一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本專利涉及半導(dǎo)體與器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]碲鋅鎘襯底的位錯(cuò)等缺陷通常采用化學(xué)腐蝕方法來(lái)揭示，一般情況下，襯底缺陷分布并不均勻，存在較強(qiáng)的分布特征，襯底應(yīng)用更關(guān)注襯底缺陷分布特征的整體評(píng)價(jià)。傳統(tǒng)的評(píng)價(jià)方法是使用光學(xué)顯微鏡對(duì)樣品表面進(jìn)行觀察，但是由于視場(chǎng)范圍的局限性，難以實(shí)現(xiàn)對(duì)碲鋅鎘晶片表面缺陷分布的觀察和成像。X射線衍射形貌術(shù)是一種非破壞性的檢測(cè)材料缺陷分布的成像技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)晶片進(jìn)行掃描拼圖檢測(cè)，能較好地呈現(xiàn)晶片表面缺陷的宏觀分布，但缺陷分辨率較低，成像速度慢，設(shè)備昂貴，并且對(duì)操作人員存在輻射風(fēng)險(xiǎn)。本發(fā)明通過(guò)使用可見光拍照技術(shù)，對(duì)晶片腐蝕表面進(jìn)行拍照成像，可以快速獲得整個(gè)晶片的缺陷分布形貌。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本專利的目的在于提供一種能夠快速評(píng)價(jià)并記錄碲鋅鎘晶片表面缺陷分布特征的裝置。通過(guò)在可見光下成像，能夠清晰的記錄碲鋅鎘襯底表面腐蝕缺陷的分布特征。
[0004]本專利的技術(shù)方案如下:
[0005]一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，所述裝置包括:一框架，該框架由樣品臺(tái)、下底板、左側(cè)擋板、頂蓋、右側(cè)擋板、中間隔板和光源;所述頂蓋與中間隔板上等間距分布若干螺孔，用于安裝光源若干;所述頂蓋上設(shè)置有若干電源開關(guān)，該開關(guān)位置與光源相互對(duì)應(yīng);所述樣品臺(tái)放置在下底板上，可自由移動(dòng);所述左側(cè)擋板設(shè)有電源總開關(guān)，與頂蓋上的電源開關(guān)和光源通過(guò)電線并聯(lián)。
[0006]所述樣品臺(tái)材質(zhì)為有機(jī)玻璃。
[0007]所述光源為射燈，按照頂蓋長(zhǎng)度從左到右等間距安裝6個(gè)射燈，射燈入射角度在0°?180°范圍內(nèi)，調(diào)節(jié)射燈的角度，使每個(gè)射燈發(fā)出的光能夠均勻地照射到樣品臺(tái)上。
[0008]本專利還同時(shí)提供了一種安全、操作方便的基于碲鋅鎘晶片表面缺陷的評(píng)價(jià)方法;該方法能夠?qū)阡\鎘的腐蝕表面進(jìn)行大視場(chǎng)成像，以獲得材料缺陷的面分布。
[0009]技術(shù)方案如下:
[0010]I選擇樣品:取沿(111)面加工得到的碲鋅鎘晶片，對(duì)晶片表面進(jìn)行減薄拋光，得到一個(gè)鏡面的表面。
[0011 ] 2配置Everson腐蝕液:按乳酸:硝酸:氫氟酸體積比100:20:5配制Everson腐蝕液，攪拌均勻待用。
[0012]3Everson腐蝕:將碲鋅鎘晶片(Ill)B面朝上浸入腐蝕液中，腐蝕150s，再用去離子水對(duì)晶片進(jìn)行清洗，用氮?dú)鈽尨蹈伞?br>[0013]4調(diào)節(jié)射燈最佳光源:將腐蝕過(guò)的碲鋅鎘襯底放在樣品臺(tái)上，調(diào)整射燈的位置和角度，調(diào)試出均勻的面光源。
[0014]5安裝微距架:將數(shù)碼相機(jī)安裝在特制的微距架上。
[0015]6設(shè)置相機(jī)的各項(xiàng)參數(shù):使用佳能Gll數(shù)碼相機(jī)對(duì)目標(biāo)環(huán)境進(jìn)行測(cè)光，在手動(dòng)模式下，控制光圈及快門，進(jìn)而將ISO感光度調(diào)節(jié)為80。將測(cè)光模式設(shè)置為點(diǎn)測(cè)光，快門速度設(shè)置為1/160，白平衡設(shè)置為白熾燈，拍攝模式設(shè)置為微距。
[0016]7拍照:在均勻的面光源照射下，調(diào)整碲鋅鎘晶片的位置，找到最佳的拍攝角度，對(duì)晶片進(jìn)行手動(dòng)聚焦，按下快門拍攝照片，從而記錄碲鋅鎘晶片表面的缺陷分布信息。
[0017]本專利與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:
[0018](I)通過(guò)拍照成像法獲得整個(gè)晶片表面缺陷形貌的速度快，適用于工藝線對(duì)碲鋅鎘晶片進(jìn)行快速質(zhì)量篩選。
[0019](2)與X射線衍射形貌術(shù)相比，無(wú)射線輻射風(fēng)險(xiǎn)。
[0020](3)本裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，操作方便。
【附圖說(shuō)明】
[0021 ]圖1是本專利裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2是本專利裝置結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0023]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0024]1、樣品臺(tái)；2、下底板;3、左側(cè)擋板;4、頂蓋;5、右側(cè)擋板;6、中間隔板;7、光源;8、開關(guān);9、電源總開關(guān)。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0026]參照?qǐng)D1和圖2所示，本發(fā)明提供了一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，所述裝置包括:一框架，該框架由樣品臺(tái)1、下底板2、左側(cè)擋板3、頂蓋4、右側(cè)擋板5、中間隔板6和光源7組成;所述頂蓋4與中間隔板6上等間距分布若干螺孔，用于安裝光源7;所述頂蓋4上設(shè)置有若干電源開關(guān)8，該開關(guān)位置與光源7相互對(duì)應(yīng);所述樣品臺(tái)I放置在下底板2上，可自由移動(dòng);所述左側(cè)擋板3設(shè)有電源總開關(guān)9，與頂蓋上的電源開關(guān)8和光源7通過(guò)電線并耳關(guān)。
[0027]所述樣品臺(tái)I材質(zhì)為有機(jī)玻璃。
[0028]所述光源7為6個(gè)射燈，按照頂蓋長(zhǎng)度從左到右等間距，調(diào)節(jié)射燈的角度，使每個(gè)射燈發(fā)出的光能夠均勻地照射到樣品臺(tái)I上。
[0029]采用上述碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置進(jìn)行碲鋅鎘晶片表面缺陷的評(píng)價(jià)方法，包括以下步驟:
[0030]I選擇樣品:取沿(I 11)面加工得到的碲鋅鎘晶片，對(duì)晶片表面進(jìn)行減薄拋光，得到一個(gè)鏡面的表面。
[0031 ] 2配置Everson腐蝕液:按乳酸:硝酸:氫氟酸體積比100:20:5配制Everson腐蝕液，攪拌均勻待用。
[0032]3Everson腐蝕:將碲鋅鎘晶片(Ill)B面朝上浸入腐蝕液中，腐蝕150s，再用去離子水對(duì)晶片進(jìn)行清洗，用氮?dú)鈽尨蹈伞?br>[0033]4調(diào)節(jié)射燈最佳光源:將腐蝕過(guò)的碲鋅鎘襯底放在樣品臺(tái)上，調(diào)整射燈的位置和角度，調(diào)試出均勻的面光源。
[0034]5安裝微距架:將數(shù)碼相機(jī)安裝在特制的微距架上。
[0035]6設(shè)置相機(jī)的各項(xiàng)參數(shù):使用佳能Gl I數(shù)碼相機(jī)對(duì)目標(biāo)環(huán)境進(jìn)行測(cè)光，在手動(dòng)模式下，控制光圈及快門，進(jìn)而將ISO感光度調(diào)節(jié)為80。將測(cè)光模式設(shè)置為點(diǎn)測(cè)光，快門速度設(shè)置為1/160，白平衡設(shè)置為白熾燈，拍攝模式設(shè)置為微距。
[0036]7拍照:在均勻的面光源照射下，調(diào)整碲鋅鎘晶片的位置，找到最佳的拍攝角度，對(duì)晶片進(jìn)行手動(dòng)聚焦，按下快門拍攝照片，從而記錄碲鋅鎘晶片表面的缺陷分布信息。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，包括樣品臺(tái)(I)、下底板(2)、左側(cè)擋板(3)、頂蓋(4)、右側(cè)擋板(5)、中間隔板(6)、光源(7)、電源開關(guān)(8)和電源總開關(guān)(9)，其特征在于:所述頂蓋(4)與中間隔板(6)上等間距分布若干螺孔，用于安裝光源(7);所述頂蓋(4)上設(shè)置有若干電源開關(guān)(8)，該開關(guān)位置與光源(7)相互對(duì)應(yīng);所述樣品臺(tái)(I)放置在下底板(2)上，可自由移動(dòng);所述左側(cè)擋板(3)設(shè)有電源總開關(guān)(9)，與頂蓋上的電源開關(guān)(8)和光源(7)通過(guò)電線并聯(lián)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，其特征在于:所述樣品臺(tái)(I)材質(zhì)為有機(jī)玻璃。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，其特征在于:所述光源(7)為6個(gè)射燈，按照頂蓋長(zhǎng)度從左到右等間距安裝，調(diào)節(jié)射燈的角度，使每個(gè)射燈發(fā)出的光能夠均勻地照射到樣品臺(tái)(I)上。
【專利摘要】本專利公開了一種碲鋅鎘晶片腐蝕形貌的快速成像裝置，裝置包括一框架，該框架由樣品臺(tái)、下底板、左側(cè)擋板、頂蓋、右側(cè)擋板和中間隔板組成；所述頂蓋與中間隔板上等間距分布若干螺孔，用于安裝光源若干；所述框架頂蓋上設(shè)置有若干電源開關(guān)，該開關(guān)位置與光源相互對(duì)應(yīng)；所述樣品臺(tái)放置在下底板上，可自由移動(dòng)；所述左側(cè)擋板設(shè)有電源總開關(guān)，與頂蓋上的電源開關(guān)和光源通過(guò)電線串并聯(lián)。本專利通過(guò)使用可見光拍照技術(shù)，對(duì)碲鋅鎘晶片表面腐蝕坑缺陷分布進(jìn)行觀察和記錄，可以快速獲得整個(gè)晶片的缺陷分布形貌。
【IPC分類】G01N21/88
【公開號(hào)】CN205246559
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520979113
【發(fā)明人】周梅華, 虞慧嫻, 孫士文
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年12月1日