專利名稱：多層高密度記錄介質(zhì)及其光功率調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層高密度記錄介質(zhì)及其光功率調(diào)節(jié)方法。
背景技術(shù)：
最近，作為新的高密度可重寫光盤并且能夠長時(shí)間記錄高質(zhì)量視頻和音頻數(shù)據(jù)的可重寫藍(lán)光盤(在下文中稱為BD-RE)的標(biāo)準(zhǔn)化正在快速發(fā)展之中。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)化完成時(shí)，將會在市場上出現(xiàn)BD-RE的相關(guān)產(chǎn)品。
如圖1所示，單層BD-RE盤的數(shù)據(jù)記錄層位于在與包含在光拾取器中的物鏡11垂直的方向上與盤表面距離0.1mm的位置上。
為了在BD-RE的記錄層上記錄數(shù)據(jù)和從中再現(xiàn)數(shù)據(jù)，包含在光拾取器中的激光二極管(LD)13的激光功率將根據(jù)操作模式進(jìn)行調(diào)節(jié)，其將在下面詳細(xì)描述。
圖2示出了記錄在傳統(tǒng)的單層BD-RE的引入?yún)^(qū)中的盤信息的表。該引入?yún)^(qū)包含預(yù)記錄區(qū)域和可重寫區(qū)域，且預(yù)記錄區(qū)域包括PIC(固定信息和控制)數(shù)據(jù)區(qū)。
如圖2所示，諸如盤信息ID、盤結(jié)構(gòu)以及用于調(diào)節(jié)讀功率的最大DC讀功率和最大高頻調(diào)制讀功率的信息被記錄在PIC數(shù)據(jù)區(qū)中。
同樣，用于調(diào)節(jié)寫功率的標(biāo)稱記錄速度上的寫功率設(shè)置、最大記錄速度上的寫功率設(shè)置和最小記錄速度上的寫功率設(shè)置被記錄在PIC數(shù)據(jù)區(qū)中。
在開始再現(xiàn)記錄在BD-RE的記錄層上的數(shù)據(jù)或在BD-RE的記錄層上記錄數(shù)據(jù)之前，通過引用存儲在PIC數(shù)據(jù)區(qū)中的盤信息，光盤裝置(在其中放有具有如圖2所示的信息的BD-RE)將把流經(jīng)含在光拾取器中的LD的電流流量調(diào)節(jié)為較佳地適用于當(dāng)前的操作模式。
另一方面，現(xiàn)已提出了具有兩倍于單層BD-RE盤的存儲容量的雙層BD-RE盤。該雙層BD-RE具有彼此間隔規(guī)定的距離(d2)的兩個(gè)記錄層，即層1和層2，如圖3所示。
該LD 13的光功率需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)，以采用于單層盤的情況相同的方式在層上記錄數(shù)據(jù)或再現(xiàn)層上的數(shù)據(jù)。如果記錄只用于一個(gè)層的光功率相關(guān)信息或者對于兩個(gè)層采用相同的光功率，則兩個(gè)層的其中一個(gè)的記錄/再現(xiàn)性能很可能會下降。例如，假定設(shè)置為適用于層1的光讀功率被用來讀取記錄在層2上的數(shù)據(jù)。被層2反射的激光光束的一部分會再次被位于下面的層1反射。同樣，由LD 13發(fā)出的激光光束的一部分在達(dá)到層2之前被層1反射，這造成了光損耗。由于這些原因，雖然可以成功地再現(xiàn)層1上的數(shù)據(jù)，但是不能成功地讀出記錄在層2上的數(shù)據(jù)。
因而，需要分別地為每個(gè)記錄層保存光功率相關(guān)信息。用于層1的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)被存儲在層1的引入?yún)^(qū)中，且用于層2的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)被存儲在層2的引出區(qū)中。當(dāng)在層1上進(jìn)行再現(xiàn)/讀出操作期間出現(xiàn)從層1到層2的跳轉(zhuǎn)時(shí)，在層2上的再現(xiàn)/讀取操作在跳轉(zhuǎn)之后不能立即開始，而直到記錄在層2的引出區(qū)上的光功率相關(guān)信息被訪問的時(shí)候才能開始。
發(fā)明內(nèi)容
在解決上述需求的努力中，本發(fā)明的目的是提供一種多層高密度記錄介質(zhì)和一種對其進(jìn)行光功率調(diào)節(jié)的方法。在具有高密度記錄介質(zhì)的光功率調(diào)節(jié)方法中，在執(zhí)行層跳轉(zhuǎn)(jump)操作之后，能夠立即把光功率調(diào)節(jié)為較佳的適用于每個(gè)記錄層，因此允許在層跳轉(zhuǎn)之后快速開始讀/寫操作。
根據(jù)本發(fā)明的高密度光盤包含用于多個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。
根據(jù)本發(fā)明的光功率調(diào)節(jié)方法包含以下步驟從放置在裝置中的多層光盤中讀出用于所有記錄層中的光功率調(diào)節(jié)信息，并存儲該光功率調(diào)節(jié)信息；搜索已存儲的信息，以找出用于作為所請求的再現(xiàn)/記錄操作的目標(biāo)的記錄層的光功率調(diào)節(jié)信息；以及通過引用找到的光功率調(diào)節(jié)信息，把光功率設(shè)置成適用于該記錄層。
根據(jù)本發(fā)明的另一光功率調(diào)節(jié)方法包含以下步驟從放置在裝置中的多層光盤中讀出用于所有記錄層的光功率調(diào)節(jié)信息和在存儲裝置中存儲該光功率調(diào)節(jié)信息；以及在記錄層上進(jìn)行記錄或再現(xiàn)期間出現(xiàn)跳轉(zhuǎn)至另一記錄層的情況下，通過引用存儲在存儲裝置中的光功率調(diào)節(jié)信息而不用訪問光盤的方式，把光功率設(shè)置為適用于作為跳轉(zhuǎn)操作的目標(biāo)的記錄層，以及在目標(biāo)記錄層上繼續(xù)記錄或再現(xiàn)操作。
根據(jù)本發(fā)明的高密度多層光盤和光功率調(diào)節(jié)方法提供了快速的光功率調(diào)節(jié)能力，因此防止了甚至在層跳轉(zhuǎn)的情況下出現(xiàn)記錄/再現(xiàn)操作的瞬時(shí)暫停。
圖1示出了單層盤和用于訪問盤的光拾取器的結(jié)構(gòu)；圖2示出了記錄在單層BD-RE的引入?yún)^(qū)中的盤信息的表；圖3示出了雙層盤和用于訪問盤的光拾取器的結(jié)構(gòu)；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的分配給高密度雙層光盤的引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的PIC數(shù)據(jù)區(qū)；
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的存儲在于雙層光盤中分配的PIC數(shù)據(jù)區(qū)中的盤信息的表；圖6示出了可以在其中有利地體現(xiàn)本發(fā)明的光盤裝置；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光功率調(diào)節(jié)方法的流程圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的光功率調(diào)節(jié)方法的流程圖；以及圖9a和9b示出了ADIP字的結(jié)構(gòu)，在其中存儲了用于多個(gè)記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。
具體實(shí)施例方式
為了充分地理解本發(fā)明，下面將參考附圖對其優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的雙層BD-RE盤的結(jié)構(gòu)，其中，盤的引入?yún)^(qū)和引出區(qū)分別位于層1和層2上，且每個(gè)層在盤的外直徑上具有外區(qū)(outer zone)。
層1的引入?yún)^(qū)和層2的引出區(qū)包含分開的PIC數(shù)據(jù)區(qū)，PIC數(shù)據(jù)區(qū)包含相同的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)，其用于調(diào)節(jié)用于兩個(gè)記錄層的讀/寫光功率。
換言之，記錄在層1的引入?yún)^(qū)和層2的引出區(qū)中的PIC數(shù)據(jù)區(qū)包含相同的盤信息。如圖5所示，該盤信息包含盤信息ID和盤結(jié)構(gòu)信息。盤結(jié)構(gòu)信息是標(biāo)識雙層光盤的識別號碼。該識別號碼可以表示記錄層的個(gè)數(shù)。例如，‘0000 0011’表示三層盤，‘0000 0010’表示雙層盤，以及‘0000 0001’表示單層盤。
該盤信息進(jìn)一步包含用于層1的最大DC讀功率和用于層2的最大DC讀功率、用于層1的最大高頻調(diào)制讀功率以及用于層2的最大高頻調(diào)制的讀功率，所有的信息都用于調(diào)節(jié)層1和層2的讀功率。
該盤信息還包含用于層1的標(biāo)稱記錄速度上的寫功率設(shè)置、用于層2的標(biāo)稱記錄速度上的寫功率設(shè)置、用于層1的最大記錄速度上的寫功率設(shè)置、用于層2的最大記錄速度上的寫功率設(shè)置、用于層1的最小記錄速度上的寫功率設(shè)置以及用于層2的最小記錄速度上的寫功率設(shè)置，所有的信息都用于調(diào)節(jié)層1和層2的寫功率。
在三層光盤的情況下，該盤信息包含對應(yīng)于三個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率相關(guān)信息。同樣，在N層光盤的情況下，該盤信息包含對應(yīng)于N個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率相關(guān)信息。
圖6示出了體現(xiàn)本發(fā)明的諸如視頻盤記錄器(VDR)的光盤裝置的框圖。該光盤裝置包含光拾取器50，用于從雙層BD-RE盤200中讀出記錄的信號或者用于把外部輸入的數(shù)據(jù)記錄在BD-RE盤200上；VDR系統(tǒng)51，用于處理從光拾取器50接收的信號或者用于把輸入數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)換成用于記錄而格式化的數(shù)據(jù)流；以及編碼器52，用于對外部模擬輸入信號進(jìn)行編碼并輸出編碼的信號至VDR系統(tǒng)51。
圖7示出了在如圖6所示的光盤裝置中把數(shù)據(jù)記錄在雙層BD-RE盤200上和從中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的流程圖。
當(dāng)插入雙層BD-RE盤200時(shí)，該VDR系統(tǒng)51開始盤加載操作(S10)。
然后，光盤裝置通過移動(dòng)光拾取器50來訪問位于雙層BD-RE 200的層1上的引入?yún)^(qū)(S11)，并執(zhí)行讀出記錄在引入?yún)^(qū)中的盤信息和缺陷地址管理信息(稱為‘DMA’)、以及存儲該讀出的信息在包含在光盤裝置的存儲器(未在圖6中示出)中的預(yù)讀/預(yù)寫操作(S12)。通過預(yù)讀/預(yù)寫操作一次性地讀出光功率相關(guān)信息。
如果收到對在BD-RE 200上記錄數(shù)據(jù)或者再現(xiàn)BD-RE 200上的數(shù)據(jù)的請求(S13)，則VDR系統(tǒng)51檢查該請求是對哪一層發(fā)出。
如果該請求與層1相關(guān)聯(lián)(S14)，則VDR系統(tǒng)51搜索存儲在存儲器中用于層1的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)的盤信息(S15)。
然后，根據(jù)讀出的用于層1的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)，光盤裝置對包含在光拾取器50中的LD的讀/寫光功率進(jìn)行調(diào)節(jié)(S16)。
在光功率調(diào)節(jié)操作結(jié)束后，該光盤裝置開始在層1上進(jìn)行所請求的讀/寫操作(S17)。
如果收到的讀出數(shù)據(jù)或記錄數(shù)據(jù)的請求與層2相關(guān)聯(lián)，則VDR系統(tǒng)51搜索存儲在存儲器中的包含在盤信息中的用于層2的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)的盤信息(S18)，根據(jù)讀出的用于層2的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)，對LD的讀/寫光功率進(jìn)行調(diào)節(jié)(S19)，以及執(zhí)行所請求的讀/寫操作(S20)。
如果正在執(zhí)行讀/寫操作的時(shí)候收到對層跳轉(zhuǎn)的請求(S21)，例如從層1轉(zhuǎn)移到層2，則在層2上開始讀/寫操作之前(S23)，VDR系統(tǒng)51通過參考存儲在存儲器中的用于層2的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，把LD的光功率調(diào)節(jié)為適用于層2(S22)。
因此，在跳轉(zhuǎn)操作的情況下，在跳轉(zhuǎn)操作之后可以立即恢復(fù)數(shù)據(jù)讀/寫操作，而沒有另外的延遲。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的光功率調(diào)節(jié)方法的流程圖，其中，用于層1的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息只記錄在層1的引入?yún)^(qū)中，且用于層2的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息只記錄在層2的引出區(qū)中。
一旦插入雙層BD-RE盤200，該VDR系統(tǒng)51開始盤加載操作(S30)。
然后，光盤裝置通過移動(dòng)光拾取器50來相繼訪問位于層1上的引入?yún)^(qū)和位于層2上的引出區(qū)(S31)，并讀出盤信息和缺陷地址管理信息，以在包含在光盤裝置的存儲器(未在圖6中示出)中存儲讀出的信息(S32)。以這種方式，在所請求的讀/寫操作之前，一次性地讀出記錄在每個(gè)記錄層上的盤信息。
如果收到對在BD-RE 200上記錄數(shù)據(jù)或者再現(xiàn)BD-RE 200上的數(shù)據(jù)的請求(S33)，則VDR系統(tǒng)51檢查該請求是對哪一層發(fā)出。
如果請求與層1相關(guān)聯(lián)(S34)，則VDR系統(tǒng)5 1搜索存儲在存儲器中的用于層1的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)的盤信息(S35)。
然后，光盤裝置根據(jù)讀出的用于層1的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)對包含在光拾取器50中的LD的讀/寫光功率進(jìn)行調(diào)節(jié)(S36)。
在光功率調(diào)節(jié)操作結(jié)束后，光盤裝置開始在層1上進(jìn)行所請求的讀/寫操作(S37)。
如果收到的對讀出數(shù)據(jù)或記錄數(shù)據(jù)的請求與層2相關(guān)聯(lián)，則VDR系統(tǒng)51搜索存儲在存儲器中的用于層2的包含在盤信息中的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)的盤信息(S38)，根據(jù)讀出的用于層2的光功率相關(guān)數(shù)據(jù)對LD的讀/寫光功率進(jìn)行調(diào)節(jié)(S39)，并執(zhí)行所請求的讀/寫操作(S40)。
如果正在執(zhí)行讀/寫操作的時(shí)候收到對層跳轉(zhuǎn)的請求(S41)，例如從層1轉(zhuǎn)移到層2，則在層2上開始讀/寫操作之前(S43)，該VDR系統(tǒng)51通過參考存儲在存儲器中的用于層2的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息把LD的光功率調(diào)節(jié)為適用于層2(S42)。
因此，雖然用于每個(gè)記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息只存儲在對應(yīng)的層上，但是在跳轉(zhuǎn)操作之后可以立即恢復(fù)數(shù)據(jù)讀/寫操作，而沒有另外的延遲。
代替如上所述的在分配給引入?yún)^(qū)和引出區(qū)的PIC數(shù)據(jù)區(qū)中記錄光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，也可以在以擺動(dòng)軌道編碼的ADIP(地址預(yù)制溝槽)中記錄光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。該ADIP信息格式如下所述。
56個(gè)標(biāo)稱擺動(dòng)長度(NWL)構(gòu)成一個(gè)ADIP單元。一個(gè)ADIP單元具有9個(gè)不同的類型，如圖9a所示。83個(gè)ADIP單元依次構(gòu)成一個(gè)ADIP字。圖9b示出了該ADIP字的格式。如圖9b所示，一個(gè)ADIP字可以包含60比特的數(shù)據(jù)(半字節(jié)c0～c14)，其通過編碼而記錄以用于糾錯(cuò)，因此包含36信息比特。
36個(gè)信息比特的24個(gè)比特被用作ADIP地址，且其余的12比特被用作輔助信息。由于ADIP字可以存儲12比特的輔助信息，因此把N個(gè)ADIP字編組，以確保足以存儲光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息的空間，且在那存儲用于所有的層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。該信息在N個(gè)ADIP字的組中被重復(fù)地存儲。
雖然已公開了本發(fā)明的一些具體實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)注意，在不脫離其精神或?qū)嵸|(zhì)特性的情況下，本發(fā)明可以以其它形式來實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)施例被認(rèn)為只是示例性的而非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書來表示，因此，在權(quán)利要求書的等效的意思和范圍之內(nèi)的所有改變都必須在其涵蓋范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高密度光盤，其包含多個(gè)記錄層及包含用于多個(gè)記錄層的每一個(gè)的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度光盤，其中，用于多個(gè)記錄層中的每一個(gè)的所述光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息等同地記錄在多個(gè)記錄層中的每一個(gè)上。
3.如權(quán)利要求1所述的高密度光盤，其中，所述光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息被記錄在包含在分配給所述光盤的固定信息控制(PIC)數(shù)據(jù)區(qū)中的盤信息區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的高密度光盤，其中，存儲在所述盤信息區(qū)中的盤信息包含用于所有多個(gè)記錄層的讀光功率相關(guān)數(shù)據(jù)、用于所有多個(gè)記錄層的寫光功率相關(guān)數(shù)據(jù)、以及用于所有多個(gè)記錄層的盤結(jié)構(gòu)信息。
5.如權(quán)利要求4所述的高密度光盤，其中，所述讀光功率相關(guān)數(shù)據(jù)包含最大DC讀功率數(shù)據(jù)和最大高頻調(diào)制讀功率數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求4所述的高密度光盤，其中，所述寫光功率相關(guān)數(shù)據(jù)包含標(biāo)稱記錄速度上的寫功率數(shù)據(jù)、最大記錄速度上的寫功率數(shù)據(jù)以及最小記錄速度上的寫功率數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求4所述的高密度光盤，其中，所述盤結(jié)構(gòu)信息是表示形成在所述光盤中的記錄層的個(gè)數(shù)的信息。
8.如權(quán)利要求1所述的高密度光盤，其中，所述用于多個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息以分布式的方式記錄在所述記錄層中，并且記錄在多個(gè)記錄層的每一個(gè)中的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息包含只用于對應(yīng)記錄層的信息。
9.如權(quán)利要求1所述的高密度光盤，其中，所述用于多個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息在擺動(dòng)軌道中被編碼。
10.如權(quán)利要求1所述的高密度光盤，其中，所述用于多個(gè)記錄層中的每一個(gè)的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息被記錄在一個(gè)記錄層的引入?yún)^(qū)中和另一記錄層的引出區(qū)中。
11.一種光功率調(diào)節(jié)方法，其包含以下步驟(a)從放置在裝置中的多層光盤中讀出用于所有記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息并存儲讀出的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息；(b)搜索已存儲的信息，以找出用于作為所請求的再現(xiàn)/記錄操作的目標(biāo)的記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息；以及(c)通過引用所找到的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，將光功率設(shè)置成適用于該記錄層。
12.如權(quán)利要求11所述的光功率調(diào)節(jié)方法，其中，所述步驟(a)從分配給任一記錄層的指定區(qū)域中讀出用于所有多個(gè)記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。
13.如權(quán)利要求11所述的光功率調(diào)節(jié)方法，其中，所述步驟(a)通過相繼搜索所有多個(gè)記錄層，讀出用于所有多個(gè)記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息。
14.如權(quán)利要求11所述的光功率調(diào)節(jié)方法，進(jìn)一步包含步驟在記錄層上進(jìn)行記錄或再現(xiàn)期間出現(xiàn)跳轉(zhuǎn)至另一記錄層的情況下，搜索已存儲的信息，以找出用于作為跳轉(zhuǎn)操作的目標(biāo)的記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，以及通過參考所找到的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，把光功率設(shè)置成適用于目標(biāo)記錄層。
15.一種光功率調(diào)節(jié)方法，其包含以下步驟從放置在裝置中的多層光盤中讀出用于所有多個(gè)記錄層的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息，并在存儲裝置中存儲光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息；以及在記錄層上進(jìn)行記錄或再現(xiàn)期間出現(xiàn)跳轉(zhuǎn)至另一記錄層的情況下，以參考存儲在所述存儲裝置中的光功率調(diào)節(jié)相關(guān)信息而不用訪問所述光盤的方式，將光功率設(shè)置為適用于作為跳轉(zhuǎn)操作目標(biāo)的記錄層，并在目標(biāo)記錄層上繼續(xù)記錄或再現(xiàn)操作。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種多層高密度記錄介質(zhì)及其光功率調(diào)節(jié)方法。本發(fā)明的多層高密度記錄介質(zhì)包含用于所有層的光功率相關(guān)信息，且本發(fā)明的光功率調(diào)節(jié)方法從放置在光盤播放器中的多層光盤中讀出用于所有層的第一光功率相關(guān)信息，在另一存儲設(shè)備中存儲讀出的信息，以及當(dāng)在記錄或再現(xiàn)期間移動(dòng)到另一層時(shí)，通過引用已存儲的光功率相關(guān)信息而不用訪問放置的多層光盤的方式，立即把當(dāng)前的光功率設(shè)置為優(yōu)化為到移動(dòng)的層。
文檔編號G11B7/007GK1565019SQ03801200
公開日2005年1月12日 申請日期2003年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月7日
發(fā)明者金進(jìn)鏞, 徐相運(yùn) 申請人:Lg電子株式會社