(nèi)記錄方式存在著磁極相斥，甚至很難實(shí)現(xiàn)高密度化等問(wèn)題。如果 使記錄介質(zhì)的壓膜達(dá)到很薄則可以抑制磁極相斥現(xiàn)象從而能實(shí)現(xiàn)高密度化，但仍 然無(wú)法避免由室溫的熱能所引起的記錄磁化不穩(wěn)定的熱擾動(dòng)問(wèn)題。因此，近年來(lái) 又研究出了 一種采用進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度的垂直記錄方式的磁盤裝置。
這種垂直記錄方式，隨著線記錄密度的提高作用于鄰接位之間的反磁場(chǎng)減少， 具有維持記錄磁化穩(wěn)定的特性。因此，密度化越高則記錄磁化越穩(wěn)定，從而可以 有效利用為了實(shí)現(xiàn)超高密度的記錄技術(shù)。具體地說(shuō)，所謂垂直記錄方式是，對(duì)挾 設(shè)在二層記錄媒體之間的軟磁性襯里層與單極磁頭之間的記錄層施加磁場(chǎng)，使得 記錄層的磁體向著垂直于磁盤面的方向磁化，從而進(jìn)行信息記錄的一種磁記錄方 式。在這種垂直記錄方式中，為了獲得較大的記錄磁場(chǎng)需要盡可能地縮短垂直磁 記錄用磁頭的主磁極高度(頸高)，然而，如果該高度過(guò)短就會(huì)產(chǎn)生記錄時(shí)的寫入 污點(diǎn)，而過(guò)長(zhǎng)就會(huì)發(fā)生殘留磁化引起的記錄消跡現(xiàn)象。總之，寫入元件的高度對(duì) 記錄特性產(chǎn)生較大的影響，因而需要進(jìn)行高精度的制造。但是，目前為止主要被 采用的所述面內(nèi)記錄方式對(duì)寫入元件磁極高度的精度要求并不嚴(yán)格。而讀取元件 的高度即使在面內(nèi)記錄方式也被要求具有較高的精度，這與垂直記錄方式相同。 即在垂直記錄方式中，對(duì)讀取元件及寫入元件雙方都要求實(shí)現(xiàn)高精度的制造。
在此，在專利文獻(xiàn)l中揭示了一種使用激光自動(dòng)照準(zhǔn)儀等設(shè)備調(diào)整夾具的角度后再對(duì)讀取元件及寫入元件雙方進(jìn)行研磨的方法。然而在此方法中，如果已層 積在薄片上的讀取元件與寫入元件的位置發(fā)生了偏離，即使調(diào)整了磁頭的元件形 成面與飛行面的角度也不能控制寫入元件的偏差，因而存在無(wú)法高精度地調(diào)整雙 方元件的問(wèn)題。
還有，在專利文獻(xiàn)2中揭示了研磨后測(cè)量讀取元件與寫入元件的高度并調(diào)整 下一個(gè)長(zhǎng)形條研磨面角度的方法。而在此方法中，不能調(diào)整實(shí)際研磨中的角度， 不能精確地設(shè)定磁頭中的所有元件。
并且，在專利文獻(xiàn)2中，當(dāng)研磨讀取元件或?qū)懭朐r(shí)，還使用一種用于檢 測(cè)這些元件高'度的研磨量檢測(cè)傳感器。但是，由于各元件的高度與研磨量檢測(cè)傳 感器阻抗的倒數(shù)成比例，因而存在長(zhǎng)高度范圍內(nèi)的傳感器的阻抗變化率小，很難 弄清寫入元件與讀取元件的偏離狀況等問(wèn)題。而且，實(shí)際上當(dāng)阻抗變化率變大時(shí) 高度已經(jīng)變得很短，所以此時(shí)即使對(duì)角度進(jìn)行調(diào)整也不能充分進(jìn)行調(diào)整，從而發(fā) 生研磨面變成2面的問(wèn)題。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種能改善上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，尤其是可以對(duì)寫 入元件與讀取元件的長(zhǎng)度進(jìn)行高精度的調(diào)整，從而能制造出高品質(zhì)的磁頭滑塊的 方法。
專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2006-172691號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2006-331562號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
下面將以具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明。首先，提供一種磁頭滑塊的制造方法，包 括有在基體上層疊形成具有讀取元件及寫入元件之磁頭的積層形成工序、切出 由多個(gè)具有所述磁頭的磁頭滑塊相連接而成的長(zhǎng)形條塊并對(duì)飛行面進(jìn)行研磨從而 露出所述讀取元件及寫入元件的研磨工序、以及，從所述長(zhǎng)形條塊中切割出一個(gè) 個(gè)磁頭滑塊的滑塊切割工序；其中，所述積層形成工序包括在設(shè)有所述讀取元件 的相同層上形成根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的讀取元件用研磨量^r測(cè)傳感 器的環(huán)節(jié)，并同時(shí)在設(shè)有所述寫入元件的相同層上形成根據(jù)研磨而改變其輸出值 的寫入元件用研磨量才企測(cè)傳感器的環(huán)節(jié)；而所述研磨工序則根據(jù)所述讀取元件用
8研磨量檢測(cè)傳感器及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各個(gè)輸出值進(jìn)行研磨。
而且，尤其在所述積層形成工序中，把所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器成 形為與所述寫入元件長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的形狀。
根據(jù)上述技術(shù)特征，首先在基體上層積形成對(duì)磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的所謂 讀取元件或?qū)懭朐拇蓬^。此時(shí)，在讀取元件及寫入元件的同一層上，分別形 成可檢測(cè)研磨工序中涉及的研磨量的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與寫入元件用 研磨量檢測(cè)傳感器。其次，切出含有多個(gè)在其基體上層積形成有磁頭的磁頭滑塊 的長(zhǎng)形條塊，并對(duì)飛行面進(jìn)行研磨。此時(shí)，檢測(cè)所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感 器及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各輸出值，并基于這些輸出值對(duì)長(zhǎng)形條塊進(jìn) 行研磨，通過(guò)這種研磨，當(dāng)所述讀取元件與寫入元件之間發(fā)生位置偏離時(shí)，可以 根據(jù)偏離的程度對(duì)讀取元件與寫入元件的長(zhǎng)度進(jìn)行調(diào)整。即，由于各研磨量檢測(cè) 傳感器是在與讀取元件或?qū)懭朐嗤臈l件下分別形成的，因此通過(guò)參照各研 磨量檢測(cè)傳感器的輸出值，可以檢測(cè)出隨著各元件的形成條件而變化的讀取元件 及寫入元件的位置偏離情況。特別是，由于把寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器形成 為與寫入元件的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的形狀，因此，該寫入元件在成形時(shí)對(duì)應(yīng)其長(zhǎng)度而發(fā) 生的與讀取元件之間的位置偏差可以反映到寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的形狀
上，故可以更高精度地檢測(cè)出位置偏差。并且，通過(guò)基于該偏差對(duì)飛行面所進(jìn)行 的研磨，可以調(diào)整出寫入元件及讀取元件的合理長(zhǎng)度。之后，分別切割出一個(gè)個(gè)
磁頭滑塊，通過(guò)蝕刻等方式形成ABS面，這樣就可以制造出磁頭滑塊。
而且，在上述積層形成工序中，同時(shí)成形寫入元件及寫入元件用研磨量^r測(cè) 傳感器的形狀。并在該積層形成工序中，通過(guò)蝕刻或離子銑削(lonmilling)成形 方式形成所述寫入元件及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的形狀。
由此，通過(guò)同時(shí)成形寫入元件及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器，可以在大致 相同的條件下成形。因此，當(dāng)所述寫入元件的成形采用蝕刻方式的情況下，與此 對(duì)應(yīng)，所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器也通過(guò)蝕刻方式成形。結(jié)果，對(duì)應(yīng)寫入 元件的成形狀態(tài)而產(chǎn)生的讀取元件的位置偏差反映到寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感 器中，從而可以更高精度地檢測(cè)該位置偏差。此外，根據(jù)檢測(cè)出的位置偏差再進(jìn)行研磨，可以精確地調(diào)整出寫入元件與讀取元件的合理長(zhǎng)度。
還有，在上述積層形成工序中，形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所 述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器時(shí)，對(duì)齊所述位于磁頭滑塊飛行面?zhèn)鹊膶懭朐?用研磨量檢測(cè)傳感器端部與所述讀取元件用研磨量4企測(cè)傳感器端部在研磨方向上 的相對(duì)位置。還有，在積層形成工序中，形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器 時(shí)，將所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器端部的成形目標(biāo)位置對(duì)準(zhǔn)到所述讀取元 件用研磨量檢測(cè)傳感器端部在研磨方向上的位置上。還有，在積層形成工序中， 形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器時(shí)，將所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器 端部的成形目標(biāo)位置對(duì)齊至所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器端部在研磨方向上 的位置上。
據(jù)此，通過(guò)各傳感器的形成可以事先對(duì)準(zhǔn)寫入元件用研磨量^f企測(cè)傳感器與讀 取元件用研磨量檢測(cè)傳感器的相對(duì)位置，并使用這些傳感器可以更精確地檢測(cè)出 分別形成在同 一層上的各元件的位置偏差。從而可以精確地檢測(cè)出寫入元件成形 時(shí)所發(fā)生的與讀取元件之間的錯(cuò)位，并根據(jù)于此對(duì)飛行面進(jìn)行研磨，從而可以更 精確地調(diào)整寫入元件與讀取元件的合理長(zhǎng)度。
還有，在積層形成工序中，將所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器;^/或所述寫
入元件用研磨量檢測(cè)傳感器形成為具有以規(guī)定間隔隔開的相對(duì)研磨方向垂直延
伸的多個(gè)帶狀部的同時(shí)還具有分別連接該多個(gè)帶狀部之各端部的一對(duì)連接部的大 致呈梯形的形狀。而且，在所述積層形成工序中，將所述寫入元件用研磨量檢測(cè) 傳感器形成為具有所述多個(gè)帶狀部的形狀，同時(shí)將該多個(gè)帶狀部形成在飛行面?zhèn)取?br> 由于至少有一個(gè)研磨量^r測(cè)傳感器相對(duì)研磨方向具有垂直的帶狀部，因此當(dāng) 研磨該帶狀部時(shí)，輸出值按規(guī)定比例變化，而當(dāng)研磨帶狀部之間部位時(shí)輸出值則 不發(fā)生變化。而且，從輸出值的變化可以精確地檢測(cè)出各元件的位置偏差，并根 據(jù)檢測(cè)結(jié)果再對(duì)飛行面進(jìn)行研磨，則可以更精確地調(diào)整出寫入元件及讀取元件的 合理長(zhǎng)度。
還有，通過(guò)所述積層形成工序，使得所述讀取元件用研磨量4全測(cè)傳感器與所 述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各自 一側(cè)的輸出端電連接到所述基體側(cè)上，且使得所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入元件用研磨量才企測(cè)傳感器的各 自另一側(cè)的輸出端電連接到層積形成時(shí)被設(shè)在最上層的規(guī)定端子部上。而且，通 過(guò)該積層形成工序，使得所述讀取元件用研磨量4企測(cè)傳感器與所述寫入用研磨量 檢測(cè)傳感器的所述另一側(cè)的輸出端分別電連接到為了輸入相對(duì)于所述磁頭的規(guī)定 信號(hào)而設(shè)置的端子部及未連接在所述磁頭上的端子部上。
由此，各研磨量檢測(cè)傳感器的輸出端其一端連接到基體上并接公共端，另一 端連接到形成在最上層的端子部上，由于輸出端的半部經(jīng)由基體接公共端，因此 可以削減形成在長(zhǎng)形條塊上的不需要的端子部。進(jìn)而可以降低制造成本。尤其是, 可以把磁頭滑塊已具有的端子部作為連接研磨量檢測(cè)傳感器之輸出端的端子部使 用，從而能進(jìn)一步削減用于傳感器檢測(cè)而新形成的端子部，并降低制造成本。
接著，在上述滑塊切割工序中，把未被連接在所述磁頭上的端子部切除使得 磁頭滑塊不包含該端子部，其中所述磁頭上可連接所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳 感器或?qū)懭朐醚心チ繖z測(cè)傳感器的另一側(cè)輸出端。還有，在所述滑塊切割工 序中，切除所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感 器使得這些元件不包含在磁頭滑塊上。
據(jù)此，由于在磁頭滑塊上切除了不需要的各研磨量檢測(cè)傳感器及這些傳感器 進(jìn)行檢測(cè)時(shí)所使用的端子部，因而可以減輕磁頭滑塊的重量。
接著，在所述研磨工序中，根據(jù)讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及寫入元件用 研磨量檢測(cè)傳感器的輸出值來(lái)調(diào)整長(zhǎng)形條塊的研磨角度并進(jìn)行研磨。尤其是，所
述研磨工序包括研磨所述長(zhǎng)形條塊的同時(shí)檢測(cè)所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感
器及所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器之輸出值的傳感器輸出值檢測(cè)環(huán)節(jié)、根據(jù) 已檢測(cè)的輸出值設(shè)定所述長(zhǎng)形條塊之研磨角度的研磨角度設(shè)定環(huán)節(jié)、以及，研磨 所述長(zhǎng)形條塊使得所述讀取元件及所述寫入元件達(dá)到規(guī)定長(zhǎng)度的長(zhǎng)度調(diào)整研磨環(huán)節(jié)。
而且，在所述積層形成工序中，形成一對(duì)隨著所述寫入元件被研磨的程度而 分別改變其輸出值的停止研磨檢測(cè)傳感器，并使各停止研磨檢測(cè)傳感器的各個(gè)輸
出值與所述研磨量一致；在所述研磨工序中，當(dāng)所述各停止研磨^r測(cè)傳感器的各輸出值與預(yù)定的基準(zhǔn)一致時(shí)停止研磨。還有，在積層形成工序中，把所述讀取元 件用研磨量檢測(cè)傳感器及/或所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器形成為大致呈梯 形的形狀，該大致呈梯形的結(jié)構(gòu)包括相對(duì)于研磨方向垂直延伸并以規(guī)定間隔隔開 的多個(gè)帶狀部以及分別連接該多個(gè)帶狀部之各端部的一對(duì)連接部。并且，在所述 積層形成工序中，分別把所述一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器形成為大致呈梯形的形狀， 同時(shí)使得所述帶狀部在各停止研磨檢測(cè)傳感器的研磨方向上的位置互相不同。還 有，在所述積層形成工序中，將所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器形成為所述一 對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器中的任意一個(gè)。
由此，在研磨工序中監(jiān)視著通過(guò)積層形成工序而成的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感 器在研磨時(shí)的輸出值，而當(dāng)各傳感器的輸出值一致時(shí)則停止對(duì)長(zhǎng)形條塊的研磨， 以此能更準(zhǔn)確地確定應(yīng)停止研磨的位置。進(jìn)而可以更高精度地調(diào)整寫入元件的長(zhǎng) 度。
再者，提供一種長(zhǎng)形條塊，該長(zhǎng)形條塊是對(duì)包含磁頭的多個(gè)^茲頭滑塊相連接 的塊體進(jìn)行切割而成的，且所述磁頭具有層積在基體上的讀取元件及寫入元件，
其特征在于在該長(zhǎng)形條塊中，所述讀取元件所在的相同層上形成有根據(jù)被研磨 的程度而改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器，同時(shí)，所述寫入元件所 在的相同層上形成有根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的寫入元件用研磨量傳感 器。而且，在該長(zhǎng)形條塊中，所迷寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的形狀是配合所 述讀取元件的長(zhǎng)度而形成的。
而且，在所述長(zhǎng)形條塊中，位于磁頭滑塊飛行面上的寫入元件用研磨量^r測(cè) 傳感器的端部與讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器的端部在研磨方向上的相對(duì)位置一 致。還有，在積層形成工序中，將所述讀取元件用研磨量;^測(cè)傳感器A/或所述寫 入元件用研磨量檢測(cè)傳感器形成為具有以規(guī)定間隔隔開的相對(duì)研磨方向垂直延 伸的多個(gè)帶狀部的同時(shí)還具有分別連接該多個(gè)帶狀部之各端部的 一對(duì)連接部的大 致呈梯形的形狀。
而且，所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感 器的各自一側(cè)的輸出端與所述基體側(cè)電連接，所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器
12與所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各自另一側(cè)的輸出端與設(shè)于磁頭之最高位 層上的規(guī)定端子部電連接。并且，所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入 元件用研磨量檢測(cè)傳感器的所述另 一側(cè)的輸出端分別與為了輸入對(duì)磁頭的規(guī)定信 號(hào)而設(shè)置的所述端子部及未與^f茲頭連接的端子部電連接。還有，在所述長(zhǎng)形條塊
中，根據(jù)所述寫入元件被研磨的程度而分別改變其輸出值的一對(duì)停止研磨^r測(cè)傳 感器，各自在規(guī)定研磨量范圍內(nèi)的輸出值一致。
再者，提供一種磁頭滑塊的制造裝置，包括在基體上層疊形成含有讀取元件 及寫入元件的磁頭的積層形成單元、用于切割由多個(gè)具備所述磁頭的磁頭滑塊連 接而成的長(zhǎng)形條塊的長(zhǎng)形條塊切割單元、對(duì)磁頭滑塊的飛行面進(jìn)行研磨從而露出 該長(zhǎng)形條塊中的讀取元件及寫入元件的研磨單元、從所述長(zhǎng)形條塊中切出單個(gè)的 磁頭滑塊的滑塊切割單元，其特征在于通過(guò)所述積層形成單元在讀取元件所在 的同一層上形成根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感 器，同時(shí)在寫入元件所在的同一層上形成根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的寫 入元件用研磨量傳感器；當(dāng)使用所述研磨單元對(duì)所述長(zhǎng)形條塊進(jìn)行研磨時(shí)，還具 備用于檢測(cè)所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感 器之輸出值的傳感器輸出值檢測(cè)單元，所研磨單元?jiǎng)t根據(jù)該傳感器輸出值檢測(cè)單 元所檢測(cè)出的輸出值對(duì)所述長(zhǎng)形條塊進(jìn)行研磨。
在所述積層形成單元中，^!巴所述寫入元件用研磨量^r測(cè)傳感器形成為對(duì)應(yīng)于 所述寫入元件長(zhǎng)度的形狀。
而且，所述/f茲頭滑塊的制造裝置還具備才艮據(jù)由所述傳感器輸出值;險(xiǎn)測(cè)單元所 檢測(cè)出的輸出值來(lái)設(shè)定所述長(zhǎng)形條塊的研磨角度的研磨角度設(shè)定單元，并按照該 研磨角度設(shè)定單元所設(shè)定的角度對(duì)所述長(zhǎng)形條塊進(jìn)行研磨
具有上述結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)形條塊或石茲頭滑塊的制造裝置與所述磁頭滑塊的制造方法 一樣，可以精確地調(diào)整寫入元件與讀取元件，可以制造出高品質(zhì)的》茲頭滑塊。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)及功能的本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容，在與讀取元件及寫入元件的相 同層上形成讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器并檢測(cè) 各個(gè)輸出值，從而可以才全測(cè)出對(duì)應(yīng)各元件的形成條件而改變的讀取元件與寫入元件之間的位置偏差，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)以這種位置偏差來(lái)調(diào)整研磨狀 況的方式研磨飛行面，可以精確地調(diào)整寫入元件與讀取元件的長(zhǎng)度，并能制造出 高品質(zhì)的磁頭滑塊。


圖1 (a)是磁頭層積形成在基體上的狀態(tài)示圖；圖1 (b)是切出磁頭滑塊時(shí) 的狀態(tài)示圖。
圖2是磁頭積層結(jié)構(gòu)的表示圖。 圖3是磁頭積層結(jié)構(gòu)的表示圖。
圖4是讀取元件之形成層結(jié)構(gòu)與寫入元件之形成層結(jié)構(gòu)的表示圖。 圖5是表示讀取元件之形成層結(jié)構(gòu)與寫入元件之形成層結(jié)構(gòu)的示圖。 圖6是表示寫入元件之形成層及研磨時(shí)形態(tài)的示圖。 圖7是表示寫入元件之形成層及研磨時(shí)形態(tài)的示圖。 圖8是表示寫入元件之形成層及研磨時(shí)形態(tài)的示圖。
圖9是表示讀取元件之形成層與寫入元件之形成層的結(jié)構(gòu)及研磨時(shí)形態(tài)的示
圖。 示圖。
圖11是表示讀取元件之形成層與寫入元件之形成層的結(jié)構(gòu)及研磨時(shí)形態(tài)的示圖。
圖12是表示讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器 的輸出情況的示圖。
圖13是對(duì)長(zhǎng)形條塊進(jìn)行研磨時(shí)表示各傳感器的計(jì)測(cè)形態(tài)的示圖。 圖14是表示調(diào)整長(zhǎng)形條塊之研磨角度時(shí)的狀態(tài)示圖。 圖15是表示從長(zhǎng)形條塊中切出磁頭滑塊時(shí)的狀態(tài)示圖。 圖16是說(shuō)明傳感器的厚度與阻抗之間關(guān)系的示圖。
圖17是表示讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器 的變形例的示圖。圖18是表示讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器 的變形例的示圖。
圖19是表示磁頭滑塊的制造工序的流程圖。
圖20是表示磁頭滑塊的制造過(guò)程及制造裝置的概略圖。
圖21是表示磁頭滑塊的制造過(guò)程及制造裝置的概略圖。
圖22是表示磁頭滑塊的制造過(guò)程及制造裝置的概略圖。
圖23是本發(fā)明第2實(shí)施例所涉及的停止研磨檢測(cè)傳感器的形狀表示圖。
圖24是表示圖23中所示的各停止研磨檢測(cè)傳感器的阻抗值變化示圖。
圖25 (a)是表示本發(fā)明第2實(shí)施例中的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器的一個(gè)示
例圖；圖25 (b)是表示其阻抗值變化的示圖。
圖26 (a)是表示本發(fā)明第2實(shí)施例中的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器的一個(gè)示
例圖；圖26 (b)是表示其阻抗值變化的示圖。
圖27是圖26中示出的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器的結(jié)構(gòu)放大圖及其阻抗值變
化的放大圖。
圖28是圖26中示出的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器的結(jié)構(gòu)放大圖及其阻抗值變 化的放大圖。
圖29是圖26中示出的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器的結(jié)構(gòu)放大圖及其阻抗值變 化的放大圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供的一種磁頭滑塊的制造方法，尤其是在垂直記錄方式的磁頭滑塊 中可以同時(shí)精確地調(diào)整寫入元件與讀取元件的制造方法。以下將結(jié)合附圖進(jìn)一步 說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。當(dāng)然，本發(fā)明提供的制造方法適用于制造垂直記錄方式的 磁頭滑塊，但并不局限于此，此方法也可以適用于制造其他形式的磁頭滑塊。
第1實(shí)施例
下面參照?qǐng)D1至圖22詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施例。圖1是^F茲頭層積形成在 基體上的表示圖。圖2至圖3是磁頭部位的積層結(jié)構(gòu)的表示圖。圖4至圖5是讀 取元件之形成層結(jié)構(gòu)與寫入元件之形成層的結(jié)構(gòu)示圖。圖6至圖12是表示讀取元件之形成層與寫入元件之形成層的結(jié)構(gòu)及研磨時(shí)形態(tài)的示圖。圖13是研磨磁頭滑
塊時(shí)的計(jì)測(cè)狀態(tài)的表示圖。圖14是表示調(diào)整磁頭滑塊研磨角度時(shí)的狀態(tài)圖。圖 15是表示切出磁頭滑塊時(shí)的狀態(tài)圖。圖16是說(shuō)明傳感器的厚度與阻抗之間關(guān)系 的示圖。圖17至圖18是本發(fā)明變形例的示圖。圖19是表示磁頭滑塊的制造工序 的流程圖。圖20至22是表示磁頭滑塊的制造過(guò)程及制造裝置的概略圖。 [制造方法的概括說(shuō)明]
以下，說(shuō)明一下磁頭滑塊的制造方法的及制造裝置。首先，如圖1 (a)所示， 通過(guò)采用照相平版方法的薄膜形成工序(如圖19所示的薄膜加工步驟S1),在陶 瓷材料等的薄片(基體)IOO上形成多個(gè)由薄膜層層積而成的磁頭101。例如，如 圖20 (a)所示，在置于薄板T上的薄片100上通過(guò)濺射裝置201 (積層形成單 元)對(duì)積層材料進(jìn)行成膜加工。而且，根據(jù)需要，可以在已成膜的薄膜上進(jìn)行抗 蝕、曝光、顯影等操作，并如圖20 (b)所示通過(guò)蝕刻裝置202 (積層形成單元) 等設(shè)施將薄膜層成形為所希望的形狀。從而，如圖l所示，在薄片IOO的幾乎整 個(gè)面上形成i茲頭101。即，如圖2或圖3所示，在薄片IOO上形成由讀取元件21 及寫入元件11等部件層積而成的磁頭101。另外，在本發(fā)明中，就通過(guò)積層形成 工序(如圖19所示的步驟Sl )、在可形成讀取元件21的層20上形成讀取元件用 研磨量檢測(cè)傳感器22 (如圖19所示的讀取元件層加工步驟S2 )、并在可形成寫 入元件11的層IO上形成寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12 (如圖19所示的寫入 元件層加工步驟S3)等環(huán)節(jié)將在后面詳細(xì)說(shuō)明。
接著，如圖1 (a)所示，把形成有磁頭101的薄片IOO切成由多個(gè)磁頭滑塊 連4^而成的細(xì)長(zhǎng)的長(zhǎng)形條塊110 (如圖19所示的步驟S4)。例如如圖21 (a)所 示，先用夾具203從上下方夾住多個(gè)長(zhǎng)形條塊110處于連接狀態(tài)而形成的塊體111, 再向上下方向拉伸的同時(shí)用切割工具204 (長(zhǎng)形條塊切割單元)切割出一個(gè)個(gè)長(zhǎng) 形條塊IIO。這樣，如圖1 (b)及圖21 (b)所示，即可切割出各個(gè)長(zhǎng)形條塊110。 另外，如圖21 (b)中的虛線所表示，之后再將長(zhǎng)形條塊110切割成一個(gè)個(gè)^f茲頭 滑塊120。此時(shí)，如上所述，經(jīng)積層形成工序?qū)臃e的部位即成了^f茲頭101,薄片 IOO部分則成了滑塊。而且，如圖21 (b)所示，露出有寫入元件11及讀取元件21的面與磁盤面相對(duì)著并成為飛行面S,該面也將成為后續(xù)被研磨的研磨面。
其次，通過(guò)如圖22 (a)所示的研磨裝置205 (研磨單元)對(duì)成為磁頭滑塊 120之飛行面S的長(zhǎng)形條塊110的一面進(jìn)行研磨加工(研磨工序)。此時(shí)，長(zhǎng)形條 塊110由研磨角度設(shè)定裝置206 (研磨角度設(shè)定單元)支撐，而該研磨角度設(shè)定 裝置206用于設(shè)定相對(duì)于研磨裝置205的研磨面207的研磨角度。而且，形成在 被研磨的長(zhǎng)形條塊IIO上的觸點(diǎn)(端子部)上連接有研磨量控制裝置208 (傳感 器輸出值檢測(cè)單元)，如后續(xù)說(shuō)明，當(dāng)進(jìn)行研磨時(shí)，對(duì)裝入長(zhǎng)形條塊110中的各研 磨量檢測(cè)傳感器的輸出值進(jìn)行計(jì)測(cè)(傳感器輸出值檢測(cè)工序，如圖19所示的步驟 S5 )。
而且,該研磨量控制裝置208還控制著研磨裝置205及研磨角度設(shè)定裝置206 的動(dòng)作。具體而言，研磨量控制裝置208根據(jù)由各研磨量檢測(cè)傳感器檢測(cè)出的輸 出值，控制研磨角度設(shè)定裝置206從而設(shè)定長(zhǎng)形條塊IIO的研磨面角度(研磨角 度設(shè)定工序，如圖19所示的步驟S6)。還有，研磨量控制裝置208通過(guò)控制研磨 裝置205進(jìn)行設(shè)定研磨時(shí)間等操作，從而使得寫入元件11及讀取元件達(dá)到希望長(zhǎng) 度，并以此來(lái)控制研磨量(長(zhǎng)度調(diào)整研磨工序，如圖19所示的步驟S7)。
之后，如圖22(b)所示，利用滑塊切割裝置209 (滑塊切割單元)從長(zhǎng)形條 塊110中切出一個(gè)個(gè)磁頭滑塊120 (滑塊切割工序，如圖19所示的步驟S8)。而 且，在切割的各個(gè)磁頭滑塊120的飛行面S上形成規(guī)定形狀的ABS (如圖19所 示的步驟S9),以及進(jìn)行洗凈等規(guī)定處理，以此完成磁頭滑塊120的制造。
下面，對(duì)上述磁頭滑塊的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。另外，本發(fā)明尤其在把 磁頭IOI部分層積在薄片IOO上的積層形成工序以及其積層結(jié)構(gòu)方面具有特點(diǎn)。 而且，在切出長(zhǎng)形條塊IIO之后進(jìn)行的研磨飛行面的研磨工序方面具有特點(diǎn)。因 此，以下針對(duì)這些工序進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
首先，參照?qǐng)D2及圖3簡(jiǎn)單說(shuō)明制造出的磁頭滑塊120。該磁頭滑塊120具 有由薄片IOO而成的滑塊部、以及堆積在其前端部(上面)的f茲頭101。而且， 所述》茲頭101是由讀取元件21及寫入元件11進(jìn)行薄膜層積而形成的，其中讀取元件21是從磁盤D中讀取數(shù)據(jù)的所謂的GMR元件；寫入元件11是通過(guò)垂直記 錄方式對(duì)磁盤D進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的記錄磁極。如圖3所示，寫入元件11與讀取元 件12露出在與》茲盤D的記錄面相對(duì)的飛行面S上，并如上所述，對(duì)于從所涉及 的飛行面S到這些元件之間的長(zhǎng)度，需要實(shí)現(xiàn)讀寫操作的高精度化，以及進(jìn)行精 確的調(diào)整。另夕卜，如圖2中的放大圖所示，本實(shí)施例中寫入元件11的長(zhǎng)度是指在 大致呈Y字狀的結(jié)構(gòu)中沿縱向延伸的部分長(zhǎng)度，即稱作頸高H部分的長(zhǎng)度。而且， 研磨時(shí)，寫入元件11的長(zhǎng)度H與讀取元件21的長(zhǎng)度L將同時(shí)被調(diào)整，但是如上 所述，由于寫入元件11與讀取元件21相互之間的位置偏離的影響，調(diào)整出適當(dāng) 的長(zhǎng)度較為困難。下面將說(shuō)明能解決這些問(wèn)題的制造方法。
首先，在積層形成工序(如圖19所示的步驟S1)中，在如形成圖4中示出 的形成寫入元件11及讀取元件21的層10、20上分別形成圖5中示出的各研磨量 檢測(cè)傳感器12、 22。具體地說(shuō)，先在讀取元件21的形成層20上層積讀取元件21 的材料并通過(guò)蝕刻或離子銑削加工成形該讀取元件21的形狀，同時(shí)，在同一層 20上加工成形所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22。另外，讀取元件用檢測(cè)傳感 器20成形為具有相對(duì)于研磨面即飛行面S平行延伸的帶狀部24及與該帶狀部14 的兩端連接的一對(duì)連接部23的形狀。而且，就該讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器 22的帶狀部24來(lái)說(shuō)，由于其與讀取元件21 —同從研磨面S起沿著箭頭A方向被 研磨，因此隨著研磨量其形狀將會(huì)變小。因此，通過(guò)連接部23檢測(cè)帶狀部24的 阻抗值R2，就能測(cè)出讀取元件21部分的研磨量。
還有，與上述說(shuō)明相同，在寫入元件11的形成層IO上層積讀取元件11的材 料并通過(guò)蝕刻或4先削加工成形該寫入元件11的形狀，同時(shí)，在同一層10上加工 成形所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12 (如圖19所示的步驟S3)。另外，寫 入元件用4企測(cè)傳感器12則有相對(duì)于研磨面即飛行面S平行延伸的帶狀部14及與 該帶狀部14的兩端連接的一對(duì)連接部13所形成。而且，就該寫入元件用研磨量 檢測(cè)傳感器12的帶狀部14來(lái)說(shuō)，由于其與寫入元件11 一同從研磨面S起沿著箭 頭A方向被研磨，因此隨著研磨量其形狀將會(huì)變小。因此，通過(guò)連接部13檢測(cè) 帶狀部14的阻抗值R2,可以測(cè)出寫入元件11部分的研磨量。如上所述，在積層形成工序中通過(guò)在與寫入元件11相同的層上設(shè)置寫入元件 用研磨量檢測(cè)傳感器12,即使因蝕刻等原因而在成形時(shí)發(fā)生了寫入元件11的成
形偏差，也能對(duì)頸高H進(jìn)行均勻的調(diào)整。例如，圖6中示出的是寫入元件11的 形成層，是表示按照?qǐng)D中實(shí)線S-T所示的形狀(用斜線表示)蝕刻成形時(shí)的狀態(tài)。 此時(shí)，將飛行面S研磨到用ABS-T線表示的位置上(參照箭頭A)，從而設(shè)定出 理想的頸高H。因此，把寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12的帶狀部14 (在圖6 中用斜線表示)定位形成在所述ABS-T線下端，并在該傳感器12的阻抗值改變 時(shí)終止研磨操作，由此就可以輕易地設(shè)定出理想的頸高H。另外，所述ABS-T線 也是讀取元件21達(dá)到的理想長(zhǎng)度L的位置。
然而，實(shí)際上，在寫入元件11的蝕刻成形時(shí)，如圖6中的S-UE線所示會(huì)發(fā) 生蝕刻不足(側(cè)蝕)現(xiàn)象。詳細(xì)地說(shuō)，如圖7的兩點(diǎn)劃線S-OE所示，發(fā)生過(guò)蝕 刻現(xiàn)象時(shí)(參照斜線部分)，對(duì)飛行面S進(jìn)行研磨直到其達(dá)到研磨讀取元件21變 成適當(dāng)長(zhǎng)度時(shí)的最初的研磨目標(biāo)位置即ABS-T線的位置，這樣就可以獲得寫入元 件11的最合理的頸高長(zhǎng)度。然而，如上所述，由于在與寫入元件11相同的層10 上形成寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12,并在進(jìn)行寫入元件11的蝕刻成形時(shí)一 同成形傳感器12的形狀，因此帶狀部14也會(huì)^^皮形成為過(guò)蝕刻后的形狀。這樣， 帶狀部14形成為圖7中兩點(diǎn)劃線所示的被縮小了的形狀(參照斜線)，而其下端 部分位置則位于比ABS-T線更上側(cè)的位置上，即位于ABS-OE線上。進(jìn)而，與上 述說(shuō)明相同，把飛行面S研磨至帶狀部14的下端位置處(參照箭頭A)，以此， 使得所述寫入元件11的端部處在ABS-OE線上，即位于比最初的研磨目標(biāo)位置 ABS-T線更上側(cè)的位置上。而且，過(guò)蝕刻使得頸高的另一端側(cè)也位于更上方的位 置上，因此就結(jié)果來(lái)說(shuō)，過(guò)蝕刻時(shí)的頸高H，與理想高度H幾乎一致。
還有，如圖8中的虛線S-UE所示，發(fā)生側(cè)蝕現(xiàn)象時(shí)(參照斜線)，若把飛行 面S研磨至最初的研磨目標(biāo)位置ABS-T線為止時(shí)，頸高的長(zhǎng)度將會(huì)變短。然而， 如上所述，由于在相同層IO上形成了寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12，并在進(jìn) 行寫入元件11的蝕刻成形時(shí)一同成形傳感器12的形狀，因此該傳感器12的帶狀 部14也將被過(guò)蝕刻。這樣，帶狀部14形成為如圖8的虛線所示的寬幅的形狀(參照斜線)，而其下端部位則位于更下側(cè)的位置上，即位于ABS-UE上。進(jìn)而，與 上述說(shuō)明相同，把飛行面S研磨至帶狀部14的下端位置處(參照箭頭A),以此， 使得所述寫入元件11的端部處在ABS-OE線上，即位于比最初的研磨目標(biāo)位置 ABS-T線更下側(cè)的位置上。而且，側(cè)蝕使得頸高的另一端側(cè)也位于更下方的位置 上，因此就結(jié)果來(lái)說(shuō)，側(cè)蝕時(shí)的頸高H，與理想高度H幾乎一致。
如上所述，在積層形成工序中，通過(guò)用蝕刻或銑削等加工在與寫入元件11 相同的層上同時(shí)成形寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12,由此使得成形寫入元件11 時(shí)的形狀偏差^尤良映到傳感器12的帶狀部14形狀上。即，根據(jù)寫入元件11頸高 H的一端(位于與前端側(cè)相反位置的底部側(cè))所發(fā)生的位置偏離以及按照成形該 寫入元件11時(shí)可變化的長(zhǎng)度來(lái)形成寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12的形狀。并 且，通過(guò)在研磨工序中根據(jù)上述傳感器12的輸出值對(duì)飛行面進(jìn)行研磨的環(huán)節(jié)，總 是可以均勻地成形寫入元件11的元件高度即頸高H。當(dāng)然，所述寫入元件用研磨 量檢測(cè)傳感器12的形狀，尤其是帶狀部14的形狀并不限定于圖中所示的形狀。
另外，以上是對(duì)單獨(dú)調(diào)整寫入元件11長(zhǎng)度的方法的說(shuō)明，而且由于把讀取元 件21研磨至ABS-T線時(shí)能達(dá)到最合理的狀態(tài)，因而如上所述當(dāng)寫入元件11的形 狀發(fā)生偏差并與讀取元件21之間的相對(duì)位置發(fā)生偏離時(shí)，需要按規(guī)定角度設(shè)定為 研磨時(shí)成為長(zhǎng)形條塊110的研磨面即飛行面S的規(guī)定角度，之后進(jìn)行研磨。下面 將對(duì)所述研磨角度的設(shè)定方法進(jìn)行說(shuō)明。
如上所述，在本實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)積層形成工序尤其在與讀取元件21的同一層 上設(shè)置了讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22。而且，通過(guò)比較上述寫入元件用研磨 量檢測(cè)傳感器21與讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22之間的輸出值，可以檢測(cè)出 寫入元件11與讀取元件21之間的相對(duì)位置偏差。
圖9是橫向并排表示實(shí)際層積組成的寫入元件11的形成層10及讀取元件21 的形成層20的示圖。如該圖所示，形成在寫入元件11的形成層IO上的寫入元件 用研磨量檢測(cè)傳感器12具有多個(gè)與研磨方向(箭頭A方向)大致垂直即相對(duì)飛 行面S基本平4于延伸的帶狀部14 (斜線部分)。而且，這些帶狀部14的兩端連接 有與該帶狀部24相垂直并沿研磨方向延伸的一對(duì)連接部13，而傳感器本身則略
20呈梯子形狀。這樣，通過(guò)所述連接部13可以檢測(cè)出多個(gè)帶狀部14并排連接時(shí)的
阻抗值。而且，形成在讀取元件21的形成層20上的讀取元件用研磨量^r測(cè)傳感 器22也一樣，具有多個(gè)與研磨方向大致垂直即相對(duì)飛行面S基本平行延伸的帶 狀部24。而且，這些帶狀部24的兩端連接有與該帶狀部24相垂直并沿研磨方向 延伸的一對(duì)連接部23，而傳感器本身則略呈梯子形狀。通過(guò)所述連接部23可以 檢測(cè)出多個(gè)帶狀部24并排連接時(shí)的阻抗值。
另外，所述大致呈梯形的各傳感器12、 22具有基本相同的形狀。尤其是，對(duì) 于所形成的各帶狀部14與24來(lái)說(shuō)，從這些部位分別到飛行面S的距離相同。例 如，作為傳感器12、 22的端部并位于最靠近飛行面S側(cè)的帶狀部14、 24的位置 相同。而且，如圖9所示，從目前的飛行面S所在位置向著箭頭A方向進(jìn)行研磨， 則達(dá)到ABS-T線所示的位置時(shí)所述寫入元件11及讀取元件21具有適當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。 但是，如上所示，由于在成形寫入元件11時(shí)會(huì)發(fā)生形狀偏差，因此大致呈梯形的 各傳感器12、 22,尤其是其帶狀部14、 24的形狀不一定要形成為相同的形狀。 從而，在用符號(hào)a表示的到ABS-T線為止的研磨范圍內(nèi)進(jìn)行研磨時(shí)，所獲得的傳 感器12、 22的輸出值則用于檢測(cè)寫入元件11與讀取元件21的位置偏差。
以下再結(jié)合圖10及11進(jìn)行說(shuō)明。首先，圖IO表示的是，在寫入元件ll的 形成層10上預(yù)計(jì)把寫入元件11蝕刻成形為如兩點(diǎn)劃線S-T所示形狀，但在實(shí)際 積層形成工序中該寫入元件11經(jīng)過(guò)蝕刻處理而成形為實(shí)線S-OE所示形狀的狀態(tài) 示圖。這樣，由于過(guò)蝕刻現(xiàn)象所述寫入元件用傳感器12的帶狀部14的寬度也將 變窄。而同時(shí)所述讀取元件用檢測(cè)傳感器22的帶狀部24則成形為目標(biāo)形狀。在 這種情況下，如上所述，進(jìn)行在研磨工序時(shí)為了設(shè)定寫入元件ll的頸高H，將研 磨操作進(jìn)行到位于上方的帶狀部14下端的位置處，即研磨至ABS-OE線為止， 這樣可以調(diào)整出適當(dāng)?shù)念i高H。然而，這時(shí)讀取元件21的長(zhǎng)度L并未達(dá)到理想 狀態(tài)，因此如圖14 (b)所示，研磨時(shí)要傾斜飛行面S，并需要使寫入元件11的 研磨量與讀取元件21的研磨量各不相同。
此時(shí)則利用在上述初期研磨階段(圖9中符號(hào)所表示的研磨范圍)中所獲得 的各研磨量檢測(cè)傳感器12、 22的各輸出值。在圖12的線圖中示出了各傳感器12、22的輸出值。在該圖中，線條G1表示的是由寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12 所輸出的阻抗值，線條G2表示的是由讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22所輸出的 阻抗值。另外，線條G3表示的是所述傳感器12、 22并非為在圖9等示圖中表示 的略呈梯子形狀而是形成為如圖6所示的一根帶狀時(shí)得阻抗值。
如該圖12所示，對(duì)各傳感器12、 22中的帶狀部14、 24部位進(jìn)行研磨時(shí)，阻 抗值以二次曲線形式增加變化，因而這時(shí)呈現(xiàn)出的是曲線，但是研磨位于各帶狀 部14、 24之間而不包含這些帶狀部14、 24的部位時(shí)由于沒(méi)有阻抗值的變化，因 而線條G1、 G2比較平坦。因此，可以測(cè)出圖12所示中畫圈部分的線條變化狀況， 這與線條G3相比較能更容易地測(cè)出寫入元件11與讀取元件21之間的位置偏差。 另外，圖ll表示的是寫入元件11的形成層IO經(jīng)側(cè)蝕處理后的成形狀態(tài)，這種情 況也能獲得圖12所示的線圖。
還有，圖13表示的是，從飛行面?zhèn)扔^察所述形成各研磨量^r測(cè)傳感器12、 22的長(zhǎng)形條塊110的結(jié)構(gòu)及研磨時(shí)的狀態(tài)。如上所述，層疊形成在薄片100上的 磁頭101部位中，在與讀取元件21相同的層上形成了讀耳又元件用研磨量檢測(cè)傳感 器22，并在與寫入元件ll相同的層上形成了寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12(參 照?qǐng)D13中的虛線)。而且，其上層部位設(shè)有由加熱器的熱量而膨脹使得石茲頭與磁 盤之間的距離更靠近的DFH (動(dòng)態(tài)飛高)元件31。并且在其最上層形成了用于寫 入元件11的觸點(diǎn)41 (端子部)、用于讀取元件21的觸點(diǎn)42 (端子部)、用于DFH 的觸點(diǎn)43(端子部)。這些觸點(diǎn)即使在后續(xù)操作中被磁頭滑塊120切斷，也能連 接在磁頭上而被使用。而且，最上層上還設(shè)有連接到所述寫入元件用研磨量檢測(cè) 傳感器12的至少一側(cè)輸出端的觸點(diǎn)44 (端子部)。而所述用于寫入元件及讀取元 件的研磨量檢測(cè)傳感器12、22的另一側(cè)端子部則電連接到薄片IOO的一側(cè)上并接 地，并且還設(shè)有接地用觸點(diǎn)45 (端子部)。所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22 的一側(cè)輸出端則被連接到所述DFH用觸點(diǎn)43上。另夕卜，各傳感器12、 22的一側(cè) 輸出端也可以連接到其他的觸點(diǎn)上。而且，所述各傳感器12、 22的連接配線則在 積層形成工序中層疊形成。
還有，如圖14 (a)所示，沿著飛行面S的箭頭A方向進(jìn)行研磨的研磨工序
22中(如圖19所示的步驟S5),使用研磨量控制裝置208,從長(zhǎng)形條塊110中檢測(cè) 出連^^妄到所述傳感器12、 22上的觸點(diǎn)43、 44、 45的輸出值。而且，通過(guò)比4支各 傳感器12、 22的輸出值，可以測(cè)出寫入元件11與讀取元件21的位置偏差。即， 在如圖10、 ll的舉例表示中，讀取元件21通過(guò)被研磨至ABS-T線為止時(shí)獲得適 合的長(zhǎng)度L,而對(duì)于寫入元件11來(lái)說(shuō)存在被研磨至ABS-OE或ABS-UE線為止 時(shí)獲得使得長(zhǎng)度H的情況。在這種情況下，如圖14 (b)所示，才艮據(jù)所測(cè)出的各 元件11、 12的位置偏差程度來(lái)設(shè)定長(zhǎng)形條塊IIO相對(duì)研磨裝置205的傾斜角度即 角度e ,從而通過(guò)研磨使得寫入元件11及讀取元件21雙方都獲得理想的長(zhǎng)度(如 圖19所示的步驟S6)。并以設(shè)定的角度繼續(xù)進(jìn)行研磨，從而調(diào)整出寫入元件ll 及讀取元件12的理想長(zhǎng)度H、 L (如圖19所示的步驟S7 )。
其后，通過(guò)滑塊切割工序從長(zhǎng)形條塊110中切出一個(gè)個(gè)的磁頭滑塊120。此 時(shí)，在圖13中示出的虛線處進(jìn)行切割，從而如圖15所示，切除了未連接在磁頭 101的任意元件上并用符號(hào)44、 45表示的觸點(diǎn)部分。因此從結(jié)果來(lái)看，通過(guò)切割 處理所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12也 不包含在,茲頭滑塊120中。
通過(guò)上述操作，在本實(shí)施例中，在與讀取元件11及寫入元件12相同的層上 分別形成有在研磨工序中用于檢測(cè)研磨量的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22及 寫入元件用飛行量檢測(cè)傳感器12,并參照各傳感器的輸出值可以測(cè)出隨著各元件 的形成條件而發(fā)生變化的讀取元件21與寫入元件11之間的配置偏差。而且，通 過(guò)基于檢測(cè)出的偏差量而設(shè)定待研磨的飛行面的傾斜角度并繼續(xù)進(jìn)行研磨，可以 分別調(diào)整出寫入元件11及讀取元件21兩者同時(shí)都合理的長(zhǎng)度。這種方式尤其適 用于寫入元件11、讀取元件12雙方均被要求其長(zhǎng)度需高精度調(diào)整的垂直記錄方 式的磁頭滑塊120的制造中。
還有，尤其是通過(guò)把各研磨量檢測(cè)傳感器12、 22的帶狀部14、 24形成為相 互之間以 一定間隔隔開設(shè)置的多個(gè)略呈梯形的形狀，可以使研磨時(shí)的阻抗值變化 具有階段性，并能輕易測(cè)出寫入元件11與讀取元件12的位置偏差。在此，如圖 16 (a)所示，研磨量檢測(cè)傳感器12、 22最好具有固定的厚度，但在所有磁頭中很難均勻形成。而且，如圖16 (b)所示所述厚度不固定時(shí)，則會(huì)出現(xiàn)圖16 (c) 所示的研磨時(shí)間的阻抗依賴性發(fā)生變化的現(xiàn)象。即使是在這種情況下，通過(guò)使用 具有垂直于研磨方向的多個(gè)帶狀部14、 24的傳感器，作為阻抗值的輸出值的變化 具有如上所述的階段性。從而可以更準(zhǔn)確地測(cè)出積層形成時(shí)各元件11、 12的位置 偏差。
當(dāng)然，所述讀取元件用檢測(cè)傳感器22、寫入元件用檢測(cè)傳感器12并不局限 于上述形狀。下面在圖17至18中示出了這些傳感器12、 22的變形實(shí)例。另外， 在圖17、 18中只示出了寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12的形狀，但是讀取元件 用研磨量檢測(cè)傳感器22的形狀也相同。在圖17的各實(shí)例中，帶狀部14的形狀各 不相同，并用斜線表示了其形狀。而且，圖17中用虛線ABS-T線表示了能獲得 讀取元件21及寫入元件11的理想長(zhǎng)度時(shí)的位置。
首先，如圖17 (a)所示的實(shí)例中，從作為研磨面的飛行面S到超過(guò)ABS-T 線為止，相同地形成所述帶狀部14。在這種情況下，研磨時(shí)阻抗值的變化呈如圖 12所示的線條G3的曲線，雖說(shuō)精度有所下降，但通過(guò)比較輸出值可以測(cè)出寫入 元件11與讀取元件12的位置偏差。而且，通過(guò)根據(jù)這種位置偏差量設(shè)定研磨角 度并繼續(xù)研磨的操作，可以同時(shí)設(shè)定出兩個(gè)元件各自適合的長(zhǎng)度。另外，元件長(zhǎng) 度的調(diào)整也可以參照研磨時(shí)帶狀部14的輸出值而定。
而且，如圖17 (b)所示的實(shí)例，從飛行面S起隔開一段距離共設(shè)置了 4根 帶狀部14。并且，ABS-T線附近的帶狀部14則跨過(guò)該ABS-T線而形成。這些情 況下，利用飛行面S側(cè)的多根帶狀部14測(cè)出讀取元件21與寫入元件11的位置偏 差，并根據(jù)于此設(shè)定研磨角度繼續(xù)進(jìn)行研磨。而且，根據(jù)研磨時(shí)的輸出值變化利 用跨過(guò)ABS-T線的帶狀部14,從而可以設(shè)定兩個(gè)元件都具有合理的長(zhǎng)度。
還有，如圖18 (a)所示的實(shí)例，在飛行面S附近設(shè)置了 2根帶狀部14，且 在ABS-T線附近設(shè)置了 1根帶狀部14。據(jù)此，首先，通過(guò)在作為研磨面的飛行 面S—側(cè)配設(shè)多個(gè)帶狀部14,可以在研磨開始到研磨早期階段，即讀取元件21 與寫入元件11較長(zhǎng)階段測(cè)出讀取元件21與寫入元件11的位置偏差，并在研磨初 期階段設(shè)定研磨角度。而且，通過(guò)繼續(xù)進(jìn)行研磨操作，并根據(jù)研磨時(shí)的輸出值變化，以及利用跨過(guò)ABS-T線的帶狀部14,可以設(shè)定兩個(gè)元件都具有合理的長(zhǎng)度。 如上所述，由于在各元件ll、 12的長(zhǎng)度較長(zhǎng)階段可以調(diào)整研磨角度，因此增加了 長(zhǎng)度調(diào)整的自由度，并能更精確地設(shè)定所述元件的長(zhǎng)度。
還有，如圖18 (b)所示的實(shí)例，只有在下端側(cè)附近設(shè)置了 3根帶狀部14。 這樣，通過(guò)僅在下端側(cè)設(shè)置多個(gè)帶狀部14，可以在研磨開始到研磨早期階段測(cè)出 讀取元件21與寫入元件11的位置偏差，并可以根據(jù)此偏差設(shè)定研磨角度。而且， 由于帶狀部14較少，因而測(cè)出的阻抗值較高，并能容易地檢測(cè)出其變化。進(jìn)而提 高了位置偏差的檢測(cè)精度。另外，設(shè)定研磨角度后，控制研磨時(shí)間等參數(shù)并繼續(xù) 進(jìn)行研磨，通過(guò)這種操作可以設(shè)定兩個(gè)元件具有適當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。
當(dāng)然，所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12與讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器 22的形狀并不局限于附圖所示的形狀，也可以形成為其他的形狀。即，可以以任 意寬度形成各傳感器12、 22所具有的帶狀部14、 24,其形成位置或形成數(shù)量也 不受限制。
第2實(shí)施例
下面參照?qǐng)D23至圖29詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例。在本實(shí)施例中，基本 上采用上述磁頭滑塊的制造方法，不同的是還包括一個(gè)精確調(diào)整寫入元件11或讀 取元件21的長(zhǎng)度的工序。下面將詳細(xì)說(shuō)明在第1實(shí)施例的基礎(chǔ)上再追加的工序。
首先，進(jìn)行本實(shí)施例的積層形成工序時(shí)，在寫入元件11的相同層或不同層上 形成一對(duì)具有與上述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12相同結(jié)構(gòu)的停止研磨檢測(cè) 傳感器。另外，也可以把上述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12及讀取元件用研磨 量檢測(cè)傳感器22作為一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器使用，以下將對(duì)重新形成一對(duì)停止 研磨檢測(cè)傳感器的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，該一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器也可以形成 在任意層上。該一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器可以形成在同一層上，也可以分別形成 在不同層上。而且，該一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器與上述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳 感器12等相同，可以將其形成在如圖13及圖15所示的從長(zhǎng)形條塊中切除的部位 上。
其次，在圖23中表示出了停止研磨^r測(cè)傳感器的形狀示例。如圖23(a)、 (b)、(C)所示，所述停止研磨檢測(cè)傳感器基本上與上述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器
12相同，包括相對(duì)研磨面S平行延伸的帶狀部31b、 32b、 33b，以及與該帶狀部 31b、 32b、 33b的兩端相連4妄并沿著研磨方向(箭頭A方向)延伸的一對(duì)連4矣部 31a、 32a、 33a。而且，該帶狀部31b、 32b、 33b(阻抗)與寫入元件12(圖23 中未示出) 一同從研磨面S起向著研磨方向(箭頭A方向)被研磨，因而隨著研 磨量的增加其形狀將變小。進(jìn)而，使用各傳感器31、 32、 33并通過(guò)連接部31a、 32a、 33a檢測(cè)帶狀部31b、 32b、 33b的阻抗值，可以檢測(cè)出研磨量。另夕卜，進(jìn)行 阻抗值的檢測(cè)時(shí)，例如，與上述研磨量檢測(cè)傳感器12、 22—樣，在磁頭滑塊的各 個(gè)觸點(diǎn)上連接各停止研磨檢測(cè)傳感器的輸出端并層疊形成，由此可以在各觸點(diǎn)上 測(cè)出所述阻抗值。
而且，把停止研磨檢測(cè)傳感器31、 32、 33形成為如圖23所示的各種形狀時(shí)， 由各停止研磨檢測(cè)傳感器31、 32、 33所檢測(cè)出的阻抗值(輸出值)各不相同。并 在圖24中表示了研磨時(shí)各傳感器31、 32、 33的阻抗值變化狀態(tài)。在該圖中，線 條31表示的是傳感器31的阻抗值，線條32表示的是傳感器32的阻抗值，線條 33表示的是傳感器33的阻抗值。如該圖所示，傳感器31只具有1根帶狀部31b, 因此，隨著研磨的進(jìn)行其阻抗值以二次函數(shù)形式增加。而且，傳感器32、 33也分 別具有多個(gè)帶狀部32b、 33b,因此研磨帶狀部32b、 33b時(shí)其阻抗值也以二次函 數(shù)形式增加，而研磨帶狀部32b、 33b之間的部位時(shí)其阻抗值不發(fā)生變化為常數(shù)。 另外，對(duì)于傳感器32與傳感器33來(lái)說(shuō)，各自形成的帶狀部32b、 33b的形成位置 互不相同，沿著研磨方向A分別交替而成。即，在研磨方向的同一位置上，若有 一個(gè)傳感器上形成有傳感器，則另一個(gè)傳感器上則未形成有帶狀部。
還有，參照?qǐng)D24,各傳感器31、 32、 33的形成使得特定研磨時(shí)間即特定研 磨量所對(duì)應(yīng)的各傳感器31、 32、 33的阻抗值一致。例如，對(duì)于傳感器32與傳感 器33來(lái)說(shuō)，在研磨量P1的位置上所對(duì)應(yīng)阻抗值相同。再者，對(duì)于傳感器31與 傳感器33來(lái)說(shuō)，在研磨量P2的位置上所對(duì)應(yīng)阻抗值相同。又，對(duì)于傳感器31 與傳感器32來(lái)說(shuō)，在研磨量P3的位置上所對(duì)應(yīng)阻抗值相同。而且，在研磨量P3 的位置上所有傳感器31、 32、 33的阻抗值均相同。如上所述，本實(shí)施例中的停止研磨檢測(cè)傳感器31、 32、 33具有特定研磨量所 對(duì)應(yīng)的阻抗值相一致的特性。從而，把具有上述形狀的傳感器31、 32、 33中的任 意兩個(gè)傳感器形成為在這些傳感器的阻抗值一致時(shí)所對(duì)應(yīng)的研磨量位置上使所述 寫入元件12等具有最適當(dāng)長(zhǎng)度的形態(tài)，而且，在研磨工序中當(dāng)一對(duì)停止研磨檢測(cè) 傳感器的阻抗值一致時(shí)停止進(jìn)行研磨，由此可以精確地調(diào)整出寫入元件12等的理 想長(zhǎng)度。下面，舉出具體實(shí)施例說(shuō)明一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器。
如圖25 (a)的實(shí)例所示，符號(hào)31表示停止研磨檢測(cè)傳感器31，符號(hào)32表 示停止研磨檢測(cè)傳感器32，這一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器通過(guò)積層形成工序所形 成。這樣，形成具有一對(duì)所述停止研磨檢測(cè)傳感器31、 32的長(zhǎng)形條塊，通過(guò)研磨 工序?qū)ζ溥M(jìn)行研磨，并調(diào)整寫入元件12等的長(zhǎng)度。而且，在圖25(b)中表示了 進(jìn)行研磨工序時(shí)停止研磨檢測(cè)傳感器31、 32的阻抗值變化形態(tài)。如該圖所示，當(dāng) 研磨各傳感器31、 32時(shí)，在研磨量Pll的位置上各傳感器31、 32的阻抗值一致， 因此將此位置作為停止研磨的位置進(jìn)行檢測(cè)，并停止研磨。這樣可以更準(zhǔn)確地調(diào) 整出元件的長(zhǎng)度。
其次，如圖26 (a)的實(shí)例所示，符號(hào)32表示停止研磨檢測(cè)傳感器32，符號(hào) 33表示停止研磨檢測(cè)傳感器33,這一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器通過(guò)積層形成工序所 形成。另外，用符號(hào)33表示的傳感器其形狀有些不同，但相對(duì)于用符號(hào)32表示 的傳感器32,其帶狀部33b的位置相互交替配置的這一點(diǎn)仍相同。這樣，形成具 有一對(duì)所述停止研磨檢測(cè)傳感器32、33的長(zhǎng)形條塊，通過(guò)研磨工序?qū)ζ溥M(jìn)行研磨， 并調(diào)整寫入元件12等的長(zhǎng)度。而且，在圖26(b)中表示了進(jìn)行研磨工序時(shí)停止 研磨檢測(cè)傳感器32、 33的阻抗值變化形態(tài)。如該圖所示，當(dāng)研磨各傳感器32、 33時(shí)，在研磨量P12的位置上各傳感器32、 33的阻抗值一致，因此將此位置作 為停止研磨的位置進(jìn)行檢測(cè)，并停止研磨。這樣可以更準(zhǔn)確地調(diào)整出元件的長(zhǎng)度。
在圖27至圖29中示出了圖26中各圖的放大圖，下面就對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。首先， 圖27表示了蝕刻成形一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器32、 33時(shí)按照目標(biāo)形狀進(jìn)行蝕刻 的情況。在這種情況下，如圖27(a)所示，各傳感器32、 33的帶狀部32b、 33b 的形成位置在研磨方向上互不重疊，形成明顯的交替形態(tài)。而且，對(duì)這樣的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器32、 33進(jìn)行研磨時(shí)，如圖27(b)所示，在研磨位置P12上 可以4企測(cè)出各傳感器32、 33的阻抗值約在一個(gè)點(diǎn)上相同。并且，在研磨工序中，
當(dāng)斗企測(cè)出阻抗值一致時(shí)停止研磨，由此可以更準(zhǔn)確地調(diào)整元件長(zhǎng)度。還有，圖 28表示了蝕刻成形一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器32、 33時(shí)相對(duì)于目標(biāo)形狀進(jìn)行了過(guò) 蝕刻的情況。在這種情況下，如圖28(a)所示，各帶狀部32b、 33b的形狀小于
目標(biāo)形狀，因此在研磨方向上，未設(shè)有各個(gè)停止研磨^r測(cè)傳感器32、 33的帶狀部 32b、 33b的部分位置相重疊。而且，即使在研磨位置P12上，兩個(gè)傳感器32、 33都不包含其帶狀部32b、 33b(參照虛線)。對(duì)這樣的一對(duì)停止研磨4全測(cè)傳感器 32、 33進(jìn)行研磨時(shí)，如圖28(b)所示，在研磨位置P12的前后也存在各傳感器 32、 33的阻抗值相同的部分。即，兩個(gè)傳感器32、 33的阻抗值相同的狀態(tài)將持 續(xù)一定時(shí)間。此時(shí)，則把阻抗值相一致的區(qū)間內(nèi)的中間點(diǎn)作為研磨的停止位置。 另外，阻抗值相同區(qū)間的中間點(diǎn)，例如，以在已經(jīng)研磨的各帶狀部32b、 33b部位 上計(jì)測(cè)的阻抗值為基礎(chǔ)，可以推測(cè)出從阻抗值開始相同的點(diǎn)到所述中間點(diǎn)還需進(jìn) 行多少研磨的程度。根據(jù)這種推測(cè)，在停止研磨的位置P12的附近檢測(cè)到其研磨 位置接近阻抗值相同區(qū)間的中間點(diǎn)，并停止研磨。
再則，圖29表示了蝕刻成形一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器32、 33時(shí)相對(duì)于目標(biāo) 形狀進(jìn)行了側(cè)蝕即蝕刻不足的情況。在這種情況下，如圖29(a)所示，各帶狀 部32b、 33b的形狀大于目標(biāo)形狀，因此在研磨方向上，各個(gè)停止研磨檢測(cè)傳感器 32、 33的帶狀部32b、 33b的部分位置相重疊。而且，在研磨位置P12上，兩個(gè) 傳感器32、 33的帶狀部32b、 33b也互相重疊(參照虛線)。對(duì)這樣的一對(duì)停止研 磨檢測(cè)傳感器32、 33進(jìn)行研磨時(shí)，如圖29(b)所示，即使在研磨位置P12上各 傳感器32、 33的阻抗值也不完全相同。而這種情況下，各阻抗值之差處于預(yù)先設(shè) 定的允許范圍內(nèi)，并把差距最小的點(diǎn)確定為各阻抗值大致相同的位置，從而作為 停止研磨的位置進(jìn)行檢測(cè)。而且，判斷阻抗值大致相同的誤差允許范圍或最小值， 例如，可以以在已經(jīng)研磨的帶狀部32b、 33b部位上計(jì)測(cè)的阻抗值作為基礎(chǔ)進(jìn)行推 測(cè)。根據(jù)這種推測(cè)，在停止研磨的位置P12的附近檢測(cè)到各阻抗值之差大致相同 的位置時(shí)，停止研磨。如上所述，對(duì)于一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器來(lái)說(shuō)，考慮到成形時(shí)過(guò)蝕刻或側(cè)蝕 的影響最好將兩者形成在相同層上。而且，在上述說(shuō)明中，特別是舉例說(shuō)明了對(duì) 寫入元件11進(jìn)行調(diào)整的傳感器，當(dāng)然也可以設(shè)置對(duì)讀取元件21的長(zhǎng)度進(jìn)行調(diào)整 的傳感器。
還有，在上述說(shuō)明中，舉例說(shuō)明了重新層積形成一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器并 將其裝入長(zhǎng)形條塊上的情況，當(dāng)然也可以把寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12與讀
取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22作為 一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器而使用。在這種情況 下，在各傳感器12、 22的下端側(cè)(研磨面?zhèn)?形成了為了檢測(cè)如第1實(shí)施例所述 的寫入元件11及讀取元件21的位置偏差而使用研磨時(shí)的抗值的帶狀部。而且， 在決定各傳感器12、 22的上方即在寫入元件11或讀耳又元件21長(zhǎng)度的停止研磨的 位置附近形成了各個(gè)帶狀部，使得在上述停止研磨的位置上各傳感器的阻抗值相 同。由此，可以削減形成長(zhǎng)形條塊的傳感器數(shù)量，實(shí)現(xiàn)低成本化。當(dāng)然，也可以 把上迷寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器12或讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器22用做 一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器中的任意一個(gè)傳感器。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明提供的制造裝置裝配磁盤裝置上，可制造出相對(duì)于磁盤進(jìn)行讀寫操作 的磁頭滑塊，從而具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1. 一種磁頭滑塊的制造方法，包括在基體上層疊形成具有讀取元件及寫入元件的磁頭的積層形成工序、切出由多個(gè)具有所述磁頭的磁頭滑塊相連接而成的長(zhǎng)形條塊并對(duì)飛行面進(jìn)行研磨從而露出所述讀取元件及寫入元件的研磨工序、從所述長(zhǎng)形條塊中切割出一個(gè)個(gè)磁頭滑塊的滑塊切割工序，其特征在于所述積層形成工序包括在設(shè)有所述讀取元件的相同層上形成根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器的環(huán)節(jié)，并同時(shí)在設(shè)有所述寫入元件的相同層上形成根據(jù)研磨而改變其輸出值的寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的環(huán)節(jié)；所述研磨工序基于所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各個(gè)輸出值進(jìn)行研磨。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工序 中，把所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器成形為與所述寫入元件長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的形 狀。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成 工序中，同時(shí)成形所述寫入元件及所述寫入元件用研磨量^r測(cè)傳感器的形狀。
4. 如權(quán)利要求3所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工序 中，通過(guò)蝕刻成形或離子銑削成形的方式成形所述寫入元件及所述寫入元件用研 磨量檢測(cè)傳感器的形狀。
5. 如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所 述積層形成工序中，形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述讀取元件用研 磨量檢測(cè)傳感器時(shí)，對(duì)齊所述位于磁頭滑塊飛行面?zhèn)鹊膶懭朐醚心チ繖z測(cè)傳 感器端部與所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器端部在研磨方向上的相對(duì)位置。
6. 如權(quán)利要求5所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工序 中，形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器時(shí)，將所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器端部的成形目標(biāo)位置對(duì)齊至所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器端部在研磨方 向上的位置上。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成 工序中，形成所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器時(shí)，把所述寫入元件用研磨量檢 測(cè)傳感器的成形目標(biāo)形狀形成為與所述讀^UL件用研磨量^r測(cè)傳感器的形狀大致 相同的形狀。
8. 如權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所 述積層形成工序中，把所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及/或所述寫入元件用研 磨量檢測(cè)傳感器形成為大致呈梯形的形狀，該大致呈梯形的結(jié)構(gòu)包括相對(duì)于研磨 方向垂直延伸并以規(guī)定間隔隔開的多個(gè)帶狀部以及分別連接該多個(gè)帶狀部之各端 部的一對(duì)連接部。
9. 如權(quán)利要求8所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工序 中，4巴所述寫入元件用研磨量^r測(cè)傳感器形成為具有所述多個(gè)帶狀部的形狀，同 時(shí)將該多個(gè)帶狀部形成在飛行面?zhèn)取?br> 10. 如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于通 過(guò)所述積層形成工序，把所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入元件用研 磨量檢測(cè)傳感器的各自一側(cè)的輸出端電連接到所述基體側(cè)上，把所述讀取元件用 研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各自另 一側(cè)的輸出端電 連接到積層形成時(shí)被設(shè)在最上層的規(guī)定端子部上。
11. 如權(quán)利要求IO所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于通過(guò)所述積層形成 工序，使得所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入用研磨量檢測(cè)傳感器的 所述另一側(cè)的輸出端分別電連接到為了輸入對(duì)所述磁頭的規(guī)定信號(hào)而設(shè)置的端子 部及未連接在所述磁頭上的端子部上。
12. 如權(quán)利要求11所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述滑塊切割工 序中，把未連接在所述磁頭上的端子部切除使得其不包含在磁頭滑塊中，其中所 述》茲頭上可連接所述讀取元件用研磨量4全測(cè)傳感器或?qū)懭朐醚心チ?全測(cè)傳感器的所述另一側(cè)輸出端。
13. 如權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在 所述滑塊切割工序中，切除所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用 研磨量檢測(cè)傳感器使得這些元件不包含在磁頭滑塊中。
14. 如權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在 所述研磨工序中，基于所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用研磨 量檢測(cè)傳感器的輸出值調(diào)整所述長(zhǎng)形條塊的研磨角度并進(jìn)行研磨。
15. 如權(quán)利要求14所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于所述研磨工序還包 括研磨所述長(zhǎng)形條塊的同時(shí)檢測(cè)所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入 元件用研磨量檢測(cè)傳感器之輸出值的傳感器輸出值檢測(cè)環(huán)節(jié)、根據(jù)已檢測(cè)的輸出 值設(shè)定所述長(zhǎng)形條塊之研磨角度的研磨角度設(shè)定環(huán)節(jié)、以及，研磨所述長(zhǎng)形條塊 使得所述讀取元件及所述寫入元件達(dá)到規(guī)定長(zhǎng)度的長(zhǎng)度調(diào)整研磨環(huán)節(jié)。
16. 如權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在 所述積層形成工序中形成一對(duì)隨著所述寫入元件的被研磨程度而分別改變其輸出 值的停止研磨檢測(cè)傳感器，使得各停止研磨檢測(cè)傳感器的各個(gè)輸出值與所述研磨 量一致；在所述研磨工序中，當(dāng)所述各停止研磨^r測(cè)傳感器的各輸出值與預(yù)定的 基準(zhǔn)一致時(shí)停止研磨。
17. 如權(quán)利要求16所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工 序中，把所述一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器中的至少一個(gè)傳感器形成為大致呈梯形的 形狀，該大致呈梯形的結(jié)構(gòu)包括相對(duì)于研磨方向垂直延伸并以規(guī)定間隔隔開的多 個(gè)帶狀部以及分別連接該多個(gè)帶狀部之各端部的一對(duì)連接部。
18. 如權(quán)利要求17所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工 序中，分別將所述一對(duì)停止研磨4企測(cè)傳感器形成為所述大致呈梯形的形狀，同時(shí) 使得所述帶狀部在各停止研磨^r測(cè)傳感器的研磨方向上的位置互相不同。
19. 如權(quán)利要求16至18中任意一項(xiàng)所述的磁頭滑塊的制造方法，其特征在于在所述積層形成工序中，把所述寫入元件用研磨量4企測(cè)傳感器形成為所述一對(duì)停 止研磨檢測(cè)傳感器中的任意一個(gè)。
20. —種長(zhǎng)形條塊，是對(duì)包含磁頭的多個(gè)磁頭滑塊相連接的塊體進(jìn)行切割而成， 且所述磁頭具有層積在基體上的讀取元件及寫入元件，其特征在于在該長(zhǎng)形條塊中，所述讀取元件所在的相同層上形成有根據(jù)被研磨的程度而 改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器，同時(shí)，所述寫入元件所在的相同 層上形成有才艮據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的寫入元件用研磨量傳感器。
21. 如權(quán)利要求20所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳 感器的形狀是配合所述讀取元件的長(zhǎng)度而形成的。
22. 如權(quán)利要求20或21所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于位于磁頭滑塊飛行面上 的所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的端部與所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器 的端部在研磨方向上的相對(duì)位置一致。
23. 如權(quán)利要求20至22中任意一項(xiàng)所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于所述讀取元 件用研磨量檢測(cè)傳感器及/或所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器具有大致呈梯形 的形狀，而該大致呈梯形的結(jié)構(gòu)包括相對(duì)于研磨方向垂直延伸并以規(guī)定間隔隔開 的多個(gè)帶狀部以及分別連接該多個(gè)帶狀部之各端部的一對(duì)連接部。
24. 如權(quán)利要求20至23中任意一項(xiàng)所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于所述讀取元 件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用研磨量;f全測(cè)傳感器的各自 一側(cè)的輸出端 與所述基體側(cè)電連接，所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器與所述寫入元件用研磨 量檢測(cè)傳感器的各自另一側(cè)的輸出端與設(shè)于磁頭之最高位層上的規(guī)定端子部電連接。
25. 如權(quán)利要求24所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳 感器及所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的所述另 一側(cè)的輸出端分別電連接于為 了輸入對(duì)》茲頭的規(guī)定信號(hào)而設(shè)置的所述端子部及未與磁頭連接的所述端子部上。
26. 如權(quán)利要求20至25中任意一項(xiàng)所述的長(zhǎng)形條塊，其特征在于根據(jù)所述寫入元件被研磨的程度而分別改變其輸出值的一對(duì)停止研磨檢測(cè)傳感器在規(guī)定研磨 量范圍內(nèi)的各輸出值一致。
27. —種磁頭滑塊的制造裝置，包括在基體上層疊形成含有讀取元件及寫入元件 的》茲頭的積層形成單元、用于切割由多個(gè)具備所述》茲頭的^f茲頭滑塊連接而成的長(zhǎng) 形條塊的長(zhǎng)形條塊切割單元、對(duì)磁頭滑塊的飛行面進(jìn)行研磨從而露出該長(zhǎng)形條塊 中的讀取元件及寫入元件的研磨單元、從所述長(zhǎng)形條塊中切出單個(gè)的磁頭滑塊的 滑塊切割單元，其特征在于通過(guò)所述積層形成單元在讀取元件所在的同一層上形成根據(jù)被研磨的程度而 改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器，同時(shí)在寫入元件所在的同一層上 形成根據(jù)被研磨的程度而改變其輸出值的寫入元件用研磨量傳感器；當(dāng)4吏用所述研磨單元對(duì)所述長(zhǎng)形條塊進(jìn)行研磨時(shí)，還具備用于4企測(cè)所述讀取 元件用研磨量檢測(cè)傳感器及所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器之輸出值的傳感器 輸出值檢測(cè)單元；塊進(jìn)行研磨。
28. 如權(quán)利要求27所述的磁頭滑塊的制造裝置，其特征在于在所述積層形成單 元中，所述寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器被形成為與所述寫入元件的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng) 的形狀。
29. 如權(quán)利要求27或28所述的磁頭滑塊的制造裝置，其特征在于該裝置還具磨角度的研磨角度設(shè)定單元，并按照該研磨角度設(shè)定單元所設(shè)定的角度對(duì)所述長(zhǎng) 形條塊進(jìn)行研磨。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以制造出高品質(zhì)磁頭滑塊的方法，根據(jù)該制造方法可以精確地調(diào)整寫入元件及讀取元件的長(zhǎng)度。本發(fā)明提供的磁頭滑塊的制造方法，包括有在基體上層疊形成具有讀取元件及寫入元件之磁頭的積層形成工序、切出由多個(gè)具有所述磁頭的磁頭滑塊相連接而成的長(zhǎng)形條塊并對(duì)飛行面進(jìn)行研磨從而露出所述讀取元件及寫入元件的研磨工序、以及，從所述長(zhǎng)形條塊中切割出一個(gè)個(gè)磁頭滑塊的滑塊切割工序；其中，所述積層形成工序包括在設(shè)有所述讀取元件的相同層上形成根據(jù)被研磨程度而改變其輸出值的讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器的環(huán)節(jié)，同時(shí)還包括在設(shè)有所述寫入元件的相同層上形成根據(jù)研磨而改變其輸出值的寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的環(huán)節(jié)，而所述研磨工序則根據(jù)所述讀取元件用研磨量檢測(cè)傳感器及寫入元件用研磨量檢測(cè)傳感器的各個(gè)輸出值進(jìn)行研磨。
文檔編號(hào)G11B5/127GK101425295SQ200710170008
公開日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日
發(fā)明者小野寺郁人, 栗林雅浩, 王全保, 藤井隆司 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司