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一種薄懸臂梁壓阻式加速度計的制作方法

文檔序號:6054072閱讀:454來源:國知局
一種薄懸臂梁壓阻式加速度計的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種薄懸臂梁壓阻式加速度計,該薄懸臂梁壓阻式加速度計包括玻璃、頂硅、底硅、氧化層;玻璃上表面有頂硅,頂硅與玻璃之間通過陽極鍵合,頂硅和底硅之間設(shè)置有氧化層。本實用新型的薄懸臂梁壓阻式加速度計,由于SOI襯底中間有氧化層,所以腐蝕深度可控制的十分精確,從而大幅度提高其性能,可以大幅度減小芯片尺寸,同時不會帶來污染。
【專利說明】一種薄懸臂梁壓阻式加速度計

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型屬于壓阻式加速度計領(lǐng)域,尤其涉及一種薄懸臂梁壓阻式加速度計。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前壓阻式加速度計均采用懸臂梁結(jié)構(gòu),通過濕法腐蝕方式形成質(zhì)量塊與梁結(jié) 構(gòu),腐蝕后梁的厚度無法達到lum,厚度不能精確控制,如采用電化學方式腐蝕又增加了工 藝步驟且會在工藝中帶來不必要的污染。 實用新型內(nèi)容
[0003] 本實用新型的目的在于提供一種薄懸臂梁壓阻式加速度計,旨在解決通過濕法腐 蝕方式形成質(zhì)量塊與梁結(jié)構(gòu)的方法,腐蝕后梁的厚度無法精確控制,采用電化學方式腐蝕 會增加工藝步驟且會在工藝中帶來污染的問題。
[0004] 本實用新型是這樣實現(xiàn)的,一種薄懸臂梁壓阻式加速度計包括玻璃、頂硅、底硅、 氧化層;所述的玻璃上表面有頂硅,頂硅與玻璃之間通過陽極鍵合,底硅位于頂硅上方,頂 硅和底硅之間設(shè)置有氧化層。
[0005] 效果:T總
[0006] 本實用新型的薄懸臂梁壓阻式加速度計,由于SOI襯底中間有氧化層,所以腐蝕 深度可控制的十分精確,從而大幅度提高其性能,可以大幅度減小芯片尺寸,同時不會帶來 污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1是本實用新型實施例提供的薄懸臂梁壓阻式加速度計的剖視圖;
[0008] 圖中:1、玻璃;2、頂硅;3、氧化層;4、底硅。
[0009] 圖2是本實用新型實施例提供的薄懸臂梁壓阻式加速度計的俯視圖;
[0010] 圖3是本實用新型實施例提供的薄懸臂梁壓阻式加速度計流程示意圖。

【具體實施方式】
[0011] 為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施 例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋 本實用新型,并不用于限定本實用新型。
[0012] 圖1和圖2示出了本實用新型的薄懸臂梁壓阻式加速度計的結(jié)構(gòu),如圖所示,一種 薄懸臂梁壓阻式加速度計包括玻璃1、頂硅2、底硅4、氧化層3 ;玻璃1上表面有頂硅2,頂 硅2與玻璃1之間通過陽極鍵合,頂硅2和底硅4之間設(shè)置有氧化層。
[0013] 如圖3所示,薄懸臂梁壓阻式加速度計的制作流程包括以下步驟:
[0014] S101 :選擇適合的SOI襯底并進行清洗;
[0015] S102 :通過刻蝕制作頂硅結(jié)構(gòu);
[0016] S103 :通過鍵合設(shè)備使頂硅和玻璃之間進行陽極鍵合;
[0017] S104 :將底硅徹底腐蝕干凈;
[0018] S105 :通過刻蝕Si02層形成質(zhì)量塊;
[0019] S106 :通過離子注入形成敏感電阻;
[0020] S107 :退火處理;
[0021] S108 :通過刻蝕Si02層形成歐姆接觸孔;
[0022] S109 :濺射鋁層;
[0023] S110 :刻蝕鋁層形成鋁電極;
[0024] S111 :通過刻蝕硅進行結(jié)構(gòu)釋放。
[0025] 本實用新型的薄懸臂梁壓阻式加速度計,由于SOI襯底中間有氧化層,所以腐蝕 深度可控制的十分精確,從而大幅度提高其性能,可以大幅度減小芯片尺寸,同時不會帶來 污染。
[0026] 上述雖然結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行了描述,但并非對本實用新 型保護范圍的限制,所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應該明白,在本實用新型的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本領(lǐng) 域技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可做出的各種修改或變形仍在本實用新型的保護 范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄懸臂梁壓阻式加速度計,其特征在于,所述的薄懸臂梁壓阻式加速度計包括 底硅、氧化層、頂硅、玻璃,所述的玻璃上表面有頂硅,頂硅與玻璃之間通過陽極鍵合,頂硅 和底硅之間有氧化層。
【文檔編號】G01P15/12GK203909066SQ201420207801
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】付博 申請人:無錫壹資半導體科技有限公司
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