專利名稱：讀出放大器及使用該讀出放大器的電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件，特別涉及一種用于尤其包含薄膜晶體管的半導體器件中的讀出放大器。
背景技術：
在半導體存儲裝置中，讀出放大器用于讀出被存儲的數(shù)據(jù)。一種傳統(tǒng)的讀出放大器實例的構造和操作將參考圖2 6描述。在圖2 6中，NMOS晶體管MN1和MN2的柵極分別被連接到第一輸入端IN1和第二輸入端IN2，與一對位線對應。PMOS負載晶體管MP1和MP2的兩個源極被連接到電源VDD。PMOS負載晶體管MP1和MP2具有共同的柵極，柵極進一步被連接到MP1的漏極。MP1的漏極被連接到MN1的漏極。MP2的漏極被連接到MN2的漏極和一個輸出端OUT。MN1和MN2具有共同的源極，源極被連接到用作直流電源的NMOS晶體管MN3的漏極。MN3的柵極和源極分別被連接到偏壓電源V-BIAS和電源GND。圖26所示的讀出放大器包含在電流反射型差動放大器中。
在半導體存儲裝置中，當存儲的數(shù)據(jù)被讀出時，根據(jù)數(shù)據(jù)為“Hi”或“Lo”，在一對位線中產生高度相反差動電位。圖26所示的讀出放大器檢測輸送到第一輸入端IN1和第二輸入端IN2的位線中信號的小的電位差。然后讀出放大器放大并輸出結果。換言之，當IN2的電位大于IN1的電位，輸出端OUT輸出“Lo”。另一方面，當IN2的電位小于IN1的電位，輸出端OUT輸出“Hi”。因此，讀出放大器被用來讀出存儲于半導體存儲裝置中的數(shù)據(jù)。
最近，一種使用圖象顯示器件，特別是具有在玻璃基片上半導體薄膜的薄膜晶體管(此后稱TFT)的有源矩陣型圖象顯示裝置被廣泛傳播。使用TFT的有源矩陣型圖象顯示裝置(此后稱圖象顯示裝置)具有成百上千到幾百萬個按矩陣排列的TFT，并控制像素電荷。此外，最近正在發(fā)展一種TFT技術(如多晶硅TFT技術)，其中不僅像素TFT被用來構成像素，而且TFT同時也被用于形成驅動電路、存儲電路、控制電路以及甚至形成CPU。
但是，根據(jù)當前的TFT技術，晶體管的特性變化比其中在單晶Si基片上至少形成一個晶體管的技術中的晶體管的特性變化大。這意味著在圖26所示的傳統(tǒng)實例中的電路很難用于目前的TFT技術中。例如，假定NMOS晶體管MN1和MN2的閾值為1.0V和1.5V，導致0.5V的差別。當?shù)诙斎攵薎N2的電位比第一輸入端IN1的電位大0.2V時，輸出OUT應為“Lo”。但實際上，輸出OUT為“Hi”，導致誤操作。當傳統(tǒng)電路被用作動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的讀出電路時，這是很關鍵的。
當傳統(tǒng)電路被用作靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的讀出電路時，輸入端間的電位差隨時間增加。最后，電位差吸收了NMOS晶體管MN1和MN2的閾值變化。這樣引起誤操作的可能性減少。但是吸收閾值變化的大的輸入電位差需花費一定時間獲得，結果讀出時間變長。

發(fā)明內容
因此考慮到這些問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種抑制閾值變化效應的讀出放大器。本發(fā)明的另一個目的是提供一種包括具有良好特性TFT的讀出放大器。
為了實現(xiàn)這些目的，根據(jù)本發(fā)明的讀出放大器具有如下構造根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于檢測輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號電位差的讀出放大器，其中包含第一裝置，用于將對應于第一和第二晶體管的閾值電壓的電壓施加到第一和第二晶體管的柵極-源極電壓；和第二裝置，用于將被輸入到第一和第二輸入端的信號傳輸?shù)降谝缓偷诙w管的柵極，其中第一和第二晶體管的閾值變化被校正。
第一和第二晶體管可以具有公共源極，源極通過第一開關被連接到第一電源。
第一和第二晶體管可以分別通過第二和第三開關將漏極連接到第二電源。第一晶體管的漏極可通過第二開關和第一電阻器被連接到第二電源，而第二晶體管的漏極可通過第三開關和第二電阻器被連接到第二電源。
優(yōu)選，第一晶體管的漏極通過第二開關和第三晶體管被連接到第二電源。第二晶體管的漏極可通過第三開關和第四晶體管被連接到第二電源。第三和第四晶體管的兩個柵極可被連接到第三晶體管的漏極。
在此情況下，第一裝置可能包括，用于分別控制第一和第二晶體管的柵極和漏極間的導通/非導通的第一開關裝置；用于分別控制第一和第二晶體管的漏極的充電或放電電荷的第二開關裝置，以及用于控制第一和第二晶體管的源極的充電或放電電荷的第三開關裝置。
第二裝置可分別通過位于第一和第二輸入端以及第一和第二晶體管的柵極間的電容器來完成。優(yōu)選第二裝置可通過如下方法完成將電容器和開關分別串聯(lián)在第一和第二輸入端以及第一和第二晶體管的柵極之間，并具有，分別用于控制在兩對電容器和開關連接節(jié)點處的第三電源的連接的第四和第五開關。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種讀出放大器，它包含柵極被連接到第一輸入端的第一晶體管，柵極被連接到第二輸入端的第二晶體管，源極被連接到第一電源的第三晶體管，以及源極被連接到第一電源的第四晶體管。在此情況下，第一和第二晶體管的源極被彼此連接。讀出放大器檢測輸入到第一和第二輸入端的兩個信號的電位差。讀出放大器進一步包含用于使第三和第四晶體管的柵極-源極電壓儲存對應于第三和第四晶體管閾值的電壓的第一裝置。這樣，第三和第四晶體管的閾值變化被校正。
第一裝置可包含第一和第二晶體管的公共源極和第二電源之間的第一開關，第三晶體管的柵極和漏極之間的第二開關，第四晶體管的柵極和漏極之間的第三開關，第三晶體管的柵極和漏極之間的第一電容器，第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極之間的第二電容器，第一和第三晶體管的漏極在此被彼此相連的第一節(jié)點，以及第二和第四晶體管的漏極在此被彼此相連的第一節(jié)點。
優(yōu)選第一裝置具有第一晶體管的源極和第二電源之間的晶體管，該晶體管具有被連接到偏壓電源的柵極，第三晶體管的柵極和漏極間的第二開關，第四晶體管的柵極和漏極間的第三開關，第三晶體管的柵極和漏極之間的第一電容器，第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極之間的第二電容器，第一晶體管的漏極和第三晶體管的漏極間的第四開關，以及第二晶體管的漏極和第四晶體管的漏極間的第五開關。
替代地，第一裝置可具有第一晶體管的源極和第二電源之間的晶體管，該晶體管具有被連接到偏壓電源的柵極，第三晶體管的柵極和漏極間的第二開關，第四晶體管的柵極和漏極間的第三開關，第三晶體管的柵極和漏極之間的第一電容器，第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極之間的第二電容器，第一晶體管的漏極和第三晶體管的漏極間的第四開關，以及第二晶體管的漏極和第四晶體管的漏極間的第五開關，第三晶體管的漏極和第三電源間的第六開關，以及第四晶體管的漏極和第三電源間的第七開關。
讀出放大器通過使用薄膜晶體管構成。用作薄膜晶體管的半導體有源層的半導體膜通過使用連續(xù)振蕩激光的激光退火法晶化。
因此本發(fā)明可廣泛應用于各領域的電子裝置中。


圖1是本發(fā)明的第一實施例的電路圖；圖2是第一實施例的工作時間圖；圖3A～3C是分別表示第一實施例的主時段的電路圖；圖4是本發(fā)明的第二實施例的電路圖；圖5是第二實施例的工作時間圖；圖6是本發(fā)明的第三實施例的電路圖；圖7是本發(fā)明的第四實施例的電路圖；圖8是本發(fā)明的第五實施例的電路圖；圖9是本發(fā)明的第六實施例的電路圖；圖10是本發(fā)明的第一實例的電路圖；圖11是本發(fā)明的第二實例的電路圖；圖12是本發(fā)明的第三實例的電路圖；圖13是本發(fā)明的第四實例的電路圖；圖14是第五實例所用的光學系統(tǒng)的示意圖；圖15是第五實例中形成的結晶半導體膜的SEM照片；圖16是第六實例中形成的結晶半導體膜的SEM照片；圖17表示在第六實例中形成的結晶半導體膜上進行的喇曼光譜分析結果；圖18A～18H表示第七實例中TFT生產的流程圖；圖19A和19B是第七實例中生產的TFT的電特性結果；圖20A～20C表示第八實例中TFT生產的流程圖；圖21A和21B是第八實例中生產的TFT的電特性結果；圖22A和22B是第八實例中生產的TFT的電特性結果；
圖23A和23B是第八實例中生產的TFT的電特性結果；圖24A～24F是表示一種圖象顯示裝置的實例的圖；圖25A～25D是表示一種圖象顯示裝置的實例的圖；圖26是表示一種傳統(tǒng)的讀出放大器的實例的圖；圖27是本發(fā)明的第七實施例的電路圖；圖28是第七實施例的工作時間圖；圖29A～29C是分別表示第七實施例的主時段的電路圖；圖30是本發(fā)明的第八實施例的電路圖；圖31是本發(fā)明的第九實施例的電路圖；圖32是第九實施例的工作時間圖；以及圖33是本發(fā)明的第二實例的電路圖。
具體實施例方式
第一實施例本實施例將描述圖1所示的讀出放大器。首先描述該實施例的構造。圖1所示的該實施例的不同之處在于開關和電容器被添加到圖26所示的傳統(tǒng)實例中。換言之，PMOS晶體管MP1的漏極和NMOS晶體管MN1的漏極間的連接通過第一開關SW1控制。相似地，PMOS晶體管MP2的漏極和NMOS晶體管MN2的漏極間的連接通過第二開關SW2控制。NMOS晶體管MN1的漏極和柵極間地連接通過第三開關控制。相似地，NMOS晶體管MN2地漏極和柵極間地連接通過第四開關SW4控制。第一輸入端IN1和NMOS晶體管MN1的柵極通過第五開關SW5和電容器C1節(jié)點分離。換言之，第一輸入端IN1和節(jié)點N1之間的連接通過第五開關SW5控制。在節(jié)點N1和NMOS晶體管MN1的柵極間增加電容器C1。相似地，第二輸入端IN2和NMOS晶體管MN2的柵極通過第六開關SW6和電容器C2節(jié)點分離。換言之，第二輸入端IN2和節(jié)點N2之間的連接通過第六開關SW6控制。然后，在節(jié)點N2和NMOS晶體管MN2的柵極間增加電容器C2。節(jié)點N1和電源GND間的連接通過第七開關SW7控制。相似地，節(jié)點N2和電源GND間的連接通過第八開關SW8控制。電容器C3被添加到NMOS晶體管MN1的源極和柵極間。相似地，電容器C4被添加到NMOS晶體管MN2的源極和柵極間。最后，NMOS晶體管MN1和MN2的公共源極和電源GND之間的連接通過第九開關SW9控制?？刂菩盘?WE1，WE2，WE3，PR1和PR2)控制圖1表中所描述的相應開關。
其次將參考表示操作時間的圖2和表示在主時間開關連接狀態(tài)的圖3A～3C描述本實施例的操作。在描述中為方便起見，當控制信號為“Hi”時，相應于各控制信號的開關被導通。另一方面，當控制信號為“Lo”時，相應于各控制信號的開關不被導通。因為電路構造和電路操作是對稱的，因此只摘選圖1中電路的左半部分并示于圖3A～3C中。
首先，時段T1是從由于所有控制信號為“Lo”因此所有開關不被導通的狀態(tài)，到控制信號WE2、PR1和PR2為“Hi”的狀態(tài)的時間段。時段T1中開關的狀態(tài)如圖3A所示。在時段T1中一個較低的電位，其量等于和PMOS晶體管MP1(MP2)的閾值電壓相當?shù)碾妷海粡碾娫碫DD加到NMOS晶體管MN1(或MN2)的柵極電位。
其次，時段T2是控制信號WE2為“Lo”和控制信號WE3為“Hi”的時間段。時段T2中開關的狀態(tài)如圖3B所示。在時段T2中，已在時段T1中被充電到NMOS晶體管MN1(MN2)的柵極的電荷被放電，這樣NMOS晶體管MN1(MN2)的柵極-源極電壓可與NMOS晶體管MN1(MN2)的閾值相當。在時段T2，每個閾值被儲存于NMOS晶體管MN1和MN2中的柵極-源極電壓。
最后，時段T3是控制信號WE1、WE2和WE3為“Hi”而控制信號PR1和PR2為“Lo”的時間段。時段T3中開關的狀態(tài)如圖3C所示。在時段T3中，對應于NMOS晶體管MN1(MN2)的柵極電位的電位的輸入信號IN1(IN2)被加在時段T2中所固定的柵極電位上。在時段T2中，相應的閾值已被寫入NMOS晶體管MN1和MN2的柵極-源極電壓中。結果，在時段T3中被增加的電位差直接顯現(xiàn)在NMOS晶體管MN1和MN2的驅動能力的差別中。
這樣，即使當NMOS晶體管MN1和MN2的閾值不同，輸入信號IN1和IN2的電位高度可被精確檢測到。此外，當輸入IN1和IN2間的電位差還小時，就可進行精確檢測。因此輸出可在短時間段內被很快固定，從而允許快速讀出。第二實施例在本實施例中，將描述圖4所示的讀出放大器。在本實施例中，如圖4所示，第五開關SW5到第八開關SW8被從第一實施例中的圖1的電路圖中去掉。然后，輸入端IN1和IN2被直接連接到電容器C1和C2。這樣，從輸入端IN1和IN2輸入的輸入信號不同于第一實施例中的輸入信號。如圖5所示，輸入信號保持相同的電位，在第三時段T3為“Lo”電平(相當于第一實施例的電源GND的電平)。在時段T3中，“Lo”電平必須被改變?yōu)槔硐氲碾娢浑娖?。這樣，開關的數(shù)量可被減少，并且同時可獲得像第一實施例一樣相同的效果。第三實施例在本實施例中，將描述圖6所示的讀出放大器。如圖6所示，本實施例不同于第一實施例在于，圖1電路圖中的PMOS晶體管MP1和MP2被電阻器R1和R2取代。圖2中的操作計時可被應用到本實施例。本實施例比傳統(tǒng)實例更好之處在于通過使用閾值校正功能閾值變化不受影響。第四實施例在本實施例中，將描述圖7所示的讀出放大器。如圖7所示，本實施例不同于第二實施例在于，圖4電路圖中的PMOS晶體管MP1和MP2被電阻器R1和R2取代。圖5中的操作計時可被應用到本實施例。本實施例比傳統(tǒng)實例更好之處在于通過使用閾值校正功能使閾值變化不受影響。第五實施例在本實施例中，將描述圖8所示的讀出放大器。如圖8所示，本實施例不同于第一實施例在于，圖1電路圖中的PMOS晶體管MP1和MP2被去掉，并且第一開關SW1和第二開關SW2被移到先前PMOS晶體管MP1和MP2所在的位置。在本實施例中，第三實施例中電阻器R1的功能和開關功能被提供給第一開關SW1。第二開關SW2中情況也相同。圖2中的操作計時可應用到本實施例中。本實施例比傳統(tǒng)實例更好之處在于通過使用閾值校正功能使閾值變化不受影響。第六實施例在本實施例中，將描述圖9所示的讀出放大器。如圖9所示，本實施例不同于第一實施例在于，根據(jù)第二實施例的圖4電路圖中的PMOS晶體管MP1和MP2被去掉，并且第一開關SW1和第二開關SW2被移到先前PMOS晶體管MP1和MP2所在的位置。圖5中的操作計時可應用到本實施例中。本實施例比傳統(tǒng)實例更好之處在于通過使用閾值校正功能使閾值變化不受影響。第七實施例本實施例將描述圖27所示的讀出放大器。首先描述本實施例的構造。圖27所示的在實施例不同于圖26所示傳統(tǒng)實例之處在于，其中開關和電容器被添加或被取代。換言之，第一開關SW1和第一電容器C1被并聯(lián)于第一PMOS晶體管MP1的柵極和漏極間。第二開關SW2被連接于第二PMOS晶體管MP2的柵極和漏極間。第二電容器C2被連接于第二PMOS晶體管MP2的柵極和第一PMOS晶體管MP1的漏極間。傳統(tǒng)實例中的第三NMOS晶體管MN3被本實施例的第三開關SW3取代。控制信號PR1控制第一開關SW1和第二開關SW2的開/關?？刂菩盘朩E1控制第三開關SW3的開/關。
其次將參考表示操作計時的圖28和表示主計時段開關連接狀態(tài)的圖29描述本實施例的工作。在描述中為方便起見，當控制信號為“Hi”，對應的開關為開。當控制信號為“Lo”，對應的開關為關。由于電路構造和操作是對稱的，因此只摘選圖1中電路的左半部分并示于圖29A～29C中。
首先，時段T1是從由于兩個控制信號PR1和WE1為“Lo”因此所有開關為關的狀態(tài)到兩個控制信號WE1和PR1為“Hi”的狀態(tài)的時段。時段T1中的開關狀態(tài)示于圖3A中。在時段T1中，PMOS晶體管MP1(MP2)和NMOS晶體管MN1(MN2)被接通，以便直流電流能在電源VDD和GND間流動。因此，在這個時段T1中，PMOS晶體管MP1(MP2)的漏極和柵極電位比電源VDD小一個數(shù)值，該數(shù)值等于或大于相當于PMOS晶體管的閾值電壓的電位值。
其次，時段T2是控制信號PR1為“Hi”而控制信號WE1為“Lo”的時段。時段T2中的開關狀態(tài)示于圖3B中。在時段T2中，第三開關被關斷。這樣，電荷被從電源VDD供給PMOS晶體管MP1(MP2)的柵極和漏極，PMOS晶體管MP1(MP2)在時段T1中被接通。結果柵極和漏極的電位被增加。當PMOS晶體管MP1(MP2)的柵極-源極電壓達到相當于PMOS晶體管MP1(MP2)的閾值的電壓值，并且電流不再流動時，這種增加停止。在時段T2，每個閾值被儲存于PMOS晶體管MP1和MP2中的柵極-源極電壓。
最后，時段T3是控制信號PR1為“Lo”而控制信號WE1為“Hi”的時段。時段T3中的開關狀態(tài)示于圖3C中。在時段T3中，被傳輸?shù)絻蓚€輸入端IN1和IN2的輸入信號被實際讀出。通過接通第三開關SW3，電流在電源VDD-GND間流動。結果，PMOS晶體管MP1的漏極電位被減少。對應于電壓減少的電位被從時段T2中固定的PMOS晶體管MP1(MP2)的柵極電位中減去。相應的閾值被寫入時段T2中的PMOS晶體管MP1和MP2的柵極-源極電壓中。這樣，在時段T3被減去的電位直接被反映在PMOS晶體管MP1和MP2的驅動能力上，并且和閾值無關。
這樣，即使當PMOS晶體管MP1和MP2的閾值不同，輸入信號IN1和IN2的電位高度可被精確檢測。此外，當輸入IN1和IN2間的電位差還很小時，就可進行精確檢測。因此輸出可在短時間段內被很快固定，從而允許快速讀出。第八實施例在本實施例中，將描述圖30所示的讀出放大器。如圖30所示，本實施例不同于第七實施例在于，在圖27所示電路中，第三開關被一個一直加偏壓的NMOS晶體管MN3取代，而在PMOS晶體管MP1的漏極和NMOS晶體管MN1的漏極間提供第四開關SW4。此外，在PMOS晶體管MP2和NMOS晶體管MN2的漏極間提供第五開關SW5。通過控制信號WE1控制第四開關SW4和第五開關SW5接通/關斷。在本實施例中，像第七實施例一樣，兩個控制信號PR1和WE1被按照圖28所示的操作計時輸入。即使開關數(shù)量增加，本實施例的功能像第七實施例一樣。第九實施例在本實施例中，將描述圖31所示的讀出放大器。如圖31所示，本實施例不同于第八實施例在于，在圖30所示電路中，第六開關SW6和第七開關SW7分別被添加到PMOS晶體管MP1和MP2的漏極，用于控制和電源GND的連接。通過控制信號PR2控制第六開關SW6和第七開關SW7的開/關。但是第四開關SW4和第五開關SW5通過控制信號WE2來控制。因此，本實施例不同于第七實施例和第八實施例?？刂菩盘朠R1的使用與第七實施例和第二實施例中的情形相同。包括控制信號PR2和WE2的操作計時示于圖32中。
作為描述，第一到第九實施例中晶體管的導電類型被固定。但通過反相電源系統(tǒng)的電平可反相晶體管的導電類型。實例此處，將參考附圖描述本發(fā)明的實例。第一實例在圖10所示本實例中，根據(jù)第一實施例的讀出放大器(圖1)中的每個開關通過使用NMOS晶體管特別構成。當本實例中NMOS晶體管被用于每個開關時，也可使用PMOS晶體管或CMOS晶體管。替代地，NMOS、PMOS和CMOS可被組合使用。
在本實例中，當根據(jù)第一實施例的讀出放大器(圖1)中的每個開關通過使用NMOS晶體管構成時，用于第二到第六實施例中的讀出放大器的開關當然可使用NMOS晶體管構成。替代地，NMOS、PMOS和CMOS可自由組合用作每個開關。第二實例在圖33所示本實例中，根據(jù)第七實施例的讀出放大器(圖27)中的每個開關被通過使用NMOS晶體管特別構成。當本實例中NMOS晶體管被用于每個開關時，也可使用PMOS晶體管或CMOS晶體管。替代地，NMOS、PMOS和CMOS可被組合使用。
在本實例中，當根據(jù)第七實施例的讀出放大器(圖27)中的每個開關通過使用NMOS晶體管構成時，用于第八和第九實施例中的讀出放大器的每個開關當然可使用NMOS晶體管構成。替代地，NMOS、PMOS和CMOS可自由組合用作每個開關。第三實例圖11表示包含用于一個列的存儲單元的半導體存儲裝置的一部分。在本實例中，在第一到第九實施例中描述讀出放大器被埋置于半導體存儲裝置中。本實例包括預充電電路、包含存儲單元的存儲單元陣列，一對數(shù)據(jù)線D和/D，字線(W_1，W_2，…，和W_n)，多重控制信號線CSL，以及讀出放大器。
讀出數(shù)據(jù)的操作將被簡要描述。首先，通過預充電電路使數(shù)據(jù)線對D和/D具有相同的電位。其次，字線之一獲取一個有效電位并且相應的存儲單元被選擇。當存儲單元被選擇時，依賴于被存儲數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)線對D和/D間出現(xiàn)電位差。電位差被讀出放大器檢測到，則數(shù)據(jù)被讀出。這樣，根據(jù)第一到第九實施例的讀出放大器可被用于半導體存儲裝置中。第四實例圖12是根據(jù)本實例包括按矩陣排列的存儲單元的半導體存儲裝置的方塊圖。圖12表示另一個實例，在該實例中，根據(jù)第一到第九實施例的讀出放大器被埋置于半導體存儲裝置中。該實例包括預充電電路、包括存儲單元的存儲單元陣列、一對數(shù)據(jù)線、字線、寫電路和讀電路。根據(jù)第一到第六實施例的讀出放大器被包括在讀電路中。
本實例中用于讀出數(shù)據(jù)的操作將被簡要描述。首先，通過預充電電路使數(shù)據(jù)線對具有相同電位。其次，通過使用行解碼器(linedecoder)，字線之一獲取有效電位，并且相應的存儲單元橫排被選擇。這樣，依賴于存儲在被選擇存儲單元橫排中的存儲單元中的數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)線對中產生電位差。此外，通過使用列解碼器，其中一對數(shù)據(jù)線對被選擇。然后，被選擇的數(shù)據(jù)線對被讀出電路中的讀出放大器檢測到，并且數(shù)據(jù)被讀出。結果，所希望的存儲單元中的數(shù)據(jù)被讀出。這樣，根據(jù)第一到第九實施例的讀出放大器可被用在半導體存儲裝置中。第二實例對應于從本實例中摘選的部分。第五實例圖13是包括系統(tǒng)和顯示器的半導體器件的方塊圖并表示另一個實例，在該實例中，根據(jù)第一到第九實施例的讀出放大器被埋置于半導體器件中。
在圖13中，半導體器件201獲取或產生圖象數(shù)據(jù)，處理和轉換圖象數(shù)據(jù)格式，并顯示圖象。半導體器件201可以是游戲機、攝像機、汽車導航系統(tǒng)以及個人計算機。
半導體器件201具有輸入端211、第一控制電路212、第二控制電路213、CPU214、第一存儲電路215和第二存儲電路216，以及包括信號線驅動電路217、掃描線驅動電路218和像素部分219的半導體顯示器202。傳統(tǒng)地，在具有例如玻璃、石英或塑料的絕緣表面的基片上只提供半導體顯示器202。在本實例中，在具有絕緣表面的基片上提供所有電路塊。
數(shù)據(jù)，它是圖象數(shù)據(jù)的基礎，被根據(jù)每個電子裝置從輸入端211輸入。例如，在廣播接收機中數(shù)據(jù)可從天線輸入。在視頻攝像機中數(shù)據(jù)可從CCD輸入。數(shù)據(jù)可從DV帶或存儲卡中輸入。從輸入端211輸入的數(shù)據(jù)通過第一控制電路212被轉換成圖象信號。在第一控制電路212中，按照MPEG標準和/或磁帶格式被壓縮并被編碼的圖象數(shù)據(jù)進行圖象信號處理如解碼處理和圖象插入和恢復到原有尺寸。從第一控制電路212輸出的圖象信號和/或由CPU214產生或處理的圖象信號被輸入到第二控制電路213。然后，圖象信號被轉換成一種適合半導體顯示器202的格式(如掃描格式)。格式轉換后的圖象信號和控制信號從第二控制電路213輸出。
CPU214有效控制在第一控制電路212、第二控制電路213和另一個接口電路中的信號處理。此外，CPU214產生和/或處理圖象數(shù)據(jù)。第一存儲電路215可被用作存儲區(qū)，用于存儲從第一控制電路212輸出的圖象數(shù)據(jù)和從第二控制電路213輸出的圖象數(shù)據(jù)；用于被CPU214控制的工作存儲區(qū)，以及用于通過CPU214產生圖象數(shù)據(jù)的工作存儲區(qū)。第一存儲電路215可以是DRAM或SRAM。根據(jù)第一到第六實施例的讀出放大器被用在第一存儲電路215中。第二存儲電路216是一個用于存儲通過CPU214產生或處理圖象數(shù)據(jù)所需的色彩數(shù)據(jù)和/或文本數(shù)據(jù)的存儲區(qū)。第二存儲電路216通過使用掩模ROM或EPROM構成。
信號線驅動電路217接收來自第二控制電路213的圖象信號和控制信號(如時鐘信號或啟動脈沖)。掃描線驅動電路218接收來自第二控制電路213的控制信號(如時鐘信號或啟動脈沖)。圖象在像素部分219中顯示。
半導體顯示器可以是液晶顯示器或EL顯示器。像高性能游戲機一樣，當CPU上的負載太大時，在圖13所示結構中可包含一個附加處理器用于圖象處理，以減少CPU的負載。
如上面描述的，根據(jù)第一到第六實施例的讀出放大器可被用在半導體器件中。實例6本實例表示出根據(jù)本發(fā)明的一種方法的實例，該方法用于使形成包含在半導體器件中的TFT的半導體有源層的半導體膜晶化。
作為初始膜，通過等離子體CVD法在玻璃基片上形成厚度為400nm的氧氮化硅膜(組分比例Si＝32％，O＝59％和N＝7％和H＝2％)。然后，作為半導體膜，通過等離子體CVD法在初始膜上形成150nm厚的非晶硅膜。然后對其在500℃進行三小時熱處理，以釋放包含在半導體膜中的氫。之后，通過激光退火法使半導體膜晶化。
作為用于激光退火法的激光器，使用連續(xù)波YVO4激光。對于激光退火法，YVO4激光器的二次諧波(波長532nm)被用作激光。通過使用光學系統(tǒng)激光以預定形狀光束被幅照到基片表面上的半導體膜。
幅照到基片的光束的形狀可根據(jù)激光器的類型或光學系統(tǒng)被改變。這樣，被幅照到基片上的光束的長寬比和/或能量分布可被改變。例如，可以獲得不同形狀的被幅照到基片上的激光束，如線狀、長方形和橢圓形。在本實例中，通過光學系統(tǒng)，200μm×50μm的橢圓形的YVO4激光器的二次諧波被幅照到半導體膜。
圖14表示一個光學系統(tǒng)的模型圖，當激光被幅照到基片表面上的半導體膜時使用該系統(tǒng)。
從激光器101發(fā)射的激光(YVO4激光器的二次諧波)通過平面鏡102進入凸透鏡103。激光傾斜地進入凸透鏡103。結果，由于諸如像散的像差使焦點位置被移動。因此，橢圓形光束106可在被輻照表面或其附近形成。
然后，如此形成的橢圓形光束106被幅照，并且玻璃基片105沿參考數(shù)字107或108所指示的方向移動。然后，在形成于玻璃基片105上的半導體膜104中，橢圓形光束106通過相對移動被幅照。
橢圓形光束106的相對掃描方向垂直于橢圓形光束1 06的主軸。
在本實例中，200μm×50μm的橢圓形激光束被形成為相對于凸透鏡103具有約20入射角φ。通過以50cm/s的速度移動激光束幅照在玻璃基片105上。由此，半導體膜被晶化。
在由此得到的結晶半導體膜上進行Secco刻蝕。圖15表示利用SEM在放大3000倍下的表面觀察結果。通過向HF∶H2O＝2∶1中添加K2Cr2O7的添加劑產生用于Secco刻蝕的Secco溶液。通過按照圖15中箭頭所指示方向相對掃描激光獲得圖15所示結果。在平行于激光掃描方向形成大晶粒。換言之，晶粒沿激光掃描方向延伸長大。
這樣，通過使用根據(jù)本實例的方法，在結晶半導體膜上形成大晶粒。因此，半導體膜被用作半導體有源層制造TFT時，包含在TFT的溝道形成區(qū)的晶界數(shù)量可被減少。此外，每個晶粒內部具有結晶性，它們基本上是單晶。因此，可獲得和使用單晶半導體的晶體管一樣高的遷移率(場效應遷移率)。
進一步，當TFT被定位成使載流子的移動方向可與所形成晶粒的延伸方向相同時，載流子穿越晶界的次數(shù)可最大限度減少。開態(tài)電流值(當TFT為開通時流動的漏極電流值)、關斷電流值(當TFT為關斷時流動的漏極電流值)、閾值電壓、S-值和場效應遷移率的變化可被減少。結果，電學特性可被明顯改善。
為了使橢圓形激光束106幅照半導體膜的廣泛區(qū)域，橢圓形激光束106沿垂直于主軸的方向掃描以多次幅照半導體膜。此處，對于每單次掃描，橢圓形激光束106的位置被沿平行于主軸的方向移動。連續(xù)掃描之間掃描方向相反。此后在連續(xù)兩次掃描中，一次掃描將被稱作向外掃描，而另一次稱作向內掃描。
每單次掃描橢圓形激光束106的位置向平行于主軸方向的移動量用間距d表示。參考數(shù)字D1表示，在向外掃描中，在具有如圖15所示大晶粒的區(qū)域中橢圓形激光束106在垂直于橢圓形激光束106的掃描方向的方向上的長度。參考數(shù)字D2表示，在向內掃描中，在具有如圖15所示大晶粒的區(qū)域中橢圓形激光束106在垂直于橢圓形激光束106的掃描方向的方向上的長度。在此情況下，D1和D2的平均值為D。
此處，重疊比R0.L[％]由公式1決定。
R0.L＝(1-d/D)×100公式1在本實例中，重疊比R0.L為0％。實例7在制造包含于根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的TFT的半導體有源層時，用于使半導體膜晶化的方法方面，本實例不同于第六實例。本發(fā)明與第六實例中直到形成作為半導體膜的非晶硅膜的步驟是相同的。之后，在JP-A-7-183540中公開的方法被采用。乙酸鎳溶液(減重密度(weight-reduced density)5ppm和體積10ml)被通過旋涂法涂敷在半導體膜上。然后對其進行氮氣氛中500℃、1小時和氮氣氛中550℃、12小時的熱處理。然后通過激光退火法改善半導體膜的結晶性。
作為用于激光退火法的激光器，連續(xù)波YVO4激光被使用。對于激光退火法，YVO4激光器的二次諧波(波長532nm)被用作激光。在如圖14所示的光學系統(tǒng)中，200μm×50μm的橢圓形激光束被形成為相對于凸透鏡103具有約20入射角φ。橢圓形激光束以50cm/s的速度被移動并幅照到玻璃基片105上。這樣，半導體膜的結晶性被改善。
橢圓形激光束106的相對掃描方向垂直于橢圓形激光束106的主軸。
在由此得到的結晶化半導體膜上進行Secco。圖16表示利用SEM在放大3000倍下的表面觀察結果。通過按照圖16中箭頭所指示方向相對掃描激光獲得圖16所示結果。大晶粒沿激光掃描方向延伸。
這樣，在根據(jù)本發(fā)明的結晶半導體膜上形成大晶粒。因此，當半導體膜被用作制造TFT時，包含在TFT的溝道形成區(qū)中的晶界數(shù)量可被減少。此外，每個晶粒內部具有結晶性，它們基本上是單晶。因此，可獲得和使用單晶半導體的晶體管一樣高的遷移率(場效應遷移率)。
進一步，所形成的晶粒按一個方向排列。這樣，當TFT被定位成使載流子的運動方向與所形成晶粒的延伸方向相同時，載流子穿越晶界的次數(shù)可最大限度減少。開通電流值(當TFT為接通時流動的漏極電流值)、關斷電流值(當TFT為關斷時流動的漏極電流值)、閾值電壓、S-值和場效應遷移率的變化可被減少。結果，電學特性可被明顯改善。
為了使橢圓形激光束106幅照半導體膜的廣泛區(qū)域，橢圓形激光束106被沿垂直于主軸的方向多次掃描以幅照半導體膜(該操作可稱作掃描)。此處，對于每單次掃描，橢圓形激光束106的位置被沿平行于主軸的方向移動。連續(xù)掃描之間掃描方向相反。此后在連續(xù)兩次掃描中，一次掃描將被稱作向外掃描。而另一次稱作向內掃描。
每單次掃描橢圓形激光束106的位置向平行于主軸方向移動量用間距d表示。參考數(shù)D1表示，在向外掃描中，在具有如圖16所示大晶粒的區(qū)域中橢圓形激光束106在垂直于橢圓形光束106的掃描方向的方向上的長度。參考數(shù)D2表示，在向內掃描中，在具有如圖16所示大晶粒的區(qū)域中橢圓形激光束106在垂直于橢圓形光束106的掃描方向的方向上的長度。在此情況下，D1和D2的平均值為D。
此處，重疊比R0.L[％]如公式1決定。在本實例中，重疊比R0.L為0％。
在圖17中，粗線表示在通過上述晶化方法獲得的結晶半導體膜(圖17中用改善的CG-硅代表)上所作的喇曼光譜分析結果。此處，作為對比，細線表示在單晶硅(圖17中用參考(100)Si晶片代表)上所作的喇曼光譜分析結果。在圖17中，點劃線表示在半導體膜(圖17中用準分子激光退火處理代表)上所作的喇曼光譜分析結果。為了獲得半導體膜，非晶硅膜被形成，并且半導體膜中包含的氫通過熱處理被釋放。然后，通過使用具有脈沖振蕩的準分子激光器使半導體膜晶化。
通過使用本實例的方法獲得的半導體膜的喇曼偏移在517.3cm-1處出現(xiàn)峰。半寬度為4.96cm-1。另一方面，單晶硅的喇曼偏移在520.7cm-1處出現(xiàn)峰。半寬度為4.44cm-1。通過使用具有脈沖振蕩的準分子激光器晶化的半導體膜的喇曼偏移在516.3cm-1處出現(xiàn)峰。半寬度為6.16cm-1。
從圖17中的結果，通過使用本實例說明的晶化方法獲得的半導體膜的結晶性比通過使用具有脈沖振蕩的準分子激光器被晶化的半導體膜更接近單晶硅的結晶性。第八實例在本實例中，將參考圖14、18A～18H和19A和19B描述一種情形，其中通過使用第六實例中描述的方法晶化的半導體膜被用來制造TFT。
在本實例中玻璃基片被用作基片20。作為初始膜21，在玻璃基片上形成50nm的氮氧化硅膜(組分比例Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)和100nm的氮氧化硅膜(組分比例Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)的疊層。其次，作為半導體膜22，通過等離子體CVD法在初始膜21上形成150nm的非晶硅膜。然后對其進行500℃三小時的熱處理以釋放包含在半導體膜中的氫(圖18A)。
之后，連續(xù)波YVO4激光的二次諧波(波長532nm，5.5W)被用作激光以在如圖14所示的光學系統(tǒng)中形成相對于凸透鏡103具有約20入射角φ的200μm×50μm的橢圓形激光束。橢圓形光束通過以50cm/s的速度被相對掃描幅照到半導體膜22上。這樣，半導體膜23被晶化(18B)。
然后在其上進行第一摻雜工藝，而獲得半導體膜24。這是用于控制閾值的溝道摻雜。B2H6被用作材料氣體，氣體流量為30sccm，電流密度0.05μA，加速電壓為60keV，以及劑量為1×1014/cm2(圖18C)。其次，通過圖形化將半導體膜24刻蝕成所需形狀后，通過等離子體CVD法形成115nm厚的氮氧化硅膜，作為覆蓋被刻蝕半導體膜25和26的柵極絕緣膜。然后，30nm厚的TaN膜28和370nm厚的W膜29被作為導電層疊加在柵極絕緣膜27上(圖18D)。
通過利用光刻法在其上形成抗蝕劑掩模(未示出)，并且W膜、TaN膜和柵極絕緣膜被刻蝕。
然后去掉抗蝕劑掩模，并形成一個新掩模33。在其上進行第二摻雜工藝并且引入給半導體膜增加n-型的雜質元素。在此情況下，導電層30和31是提供n-型的雜質元素的掩模，并且雜質區(qū)34以自對準方式形成。在本實例中，第二摻雜工藝在兩種條件下進行，因為半導體膜厚達150nm。在本實例中，磷化氫(phosfin)(PH3)被用作材料氣體。2×1013/cm2的劑量和90keV的加速電壓被使用，然后5×1014/cm2的劑量和10keV的加速電壓被用于工藝(圖18E)。
其次，去掉抗蝕劑掩模33，并且另外形成一個抗蝕劑掩模35用于第三摻雜工藝。通過第三摻雜工藝，形成包含用于提供一種與作為p-溝道型TFT的有源層的半導體膜的導電類型相反的導電類型的雜質元素的雜質區(qū)36。通過使用導電層30和31作為雜質元素的掩模，通過添加提供p-型的雜質元素，以自對準方式形成雜質區(qū)36。在本實例中的第三摻雜工藝也在兩種條件下進行，因為半導體膜厚達150nm。在本實例中，雙硼烷(B2H6)被用作材料氣體。2×1013/cm2的劑量和90keV的加速電壓被使用，然后1×1015/cm2的劑量和10keV的加速電壓被使用于工藝(圖18F)。
通過這些步驟，在半導體層上形成雜質區(qū)34和36。
其次，去掉抗蝕劑掩模35，并通過等離子體CVD法形成厚50nm的氮氧化硅膜(組分比例Si＝32.8％，O＝63.7％，以及N＝3.5％)作為第一層間絕緣膜37。
其次，對其進行熱處理以分別恢復半導體層的結晶性和激活添加到半導體層中的雜質元素。然后通過使用退火爐的熱退火處理法在氮氣氛中進行550℃四小時的熱處理(圖18G)。
其次，在第一層間絕緣膜37上形成無機或有機絕緣材料的第二層間絕緣膜38。在本實例中，通過CVD法形成50nm厚的氮化硅膜后，形成400nm厚的氧化硅膜。
熱處理后，可進行氫化處理。在本實例中，通過使用退火爐，在氮氣氛中進行410℃一小時的熱處理。
其次，形成布線39用于和雜質區(qū)電連接。在本實例中，通過對由50nm厚Ti膜、500nm厚Al-Si膜和50nm厚Ti膜形成的疊層膜進行圖形化形成布線39。當然，結構不限于雙層結構，而可以是單層結構或具有三層或更多層的疊層結構。布線材料不限于Al和Ti。例如，可在TaN膜上形成Al和/或Cu。然后，具有Ti膜的疊層膜可被圖形化形成布線(圖18H)。
這樣，n-溝道TFT51和p-溝道型TFT52被形成，二者都具有6μm的溝道長度和4μm的溝道寬度。
圖19A和19B表示測量這些電學特性的結果。圖19A表示n-溝道型TFT51的電學特性。圖19B表示p-溝道型TFT52的電學特性。電學特性在柵極電壓Vg＝-16～16V和漏極電壓Vd＝1V和5V范圍內在兩點測量。在圖19A和19B中，漏極電流(ID)和柵極電流(IG)由實線表示。遷移率(μE)由虛線表示。
因為根據(jù)本發(fā)明晶化的半導體膜上形成了大晶粒，當TFT用此半導體膜制造時，包含溝道形成區(qū)的晶界數(shù)量減少。此外，因為形成的晶粒指向同一方向，載流子穿越晶界的次數(shù)可大大減少。因此，可獲得具有如圖19A和19B所示良好的電學特性的TFT。特別是，在n-溝道型TFT中遷移率為524cm2/Vs，在p-溝道型TFT中遷移率為205cm2/Vs。當通過使用這類型TFT制造半導體器件時，操作性能和可靠性也能被改善。
在本實例中，頂部柵極結構的情況已被描述。但是，可采用底部柵極結構或雙柵極結構。基片一般可具有絕緣表面，如玻璃基片、石英基片和塑料基片。第九實例在本實例中，將參考圖14和圖20A～23B描述一種情況，其中通過使用第七實例中描述的方法晶化的半導體膜被用來制造TFT。
直到形成作為半導體膜的非晶硅膜的步驟與第八實例相同。厚150nm的非晶硅膜被形成(圖20A)。
之后，在JP-A-7-183540中公開的方法被采用。乙酸鎳溶液(減重密度5ppm和體積10ml)被通過旋涂法涂敷在半導體膜上以形成含金屬層41。然后對其進行氮氣氛中500℃、1小時和氮氣氛中550℃、12小時的熱處理。然后獲得半導體膜42(圖20B)。
然后通過激光退火法改善半導體膜42的結晶性。
作為用于激光退火法的激光器，連續(xù)波YVO4激光被使用。對于激光退火法的條件，YVO4激光器的二次諧波(波長532nm，5.5W)被用作激光。在如圖14所示的光學系統(tǒng)中形成相對于凸透鏡103具有約20°入射角φ的200μm×50μm的橢圓形激光束。橢圓形激光束以20cm/s或50cm/s的速度移動并幅照到基片上。這樣，半導體膜42的結晶性被改善。結果獲得半導體膜43(圖20C)。
圖20C中半導體膜晶化之后的步驟與第七實施例所示圖18C～18H所示步驟相同。這樣，n-溝道型TFT51和p-溝道型TFT52被形成，二者都具有6μm的溝道長度和4μm的溝道寬度。這些電學特性被測試。
圖21A～23B表示通過這些步驟制造的TFT的電學特性。
圖21A和21B表示通過在圖20C的激光退火步驟中以20cm/s速度移動基片制造的TFT的電學特性。圖2 1A表示n-溝道型TFT5 1的電學特性。圖21B表示p-溝道型TFT52的電學特性。圖22A和22B表示通過在圖20C的激光退火步驟中以50cm/s速度移動基片制造的TFT的電學特性。圖22A表示n-溝道型TFT51的電學特性。圖22B表示p-溝道型TFT52的電學特性。
電學特性在柵極電壓Vg＝-16～16V和漏極電壓Vd＝1V和5V范圍內測量。在圖21A～22B中，漏極電流(ID)和柵極電流(IG)由實線表示。遷移率(μE)由虛線表示。
因為在根據(jù)本發(fā)明晶化的半導體膜上形成了大晶粒，當TFT由此半導體膜制造時，包含溝道形成區(qū)的晶界數(shù)量減少。此外，形成的晶粒指向同一方向。另外，少數(shù)晶界位于激光相對掃描方向交叉的方向。因此載流子穿越晶界的次數(shù)可大大減少。
因此，如圖21A～22B所示可獲得具有良好電學特性的TFT。特別是，圖21A和21B中，在n-溝道型TFT中遷移率為510cm2/Vs，在p-溝道型TFT中遷移率為200cm2/Vs。圖22A和22B中，在n-溝道型TFT中遷移率為595Gm2/Vs，在p-溝道型TFT中遷移率為199cm2/Vs。當通過使用這類型TFT制造半導體器件時，操作性能和可靠性也能被改善。
圖23A和23B表示在圖20C的激光退火步驟中通過以50cm/s速度移動基片制造的TFT的電學特性。圖23A表示n-溝道型TFT51的電學特性。圖23B表示p-溝道型TFT52的電學特性。
電學特性在柵極電壓Vg＝-16～16V和漏極電壓Vd＝0.1V和5V范圍內測量。
如圖23A和23B所示，可獲得具有良好電學特性的TFT。特別是，圖23A中的n-溝道型TFT中遷移率為657cm2/Vs，在圖23B中的p-溝道型TFT中遷移率為219cm2/Vs。當通過使用這類型TFT制造半導體器件時，操作性能和可靠性也能被改善。
在本實例中，頂部柵極結構的情況已被描述。但是，可采用底部柵極結構或雙柵極結構?；话憧删哂薪^緣表面，如玻璃基片、石英基片和塑料基片。第十實例在本實例中，將參考圖24A～24F和25A～25D描述使用本發(fā)明的讀出放大器組合成半導體器件的電子裝置。
作為這樣的電子裝置的實例可列出以下便攜式信息終端(例如電子圖書、移動計算機，或蜂窩電話)，攝像機，靜態(tài)照相機、個人計算機、電視等。這些電子裝置的實例示于24A～24F和25A～25D。
圖24A表示一個蜂窩電話，它包含主體9001、聲音輸出部分9002、聲音輸入部分9003、顯示部分9004、操作開關9005，以及天線9006。本發(fā)明和顯示部分9004可被結合并形成在同一基片上。
圖24B表示攝像機，它包含主體9101、顯示部分9102、聲頻輸入部分9103、操作開關9104、電池9105以及圖象接收部分9106。本發(fā)明和顯示部分9102可被結合并形成在同一基片上。
圖24C表示移動計算機或便攜式信息終端，它包含主體9201、相機部分9202、圖象接收部分9203、操作開關9204和顯示部分9205。本發(fā)明和顯示部分9205可被結合并形成在同一基片上。
圖24D表示頭戴式顯示器，它包含主體9301、顯示部分9302和鏡臂部分9303。本發(fā)明和顯示部分9302可被結合并形成在同一基片上。
圖24E表示電視，它包含主體9401、揚聲器9402、顯示部分9403、接收器件9404、放大器器件9405等。本發(fā)明和顯示部分9403可被結合并形成在同一基片上。
圖24F表示便攜式電子圖書，它包含主體9501、顯示部分9502、存儲媒介9504、操作開關9505以及天線9506，并且便攜式電子圖書顯示記錄在小型盤(MD)和DVD(數(shù)字化視頻光盤)中的數(shù)據(jù)和由天線接收到的數(shù)據(jù)。本發(fā)明和顯示部分9502可被結合并形成在同一基片上。
圖25A表示個人計算機，它包含主體9601、圖象輸入部分9602、顯示部分9603和鍵盤9604。本發(fā)明和顯示部分9603可被結合并形成在同一基片上。
圖25B表示使用記錄媒介(此后稱為記錄媒介)的播放器，它包含主體9701、顯示部分9702、揚聲器部分9703、記錄媒介9704和操作開關9705。該播放器使用DVD(數(shù)字化視頻光盤)、CD等作記錄媒介，并且可被用于音樂欣賞、電影欣賞、游戲和互聯(lián)網。本發(fā)明和顯示部分9702可被結合并形成在同一基片上。
圖25C表示數(shù)字照相機，它包含主體9801、顯示部分9802、取景器部分9803、操作開關9804和圖象接收部分(圖中未示出)。本發(fā)明和顯示部分9802可被結合并形成在同一基片上。
圖25D表示單眼頭戴式顯示器，它包含顯示部分9901和頭置顯示部分9902。本發(fā)明和顯示部分9901可被結合并形成在同一基片上。
如上面所描述的，本發(fā)明的應用范圍很廣泛，本發(fā)明可被應用于各領域的電子裝置中。
根據(jù)本發(fā)明的電子裝置在具有大閾值變化的晶體管技術中能精確檢測兩個輸入信號間的電位差。因此，誤操作次數(shù)可被大大減少。因為讀出放大器能檢測兩個輸入信號間的小電位差，因此檢測速度可改善。
權利要求
1.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號間的電位差的讀出放大器，該放大器包含用于將對應于第一和第二晶體管的閾值的電壓分別施加到第一和第二晶體管的柵極-源極電壓的第一裝置；以及用于將輸入到第一和第二輸入端的信號傳輸?shù)降谝缓偷诙w管的柵極的第二裝置，其中第一和第二晶體管的閾值變化被校正。
2.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中第一和第二晶體管具有公共源極，并且該源極通過第一開關被連接到第一電源。
3.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中第一和第二晶體管的漏極分別通過第二和第三開關被連接到第二電源。
4.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中第一晶體管的漏極通過第二開關和第一電阻器被連接到第二電源；而第二晶體管的漏極通過第三開關和第二電阻器被連接到第二電源。
5.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中第一晶體管的漏極通過第二開關和第三晶體管被連接到第二電源，第二晶體管的漏極通過第三開關和第四晶體管連接到第二電源，第三和第四晶體管的柵極都被連接到第三晶體管的漏極。
6.根據(jù)權利要求1任何之一的讀出放大器，第一裝置包含用于分別控制第一和第二晶體管的柵極和漏極間的導通/非導通的第一開關裝置；用于分別控制向第一和第二晶體管的漏極的充電或放電電荷的第二開關裝置；以及用于控制向第一和第二晶體管的源極的充電或放電電荷的第三開關裝置。
7.根據(jù)權利要求1任何之一的讀出放大器，其中第二裝置包含分別位于第一和第二輸入端以及第一和第二晶體管的柵極間的電容器。
8.根據(jù)權利要求1任何之一的讀出放大器，其中第二裝置包含被分別串聯(lián)在第一和第二輸入端以及第一和第二晶體管的柵極間的電容器和開關；以及用于分別控制與處于兩對電容器和開關連接節(jié)點的第三電源的連接的第四和第五開關。
9.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，第一裝置包含第一晶體管的源極和第二電源間的第一開關；第三晶體管的柵極和漏極間的第二開關；第四晶體管的柵極和漏極間的第三開關；第三晶體管的柵極和漏極間的第一電容器；第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極間的第二電容器；第一節(jié)點，在此第一和第三晶體管的漏極彼此連接；以及第二節(jié)點，在此第二和第四晶體管的漏極彼此連接。
10.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，第一裝置包含第一晶體管的源極和第二電源間的晶體管，該晶體管柵極和偏壓電源連接；第三晶體管的柵極和漏極間的第二開關；第四晶體管的柵極和漏極間的第三開關；第三晶體管的柵極和漏極間的第一電容器；第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極間的第二電容器；第一晶體管的漏極和第三晶體管的漏極間的第四開關；以及第二晶體管的漏極和第四晶體管的漏極間的第五開關。
11.根據(jù)權利要求1的讀出放大器，第一裝置包含第一晶體管的源極和第二電源間的晶體管，該晶體管柵極和偏壓電源連接；第三晶體管的柵極和漏極間的第二開關；第四晶體管的柵極和漏極間的第三開關；第三晶體管的柵極和漏極間的第一電容器；第四晶體管的柵極和第三晶體管的漏極間的第二電容器；第一晶體管的漏極和第三晶體管的漏極間的第四開關；第二晶體管的漏極和第四晶體管的漏極間的第五開關；第三晶體管的漏極和第三電源間的第六開關；以及第四晶體管的漏極和第三電源間的第七開關。
12.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八及第九開關；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第六開關的第一端和第七開關的第一端，而第二電容器的第二端被電連接到第八開關的第一端和第九開關的第一端；第一、第二和第三電源；第一PMOS晶體管，它包含被電連接到第一電源的源極，被電連接到第一開關的第一端的漏極，和電連接到漏極的柵極；第二PMOS晶體管，它包含被電連接到第一電源的源極，被電連接到第二開關的第一端的漏極，和電連接到第一PMOS晶體管的漏極的柵極；第一NMOS晶體管，它包含被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端，以及第二電容器的第一端的柵極；第二NMOS晶體管，它包含被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端，以及第四電容器的第一端的柵極，其中第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二PMOS晶體管的漏極的輸出端，其中第一開關的第二端被電連接到第一NMOS晶體管的漏極和第三開關的第一端，而第二開關的第二端被電連接到第二NMOS晶體管的漏極和第四開關的第一端，并且其中第五開關的第二端被電連接到第二電源，第六開關的第二端被電連接到第一輸入端，第七開關的第二端被電連接到第三電源，第八開關的第二端被電連接到第二輸入端，第九開關的第二端被電連接到第三電源。
13.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二和第三電源；第一、第二、第三、第四和第五開關，其中第五開關的第二端被電連接到第二電源；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第一輸入端，而第二電容器的第二端被電連接到第二輸入端；第一PMOS晶體管，它包含被電連接到第一電源的源極，被電連接到第一開關的第一端的漏極，以及電連接到漏極的柵極；第二PMOS晶體管，它包含被電連接到第一電源的源極，被電連接到第二開關的第一端的漏極，以及電連接到第一PMOS晶體管的漏極的柵極；第一NMOS晶體管，它包含被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端，以及第二電容器的第一端的柵極；第二NMOS晶體管，它包含被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端，以及第四電容器的第一端的柵極，其中第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二PMOS晶體管的漏極的輸出端。
14.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八及第九開關；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第六開關的第一端和第七開關的第一端，而第二電容器的第二端被電連接到第八開關的第一端和第九開關的第一端；第一、第二和第三電源；具有第一端被電連接到第一電源和第二端被電連接到第一開關的第一端的第一電阻器；具有第一端被電連接到第一電源的和第二端被電連接到第二開關的第一端的第二電阻器；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端和第二容器的第一端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端以及第四電容器的第一端，并且第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二電阻器的漏極的輸出端，其中第一開關的第二端被電連接到第一NMOS晶體管的漏極和第三開關的第一端，而第二開關的第二端被電連接到第二NMOS晶體管的漏極和第四開關的第一端，并且其中第五開關的第二端被電連接到第二電源，第一電容器的第二端被電連接到第六開關的第一端和第七開關的第一端，第二電容器的第二端被電連接到第八開關的第一端和第九開關的第一端，第六開關的第二端被電連接到第一輸入端，第七開關的第二端被電連接到第三電源，第八開關的第二端被電連接到第二輸入端，第九開關的第二端被電連接到第三電源。
15.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二、第三、第四和第五開關；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第一輸入端，而第二電容器的第二端被電連接到第二輸入端；第一、第二和第三電源；具有第一端被電連接到第一電源的和第二端被電連接到第一開關的第一端的第一電阻器；具有第一端被電連接到第一電源的和第二端被電連接到第二開關的第一端的第二電阻器；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端以及第二容器的第一端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端以及第四電容器的第一端，而第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二電阻器的漏極的輸出端。
16.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二和第三電源；第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八及第九開關，其中第一和第二開關的第一端都被電連接到第一電源；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第六開關的第一端和第七開關的第一端，而第二電容器的第二端被電連接到第八開關的第一端和第九開關的第一端；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端以及第二容器的第一端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端以及第四電容器的第一端，第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二開關的第二端的輸出端，其中第一開關的第二端被電連接到第一NMOS晶體管的漏極和第三開關的第一端，而第二開關的第二端被電連接到第二NMOS晶體管的漏極和第四開關的第一端，以及其中第五開關的第二端被電連接到第二電源，第六開關的第二端被電連接到第一輸入端，第七開關的第二端被電連接到第三電源，第八開關的第二端被電連接到第二輸入端，第九開關的第二端被電連接到第三電源。
17.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二和第三電源；第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八及第九開關，其中第一和第二開關的第一端都被電連接到第一電源，而第五開關的第二端被電連接到第二電源；第一、第二、第三和第四電容器，其中第一電容器的第二端被電連接到第一輸入端，而第二電容器的第二端被電連接到第二輸入端；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被電連接到第三開關的第二端、第一電容器的第一端以及第二電容器的第一端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被電連接到第四開關的第二端、第三電容器的第一端以及第四電容器的第一端，第一和第二NMOS晶體管的源極都被電連接到第五開關的第一端、第二電容器的第二端和第四電容器的第二端；以及被電連接到第二開關的第二端的輸出端。其中第一開關的第二端被電連接到第一NMOS晶體管的漏極和第三開關的第一端，而第二開關的第二端被電連接到第二NMOS晶體管的漏極和第四開關的第一端。
18.一種讀出放大器，包含柵極被連接到第一輸入端的第一晶體管；柵極被連接到第二輸入端的第二晶體管；源極被連接到第一電源的第三晶體管；源極被連接到第一電源的第四晶體管；以及用于使第三和第四晶體管的柵極-源極電壓存儲對應于第三和第四晶體管的閾值的電壓的第一裝置，其中第一和第二晶體管的源極被彼此連接；以及其中第一和第二晶體管的閾值變化被校正。
19.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一和第二電源；第一、第二和第三開關，其中第三開關的第二端被連接到第二電源；第一和第二電容器；第一PMOS晶體管，其中第一PMOS晶體管的柵極被連接到第一開關的第二端和第一電容器的第二端；第二PMOS晶體管，其中第二PMOS晶體管的柵極被連接到第二開關的第二端和第二電容器的第二端，第一和第二PMOS晶體管的源極都被連接到第一電源；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被連接到第一輸入端，而第一NMOS晶體管的漏極被連接到第一PMOS晶體管的漏極、第一開關的第一端、第一電容器的第一端和第二電容器的第一端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被連接到第二輸入端；第二NMOS晶體管的漏極被連接到第二PMOS晶體管的漏極和第二開關的第一端；第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的源極都被連接到第三開關的第一端；被連接到第二NMOS晶體管的漏極的輸出端。
20.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一和第二電源；第一、第二、第三和第四開關，其中第一開關的第一端被連接到第三開關的第一端，而第二開關的第一端被連接到第四開關的第一端；第一和第二電容器；第一PMOS晶體管，其中第一PMOS晶體管的漏極被連接到第一開關的第一端和第一電容器的第一端；而第二電容器的第一端，以及第一PMOS晶體管的柵極被連接到第一開關的第二端和第一電容器的第二端；第二PMOS晶體管，其中第二PMOS晶體管的漏極被連接到第二開關的第一端，第二PMOS晶體管的柵極被連接到第二開關的第二端和第二電容器的第二端，且第一和第二PMOS晶體管的源極都被連接到第一電源；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的柵極被連接到第一輸入端，而第一NMOS晶體管的漏極被連接到第三開關的第二端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的柵極被連接到第二輸入端；第二NMOS晶體管的漏極被連接到第四開關的第二端；第三NMOS晶體管，其中第三NMOS晶體管的源極被連接到第二電源；以及被連接到第二NMOS晶體管的漏極的輸出端，其中第一和第二NMOS晶體管的源極都被連接到第三NMOS晶體管的漏極；
21.一種用于檢測被輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差的讀出放大器，該放大器包含第一、第二和第三電源；第一、第二、第三、第四、第五和第六開關，其中第一開關的第一端被連接到第三開關的第一端，而第二開關的第一端被連接到第四開關的第一端，第五和第六開關的第二端都被連接到第三電源；第一和第二電容器；第一PMOS晶體管，其中第一PMOS晶體管的漏被連接到第一開關的第一端、第一電容器的第一端和第二電容器的第一端，而第一PMOS晶體管的柵極被連接到第一開關的第二端和第一電容器的第二端；第二PMOS晶體管，其中第二PMOS晶體管的漏極被連接到第二開關的第一端，且第一和第二PMOS晶體管的源極都被連接到第一電源，而第二PMOS晶體管的柵極被連接到第二開關的第二端和第二電容器的第二端；第一NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管的漏極被連接到第三開關的第二端，而第一NMOS晶體管的柵極被連接到第一輸入端，其中第二NMOS晶體管的柵極被連接到第二輸入端；第二NMOS晶體管，其中第二NMOS晶體管的漏極被連接到第四開關的第二端；第三NMOS晶體管，其中第三NMOS晶體管的源極被連接到第二電源；被連接到第二NMOS晶體管的漏極的輸出端，其中第一和第二NMOS晶體管的源極都被連接到第三NMOS晶體管的漏極，以及其中第一PMOS晶體管的漏極被連接到第五開關的第一端，而第二PMOS晶體管的漏極被連接到第六開關的第一端。
22.一種根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
23.一種根據(jù)權利要求1的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
24.一種根據(jù)權利要求22的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜用連續(xù)波激光晶化。
25.一種根據(jù)權利要求23的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
26.一種包含根據(jù)權利要求1的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
27.一種根據(jù)權利要求12的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
28.一種根據(jù)權利要求12的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
29.一種根據(jù)權利要求27的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
30.一種根據(jù)權利要求28的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
31.一種包含根據(jù)權利要求12的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
32.一種根據(jù)權利要求13的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
33.一種根據(jù)權利要求13的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
34.一種根據(jù)權利要求32的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
35.一種根據(jù)權利要求33的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
36.一種包含根據(jù)權利要求13的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
37.一種根據(jù)權利要求14的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
38.一種根據(jù)權利要求14的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
39.一種根據(jù)權利要求37的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜被連續(xù)波激光晶化。
40.一種根據(jù)權利要求38的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
41.一種包含根據(jù)權利要求14的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
42.一種根據(jù)權利要求15的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
43.一種根據(jù)權利要求15的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
44.一種根據(jù)權利要求42的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜被連續(xù)波激光晶化。
45.一種根據(jù)權利要求43的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜被連續(xù)波激光晶化。
46.一種包含根據(jù)權利要求15的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
47一種根據(jù)權利要求16的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
48.一種根據(jù)權利要求16的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
49.一種根據(jù)權利要求47的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜被連續(xù)波激光晶化。
50.一種根據(jù)權利要求48的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜被連續(xù)波激光晶化。
51.一種包含根據(jù)權利要求16的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
52.一種根據(jù)權利要求17的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
53.一種根據(jù)權利要求17的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
54.一種根據(jù)權利要求52的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
55.一種根據(jù)權利要求53的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
56.一種包含根據(jù)權利要求17的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
57.一種根據(jù)權利要求18的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
58.一種根據(jù)權利要求18的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
59.一種根據(jù)權利要求57的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
60.一種根據(jù)權利要求58的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
61.一種包含根據(jù)權利要求18的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
62.一種根據(jù)權利要求19的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
63.一種根據(jù)權利要求19的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
64.一種根據(jù)權利要求62的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
65.一種根據(jù)權利要求63的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
66.一種包含根據(jù)權利要求19的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
67.一種根據(jù)權利要求20的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
68.一種根據(jù)權利要求20的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
69.一種根據(jù)權利要求67的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
70.一種根據(jù)權利要求68的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)激光晶化。
71.一種包含根據(jù)權利要求20的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
72.一種根據(jù)權利要求21的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成。
73.一種根據(jù)權利要求21的讀出放大器，其中讀出放大器由薄膜晶體管構成并被組合成一種圖象顯示裝置。
74.一種根據(jù)權利要求72的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
75.一種根據(jù)權利要求73的讀出放大器，其中薄膜晶體管包含用作半導體有源層的半導體膜，并且該半導體膜由連續(xù)波激光晶化。
76.一種包含根據(jù)權利要求21的讀出放大器的電子裝置，其中電子裝置選自由蜂窩電話、攝像機、移動計算機、頭戴式顯示器、電視、便攜式電子圖書、個人計算機、播放器、數(shù)字照相機和單眼頭戴式顯示器組成的組。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的讀出放大器用于檢測輸入到第一輸入端和第二輸入端的信號的電位差，它包括用于施加對應于第一和第二晶體管的閾值電壓的電壓到第一和第二晶體管的柵極－源極電壓的第一裝置，以及用于將輸入到第一和第二輸入端的信號傳輸?shù)降谝缓偷诙w管的柵極的第二裝置。這樣，第一和第二晶體管的閾值變化被校正。
文檔編號G11C11/413GK1421862SQ0215471
公開日2003年6月4日 申請日期2002年11月29日 優(yōu)先權日2001年11月30日
發(fā)明者鹽野入豐, 加藤清, 淺見宗廣 申請人:株式會社半導體能源研究所