向第一傳感器部的傳遞率 [0341](與從第二光源向第二傳感器部的傳遞率相同）
[0342] β· ··從第一基板/第二基板取出光的光取出效率(或者，沒(méi)有被檢測(cè)物質(zhì)的吸 收的情況下的從第一光源向第二傳感器部、從第二光源向第一傳感器部的傳遞率）
[0343] Ip+REp·」· ??第一光源發(fā)光時(shí)的第一傳感器部的輸出信號(hào)
[0344] Ip_TRASM_l · · ·第一光源發(fā)光時(shí)的第二傳感器部的輸出信號(hào) [0345] Ip_REF_2 · · ·第二光源發(fā)光時(shí)的第二傳感器部的輸出信號(hào) [0346] Ip_TRASM_2 · · ·第二光源發(fā)光時(shí)的第一傳感器部的輸出信號(hào)
[0347] Ril · · ·第一傳感器部的靈敏度
[0348] Ri2· · ·第二傳感器部的靈敏度
[0349] 該交替驅(qū)動(dòng)是根據(jù)來(lái)自控制電路部505的控制信號(hào)使第一驅(qū)動(dòng)部和第二驅(qū)動(dòng)部進(jìn) 行動(dòng)作來(lái)使第一驅(qū)動(dòng)部和第二驅(qū)動(dòng)部交替地發(fā)光。
[0350]接著，示出運(yùn)算部504的運(yùn)算方法的一例。例如運(yùn)算部504能夠在第一光源發(fā)光時(shí) 計(jì)算運(yùn)算結(jié)果1，在第二光源發(fā)光時(shí)計(jì)算運(yùn)算結(jié)果2。即，運(yùn)算結(jié)果1和運(yùn)算結(jié)果2能夠用式 (11)和式（12)表不。
[0351 ]運(yùn)算結(jié)果 1 = Ip_TRASM_l/lp_REF_l
[0352] =(Ri2(T)X0X(l-A(C)))/(Ril(T)Xa)
[0353] · · · (11)
[0354] 運(yùn)算結(jié)果 2 = Ip-TRASM-2/lpREF-2
[0355] =(Ril(T)X0X(l-A(C)))/(Ri2(T)Xa)
[0356] · · · (12)
[0357] 只要第一傳感器部的溫度特性Ril(T) = gl(T)與第二傳感器部的溫度特性Ri2(T) g2(T)相等、或具有比例關(guān)系，就成為運(yùn)算結(jié)果la(l-A(C))，同樣地成為運(yùn)算結(jié)果2α(1-Α (C))，能夠去除作為氣體傳感器的溫度依賴性，從而能夠獲得氣體的分子進(jìn)行吸收時(shí)的真 正的吸收率。如果運(yùn)算結(jié)果1與運(yùn)算結(jié)果2相同，則作為最終的運(yùn)算結(jié)果，能夠考慮式（13)所 示那樣的運(yùn)算。
[0358] 運(yùn)算結(jié)果3 =(運(yùn)算結(jié)果1+運(yùn)算結(jié)果2)/2· · · (13)
[0359] 利用式(9)所示的運(yùn)算結(jié)果，基于Lambert-Beer法則，能夠從（l-A(C))中抽出被測(cè) 定物質(zhì)濃度C。
[0360]在此，假設(shè)α、β不與波長(zhǎng)相應(yīng)地變化并且不根據(jù)溫度而變化，但是即使發(fā)生了變 化，也可以測(cè)定第一基板和/或第二基板、或者小室的溫度，并將該測(cè)定結(jié)果在溫度補(bǔ)償中 利用。
[0361] [經(jīng)時(shí)變化補(bǔ)償]
[0362] 如從式(7)~（13)可知，由于發(fā)光部的光量不出現(xiàn)在運(yùn)算結(jié)果中，因此即使發(fā)光部 劣化、即即使發(fā)光效率發(fā)生了變化，被檢測(cè)物質(zhì)的濃度運(yùn)算結(jié)果也不變。本實(shí)施方式所涉及 的氣體傳感器將第一光源20和第一傳感器部31形成在同一基板(第一基板41)上，能夠輸出 僅基于從第一光源20放出的光的信號(hào)，因此能夠正確地測(cè)定來(lái)自第一光源20的發(fā)光量。關(guān) 于來(lái)自第二光源2(Τ的發(fā)光量也相同。在發(fā)光部包含很多的發(fā)光元件的情況下，只要適當(dāng)?shù)?對(duì)發(fā)光部20的各發(fā)光元件和第一傳感器部31的各受光元件的配置進(jìn)行設(shè)計(jì)以能夠測(cè)定各 發(fā)光兀件發(fā)出的各光量即可。
[0363] 將上述的發(fā)光部連續(xù)地接通/斷開(kāi)(脈沖驅(qū)動(dòng)），并且讀取發(fā)光部接通時(shí)和斷開(kāi)時(shí) 的來(lái)自第一傳感器部和第二傳感器部的信號(hào)，通過(guò)利用其信號(hào)差能夠去除因干擾、電路所 引起的偏移。其理由是因?yàn)橐螂娐?、干擾所引起的偏移不論發(fā)光部的接通/斷開(kāi)而始終產(chǎn) 生，因此當(dāng)取接通時(shí)與斷開(kāi)時(shí)的信號(hào)差時(shí)，能夠去除該偏移成分。
[0364] 通過(guò)將接通/斷開(kāi)的切換頻率設(shè)定為相對(duì)于干擾的輻射和電路偏移波動(dòng)的頻率是 非常高的值，偏移的去除效果更顯著。具體地說(shuō)，在干擾和偏移的變動(dòng)頻帶為0kHz~1kHz的 情況下，最好將接通/斷開(kāi)的切換頻率設(shè)為該變動(dòng)頻帶的10倍(10kHz)左右。一般地，該偏移 的功率譜與頻率f成反比例、換言之為Ι/f(通稱:粉紅噪聲、Ι/f噪聲）。因此，最好將接通/斷 開(kāi)的切換頻率設(shè)定在不出現(xiàn)Ι/f噪聲的頻帶。并且，在第7、第19實(shí)施方式中，為了使得在第 一解調(diào)器和第二解調(diào)器中信號(hào)不發(fā)生干擾，需要設(shè)置充分的頻率差A(yù) f。另外，除了此處說(shuō) 明的接通/斷開(kāi)那樣的信號(hào)調(diào)制方式以外，也可以使用通信系統(tǒng)中經(jīng)常使用的振幅調(diào)制方 式(AM:Amplitute Modulation)。
[0365] 如果為了降低氣體傳感器整體的消耗電力而以低電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光部從而使氣室過(guò) 長(zhǎng)，則有時(shí)不能取得足夠的S/N比。也就是說(shuō)，需要較短的氣體通路，但是氣體通路越短，相 比于因氣體的濃度的變化所引起的信號(hào)的變化，因溫度所引起的信號(hào)的變化越顯著。在該 情況下，有效的溫度補(bǔ)償方法是不可或缺的。
[0366] 另外，第一傳感器部和第二傳感器部為了能夠高速地進(jìn)行動(dòng)作(對(duì)高速光脈沖具 有充分的響應(yīng)性）而優(yōu)選的是量子型傳感器。量子型傳感器的傳感器內(nèi)部電阻根據(jù)溫度而 變化，因此通過(guò)讀取該傳感器的內(nèi)部電阻值，能夠正確地獲知?dú)怏w傳感器的內(nèi)部的溫度。
[0367] 〈其它〉
[0368] 本發(fā)明不限定于以上記載的實(shí)施方式?？梢愿鶕?jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)對(duì)實(shí)施方 式施加設(shè)計(jì)變更等，并且也可以將作為本實(shí)施方式的一例的第1方式、第2方式、作為本實(shí)施 方式的具體例的第1~第21實(shí)施方式任意地組合，施加這種變更后的各方式也包含在本發(fā) 明的范圍內(nèi)。
[0369] 另外，本發(fā)明的氣體傳感器不限定于紅外線式的氣體傳感器，例如也可以是紫外 線式的氣體傳感器。在該情況下，第一光源、第二光源放射紫外線，第一傳感器部接收放射 的該紫外線的一部分，第二傳感器部接收紫外線的其它部分。
[0370] 另外，如果利用上述技術(shù)，則能夠?qū)崿F(xiàn)不受環(huán)境溫度影響的高精度的濃度測(cè)定裝 置。作為濃度測(cè)定裝置的用途的一例，列舉氣體傳感器。
[0371] 實(shí)施例
[0372] 接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例和比較例。
[0373] 〈實(shí)施例〉
[0374] 關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例，使用圖10所示的第10實(shí)施方式所涉及的氣體傳感器進(jìn)行說(shuō) 明。第一基板41、第二基板42利用半絕緣性的GaAs基板，第一光源20利用能夠發(fā)出4.3μπι附 近的波長(zhǎng)的光的PIN構(gòu)造的LED，第一傳感器部31、第二傳感器部32利用能夠檢測(cè)4.3μπι附近 的波長(zhǎng)的PIN構(gòu)造的光電二極管。
[0375] 第一光源(LED)20、第一傳感器部31、第二傳感器部32全部具有相同的層疊構(gòu)造， 在厚度為230μηι的GaAs基板上，利用MBE(Molecular BeamEpitaxy:分子束外延)法形成厚度 為Ιμπι的η型AllnSb、厚度為2μπι的i型的激活層、帶隙比i層大的厚度為0·02μπι的AllnSb的勢(shì) 皇層、厚度為〇. 5μηι的p型AllnSb。
[0376] 第一基板41和第二基板42的面積相同，設(shè)為0.53mm2。將處于第一基板41的第一光 源20的LED面積(發(fā)光面積)設(shè)為0.26_ 2、將第一傳感器部31的受光部的面積(受光面積)設(shè) 為0.025mm2。第二傳感器部32的受光面積設(shè)為0.28mm 2。第一傳感器部31的受光部的數(shù)量設(shè) 為36個(gè)，第二傳感器部32的受光部的數(shù)量設(shè)為396個(gè)。對(duì)第一基板41和第二基板42實(shí)施同樣 的晶圓工藝。首先，實(shí)施WET蝕刻，形成MESA型的元件(受光元件、發(fā)光元件），之后將Si 3N4形 成為絕緣層，最后為了與η型層和p型層電連接而形成接觸孔，最后形成金屬配線。金屬配線 使用Ti作為貼合層，其上使用用于抑制配線電阻的Au。
[0377] 作為密封樹(shù)脂200,使用了不使4.3μπι的波長(zhǎng)的光透過(guò)的納美仕公司（Namics Corporation)產(chǎn)的Chipcoat G8345-6的樹(shù)脂。氣室10利用內(nèi)部被鏡面加工的鋁制的筒。第 一基板41與第二基板42的距離設(shè)為20mm(成為氣室長(zhǎng)度的距離）。作為氣體傳感器的整體的 大小，為 10 X 10 X 25mm3。
[0378] 作為向第一光源20供給電源的光源電源供給部101，利用輸出矩形波的脈沖的脈 沖發(fā)生器(脈沖發(fā)生部）。第一放大部102利用第一鎖定放大器，第二放大部103利用第二鎖 定放大器。作為兩方的鎖定放大器的同步信號(hào)，利用脈沖發(fā)生器的觸發(fā)信號(hào)。該實(shí)驗(yàn)中利用 的被檢測(cè)氣體設(shè)為二氧化碳(C〇2)。
[0379] [測(cè)定實(shí)驗(yàn)]
[0380]圖26示出將該氣體傳感器設(shè)置在恒溫槽內(nèi)、將恒溫槽的溫度分別設(shè)定為30°C和40 °〇并向氣室 10 內(nèi)導(dǎo)入了濃度 500ppm、1000口口111、200(^口111、300(^口111、500(^口1]1的二氧化碳?xì)怏w 時(shí)的、第二傳感器部32的輸出信號(hào)(將30°C、2000ppm時(shí)設(shè)為基準(zhǔn)），圖27示出處于第一基板 41上的第一傳感器部31的輸出信號(hào)。
[0381]另外，圖28中示出在將二氧化碳?xì)怏w的濃度設(shè)為固定（lOOOppm)并使溫度在0 °C~ 60 °C之間變化的情況下應(yīng)用本實(shí)施方式的溫度補(bǔ)償時(shí)的輸出信號(hào)(第二傳感器部的輸出信 號(hào)/第一傳感器部的輸出信號(hào)）的變化率以及不應(yīng)用溫度補(bǔ)償時(shí)的輸出信號(hào)(第二傳感器部 的輸出信號(hào)保持原樣)的變化率(分別以溫度〇°C基準(zhǔn)）。
[0382][結(jié)果]
[0383] 如圖26所示，確認(rèn)出以下內(nèi)容:關(guān)于第二傳感器部32的輸出信號(hào)，當(dāng)使二氧化碳?xì)?體的濃度在500ppm~5000ppm之間變化時(shí)，在環(huán)境溫度為30°C和40°C的各情況下，輸出信號(hào) 變化約0.8 % /1 OOOppm。另外，當(dāng)使溫度變化10 °C (從30 °C變化為40 °C)時(shí)，確認(rèn)出輸出信號(hào) 也變化10%/10°C。即，當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，導(dǎo)致產(chǎn)生遠(yuǎn)大于本來(lái)想要探測(cè)的氣體濃度范圍 內(nèi)的輸出信號(hào)的變化(〇.8%/1000ppm)的信號(hào)變化，能夠理解為無(wú)法正確地探測(cè)氣體濃度。
[0384] 另一方面，如圖27所不可知，第一傳感器部31的輸出信號(hào)與第二傳感器部32同樣 地受溫度影響，但是不受氣體濃度影響。
[0385] 如圖28所示，在不進(jìn)行溫度補(bǔ)償且使溫度變化0°C~60 °C的情況下，導(dǎo)致產(chǎn)生約 15%的信號(hào)變化。與此相對(duì)，示出在應(yīng)用本實(shí)施方式的溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下、即輸出將第二傳 感器部32的信號(hào)除以第一傳感器部31的信號(hào)得到的信號(hào)的情況下，能夠?qū)囟鹊挠绊懘蠓?地抑制在1 %以內(nèi)。以上示出通過(guò)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)能夠大幅地提高氣體測(cè)定精度。
[0386] 〈比較例〉
[0387] [測(cè)定實(shí)驗(yàn)]
[0388]接著，關(guān)于比較例，使用圖29的(b)所示的氣體傳感器進(jìn)行說(shuō)明。
[0389] 如圖29的（b)所示那樣，除了將第一傳感器部(參照用傳感器)931和第二傳感器部 (檢測(cè)用傳感器)932與第一光源相向地配置、對(duì)參照用傳感器931設(shè)置參照用的帶通濾波器 (選擇性地使中心波長(zhǎng)3.9μπι、半值寬度0.2μπι的波長(zhǎng)頻帶透過(guò)的）f 1、對(duì)檢測(cè)用傳感器932 設(shè)置檢測(cè)用的帶通濾波器(選擇性地使中心波長(zhǎng)4.3μπι、半值寬度0.2μπι的波長(zhǎng)頻帶透過(guò)的） f7 2以外，其它設(shè)為與實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行相同的測(cè)定。
[0390][結(jié)果]
[0391 ]如表1所不，在比較例中，相對(duì)于主傳感器信號(hào)（S2)與參考傳感器信號(hào)（S1)的比的 S/N比為3194,在本發(fā)明的實(shí)施例中，S1被放大100倍，因此S2/S1的S/N比為4380,能夠確認(rèn) 到1.4倍的改善。
[0392][表 1]
[0394] 通過(guò)這樣，本發(fā)明能夠適用于各種氣體濃度傳感器，能夠應(yīng)用于例如二氧化碳 (C02)的氣體濃度傳感器。在地球上人類活動(dòng)的環(huán)境中，二氧化碳的濃度設(shè)為數(shù)100ppm~ 5000ppm。根據(jù)情況有時(shí)超過(guò)5000ppm，但是在二氧化碳的濃度大的情況下，從安全管理上、 醫(yī)療領(lǐng)域、或環(huán)境的舒適度的觀點(diǎn)出發(fā)，需要進(jìn)行監(jiān)視。本發(fā)明能夠以200ppm、或lOOppm、 50ppm、lOppm以下的分辨率且在較廣的溫度范圍內(nèi)監(jiān)視濃度比較低的二氧化碳。
[0395] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0396]根據(jù)本發(fā)明，能夠以更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)不需要溫度補(bǔ)償和劣化補(bǔ)償?shù)臍怏w傳感 器。
[0397] 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0398] 10:氣室;20:第一光源;2(/ :第二光源;31:第一傳感器部;、32:第二傳感器部； 40:基板(共通的基板）；41:第一基板;4V、42:第二基板;50:光遮斷部；51:第一溫度測(cè)定 部；:第二溫度測(cè)定部；60:光反射部；70:控制層；101:光源電源供給部；102:第一放大 部；103:第二放大部；104:氣體濃度運(yùn)算部；105:溫度測(cè)定部；106:驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給部;200:密 封樹(shù)脂；201、311、321、201 /、311/:第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層；202、312、322、202/、312 /:第二 導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層；203、204、313、314、323、324、203/、204 /、313/、314/:電極;411:第一主 面;412:第二主面;501:光接收和發(fā)射控制部;502:第一驅(qū)動(dòng)部；502':第二驅(qū)動(dòng)部；503:第 一信號(hào)處理部；503、第二信號(hào)處理部;504:運(yùn)算部；505;控制電路;512:驅(qū)動(dòng)部；521、522: 切換開(kāi)關(guān);531:第一解調(diào)器;53V :第二解調(diào)器;541:溫度控制部;551:電流源;552:放大器； 553:電容器;701:光反射層;910:氣室;920:第一光源;930 :紅外線傳感器;931:參照用傳感 器;932:檢測(cè)用傳感器。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種氣體傳感器，其特征在于，具備： 第一光源；以及 第一傳感器部和第二傳感器部，以使從所述第一光源輸出的光入射到該第一傳感器部 和第二傳感器部的方式分別配置該第一傳感器部和第二傳感器部， 還具備： 第一基板，其具有第一主面和與該第一主面相向的第二主面，在該第一主面上設(shè)置有 所述第一光源和所述第一傳感器部；以及 第二基板，其具有第一主面和與第一主面相向的第二主面，在該第二基板的第一主面 上設(shè)置有所述第二傳感器部， 其中，所述第一傳感器部的配置位置被設(shè)定在所述第一基板的第一主面上的、從所述 第一光源輸出的光中的由該第一基板的第二主面反射的光入射的位置。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備運(yùn)算部，該運(yùn)算部被輸入來(lái)自所述第一傳感器部的輸出信號(hào)和來(lái)自所述第二傳 感器部的輸出信號(hào)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述第一傳感器部和所述第二傳感器部具有相同的溫度特性。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述第一基板和所述第二基板以側(cè)面彼此相向的方式相鄰配置， 該氣體傳感器還具備設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間的光遮斷部。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備氣室， 還具備光反射部，該光反射部被配置在所述氣室內(nèi)的從所述第一基板和所述第二基板 分別遠(yuǎn)離的位置，使從所述第一基板的第二主面射出的光朝向所述第二傳感器部反射。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備控制層，該控制層設(shè)置在所述第一基板的第二主面上， 該控制層對(duì)從所述第一光源輸出的光中的、在所述第一基板內(nèi)發(fā)生散射的光的光量以 及從所述第一基板的第二主面向氣室內(nèi)的空間放射的光的光量和放射角度進(jìn)行控制。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備光反射層，該光反射層設(shè)置在所述第一基板的第二主面上，使從所述第一光源 輸出的光朝向所述第一傳感器部反射。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述第一傳感器部和所述第二傳感器部以及所述第一光源分別包含相同的材料且包 含相同的層疊構(gòu)造。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述層疊構(gòu)造是至少包含P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體這兩種類型的半導(dǎo)體的層的二極管 構(gòu)造，并且所述層疊構(gòu)造包含銦和銻中的任一種材料。10. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求9中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備光學(xué)濾波器，該光學(xué)濾波器被配置在從所述第一基板的第二主面射出的光入射 至所述第二傳感器部的光路中，僅使特定的波長(zhǎng)頻帶透過(guò)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求10中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述第一傳感器部和所述第二傳感器部具有多個(gè)相同構(gòu)造的受光部， 該受光部的數(shù)量在所述第一傳感器部和所述第二傳感器部中不同。12. 根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求11中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述第一基板和所述第二基板包含相同的材料。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備設(shè)置在所述第二基板的第一主面上的第二光源， 所述第二傳感器部被設(shè)定在從所述第二光源輸出的光中的由所述第二基板的第二主 面反射的光入射的位置。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的氣體傳感器，其特征在于， 還具備光接收和發(fā)射控制部，該光接收和發(fā)射控制部向所述第一光源和所述第二光源 供給電力，被輸入來(lái)自所述第一傳感器部的輸出信號(hào)和來(lái)自所述第二傳感器部的輸出信 號(hào)。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部在向所述第一光源和所述第二光源中的一方的發(fā)光部供給 電力的期間，不向另一方的發(fā)光部供給電力。16. 根據(jù)權(quán)利要求14或權(quán)利要求15所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部向所述第一光源和所述第二光源供給相同大小的電力。17. 根據(jù)權(quán)利要求14或權(quán)利要求15所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部對(duì)向所述第一光源供給的電力和向所述第二光源供給的電 力進(jìn)行控制使得所述第一傳感器部和所述第二傳感器部成為相同的溫度。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部具有： 第一溫度測(cè)定部，其對(duì)所述第一傳感器部的溫度進(jìn)行測(cè)定；以及 第二溫度測(cè)定部，其對(duì)所述第二傳感器部的溫度進(jìn)行測(cè)定。19. 根據(jù)權(quán)利要求17或權(quán)利要求18所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部根據(jù)所述第一傳感器部的電阻值計(jì)算該第一傳感器部的溫 度，以及 所述光接收和發(fā)射控制部根據(jù)所述第二傳感器部的電阻值計(jì)算該第二傳感器部的溫 度。20. 根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求19中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部對(duì)供給至所述第一光源和所述第二光源的電力的電流或電 壓的從包含脈沖的寬度、振幅以及占空比的群中選擇出的至少一個(gè)進(jìn)行控制。21. 根據(jù)權(quán)利要求17至權(quán)利要求20中的任一項(xiàng)所述的氣體傳感器，其特征在于， 所述光接收和發(fā)射控制部以頻率F1驅(qū)動(dòng)所述第一光源，以頻率F2驅(qū)動(dòng)所述第二光源， 其中，F(xiàn)1關(guān)F2。
【專利摘要】提供一種能夠減小測(cè)定誤差、簡(jiǎn)單且小型的可靠性高的氣體傳感器。具備第一光源(20)以及以使從第一光源(20)輸出的光入射到第一傳感器部(31)和第二傳感器部(32)的方式分別配置的第一傳感器部(31)和第二傳感器部(32)，還具備在第一主面(411)上設(shè)置有第一光源(20)和第一傳感器部(31)的第一基板(41)以及在第一主面(422)上設(shè)置有第二傳感器部(32)的第二基板(42)。第一傳感器部(31)的配置位置被設(shè)定在第一基板(41)的第一主面(422)上的、從第一光源(20)輸出的光中的由第二主面(412)反射的光入射的位置。
【IPC分類】H01L31/12, G01N21/61, G01N21/03, G01N21/3504
【公開(kāi)號(hào)】CN105593666
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480053335
【發(fā)明人】愛(ài)迪生·古梅斯·柯曼爾古, 竹原聰
【申請(qǐng)人】旭化成微電子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2014年9月26日
【公告號(hào)】WO2015045411A1