專利名稱：射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，具體是射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路。
背景技術(shù)：
射頻識別是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的非接觸式自動(dòng)目標(biāo)識別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。射頻識別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標(biāo)簽，電子標(biāo)簽接收閱讀器的能量會(huì)受作用距離、與閱讀器天線之間的角度影響，電子標(biāo)簽感應(yīng)到的電壓可能會(huì)比較大，所以必須有單獨(dú)的模塊電路實(shí)現(xiàn)限幅，將電壓限制在一定范圍之內(nèi)，以防止接收MOS管柵極被擊穿。限幅的最簡單直接的措施是降低耦合系數(shù)，現(xiàn)今人們常常通過調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離或者調(diào)整電子標(biāo)簽的輸入電容來降低耦合系數(shù)，其中，采用調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離對于操作人員來說是很 難把握的，該方法不切合實(shí)際；改電子標(biāo)簽的輸入電容，即是改變諧振頻率，降低耦合系數(shù)，電子標(biāo)簽中傳送的功率也會(huì)降低，在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中電容的實(shí)現(xiàn)會(huì)占用較大的芯片面積，而且電容的參數(shù)浮動(dòng)相對較大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種便于操作控制，結(jié)構(gòu)簡單，且在進(jìn)行電壓限幅時(shí)不會(huì)影響傳送功率的射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路。本實(shí)用新型的目的主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路，包括第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，所述第一電阻的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的漏極和第二電阻連接，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的漏極連接，第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管源極和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管源極均接地，所述第二電容兩端分別串聯(lián)第三電阻和第四電阻后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接，其另一端接地，所述第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管兩者的柵極均與第二電容和第四電阻之間的線路連接。所述第一電阻和第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端，第二電阻和第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端。本實(shí)用新型通過設(shè)置第一天線信號輸入端和第二天線信號輸入端，便于與外接天線。所述第一電阻和第二電阻為可調(diào)電阻。本實(shí)用新型可通過對第一電阻和第二電阻的阻值進(jìn)行調(diào)控來改變本實(shí)用新型的限幅電壓，從而使本實(shí)用新型改變限幅電壓時(shí)操作方便。本實(shí)用新型在應(yīng)用時(shí)，第一電阻、第二電阻及第一電容用于采樣射頻信號，第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管為泄流管，第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管并聯(lián)在天線兩端進(jìn)行限幅分流。當(dāng)采樣的信號高于參考電平時(shí)，流經(jīng)第四電阻的電流增加，因此控制第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管兩者柵極的電位提高，增加第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的導(dǎo)通能力，流經(jīng)第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的電流增加，降低標(biāo)簽天線的有效負(fù)載，從而限制天線信號的電壓幅度。本實(shí)用新型中第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容構(gòu)成的串并聯(lián)線路為濾波回路，該濾波回路反饋調(diào)整第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的導(dǎo)通程度，從而保證本實(shí)用新型應(yīng)用時(shí)電壓的穩(wěn)定。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有 以下有益效果本實(shí)用新型包括第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，本實(shí)用新型使用電子元件的數(shù)量少，整體結(jié)構(gòu)簡單，集成在模塊上時(shí)體積小，便于實(shí)現(xiàn)、成本低，且本實(shí)用新型在應(yīng)用時(shí)通過提高第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二增強(qiáng)型場效應(yīng)管的柵極電壓，不會(huì)對功率產(chǎn)生影響，在輸入電壓高于一定電壓值時(shí)使并聯(lián)分流電路導(dǎo)通，使電路的電流變大，從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內(nèi)。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標(biāo)記所對應(yīng)的名稱為N1—第一N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，N2—第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，Cl一第一電容，C2—第二電容，Rl—第一電阻，R2—第二電阻，R3—第三電阻，R4—第四電阻，Antl—第一天線信號輸入端，Ant2—第二天線信號輸入端。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例如圖I所示，射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路，包括第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管NI、第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管N2、第一電阻R1、第二電阻N2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容Cl及第二電容C2，其中，第一電阻R1、第二電阻R2及第三電阻R3均為可調(diào)電阻。第一電阻Rl的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管NI的漏極和第二電阻R2連接，第二電阻R2相對連接第一電阻Rl端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管N2的漏極連接，第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管NI源極和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管N2源極均接地。第二電容C2兩端分別串聯(lián)第三電阻R3和第四電阻R4后與第一電容Cl并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻R3的一端與第一電阻Rl和第二電阻R2之間的線路連接，其另一端接地。第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管NI和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管N2兩者的柵極均與第二電容C2和第四電阻R4之間的線路連接。為了便于外接天線，第一電阻Rl和第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管NI漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端Antl，第二電阻R2和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管N2漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端Ant2。如上所述，則能很好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路，其特征在于包括第一N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(NI)、第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N2)、第一電阻(R1)、第二電阻(N2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第一電容(Cl)及第二電容(C2)，所述第一電阻(Rl)的兩端分別與第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(NI)的漏極和第二電阻(R2)連接，第二電阻(R2)相對連接第一電阻(Rl)端的另一端與第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N2)的漏極連接，第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(NI)源極和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N2)源極均接地，所述第二電容(C2)兩端分別串聯(lián)第三電阻(R3)和第四電阻(R4)后與第一電容(Cl)并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻(R3)的一端與第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)之間的線路連接，其另一端接地，所述第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(NI)和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N2)兩者的柵極均與第二電容(C2 )和第四電阻(R4 )之間的線路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的射頻識別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊，其特征在于所述第一電阻(Rl)和第一 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(NI)漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端(Antl)，第二電阻(R2)和第二 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(N2)漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端(Ant2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的射頻識別系統(tǒng)中天線的電壓限幅模塊，其特征在于所述第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)為可調(diào)電阻。
專利摘要本實(shí)用新型公開了射頻系統(tǒng)中電子標(biāo)簽的天線限幅電路，包括第一N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，第一電阻的兩端分別與第一N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的漏極和第二電阻連接，第二電阻與第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的漏極連接。第二電容串聯(lián)第三電阻和第四電阻后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接。第一N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管和第二N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管兩者的柵極均與第二電容和第四電阻之間的線路連接。采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實(shí)現(xiàn)，且在實(shí)現(xiàn)天線的電壓限幅時(shí)不會(huì)對功率產(chǎn)生影響。
文檔編號G06K19/077GK202632345SQ201220316348
公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司