本發(fā)明涉及LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤，特別是一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置和保護方法。

背景技術(shù)：

SD卡（Secure Digital Memory Card），是一種基于半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，也是電子硬盤中的一種。它被廣泛地于便攜式裝置上使用，例如數(shù)碼相機、個人數(shù)碼助理(外語縮寫PDA)和多媒體播放器等;具有大容量、高性能、安全等多種特點。

近年來隨著技術(shù)的高速發(fā)展，各種大容量的電子硬盤（如：SD卡）作為數(shù)據(jù)存儲器被廣泛的應用到各個領(lǐng)域，特別對于脫機播放的LED燈光系統(tǒng)。由于人們對LED燈光系統(tǒng)的顯示效果要求越來越高，顯示內(nèi)容也越來越豐富，所需的數(shù)據(jù)容量也越來越大，對數(shù)據(jù)存儲器的電子硬盤的要求也越來越高。

作為數(shù)據(jù)存儲器的SD卡，最容易損壞的就是在運行過程中突然斷電或電壓不穩(wěn)；而這在LED燈光系統(tǒng)工程中確實經(jīng)常發(fā)生的事；由于LED燈光系統(tǒng)的特殊性（不可能像一些電子產(chǎn)品一樣配外部電池），因此如何經(jīng)濟高效的保護電子硬盤不受電源電壓影響成為一個課題。

SD卡損壞的主要原因：就是在SD卡運行中（讀卡、寫卡）系統(tǒng)突然斷電或電壓突然變低，從而造成SD卡內(nèi)部數(shù)據(jù)損壞；影響LED燈光系統(tǒng)的運行。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置和保護方法，主要解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的技術(shù)問題，它具有結(jié)構(gòu)簡單、使用安全、可靠的優(yōu)點。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，它包括5V電源輸入模塊、該5V電源輸入模塊通過第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊連接電子硬盤、CPU、CPLD芯片和SRAM；其特征在于：該5V電源輸入模塊還通過充電回路、法拉電容連接第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊，該5V電源輸入模塊連接電壓檢測模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，其特征在于：該5V電源輸入模塊還通過第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊連接網(wǎng)絡模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，其特征在于：該5V電源輸入模塊還分別連接通訊模塊和輸出顯示模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，其特征在于：該第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊采用AMS1117-3.3V芯片。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，其特征在于：該電壓檢測模塊采用MAX813L芯片。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置，其特征在于：該法拉電容采用0.1—0.5F/5.5V的電容。

一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護方法，其特征在于：它采用如上所述的保護裝置，其工作原理是：用法拉電容作為電子硬盤和CPU的備用電源；當電壓檢測模塊檢測到系統(tǒng)供電電壓低于CPU運行電壓時，由法拉電容供電，在電子硬盤供電電壓低于正常電壓前，停止對電子硬盤的操作；從而保護電子硬盤。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實施方式

請參閱圖1，本發(fā)明公開了一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護裝置。如圖所示：它包括5V電源輸入模塊1、該5V電源輸入模塊1通過第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2連接電子硬盤3（主要是SD卡）、CPU 4、CPLD芯片 5和SRAM 6。該5V電源輸入模塊1還通過充電回路7、法拉電容8連接第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2，該5V電源輸入模塊1連接電壓檢測模塊13。

該5V電源輸入模塊1還通過第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊9連接網(wǎng)絡模塊10。

該5V電源輸入模塊1還分別連接通訊模塊11和輸出顯示模塊12。

該第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2和第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊9采用AMS1117-3.3V芯片，它可把5V輸入電壓轉(zhuǎn)換成3.3V工作電壓。

該電壓檢測模塊13采用MAX813L芯片。它為5V供電，當5V供電電壓小于4.8V時會產(chǎn)生一個低點平信號送給CPU 4。

該法拉電容8采用0.1—0.5F/5.5V的電容，只需保證當外部電源失電或電壓過低時，能保證CPU 4和電子硬盤3有足夠時間完成保護動作。

該電子硬盤3為普通的SD卡，如ScanDisk的2G/4G/8G/16G卡、Kingston的2G/4G/8G/16G卡。

該CPU 4采用NUVOTON的NUC130LE3CN芯片，是32位的內(nèi)嵌ARM? Cortex?-M0核的微控制器 ，適用于工業(yè)控制和需要豐富的通信接口的應用領(lǐng)域；最高速度可運行至50 MHz，內(nèi)建128K字節(jié)的Flash存儲器，以及16K字節(jié)SRAM。

該CPLD芯片5采用LATTICE的LCMX02-1200系列芯片，內(nèi)置64KbitsSRAM、10KbitsRAM、1280個寄存器。

該SRAM 6采用ISSI的IS61LV5128芯片，數(shù)據(jù)容量為512K x 8bit；是高速CMOS靜態(tài)SRAM；最高讀寫速率可達125MHZ。

該網(wǎng)絡模塊10的網(wǎng)絡數(shù)據(jù)處理芯片采用DAVICOM的DM9000A芯片，10/100M速率自適應，內(nèi)有4KSRAM。

本發(fā)明保護方法原理具體說明如下:

1)、5V供電電壓正常情況下，5V電源通過充電回路7對法拉電容8進行充電，直到電壓達到法拉電容8的最高電壓；同時通過第一5.5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2生成3.3V電源對CPU、電子硬盤、CPLD芯片、SRAM等3.3V設備供電。

2）、當5V電源電壓斷開時，電壓檢測模塊13會產(chǎn)生一個中斷信號給CPU。同時法拉電容8開始對第一5.5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2供電；維持CPU、電子硬盤的正常3.3V供電。

3）、CPU接收到電壓檢測模塊13的中斷信號后，立刻開始停止當前程序，進入運行電子硬盤停止程序；按正常步驟停止對電子硬盤的操作；從而保護電子硬盤。

本發(fā)明保護方法的要點如下：

1）、5V電源電壓斷開時，電壓檢測模塊的電壓是漸漸變低的，可以調(diào)節(jié)中斷信號產(chǎn)生時的電壓閥值。以相應不同的工作環(huán)境。

2）、CPU停止對電子硬盤操作的時間一般在100MS左右，因此法拉電容的容量選擇只需保證維持3.3V電壓500MS時間就可以了。

3）、盡量使法拉電容維持的3.3V只對CPU、電子硬盤供電。

綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍。即凡依本發(fā)明申請專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應為本發(fā)明的技術(shù)范疇。