專利名稱：小型電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及小型半導(dǎo)體器件，特別涉及電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
提高電子產(chǎn)品的電性能，減小電子產(chǎn)品的體積和重量是人們不斷追逐的目標(biāo)。使半導(dǎo)體器件小型化，提高集成電路的集成度是達(dá)到這個(gè)目標(biāo)中極其重要的工作。
要想提高集成電路的集成度必須使各個(gè)元件所占據(jù)的面積盡可能地小，構(gòu)成半導(dǎo)體器件的各個(gè)構(gòu)成部分的尺寸要盡可能地小，而且構(gòu)成半導(dǎo)體器件的各個(gè)構(gòu)成部分的布局要盡可能地緊湊。
就電可擦可編程只讀存儲器(以下簡稱EEPROM)矩陣最終的有效位單元而言，位選擇柵布局極其關(guān)鍵。位選擇柵的寬度及其布局是能否減小電可擦可編程只讀存儲器的重要因素?，F(xiàn)有的EEPROM中的各個(gè)控制柵(CG)和信號柵分別有連接接點(diǎn)，因此，所占據(jù)的面積大，從而不能減小電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)矩陣最終的有效位單元。

發(fā)明內(nèi)容
為了減小電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)矩陣最終的有效位單元，提出本發(fā)明。因此，本發(fā)明的目的是，提供一種允許有更小的位選擇柵寬度的關(guān)鍵元件單元(Essential Element Cell，以下簡稱EEcell)以能構(gòu)成更小的電可擦可編程只讀存儲器有效位單元(EEPROM effectivebitcell)。
按照本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案，提供一個(gè)加大的接點(diǎn)(Butted Contact)代替兩個(gè)接點(diǎn)，加大的接點(diǎn)可以被兩個(gè)相鄰的信號柵公用。從而減小了兩個(gè)相鄰的信號柵之間的間隔和接點(diǎn)占據(jù)的面積。使位選擇柵的寬度減小。能構(gòu)成更小的EEPROM矩陣結(jié)構(gòu)。提高了EEPROM矩陣的集成度。


附圖是說明書的一個(gè)組成部分，與說明書的文字部分一起說明本發(fā)明的原理和特征，附圖中顯示出代表本發(fā)明原理和特征的實(shí)施例。附圖中相同的部分用相同的符號指示。其中，圖1是說明現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是說明現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中信號柵-信號柵接點(diǎn)布局的示意圖；圖3是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-加大的雙信號柵接點(diǎn)的示意圖；圖4是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-加大的雙信號柵接點(diǎn)的局部放大示意圖；和圖5是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-雙信號柵加大的接點(diǎn)的示意圖。
附圖中用的符號所指示的內(nèi)容說明CG-控制柵；SG-信號柵；BSG-字節(jié)信號柵；Butted CT-加大的控制柵；P+Pickup-P型襯底引線；Vss-源極電壓；AA-有源區(qū)；具體實(shí)施方式
圖1是說明現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是說明現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中信號柵-信號柵接點(diǎn)布局的示意圖。圖3是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-雙信號柵加大的接點(diǎn)的示意圖。圖4是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-加大的雙信號柵接點(diǎn)的局部放大示意圖。和圖5是說明按本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-雙信號柵加大的接點(diǎn)的示意圖。
現(xiàn)在參見附圖詳細(xì)說明按本發(fā)明的小型電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)。
從圖1和圖2看到，每信號柵和控制柵都設(shè)置有接點(diǎn)(CT)，因此，現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中的位選擇柵寬度不能更小?？刂茤?CG)方向的尺寸不能減小。
圖3、圖4和圖5顯示出按照本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中雙信號柵布局-雙信號柵加大的接點(diǎn)布局。從圖3到圖5看到，由于采用信號柵加大的接點(diǎn)代替分別為每個(gè)信號柵設(shè)置的接點(diǎn)，兩個(gè)相鄰的信號柵公用一個(gè)加大的接點(diǎn)，按照本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)中包括多個(gè)電可擦可編程只讀存儲器，每個(gè)電可擦可編程只讀存儲器采用加大的接點(diǎn)(Butted CT)連接相鄰的兩個(gè)信號柵，本發(fā)明提出的加大的接點(diǎn)(Butted CT)是關(guān)鍵元件單元(EEcell)，從而，減小了控制柵(CG)方向的尺寸，用它能構(gòu)成更小的電可擦可編程只讀存儲器矩陣有效位單元(EEPROM effective bitcell)。提高了電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度。與現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度相比，按照本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度可以提高5％～15％。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)電可擦可編程只讀存儲器，其特征是，每個(gè)電可擦可編程只讀存儲器采用加大的接點(diǎn)(ButtedCT)連接相鄰的兩個(gè)信號柵，加大的接點(diǎn)(Butted CT)作為關(guān)鍵元件單元(EEcell)，減小了控制柵(CG)方向的尺寸，用它能構(gòu)成更小的電可擦可編程只讀存儲器矩陣有效位單元(EEPROM effective bitcell)，與現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度相比，按照本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度可以提高5％～15％。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電可擦可編程只讀存儲器矩陣結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)電可擦可編程只讀存儲器，其特征是，每個(gè)電可擦可編程只讀存儲器采用加大的接點(diǎn)(Butted CT)連接相鄰的兩個(gè)信號柵，加大的接點(diǎn)(Butted CT)作為關(guān)鍵元件單元(EEcell)，減小了控制柵(CG)方向的尺寸，用它能構(gòu)成更小的電可擦可編程只讀存儲器矩陣有效位單元(EEPROM effective bitcell)，與現(xiàn)有的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度相比，按照本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器矩陣的集成度可以提高5％～15％。
文檔編號G11C16/02GK1691205SQ20041001778
公開日2005年11月2日 申請日期2004年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月21日
發(fā)明者詹奕鵬, 劉梅 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司