專利名稱：存儲器驅動電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路用于驅動根據(jù)電阻變化能具有兩個或更多狀態(tài)的電阻型存儲器。本發(fā)明還涉及一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路可包括連接到存儲器以控制存儲器的置位電阻(set resistance)的次驅動器(secondary driver)，該存儲器具有布置在第一電極和第二電極之間的存儲層。
背景技術：
根據(jù)數(shù)據(jù)壓縮和傳輸技術的近期發(fā)展，新的電子設備(例如便攜式終端、各種智能卡、電子貨幣、數(shù)碼相機、游戲存儲器、MP3播放器和/或多媒體播放器)的發(fā)展增多?？梢耘渲眠@樣的新電子設備以使用增加的信息量。對能夠存儲增加的數(shù)據(jù)量的各種存儲器的需求也已經(jīng)增大了。便攜式信息設備的更多使用已經(jīng)增大了對具有非易失特性的存儲器的需求，該存儲器即使在斷電狀態(tài)也能防止或減少記錄信息的擦除。大多數(shù)存儲器會包括雙穩(wěn)態(tài)元件，其根據(jù)接收的電壓可在較高電阻態(tài)和較低電阻態(tài)之間轉換。具有與電容型存儲器相對的概念的電阻型存儲器可包括根據(jù)施加到其上的電壓改變電阻的存儲器，且可與電阻變化相對應地存儲數(shù)據(jù)。
硫族化物(chalcogenide)材料、半導體、以及各種氧化物和氮化物可具有電阻存儲屬性。有機材料可具有電阻存儲屬性。電阻型存儲器可能具有增大的驅動電壓和電流、降低的耐用性和降低的薄膜處理性能的缺點。因為隨著材料工程的近期發(fā)展已經(jīng)克服了這樣的缺點，所以電阻型存儲器當前可以是非易失性、低功耗、高密度和多位操作的存儲器。這樣的電阻型存儲器的例子可包括相變RAM、有機存儲器、氧化物電阻型RAM(OxRAM)和/或金屬絲(filament)存儲器。
例如，將結合有機存儲器描述電阻型存儲器。有機存儲器可包括在上電極和下電極之間的有機存儲層?？稍谏虾拖码姌O互相交叉的位置形成提供雙穩(wěn)特性的存儲單元。
電阻型存儲器的存儲單元可具有兩種狀態(tài)，即對應于低電阻態(tài)的置位(set)態(tài)和對應于高電阻態(tài)的復位(reset)態(tài)。當假定數(shù)據(jù)“1”對應于低電阻態(tài)，且數(shù)據(jù)“0”對應于高電阻態(tài)時，可以存儲兩種邏輯狀態(tài)的數(shù)據(jù)。
在這樣的存儲器中，可以如下執(zhí)行數(shù)據(jù)的讀出?？梢詮拇鎯仃囘x擇一位線(bit line)和一字線(word line)，以選擇特定存儲單元。之后，可以從存儲器外界提供電流給該特定存儲單元。電壓變化會根據(jù)存儲單元中有機存儲層的電阻狀態(tài)而發(fā)生在該存儲單元中。根據(jù)該電壓變化，數(shù)據(jù)“0”或“1”可被讀出。
然而，在大多數(shù)存儲器中，因為置位態(tài)的電阻會較小，所以電壓變化的準確讀出會是困難的，除非使用單獨的放大器。這樣的存儲器配置會變得復雜。置位態(tài)電阻會不均勻。在讀取存儲單元的存儲器操作期間會產(chǎn)生錯誤。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施例提供一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路能自由地控制該驅動電路驅動的存儲器在置位狀態(tài)的電阻。示例性實施例提供一種存儲器驅動電路及其制造方法，該存儲器驅動電路可防止或減小該驅動電路驅動的存儲器的錯誤操作，由此實現(xiàn)操作可靠性的改善。
示例性實施例提供一種存儲器驅動電路，用于驅動包括第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器，該存儲器驅動電路可包括連接到存儲器以驅動存儲器的主驅動器；以及連接在存儲器和主驅動器之間以控制存儲器的置位電阻的次驅動器。主驅動器可包括I/O控制、列和行地址解碼器、以及WL(字線)驅動器。
次驅動器可外部連接到存儲器，或可內(nèi)部地形成在存儲器中。
次驅動器外部連接到存儲器時，次驅動器可包括連接到存儲器一端的第一二極管、并聯(lián)連接到第一二極管的第二二極管、以及串聯(lián)連接到第一二極管且并聯(lián)連接到第二二極管的電阻器。第一和第二二極管連接得被相反偏置。
電阻器可具有連接到主驅動器的第一端子、連接到第一二極管的第二端子。第一和第二二極管的每個可以是P-N二極管和/或肖特基二極管。
次驅動器內(nèi)部地形成在存儲器中時，次驅動器可以是在存儲器中的第一電極和存儲層之間的肖特基結。該肖特基結可包括接觸第二電極的金屬材料的半導體層。該肖特基結形成在金屬-半導體結處且它具有整流特性，適于用作二極管。該整流特性取決于金屬的功函數(shù)和半導體的帶隙。
根據(jù)示例性實施例，制造用于驅動包括第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路的方法可包括連接主驅動器到所述存儲器以驅動該存儲器，以及連接次驅動器在存儲器和主驅動器之間以控制存儲器的置位電阻。


將結合附圖從下面的詳細說明更清楚地理解本發(fā)明。圖1-6C示出這里描述的非限制性的示例性實施例。
圖1是示出根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路的圖；圖2是示出根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路的圖；圖3是曲線圖，示出在示例性實施例的存儲器驅動電路中存儲單元電阻和施加的電壓之間的關系；圖4是曲線圖，示出在示例性實施例的存儲器驅動電路中通過次驅動器實施的根據(jù)置位電阻變化所獲得的結果；圖5A是曲線圖，示出根據(jù)跨應用示例性實施例的有機存儲器施加的電壓的電流變化；圖5B是曲線圖，示出對應于圖5A的電流變化，根據(jù)跨該有機存儲器施加的電壓的電阻變化；以及圖6A到6C是曲線圖，分別示出通過示例性實施例的存儲器驅動電路驅動的存儲器的存儲特性。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地說明各種示例性實施例，附圖中示出一些示例性實施例。在附圖中，為了清楚而放大了層的厚度和區(qū)域。
這里公開詳細的例證性的示例性實施例。這里公開的特定結構和功能細節(jié)僅是代表性的，用于說明示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多替代形式實現(xiàn)，不應解釋為僅局限于這里提出的示例性實施例。
因此，雖然本發(fā)明可以是各種修改和替代形式的，但是其實施例在圖中以示例方式示出，且將在這里詳細描述。然而，應理解，無意將本發(fā)明限定于這里公開的特定形式，相反，本發(fā)明將覆蓋落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的全部修改、等價物和替代。附圖的描述中相似的附圖標記始終表示相似的元件。
將理解，盡管術語第一、第二、第三等可在此用于描述各種元件、組元、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組元、區(qū)域、層和/或部分不應受到這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組元、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面論述的第一元件、組元、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組元、區(qū)域、層或部分而不偏離本發(fā)明的范圍。這里使用時，術語“和/或”包括相關所列項的一個或更多的任意和全部組合。
將理解，當提及元件“連接”或“耦合”到另一元件時，它可以直接連接或耦合到其它元件，或者可存在居間元件。相反，當提及元件“直接連接”或“直接耦合”到另一元件時，不存在居間元件。用于描述元件之間的關系的其他詞語應以類似方式解釋(例如“在...之間”與“直接在...之間”，“相鄰”與“直接相鄰”等)。
在此使用的術語僅用于描述特定的實施例，無意限制示例性實施例。在此使用時，單數(shù)形式“一”和“該”意在也包括復數(shù)形式，除非上下文另外清楚描述。還將理解，在此使用時，術語“由...構成”、“包括”指明所述特征、整體、步驟、操作、元件、和/或組元的存在，但是不排除一個或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、組元和/或其組群的存在或添加。
將理解，盡管術語第一、第二、第三等可在此用于描述各種元件、組元、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組元、區(qū)域、層和/或部分不應受到這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組元、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面論述的第一元件、組元、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組元、區(qū)域、層或部分而不偏離本發(fā)明的范圍。
為了說明方便，空間關系術語，例如“下面”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，可在此用于描述如圖所示的一個元件或特征相對另一元件或特征的關系。將理解，空間關系術語意在包括除了圖中所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件翻轉，則描述為在另一元件或特征“之下”或“下面”的元件將取向在另一元件或特征“之上”。因此，例如，術語“之下”可包括之上以及之下兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉90度或者在其他取向觀察或參考)，這里使用的空間關系描述應相應地理解。
在此參照作為理想實施例(和中間結構)的示意圖的剖視圖描述示例性實施例。由此，可以預期例如由于制造技術和/或公差導致的圖示形狀的變化。因此，示例性實施例不應理解為局限于這里所示的區(qū)域的特定形狀，而是可包括例如制造導致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)可在其邊緣具有圓或彎曲的特征和/或梯度(例如注入濃度梯度)，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的突變。類似地，通過注入形成的掩埋區(qū)會導致在掩埋區(qū)和通過其進行注入的表面之間的一些注入。因此，圖示的區(qū)域是屬性示意，其形狀不是必須示出器件的區(qū)域的實際形狀，且不限制本發(fā)明的范圍。
除非另外定義，在此使用的所有術語(包括科技術語)具有由本發(fā)明所屬領域普通技術人員的一般理解相同的含義。還將理解，術語，例如一般使用的字典中定義的那些，應解釋為具有與其在相關技術背景中的含義一致的含義，且不在理想化或過于正式的意義上理解，除非這里清楚地這樣定義。
肖特基二極管可以是具有較低的正向電壓降和更迅速的開關動作的半導體二極管。
示例性實施例提供一種用于驅動存儲器的電路，所述存儲器包括第一電極、第二電極、以及置于第一和第二電極之間的存儲層。該驅動電路可包括用于驅動存儲器的主驅動器，和連接在存儲器和主驅動器之間用于控制存儲器的置位電阻的次驅動器。
圖1是示出根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路的圖。參照圖1，存儲器驅動電路可用來驅動存儲器100，且可包括主驅動器200和次驅動器300。次驅動器300可連接在存儲器100和主驅動器200之間，以控制存儲層120的置位電阻。存儲層120意味著可使用在有機存儲器中的有源層或可使用在任何其它類型的存儲器中的存儲層，只要它可根據(jù)電阻變化具有兩種或更多種狀態(tài)。
可以使用各種方法實施示例性實施例的存儲器驅動電路中的次驅動器300。例如，次驅動器300可外部連接到存儲器100，或者可以內(nèi)部地形成于存儲器100中。
當根據(jù)示例性實施例次驅動器300外部連接到存儲器100時，次驅動器300可包括兩個二極管和一個電阻器，如圖1所示。詳細地，次驅動器300可包括連接到存儲器100一端的第一二極管310、并聯(lián)連接到第二二極管320的第二二極管320、以及并聯(lián)連接到第二二極管320的電阻器330。連接第一和第二二極管310和320使得當電壓施加到其上時它們相反地偏置。因此，當正電壓提供到次驅動器300時，電流僅流經(jīng)第一二極管310。沒有電流流經(jīng)第二二極管320。
在示例性實施例中，對可用作第一二極管310和/或第二二極管320的二極管沒有限制。P-N二極管和/或肖特基二極管可用作第一二極管310和/或第二二極管320。盡管P-N二極管的正向導通電壓是約0.6V到約0.7V，肖特基二極管使用肖特基勢壘可具有減小到約0.2V到約0.3V的正向導通電壓。當存儲器使用減小的導通電壓時，可對應地減小存儲器的讀取電壓。在示例性實施例中，使用同類二極管實施第一和第二二極管310和320。
根據(jù)示例性實施例，次驅動器300可內(nèi)部地形成在存儲器100中。在圖2中示出根據(jù)該實施例的存儲器驅動電路。如圖2所示，可以以存儲器100的第一電極110和存儲層120之間的肖特基結的形式制造次驅動器300。半導體層可通過沉積和/或涂覆半導體在第一電極110的金屬表面之上而附著到第一電極110的金屬表面。
如上所述，存儲器100具有其中存儲層120置于第一電極110和第二電極130之間的結構。當電壓提供到具有上述結構的存儲器100時，存儲層120可呈現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)電阻。存儲層120可呈現(xiàn)存儲特性。當具有由有機材料制成的存儲層的有機存儲器時，可借助有機材料的屬性而呈現(xiàn)存儲特性。存儲器可呈現(xiàn)非易失特性。
在示例性實施例的存儲器驅動電路中，可以沒有對存儲器100的存儲層120的材料的特定限制。存儲層120的材料可以取決于存儲器100的轉換方法。例如，根據(jù)存儲器電極之間的金屬絲的連接或斷開操作的有機存儲器，其存儲層可以由具有雜原子(heteroatom)的導電聚合物制成。
可替換地，當表現(xiàn)出約10-12S/cm或更小的電導率時，存儲層120可由具有雜原子的非導電有機材料制成。當正電壓提供給存儲器100時，根據(jù)離子化會從第二電極130釋放(liberate)金屬離子。在一定的電偏置下，釋放的金屬離子可擴散(漂移)到存儲層120中，使得存儲層120的電導率可由于存儲層120中金屬離子的分布而變化。結果，存儲層120可呈現(xiàn)存儲特性。這樣的有機材料的例子包括聚(2-乙烯吡啶)(poly(2-vinyl pyridine))、聚(4-乙烯吡啶)(poly(4-vinyl pyridine))、聚乙烯基砒絡烷酮(polyvinylpyrolidone)、聚丙烯胺(polyallylamine)、聚乙烯胺(polyethyleneamine)、聚丙烯酰胺(polyacrylamide)、聚酰胺胺(polyamidoamine)、以及聚酰亞胺(polyimide)?？商鎿Q地，所釋放的金屬離子的一些或全部可引入在存儲層中，由此減小或消除自第二電極的金屬離子擴散的需要。
可由金屬(例如金、銀、鉑、銅、鈷、鎳、錫、鋁、銦錫氧化物、鈦和/或其它導電材料)制成第一和第二電極110和130。
主驅動器200在其一端可連接到存儲器100，且在其另一端可連接到次驅動器300。通過經(jīng)由次驅動器300施加脈沖電壓到存儲器100，主驅動器200可驅動存儲器100。
可以以存儲矩陣的形式實施存儲器100。這樣的存儲矩陣可形成在由玻璃和/或硅制成的合適的襯底上。存儲矩陣可具有公共字線，以使得能夠在多個單元中存儲和記錄數(shù)據(jù)，并讀出和擦除所存儲和/或記錄的數(shù)據(jù)。對于襯底，可以使用一般的有機和/或無機襯底。可以使用柔性襯底。
下文中，將結合例如上述存儲器描述根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路的操作，上述存儲器中根據(jù)存儲層中金屬離子的分布發(fā)生電阻變化。
連接次驅動器300的第一和第二二極管310和320使得當提供電壓給存儲器100時它們相反地偏置。電阻器330可串聯(lián)連接到第一二極管310?？刹贾玫谝缓偷诙O管310和320使得當提供正電壓給存儲器時，與電阻器330連接的第一二極管310可被正向偏置，第二二極管320可被相反地偏置。因此，當施加正電壓時，存儲器100經(jīng)由電阻器330接收電壓。當施加負電壓時，存儲器100可直接接收電壓，不經(jīng)過電阻器330。
當跨存儲器100施加正電壓時，串聯(lián)連接到電阻器330的第一二極管310可被正向偏置。結果，所施加的電壓可提供給存儲器100的特定存儲單元，從而導致存儲單元的電阻減小。當存儲單元的電阻達到與次驅動器300的電阻器330的電阻相同的值時，根據(jù)歐姆定律，所施加的電壓會突然減小到其一半的值。例如，如圖3所示，當施加約10V的電壓時，所施加的電壓在存儲單元的電阻達到與次驅動器300的電阻器330的電阻(106Ω)相同的值時會突然減小到約5V。
當所施加的電壓如上所述地減小時，借助于金屬離子的分布呈現(xiàn)電阻型存儲特性的存儲器100的單元中移動金屬離子的力，如上所述，會變?nèi)?。存儲單元的電阻可固定在減小的值。例如，當外部施加約2V的電壓約一秒時，在約0.1秒內(nèi)存儲單元的電阻可減小到與次驅動器300的電阻器330的電阻對應的值。因此，約2V的電壓可施加到存儲單元僅約0.1秒。對于其余的約0.9秒，約1V的電壓可施加到存儲單元。結果，金屬離子的移動可被抑制，由此導致存儲單元的電阻被固定而沒有任何變化。
圖4是曲線圖，示出根據(jù)次驅動器300的電阻器330的電阻的變化存儲單元的電阻變化。如圖4所示，在示例性實施例的存儲器驅動電路中，可以通過調節(jié)次驅動器300的電阻器330的電阻調節(jié)存儲單元的置位電阻。當置位電阻不期望地高時，會有一個問題，驅動存儲器100所需的功耗會不期望地增大。這可以通過利用次驅動器300調節(jié)存儲單元的置位電阻來解決。
如上所述，根據(jù)示例性實施例，當經(jīng)由主驅動器200跨存儲器100施加適當?shù)碾妷簳r，存儲層120可在高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)之間轉換。當根據(jù)該電壓應用，金屬離子在第一電極110和第二電極130之間的存儲層120中均勻地擴散時，存儲層120可轉換到與高電阻狀態(tài)對應的復位狀態(tài)。當金屬離子朝向第一電極110移動時，存儲層120可轉換到與高電阻狀態(tài)對應的置位狀態(tài)。例如，當假定數(shù)據(jù)“1”對應于低電阻狀態(tài)，且數(shù)據(jù)“0”對應于高電阻狀態(tài)時，可以存儲兩種邏輯狀態(tài)的數(shù)據(jù)。
圖5A和5B是曲線圖，示出通過示例性實施例的存儲器驅動電路驅動的存儲器的存儲特性。在圖5A的曲線圖中，水平軸表示在第二電極用作陽極的條件下施加在第二電極和第一電極之間的電壓，垂直軸表示流經(jīng)存儲層的電流。
圖5A和5B示出在評估根據(jù)示例性實施例制造的有機存儲器的轉換特性之后，作為跨有機存儲器施加電壓時發(fā)生的電流變化所獲得的結果。詳細地，圖5A是曲線圖，示出根據(jù)跨有機存儲器施加的電壓的電流變化。圖5B是曲線圖，示出與圖5A的電流變化相對應，根據(jù)跨有機存儲器施加的電壓的電阻變化。圖5A和5B的結果是當包括兩個二極管和一個電阻器(圖1)的電路可被使用時獲得的。
參照圖5A，當使用具有約10-12S/cm或更小電導率的有機材料制造的有機存儲器時，存儲器根據(jù)施加的電壓在高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)之間轉換。
參照圖5A，還可以看出，示例性實施例的有機存儲器的電流-電壓特性以滯后特性的形式呈現(xiàn)。
有機存儲器在初始狀態(tài)可呈現(xiàn)低電導率，因此它可保持在截止(OFF)狀態(tài)。換句話說，除非跨有機存儲器施加的電壓可高于約3.8V，有機存儲器可保持在截止狀態(tài)(圖5A的①)。
當施加的電壓高于約3.8V時，電流可突然流經(jīng)存儲器。結果，存儲器可轉換到高導電狀態(tài)，即導通(ON)狀態(tài)(圖5A的②)。隨著所施加的電壓隨后下降到約0V，流經(jīng)存儲器的電流可線性減小(圖5A的③)。隨著所施加的電壓可進一步下降到-1V，存儲器的電阻可稍微減小。結果，電流梯度會增大(圖5A的④)。這是因為施加正電壓期間產(chǎn)生的外電阻在施加負電壓期間消失。在-1V的施加電壓處，會進行電阻轉換，使得存儲器可以在高電阻狀態(tài)(圖5A的⑤)。然后存儲器可維持在高電阻狀態(tài)。
代替包括兩個二極管和一個電阻器的電路，也可以使用包括一個肖特基二極管的電路(圖2)獲得上述存儲特性。在該情況下獲得的結果示于突6A至6C中。獲得的結果類似于圖5A的那些。因為肖特基二極管的反向電阻是約107Ω，所以置位電阻是約107Ω。參照圖6B，可以看出在置位狀態(tài)存儲器的電阻可以與肖特基二極管的反向電阻相同。在-4V的施加電壓下存儲器可再次轉換到高電阻狀態(tài)。在該狀態(tài)，存儲器可執(zhí)行存儲功能。每個狀態(tài)中的非易失特性示于圖6C中。
圖6B是曲線圖，通過電阻和電壓之間的關系示出圖6A所示的特性。圖6C是曲線圖，通過根據(jù)時間的電阻變化示出圖6A所示的特性。如圖6C所示，根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路，可以將存儲器的置位電阻維持在期望的值。
盡管為了示例目的而公開了示例性實施例，本領域技術人員將意識到，各種修改、添加和替換是可行的，而不偏離所附權利要求書的范圍和思想。
從上述說明顯見，示例性實施例的存儲器驅動電路可以自由地調節(jié)存儲器的置位電阻，當置位電阻不期望地低時，可以增大置位電阻而不使用放大器。當置位電阻不期望地高時，可以適當?shù)販p小置位電阻。
根據(jù)示例性實施例的存儲器驅動電路，還可以維持存儲單元的電阻在期望的值。因此，可以實現(xiàn)存儲器的操作可靠性的改善。
本申請要求2006年5月22日向韓國知識產(chǎn)權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2006-0045631的優(yōu)先杈，在此引用其全部內(nèi)容作為參考。
權利要求
1.用于驅動包括第一電極、第二電極、以及該第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路，包括主驅動器，連接到該存儲器，以驅動該存儲器；以及次驅動器，連接在該存儲器和該主驅動器之間，以控制該存儲器的置位電阻。
2.根據(jù)權利要求1的存儲器驅動電路，其中該次驅動器外部連接到該存儲器。
3.根據(jù)權利要求2的存儲器驅動電路，其中該次驅動器包括連接到該存儲器一端的第一二極管；并聯(lián)連接到該第一二極管的第二二極管；以及串聯(lián)連接到該第一二極管且并聯(lián)連接到該第二二極管的電阻器，其中該第一和第二二極管連接得被相反地偏置。
4.根據(jù)權利要求3的存儲器驅動電路，其中該第一和第二二極管的每個是P-N二極管或肖特基二極管。
5.根據(jù)權利要求1的存儲器驅動電路，其中該次驅動器是該存儲器中的該第一電極和該存儲層之間的肖特基結。
6.根據(jù)權利要求5的存儲器驅動電路，其中該肖特基結是接觸該第二電極的金屬材料的半導體。
7.根據(jù)權利要求1的存儲器驅動電路，其中該存儲器的存儲層由呈現(xiàn)約10-12S/cm或更小的電導率的具有雜原子的有機材料制成。
8.根據(jù)權利要求7的存儲器驅動電路，其中該有機材料是從包括聚(2-乙烯吡啶)、聚(4-乙烯吡啶)、聚乙烯基砒絡烷酮、聚丙烯胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺、以及聚酰亞胺的組中選擇的聚合物。
9.根據(jù)權利要求1的存儲器驅動電路，其中該第一和第二電極之一由從金、銀、鉑、銅、鈷、鎳、錫、鋁、銦錫氧化物、以及鈦中選擇的材料制成。
10.一種制造用于驅動包括第一電極、第二電極、以及該第一電極和該第二電極之間的存儲層的存儲器的存儲器驅動電路的方法，包括連接主驅動器到該存儲器，以驅動該存儲器；以及連接次驅動器在該存儲器和該主驅動器之間，以控制該存儲器的置位電阻。
11.根據(jù)權利要求10的方法，其中該次驅動器外部連接到該存儲器。
12.根據(jù)權利要求11的方法，其中該次驅動器包括連接到該存儲器一端的第一二極管；并聯(lián)連接到該第一二極管的第二二極管；以及串聯(lián)連接到該第一二極管且并聯(lián)連接到該第二二極管的電阻器，其中該第一和第二二極管連接得被相反偏置。
13.根據(jù)權利要求12的方法，其中該第一和第二二極管的每個是P-N二極管或肖特基二極管。
14.根據(jù)權利要求10的方法，其中該次驅動器是該存儲器中的該第一電極和該存儲層之間的肖特基結。
15.根據(jù)權利要求14的方法，其中該肖特基結是接觸該第二電極的金屬材料的半導體。
16.根據(jù)權利要求10的方法，其中該存儲器的該存儲層由呈現(xiàn)約10-12S/cm或更小的電導率的具有雜原子的有機材料制成。
17.根據(jù)權利要求16的方法，其中該有機材料是從包括聚(2-乙烯吡啶)、聚(4-乙烯吡啶)、聚乙烯基砒絡烷酮、聚丙烯胺、聚乙烯胺、聚丙烯酰胺、聚酰胺胺、以及聚酰亞胺的組中選擇的聚合物。
18.根據(jù)權利要求10的方法，其中該第一和第二電極之一由從金、銀、鉑、銅、鈷、鎳、錫、鋁、銦錫氧化物、以及鈦中選擇的材料制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種存儲器驅動電路，其驅動包括第一電極、第二電極、以及置于第一電極和第二電極之間的存儲層的存儲器。該存儲器驅動電路可包括連接到存儲器以驅動存儲器的主驅動器，和連接在存儲器和主驅動器之間以控制存儲器的置位電阻的次驅動器。該存儲器驅動電路可自由地調節(jié)存儲器的置位電阻，以維持存儲器的電阻在期望的值。因此，可以實現(xiàn)存儲器的操作可靠性的改善。
文檔編號G11C13/00GK101079319SQ20071012924
公開日2007年11月28日 申請日期2007年3月12日 優(yōu)先權日2006年5月22日
發(fā)明者周原提, 李相均 申請人:三星電子株式會社