計(jì)算以多磁為基礎(chǔ)的設(shè)備及最佳化問題的解決方案的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種計(jì)算以多磁為基礎(chǔ)的設(shè)備及最佳化問題的解決方案的方法。實(shí)施例包含第一磁體；第二磁體；以及互連件，介于該第一磁體和該第二磁體之間并互連該第一磁體和該第二磁體，且該互連件組構(gòu)成允許該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過施加到該第一磁體和該第二磁體及藉由該互連件而導(dǎo)通的電壓或電流而溝通。該計(jì)算性多磁體設(shè)備的可擴(kuò)充性提供具有指數(shù)性增加的復(fù)雜性的算法的解答。
【專利說明】計(jì)算以多磁為基礎(chǔ)的設(shè)備及最佳化問題的解決方案的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭露涉及用于解決計(jì)算性問題的設(shè)備。本揭露特別適用于解決最佳化問題。
【背景技術(shù)】
[0002]使用于微處理器中的晶體管基礎(chǔ)設(shè)備常使用來解決計(jì)算性問題。當(dāng)計(jì)算性問題隨著大小和復(fù)雜性而變化時(shí)，此種設(shè)備的可擴(kuò)充性(scalability)是主要考量。例如，非確定性多項(xiàng)式完整性問題(non-deterministic polynomial complete problems) (NP完整性問題)是非常難以解決的。隨著問題的大小和復(fù)雜性的增長，提供解答給涉及到今日的技術(shù)涉及到呈指數(shù)增長的計(jì)算性步驟和執(zhí)行時(shí)間。
[0003]傳統(tǒng)用于提供計(jì)算性解答的硬件安排已利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)而實(shí)行。特別地，CMOS技術(shù)是用于構(gòu)建集成電路，例如采用晶體管的微處理器。CMOS系統(tǒng)只有在速度和高功率要求上作線性的改進(jìn)。因此，在處理復(fù)雜問題時(shí)，CMOS系統(tǒng)的線性本質(zhì)須要數(shù)百萬核心服務(wù)器，這導(dǎo)致了高功率的使用。為此，CMOS系統(tǒng)在可擴(kuò)充性和電源效率上受到嚴(yán)重限制。
[0004]一種基于軟件的計(jì)算性方法，如仿真退火(SA)的方法，是另一已知以解決復(fù)雜的計(jì)算性或最佳化問題的途徑。然而，該SA方法，類似其它基于軟件的方法，具有各種在例如將軟件語言轉(zhuǎn)譯為用在現(xiàn)有技術(shù)中基于布爾類型的計(jì)算相關(guān)聯(lián)的低效率。此外，以這些軟件為基礎(chǔ)的方法對(duì)于存在的己知硬件(如CMOS技術(shù))來說是有限的。
[0005]一般都知道，使用于微處理器中的以晶體管為基礎(chǔ)的設(shè)備擴(kuò)充性具有許多限制性，比如能耗、關(guān)閉狀態(tài)漏電、在小型化金屬互連件時(shí)的困難等。以類似的方式，一般眾所周知的事為用于提供計(jì)算性解答的基于軟件的方法是有限的，起因于該等方法的非效率性及對(duì)有其自身局限性的硬件的依賴。
[0006]因此，從而存在對(duì)具有可擴(kuò)充性以提供解答予成級(jí)數(shù)增加的復(fù)雜性的算法，以及對(duì)用于實(shí)行該硬件架構(gòu)的方法的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本揭露的一種態(tài)樣用于解決計(jì)算性問題的設(shè)備，例如一種具有最終松弛狀態(tài)的具有多磁體的設(shè)備，該最終松弛狀態(tài)根據(jù)施加于磁體的電壓或電流的幅度和極性。
[0008]本揭露的另一種態(tài)樣是一種方法，該方法是磁化設(shè)備的磁體及將磁體松弛至基于施加于磁體的電壓或電流的幅度和極性的狀態(tài)。
[0009]本揭露的另一種態(tài)樣及其它特征將闡述于接下來的描述，以及在某種程度上，對(duì)在本【技術(shù)領(lǐng)域】中具有普通技術(shù)的人員來說，在審視說明書下列內(nèi)容后或可從實(shí)踐本揭露中所學(xué)習(xí)到的，顯而易見的?？闪私獗窘衣兜膬?yōu)點(diǎn)，以及得到如所附權(quán)利要求中特別指出的。
[0010]根據(jù)本揭露，某些技術(shù)的效果可藉由包括以下的設(shè)備而在某種程度上達(dá)到，該設(shè)備包括:第一磁體；第二磁體；以及互連件，介于該第一磁體和該第二磁體之間并互連該第一磁體和該第二磁體，且該互連件組構(gòu)成允許該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過施加到該第一磁體和該第二磁體及藉由該互連件而導(dǎo)通的電壓或電流而溝通。
[0011]在本揭露的態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體是奈米磁體。在進(jìn)一步的態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過自旋極化電流、自旋波、或磁壁而溝通，以及該第一磁體和該第二磁體具有疊加狀態(tài)，該疊加狀態(tài)藉由磁化該第一磁體和該第二磁體而達(dá)到，且該第一磁體和該第二磁體的磁化藉由脈沖媒介而沿該第一磁體和該第二磁體的個(gè)別中間軸所施加。在其它態(tài)樣中，該脈沖媒介是外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩效應(yīng)或磁化的電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)。其它態(tài)樣包含該第一磁體和該第二磁體具有在該第一磁體和該第二磁體磁化后所達(dá)到的松弛狀態(tài)。在進(jìn)一步的態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體的該松弛狀態(tài)是以已知機(jī)率及基于施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流的極性和幅度而達(dá)到。在其它態(tài)樣中，若施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流具有負(fù)極性，則該松弛狀態(tài)是鐵磁性序化，而若施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流具有正極性，則該松弛狀態(tài)是抗鐵磁性序化。在更進(jìn)一步的態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體之間的溝通是基于施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流的該極性和該幅度而可調(diào)整。
[0012]本揭露的另一個(gè)態(tài)樣，一種方法，包括:藉由互連件電性耦合第一磁體和第二磁體；施加電壓或電流至該第一磁體和該第二磁體；以及將該互連件組構(gòu)成允許該第一磁體和該第二磁體溝通以響應(yīng)該電壓或該電流。
[0013]本揭露的態(tài)樣包含，包括沿該第一磁體和該第二磁體的個(gè)別中間軸磁化該第一磁體和該第二磁體至疊加狀態(tài)，以及松弛該第一磁體和該第二磁體至基于施加到該第一磁體和該第二磁體的極性和幅度的狀態(tài)。在額外態(tài)樣中，藉由使該第一磁體和該第二磁體經(jīng)受外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩、或電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)而磁化該第一磁體和該第二磁體。在進(jìn)一步的態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過藉由施加到該第一磁體和該第二磁體的電壓或電流所產(chǎn)生的自旋極化電流、自旋波、或磁壁而溝通。在其它態(tài)樣中，該第一磁體和該第二磁體具有在該第一磁體和該第二磁體磁化后以已知機(jī)率所達(dá)到的松弛狀態(tài)。
[0014]本揭露的額外態(tài)樣包含施加具有負(fù)極性的電壓或電流及松弛該第一磁體和該第二磁體至鐵磁性序化。本揭露的又一額外態(tài)樣包含施加具有正極性的電壓或電流及松弛該第一磁體和該第二磁體至抗鐵磁性序化。
[0015]本揭露的另一個(gè)態(tài)樣一種方法，包括:以互連件電性稱合每對(duì)磁體的方式將多個(gè)磁體配置成電路架構(gòu)組構(gòu)；針對(duì)每對(duì)磁體:施加電壓或電流至該兩個(gè)磁體；以及沿該兩個(gè)磁體的個(gè)別中間軸磁化該兩個(gè)磁體至疊加狀態(tài)。
[0016]對(duì)本【技術(shù)領(lǐng)域】中熟知技術(shù)的人員來說，從接下來的詳細(xì)描述將使本揭露的其它態(tài)樣及技術(shù)效果對(duì)該等人員是顯而易見的，其中本揭露的實(shí)施例藉由實(shí)行最佳模式的說明的方法以完成本揭露而簡化地描述。正如將會(huì)了解到的，本揭露能夠具有其它及不同實(shí)施例，且該實(shí)施例的數(shù)種細(xì)節(jié)能夠具有以各種明顯方面的修改，所有的這些都不脫離本揭露。因此，附圖和描述被認(rèn)為在本質(zhì)上是說明性的，而不是限制性的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]本揭露藉由隨附圖式中的圖標(biāo)舉例(而非限制)的方式來說明，并且其中相同的組件符號(hào)表示類似的組件，且其中:
[0018]第IA圖和第IB圖示意性地示出根據(jù)示范性實(shí)施例中的多磁體設(shè)備；[0019]第2A圖和第2B圖示意性地示出根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例中的多磁體設(shè)備；
[0020]第3A圖至第3D圖示意性地示出根據(jù)示范性實(shí)施例中的多磁體設(shè)備的最終松弛狀態(tài)組構(gòu)；以及
[0021]第4A圖至第4C圖示意性地示出根據(jù)示范性實(shí)施例中的多個(gè)多磁體設(shè)備的電路架構(gòu)組構(gòu)。
[0022]符號(hào)說明
[0023]100、100’多磁設(shè)備
[0024]101、205、401、405、409 磁體
[0025]103,203,403,407,411 互連件
[0026]105終端
[0027]107,303,307PMA 磁體
[0028]201、301、305平行于平面的磁體
[0029]A方向或軸。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在以下描述中，為了解釋的目的，提出許多具體的細(xì)節(jié)以提供示范性實(shí)施例的透徹了解。然而，顯然示范性實(shí)施例仍可在無具體的細(xì)節(jié)或在等效的安排下施行。在其它情況下，習(xí)知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備為了避免不必要地模糊示范性實(shí)施例而示于方塊圖中。此外，除非另有說明，所有在說明書和權(quán)利要求中所表達(dá)的數(shù)量、比率和成分、反應(yīng)條件等等的數(shù)值特性的數(shù)字被理解為在所有的情況下藉由用詞「約」來修飾。
[0031]本揭露滿足及解決用于計(jì)算性硬件架構(gòu)(伴隨著提供對(duì)于具有以指數(shù)方式增加的復(fù)雜性的算法的解決方案)的可擴(kuò)充性不能勝任的當(dāng)前問題。根據(jù)本發(fā)明中的實(shí)施例，具有相互作用的奈米磁體的多磁設(shè)備組構(gòu)成用于解決計(jì)算性算法，例如，復(fù)雜的最佳化問題。多磁設(shè)備具有將自然映像提供給感興趣的最佳化問題的特性。磁體能夠達(dá)到藉由在磁化階段施加于磁體的電壓和電流的幅度和極性而確定的最終松弛狀態(tài)(final relaxedstate)?？梢砸阎獧C(jī)率達(dá)到最終松弛狀態(tài)。例如，用于各種組構(gòu)的磁體的最終松弛狀態(tài)可預(yù)測成某種程度的機(jī)率，使得特定事件的百分比可為已知的。在控制最終松弛狀態(tài)中，磁體之間的互動(dòng)可調(diào)整以提供增加的可擴(kuò)充性來解決復(fù)雜問題。因此，硬件的尺寸和功率效率大大改善了現(xiàn)有的硬件，如晶體管和基于軟件的方法。
[0032]本揭露的實(shí)施例包含一種設(shè)備，包含:第一磁體；第二磁體；以及互連件，組構(gòu)成允許第一磁體和第二磁體經(jīng)過藉由施加到該第一磁體和該第二磁體以及藉由該互連件所導(dǎo)通的電壓或電流而產(chǎn)生的自旋極化電流、自旋波或磁壁(domain wall)而溝通。
[0033]仍有其它態(tài)樣、特征、及技術(shù)效果將從下面的詳細(xì)描述中而對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，其中僅藉由所考慮的最佳模式的說明來顯示和描述較佳實(shí)施例。本揭露可以其它和不同的實(shí)施例，以及其數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)可以數(shù)個(gè)明顯態(tài)樣來修飾。因此，附圖和描述將視為在本質(zhì)上是說明性的，而非作為限制性的。
[0034]根據(jù)一個(gè)本揭露的示例性實(shí)施例的多磁設(shè)備100描繪在第IA圖和第IB圖。如第IA圖中所描繪的，多磁設(shè)備100包含平行于平面(in-plane)的磁體101、互連件103、和終端105?；ミB件103可電性耦合相鄰對(duì)和非相鄰對(duì)的磁體101。磁體101可以經(jīng)過藉由電壓或電流在互連件103中所產(chǎn)生的自旋電流、自旋波或磁壁而相互溝通及互動(dòng)。磁體101可為奈米磁體和由例如，鎳-鐵(NiFe)或鈷-鐵-硼(CoFeB)所制成。注意第IB圖，根據(jù)另一不例性實(shí)施例中的一種多磁設(shè)備100’，描繪為具有垂直磁性異向性(perpendicularmagnetic anisotropy ；PMA)磁體107、互連件103、和終端105。磁體107可為奈米磁體和由例如，鈷-鐵-硼(CoFeB)、鐵-鉬(FePt)、和鈷-鉻-鉬(CoCrPt)所制成。
[0035]互連件103可為例如由硅(Si)、銅(銅)、鋁(Al)、銀(Ag)、石墨等所制成。當(dāng)互連件103是由娃或石墨所形成時(shí)，穿隧阻障層(tunnel barrier)(未圖標(biāo))可被放置在磁體101之間。穿隧阻障層可具有I至20奈米的厚度，且可由氧化鎂(MgO)、氧化鋁(Al2O3)或氧化硅(SiO2)所形成。
[0036]藉由施加電壓或電流于磁體101或磁體107，自旋電流、自旋波、或磁壁可產(chǎn)生于互連件103中且沿互連件103傳導(dǎo)，從而允許磁體101和磁體107溝通及彼此互動(dòng)。每個(gè)磁體101或磁體107可以基于自旋轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)矩效應(yīng)而分別相等地或非相等地影響另一個(gè)磁體101或磁體107。然而，在磁體101和磁體107之間的相互作用不須足夠大以切換另一磁體。如下面所更詳細(xì)地討論的,在磁體101和磁體107的磁化后，可達(dá)到及藉由在磁體101或磁體107磁化時(shí)施加在磁體101或磁體107的電壓或電流的幅度和極性而確定磁體101或磁體107的最終松弛狀態(tài)?？梢砸阎獧C(jī)率達(dá)到磁體101及/或磁體107的最終松弛狀態(tài)。
[0037]如第IA圖和第IB圖中分別示出的磁體101和磁體107可具有在I和20奈米之間的厚度。此外，每個(gè)磁體101和磁體107可具有100平方奈米到100平方微米的表面面積。施加在磁體101或磁體107的電壓范圍可從10毫伏(mV)至2伏(V)。由于磁體的最終松弛狀態(tài)可藉由施加于磁體101的電流的幅度和極性所確定，故施加于磁體101或磁體107的電流可在5微安培(μ A)至10毫安(mA)的范圍。
[0038]第2Α圖和第2Β圖分別示出設(shè)備100和設(shè)備100’的示例性實(shí)施例,其具有多個(gè)磁體和沿磁體可被磁化的方向。注意第2Α圖，設(shè)備100包含平行于平面的磁體201和互連件203。磁體201的疊加狀態(tài)(superposition state)可藉由脈沖媒介(pulsing agent)而達(dá)成。例如，脈沖媒介可包含外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩效應(yīng)、經(jīng)過多鐵磁性材料的磁化或磁化的誘發(fā)旋轉(zhuǎn)應(yīng)變所由電壓誘發(fā)的旋轉(zhuǎn)。平行于平面的磁體201的磁化對(duì)于每個(gè)磁體201而言是沿中間方向或軸(如字母A所指者)進(jìn)行。
[0039]第2B圖描繪具有磁體205和互連件203的設(shè)備100’。相似于平行于平面的磁體201，磁體205的疊加狀態(tài)可藉由脈沖媒介而達(dá)成，該脈沖媒介如外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩效應(yīng)、或經(jīng)過多鐵性(mult1-ferroic)材料的磁化的電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)或磁化的應(yīng)變誘發(fā)旋轉(zhuǎn)的。平行于平面的磁體205的磁化對(duì)于每個(gè)磁體205而言是沿中間方向A進(jìn)行。
[0040]為了達(dá)到磁體201或PMA磁體205的疊加狀態(tài)，外部磁場的強(qiáng)度可為10至10，000厄斯特(Oe)。磁體201或PMA磁體205的疊加狀態(tài)可藉由具有5微安培至10毫安的電流的自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩而達(dá)到。為了達(dá)到磁體201或PMA磁體205的疊加狀態(tài)，電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)可具有5毫伏至10伏的電壓。外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩、和電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)皆可具有100皮秒(ps)至10毫秒(ms)的脈沖周期。在藉由任何脈沖方法達(dá)到磁體201或PMA磁體205的疊加狀態(tài)之后，磁體201或PMA磁體205在10皮秒至10毫秒后松弛至確定狀態(tài)(determinedstate)。
[0041]在移除脈沖媒介后，磁體201或磁體205的磁化松弛至藉由施加于磁體201或磁體205的電壓或電流的極性和幅度而確定的狀態(tài)。可達(dá)到各種平行于平面或PMA的磁體的松弛狀態(tài)。可以已知機(jī)率達(dá)到磁體201及/或磁體205的最終松弛狀態(tài)。藉由控制施加于磁體201和磁體205的電壓或電流，多磁設(shè)備100可調(diào)整及縮放至符合欲解決的計(jì)算性問題的復(fù)雜性。即，磁體201和磁體205之間的相互作用可調(diào)整的，以及因此可客制化用于特定的應(yīng)用和問題。第3A圖至第3D圖顯示各種根據(jù)示例性實(shí)施例的磁體的最終(松弛)狀態(tài)。對(duì)于負(fù)極性，磁體的較佳狀態(tài)是鐵磁性組構(gòu)，其中二個(gè)磁體的磁化彼此平行，如指向同一方向的兩個(gè)磁體的箭頭(無論實(shí)線或虛線)所指者。注意第3A圖，其描繪兩個(gè)平行于平面的磁體301的具有鐵磁性序化的平行組構(gòu)。第3A圖所示之最終狀態(tài)藉由負(fù)極性電壓(V<0)或藉由如小箭頭所標(biāo)示的電流方向所達(dá)成。第3B圖描繪出兩個(gè)PMA磁體303的具有鐵磁性序化的一種平行組構(gòu)，其再次以指向同一方向的箭頭而標(biāo)示。描繪于第3B圖中的最終狀態(tài)藉由電壓的負(fù)極性或如藉由小箭頭所標(biāo)示的電流方向所達(dá)到。
[0042]對(duì)于正極性，磁體的較佳狀態(tài)是抗鐵磁性組構(gòu),其中磁體的磁化彼此非平行的,如同藉由指向相反方向的兩個(gè)磁體的箭頭所標(biāo)示的。注意第3C圖，描繪兩個(gè)平行于平面的磁體305所具有的鐵磁性序化的非平行組構(gòu)。在第3C圖中示出的最終狀態(tài)藉由正極性電壓或藉由小箭頭所標(biāo)示的電流方向所達(dá)成。第3D圖描繪出一種非平行組構(gòu)，其具有兩個(gè)PMA磁體307的抗鐵磁性序化。第3D圖中所示的最終狀態(tài)藉由電壓的正極性(V>0)或藉由如小箭頭所標(biāo)示的電流方向所達(dá)到。
[0043]所述的平行于平面或PMA磁體可以多種配置形成。第4A圖至第4C圖定出根據(jù)示例性實(shí)施例的不同類型的磁體配置的三種范例。描繪于第4A圖至第4C圖的配置可為平行于平面或PMA的磁體。注意第4A圖，磁體401和互連件403形成為矩陣架構(gòu)。第4B圖描繪出磁體405和互連件407配置成交叉架構(gòu)。第4C圖標(biāo)出磁體409和互連件411配置成三角架構(gòu)。
[0044]雖然已針對(duì)解決復(fù)雜的最佳化問題描述多磁設(shè)備100和100’，但本揭露亦應(yīng)用于加強(qiáng)或取代基于晶體管設(shè)備的設(shè)備，且可用于解決任何程度的復(fù)雜性的計(jì)算問題。設(shè)備100和100’的本質(zhì)傾向和特性允許設(shè)備100和100’比例如基于晶體管設(shè)備的傳統(tǒng)設(shè)備更快、更有效地解決計(jì)算的問題。設(shè)備100和100’可用于補(bǔ)充傳統(tǒng)設(shè)備或可用于全面替代傳統(tǒng)設(shè)備。
[0045]本揭露的實(shí)施例可達(dá)到包含可擴(kuò)充性以提供具有指數(shù)性增加的復(fù)雜性的算法的解答的數(shù)種技術(shù)效果。本揭露享有解決如非確定性多項(xiàng)式完整性問題的復(fù)雜最佳化問題的工業(yè)應(yīng)用性。
[0046]在前面的描述中，本揭露參考具體示例性實(shí)施例而加以描述。然而，很明顯地，可在不脫離如權(quán)利要求所闡述的本揭露的更廣泛精神和范圍而作出各種修飾和改變。因此，說明書和附圖被認(rèn)為是說明性而非限制性的。可了解的是本揭露能夠用于各種其它組合和實(shí)施例，以及在本文中所表達(dá)的本發(fā)明概念的范圍內(nèi)作任何改變或修飾。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 第一磁體； 第二磁體；以及 互連件，介于該第一磁體和該第二磁體之間并互連該第一磁體和該第二磁體，該互連件組構(gòu)成允許該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過施加到該第一磁體和該第二磁體的電壓或電流及藉由該互連件的導(dǎo)通而溝通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，該第一磁體和該第二磁體是奈米磁體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中，該第一磁體和該第二磁體具有藉由磁化該第一磁體和該第二磁體而達(dá)到的疊加狀態(tài)，以及其中該第一磁體和該第二磁體的磁化藉由脈沖媒介而沿該第一磁體和該第二磁體的個(gè)別中間軸而施加。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過自旋極化電流、自旋波、或磁壁而溝通，且該脈沖媒介是外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩效應(yīng)或磁化的電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中，該第一磁體和該第二磁體具有可在該第一磁體和該第二磁體磁化后達(dá)到的松弛狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，該第一磁體和該第二磁體的該松弛狀態(tài)以已知機(jī)率及基于施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流的極性和幅度而達(dá)到。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，若施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流具有負(fù)極性，則該松弛狀態(tài)是鐵磁性序化，以及若施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流具有正極性，則該松弛狀態(tài)是抗鐵磁性序化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，該第一磁體和該第二磁體之間的溝通是基于施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流的該極性和該幅度而可調(diào)整。
9.一種方法，包括: 藉由互連件電性耦合第一磁體和第二磁體； 施加電壓或電流至該第一磁體和該第二磁體；以及 將該互連件組構(gòu)成允許該第一磁體和該第二磁體溝通，以響應(yīng)該電壓或該電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括沿該第一磁體和該第二磁體的個(gè)別中間軸磁化該第一磁體和該第二磁體至疊加狀態(tài)，以及松弛該第一磁體和該第二磁體至基于施加到該第一磁體和該第二磁體的極性和幅度的狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括藉由使該第一磁體和該第二磁體經(jīng)受外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩、或電壓誘發(fā)旋轉(zhuǎn)而磁化該第一磁體和該第二磁體。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，該第一磁體和該第二磁體經(jīng)過藉由施加到該第一磁體和該第二磁體的該電壓或該電流所產(chǎn)生的自旋極化電流、自旋波、或磁壁而溝通。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中，該第一磁體和該第二磁體具有在該第一磁體和該第二磁體磁化后以已知機(jī)率達(dá)到的松弛狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括施加具有負(fù)極性的電壓或電流及松弛該第一磁體和該第二磁體至鐵磁性序化。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括施加具有正極性的電壓或電流及松弛該第一磁體和該第二磁體至抗鐵磁性序化。
16.—種方法,包括: 以互連件電性耦合每對(duì)磁體的方式將多個(gè)磁體配置成電路架構(gòu)組構(gòu)； 針對(duì)每對(duì)磁體: 施加電壓或電流至該兩個(gè)磁體；以及 沿該兩個(gè)磁體的個(gè)別中間軸磁化該兩個(gè)磁體至疊加狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，包括藉由施加外部磁場、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩效應(yīng)、或電壓誘發(fā)磁化旋轉(zhuǎn)以磁化每對(duì)磁體。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括基于施加于該每對(duì)磁體的該電壓或該電流的極性和幅度而松弛該每對(duì)磁體至最終狀態(tài)，且用于至少一對(duì)磁體的該最終狀態(tài)是以已知機(jī)率而達(dá)到。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，包括藉由施加具有負(fù)極性的電壓或電流而松弛該每對(duì)磁體至鐵磁性序化的最終狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，包括藉由施加具有正極性的電壓或電流而松弛每對(duì)磁體至抗鐵磁性序化的最終狀·態(tài)。
【文檔編號(hào)】G06F17/50GK103593497SQ201310351404
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月13日
【發(fā)明者】本塔旭·本漢艾影 申請(qǐng)人:格羅方德半導(dǎo)體公司