專利名稱：電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，具體是電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展和制造水平的不斷提高，采用無線電實現(xiàn)的射頻識別技術(shù)發(fā)展迅猛，射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡，其將無線電技術(shù)和IC技術(shù)結(jié)合，通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路，高頻接口從其天線上吸收電流，并將吸收的電流整流穩(wěn)壓后作為電子標簽內(nèi)芯片的電源。高頻接口內(nèi)設(shè)有穩(wěn)壓器，穩(wěn)壓器主要用于防止整流后的直流電源電壓過高，并對過高的直流電壓進行泄放，現(xiàn)有穩(wěn)壓器是通過對電源電壓與某個標準電壓進行比較，進而得到需泄放的電壓，這樣得到的泄放電壓會有一個電壓突然跳變的過程，使泄放電流在跳變前后的改變量較大，這可能使得接收信號的調(diào)制深度在某段場強范圍內(nèi)非常小，進而會導致解調(diào)失敗。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了在輸入直流電壓過高時，對電壓進行泄放能避免泄放電壓出現(xiàn)跳變的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器。本實用新型的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，包括第一電阻、第二電阻及第一 NMOS管，所述第一電阻兩端分別與第二電阻和第一 NMOS管漏極連接，第一 NMOS管的源極接地，所述第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第一 NMOS管柵極連接；所述第一 NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線，所述第二電阻與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本實用新型中的直流電壓輸入線接收高頻接口整流后的直流電壓，直流電壓輸出線將穩(wěn)壓后的直流電壓輸出。電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，還包括第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管，所述第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管三者的柵極均連接在第一電阻連接第一 NMOS管漏極的一端上，所述第二 NMOS管漏極與第一 NMOS管柵極和第二電阻之間的線路連接，第三NMOS管的源極和漏極分別與第四NMOS管漏極和第二 NMOS管源極連接，第四NMOS管源極接地。本實用新型中第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管連接的線路構(gòu)成過流保護電路。所述直流電壓輸出線上連接有第一電容，所述第一電容相對連接直流電壓輸出線端的另一端與第一 NMOS管源極連接。本實用新型通過第一電阻和第一電容對輸入的直流電壓進行濾波，濾除其中的高頻部分，從而使輸出的直流電壓更平穩(wěn)，第一電容可接收泄放的電流。所述第二電阻為可調(diào)電阻。本實用新型可通過可調(diào)電阻對本實用新型中作用于第一 NMOS管柵極的電壓進行調(diào)控，進而對泄放電壓進行調(diào)控。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果本實用新型包括第一電阻、第二電阻及第一 NMOS管，本實用新型在輸出直流電壓過高時通過第一 NMOS管對直流電壓進行泄放，從而達到降低電壓的目的，因第一 NMOS管的自身調(diào)控作用，能避免泄放電壓時電壓出現(xiàn)跳變，進而能避免因泄放電流在跳變前后的改變量較大所導致的解調(diào)失敗。

圖I為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為R1—第一電阻，R2—第二電阻，NI—第一NMOS管，N2—第二 NMOS管，N3—第三NMOS管，N4—第四NMOS管，I一直流電壓輸入線，2—直流電壓輸出線。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例及附圖對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。實施例如圖I所示，電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容Cl及四個MOS管，其中，四個MOS管分別為第一 NMOS管NI、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4。第二電阻R2為可調(diào)電阻，第一電阻Rl兩端分別與第二電阻R2和第一 NMOS管NI漏極連接，第一匪OS管NI的源極接地，第二電阻R2相對連接第一電阻Rl端的另一端與第一 NMOS管NI柵極連接。第一 NMOS管NI漏極與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸入線1，第二電阻R2與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸出線2。第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4三者的柵極均連接在第一電阻Rl連接第一 NMOS管NI漏極的一端上，第二 NMOS管N2漏極與第一 NMOS管NI柵極和第二電阻R2之間的線路連接，第三NMOS管N3的源極和漏極分別與第四NMOS管N4漏極和第二NMOS管N2源極連接，第四NMOS管N4源極接地。第一電容Cl相對連接直流電壓輸出線2端的另一端與第一 NMOS管NI源極連接。如上所述，則能很好的實現(xiàn)本實用新型。
權(quán)利要求1.電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于包括第一電阻(R1)、第二電阻(R2)及第一 NMOS管(NI)，所述第一電阻(Rl)兩端分別與第二電阻(R2)和第一 NMOS管(NI)漏極連接，第一 NMOS管(NI)的源極接地，所述第二電阻(R2)相對連接第一電阻(Rl)端的另一端與第一 NMOS管(NI)柵極連接；所述第一 NMOS管(NI)漏極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸入線(1)，所述第二電阻(R2)與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸出線(2 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于還包括第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)及第四NMOS管(N4)，所述第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)及第四NMOS管(N4)三者的柵極均連接在第一電阻(Rl)連接第一 NMOS管(NI)漏極的一端上，所述第二 NMOS管(N2)漏極與第一 NMOS管(NI)柵極和第二電阻(R2)之間的線路連接，第三NMOS管(N3)的源極和漏極分別與第四NMOS管(N4)漏極和第二 NMOS管(N2)源極連接，第四NMOS管(N4)源極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于所述直流電壓輸出線(2)上連接有第一電容(Cl)，所述第一電容(Cl)相對連接直流電壓輸出線(2)端的另一端與第一 NMOS管(NI)源極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3所述的任一種電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于所述第二電阻(R2)為可調(diào)電阻。
專利摘要本實用新型公開了電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，包括第一電阻、第二電阻及第一NMOS管，第一電阻兩端分別與第二電阻和第一NMOS管漏極連接，第一NMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第一NMOS管柵極連接。第一NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線，第二電阻與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本實用新型采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)，本實用新型應用時通過第一NMOS管的作用能避免泄放電壓出現(xiàn)跳變，進而避免解調(diào)失敗。
文檔編號G06K19/077GK202632347SQ20122031638
公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司