積分球（例 如，烏布利希球（Ulbrichtsphere))中的漫反射來生成，其中，選擇球中的材料以提供漫反 射。
[0046] 歸因于根據本文所述實施方式的測量布置，可增加測量系統(tǒng)對基板位置與基板翹 曲的公差。例如，導致+_2° (例如，+_1°C)的角度偏差的基板翹曲可在本文中所述的測 量的公差之內。
[0047] 如圖4中示例性地所示，光束可具有在射束離開出口端口 216之前、在積分球的內 表面上的原點P的位置，所述光束被示出為具有指示光的方向的箭頭的實線。如圖4中示 例性地所示，射束可透射過基板或從基板處被反射，并且在反射的情況下，射束能以反射角 進入光出口端口 216。根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，第一光檢查裝 置212配置并布置成使得從基板120 (例如，從基板的第一表面121)處被反射的光可由第 一光檢測裝置212檢測到。在本公開案中，通過光出口端口 216離開積分球213的光束與 進入光出口端口 216的反射光束之間的角度可稱為射束角β。
[0048] 根據多個實施方式，如圖4中示例性地所示，光學測量裝置210包括測量軸217。 根據多個實施方式，測量軸217基本上垂直于基板120的第一表面121。在本公開案中，如 圖4中由參考編號218所示，由第一光檢測裝置檢測到的從基板處被反射的光束所在的方 向被稱為第一光檢測裝置的檢測方向，如在圖4中由參考編號218示例性標示。根據多個 實施方式，在檢測方向218與測量軸217之間的角度α在2°至10°的范圍內，特別地，在 2°至8°的范圍內，更特別地，在2°至4°的范圍內，優(yōu)選地，小于4°。
[0049] 根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，積分球213具有150mm或 更小的內徑，特別地，具有100mm或更小的內徑，更特別地，具有75mm或更小的內徑。根據 多個實施方式，通過提供具有較大的積分球的發(fā)光裝置，可補償光出口端口216的尺寸對 基板的照射質量的影響，特別是可最小化所述影響。
[0050] 根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，積分球213的光出口端口 216可具有25_或更小的直徑，特別地，具有15_或更小的直徑，更特別地，具有10_或更 小的直徑。通過增加光出口端口的直徑，該基板的更大部分可被照射，從而執(zhí)行對基板的至 少一個光學性質的測量。
[0051] 根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，第一光檢測裝置212配置 并布置成使得第一光檢測裝置212不會檢測到來自光源214的直射光。例如，可在積分球 213內提供遮蔽裝置（未繪示），這避免光源發(fā)射出的光直接射中第一光檢測裝置212。此 類遮蔽手段可例如由遮蔽件（shield)、孔（aperture)或透鏡（lens)來實現(xiàn)，這些遮蔽件、 孔或透鏡配置并布置成使得由光源214發(fā)射的直射光不會射中第一光檢測裝置212。
[0052] 根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，第一光檢測裝置212配置 并布置成使得沒有來自積分球的內部的反射出的光由第一光檢測裝置212檢測到。例如， 第一光檢測裝置212可布置成使得僅（例如，由于在基板120上的反射）通過積分球213 的光出口端口 216而進入的光可由第一光檢測裝置212檢測到。
[0053] 與測量豎直地布置的大面積基板的性質相關聯(lián)的問題在于，大面積基板因作用在 基板上的重力而易于翹曲（wrap)?；宓拇祟惵N曲會導致光學測量的不精確，因為基板相 對于測量裝置的相對位置可能因翹曲的位置和程度而改變。如下文中參照圖5和圖6所概 述，（例如，因作用在豎直地布置的基板上重力引起的）基板翹曲對如本文中所述的測量布 置的測量準確性的影響基本上可消除。
[0054] 參照圖5和圖6,分析（例如，因作用在豎直地布置的基板上重力引起的）基板的 翹曲的影響。由于翹曲可視為相對于基板的原始取向來傾斜基板與偏移基板的重疊，因此， 單獨地分析傾斜基板和偏移基板的影響。因此，參照圖5,分析相較于如圖4所示基板的參 考取向來偏移基板的影響。此外，參照圖6,評估相比如圖4所示基板的參考取向來傾斜基 板的影響。
[0055] 圖5示出根據圖4的光學測量裝置的實施方式的示意性剖面圖，其中，相比如圖4 所示基板與光學測量裝置的相對位置，橫向地偏移基板相對于光學測量裝置的相對位置。 在圖5中，基板120的橫向偏移以AD指示。如圖5中所示，當基板偏移了距離AD時， 相比如圖4所示光束的原點P的位置，在從基板120反射后由第一光檢測裝置檢測到的 光束的原點P的位置看上去已經被移動遠離第一光檢測裝置212。如圖5中所示，射束角(β+Δ β)隨積分球213的光出口端口 216與基板120之間的增加的距離（D1+AD)而增 加。因此，光出口端口 216的尺寸以及第一光檢測裝置212的位置和尺寸確定了從基板反 射的光可由第一光檢測裝置212檢測到時的、基板與光出口端口 216之間的最大距離。由 于為了測量基板的至少一個光學性質，以漫射光來照射基板，因此遍及基板被照射的部分， 照射到基板上的光具有相同的強度。因此，所測量的基板的至少一個光學性質的準確性獨 立于基板和本文中所述的測量布置之間的距離，特別地，以30mm的距離且在±25mm的公差 內，特別地，在±20mm的公差內，更特別地，在± 15mm的公差內。
[0056] 圖6示出根據圖4的光學測量裝置的實施方式的示意性剖面圖，其中，相比如圖4 所示基板的位置傾斜了基板的相對位置。在圖6中，基板120的傾斜以δ指示。如圖6中 所示，當基板傾斜了角度S時，相比如圖4中的光束的原點Ρ的位置，在從基板120反射后 由第一光檢測裝置212檢測到的光束的原點Ρ的位置看上去已被移動遠離第一光檢測裝 置212。此外，如圖6中所示，射束角（β+δ)可根據基板的傾斜的角度δ而變化。因此， 光出口端口 216的尺寸以及第一光檢測裝置212的位置和尺寸確定了從基板反射的光可由 第一光檢測裝置212檢測到時的、基板的最大傾斜。由于為了測量基板的至少一個光學性 質，以漫射光來照射基板，因此遍及基板的被照射的部分，照射到基板上的光具有相同的強 度。因此，所測量的基板的至少一個光學性質的準確性獨立于基板的傾斜δ(例如，由重力 導致的豎直地配置的基板的翹曲）。
[0057] 如上文中參照圖5和圖6所概述，可基本上消除（例如，因作用在豎直地布置的基 板上的重力引起的）基板翹曲對如本文中所述的測量布置的測量準確性的影響。因此，如 本文中所述的用于處理大面積基板的設備能夠測量基本上豎直地布置的大面積基板的至 少一個光學性質。特別地，根據本文所述實施方式的、用于處理大面積基板的設備適用于測 量基本上豎直地布置的大面積移動基板的至少一個光學性質，特別地，針對以至少1米/分 鐘的傳輸速度移動的基板，特別地，至少20米/分鐘，更特別地，至少35米/分鐘，例如，50 米/分鐘。此外，通過提供根據本文所述實施方式的、用于處理大面積基板的設備，能以基 板與測量布置之間的高達100mm的距離以及高達±2°的基板傾斜（例如，通過對大面積基 板的翹曲）來測量對基板的至少一個光學性質的高準確度的測量。
[0058] 根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，至少一個光學測量裝置 210進一步包括第二光檢測裝置215,其用于測量基本上豎直地布置的大面積基板的至少 一個光學性質。如圖7中示例性地所示，根據本文所述實施方式，第二光檢測裝置215可相 對于發(fā)光裝置211布置在基板120的與發(fā)光裝置211不同的另一側上，特別地，相對于積分 球的光出口端口 216布置在基板120的與發(fā)光裝置211不同的相對側上，特別地，在基板 120的第二表面122的那側上。根據多個實施方式，第二光檢測裝置215以相對于基板120 的第二表面122的距離D2相對于基本上豎直地布置的基板120而布置，其中，D2 = 30mm且 在±25mm的公差內，特別地，在±20mm的公差內，更特別地，在± 15mm的公差內。
[0059] 根據可與本文中所述其他實施方式結合的多個實施方式，第二光檢測裝置可包括 處理可見輻射的能力。第二光檢測裝置可適用于處理在額外的光學范圍中的輻射，諸如，紅 外輻射或紫外輻射。例如，第二光檢測裝置可以是適用于處理以下輻射范圍內的輻射的光 傳感器：380至780nm的可見福射范圍內和/或780nm至3000nm的紅外福射范圍中和/或 200nm至380nm的紫外輻射范圍內。第二光檢測裝置可以是光電傳感器或(XD傳感器（電 荷耦合器件）。第二光檢測裝置可提供以獲取測量數據并且獲取參考數據。第二光檢測裝 置可包括信號出口端口，所述信號出口端口可連接至用于閉環(huán)控制的控制器141。
[0060]根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，由至少一個光學測量裝置 的第二光檢測裝置測量的基板的至少一個光學性質包括透過基板的透射率。通過提供具 有第一光檢測裝置和第二光檢測裝置的測量布置，測量基板的透射率和反射率兩者是可能 的。由此，可獲取與基板的性質有關的更多信息。因此，可基于測量到的基板的至少一個光 學性質來更準確地控制或調整至少一個工藝參數。
[0061]根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，第二光檢測裝置可經由纜 線或無線連接而連接到用于閉環(huán)控制的控制器141。用于閉環(huán)控制的控制器141可適用于 檢查并分析第二光檢測裝置的信號。如果檢測到被定義為非正常的基板的任何特性，則用 于閉環(huán)控制的控制器141可檢測到改變，并且基于測量到的基本上豎直地布置的大面積基 板的至少一個光學性質來觸發(fā)對至少一個工藝參數的反應（諸如，控制，尤其是改變）。
[0062]根據可與本文所述其他實施方式結合的多個實施方式，可將距離D1和/或距離D2保持為盡可能小，其中，所述距離D1在發(fā)光裝置211的積分球213與基板120的第一表面 121之間，所述距離D2在第二光檢測裝置215與基板120的第二表面122之間，所述第二表 面122在基板的第一表面的相反側上。根據多