通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，其在溫度測(cè)量過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片50%Cut?on＝7.6±0.05um，50%Cut?off＝9.9±0.05um；1500～7100nm、10300～12000nm?T≤3%；8000～9500nm?T≥88%；7700～9700nm?Tavg≥90%。
【專利說明】通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外測(cè)溫儀由光學(xué)系統(tǒng)、探測(cè)器、信號(hào)放大器及信號(hào)處理、顯示輸出等部分組成。光學(xué)系統(tǒng)匯聚其視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)紅外能量(熱量)，視場(chǎng)的大小由測(cè)溫儀的光學(xué)零件及其位置確定。紅外能量聚焦在探測(cè)器上并轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的電信號(hào)。該信號(hào)經(jīng)過放大器和信號(hào)處理電路，并按照儀器內(nèi)的算法和目標(biāo)發(fā)射率校正后轉(zhuǎn)變?yōu)楸粶y(cè)目標(biāo)的溫度值。
[0003]紅外測(cè)溫儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量，保證紅外測(cè)溫儀的測(cè)溫結(jié)果，用于測(cè)溫和成像。
[0004]但是，目前的通過帶為7600_9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的通過帶為7600_9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge層、250nm厚度的ZnS層、175nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、91nm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、119nm厚度的Ge層、341nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、275nm厚度的ZnS層、188nm厚度的Ge層、344nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、199nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、288nm厚度的ZnS層、282nm厚度的Ge層、335nm厚度的ZnS層、369nm厚度的Ge層、243nm厚度的ZnS層、285nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、323nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、363nm厚度的ZnS層、16 Inm厚度的Ge層、693nm厚度的ZnS層、169nm厚度的Ge層、656nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、299nm厚度的Ge層、669nm厚度的ZnS層、317nm厚度的Ge層、602nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、783nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、739nm厚度的ZnS層、464nm厚度的Ge層和1078nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge層、1686nm厚度的ZnS層、98 Inm厚度的Ge層、283nm厚度的ZnS層、693nm厚度的Ge層、1795nm厚度的ZnS層、613nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、1149nm厚度的Ge層、591nm厚度的ZnS層、760nm厚度的Ge層、304nm厚度的ZnS層、1225nm厚度的Ge層、59 Inm厚度的ZnS層、684nm厚度的Ge層、1786nm厚度的ZnS層、656nm厚度的Ge層、337nm厚度的ZnS層、922nm厚度的Ge層和720nm厚度的ZnS層。
[0007]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0008]本發(fā)明所得到的通過帶為7600_9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，其在溫度測(cè)量過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片50%Cut on = 7.6±0.05um, 50%Cutoff = 9.9±0.05um ；1500 ~7100nm、10300 ~12000nm T ≤ 3% ；8000 ~9500nm T ≥ 88% ；7700 ~9700nm Tavg ^ 90%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測(cè)曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0012]實(shí)施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge層、250nm厚度的ZnS層、175nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、9Inm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、119nm厚度的Ge層、341nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、275nm厚度的ZnS層、188nm厚度的Ge層、344nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、199nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、288nm厚度的ZnS層、282nm厚度的Ge層、335nm厚度的ZnS層、369nm厚度的Ge層、243nm厚度的ZnS層、285nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、323nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、363nm厚度的ZnS層、16 Inm厚度的Ge層、693nm厚度的ZnS層、169nm厚度的Ge層、656nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、299nm厚度的Ge層、669nm厚度的ZnS層、317nm厚度的Ge層、602nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、783nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、739nm厚度的ZnS層、464nm厚度的Ge層和1078nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge層、1686nm厚度的ZnS層、98 Inm厚度的Ge層、283nm厚度的ZnS層、693nm厚度的Ge層、1795nm厚度的ZnS層、613nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、1149nm厚度的Ge層、591nm厚度的ZnS層、760nm厚度的Ge層、304nm厚度的ZnS層、1225nm厚度的Ge層、59 Inm厚度的ZnS層、684nm厚度的Ge層、1786nm厚度的ZnS層、656nm厚度的Ge層、337nm厚度的ZnS層、922nm厚度的Ge層和720nm厚度的ZnS層。
【權(quán)利要求】
1.一種通過帶為7600-9900nm的紅外測(cè)溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:142nm厚度的Ge層、250nm厚度的ZnS層、175nm厚度的Ge層、223nm厚度的ZnS層、9 Inm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、119nm厚度的Ge層、341nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、275nm厚度的ZnS層、188nm厚度的Ge層、344nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、199nm厚度的Ge層、314nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、288nm厚度的ZnS層、282nm厚度的Ge層、335nm厚度的ZnS層、369nm厚度的Ge層、243nm厚度的ZnS層、285nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、323nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、363nm厚度的ZnS層、16 Inm厚度的Ge層、693nm厚度的ZnS層、169nm厚度的Ge層、656nm厚度的ZnS層、283nm厚度的Ge層、685nm厚度的ZnS層、299nm厚度的Ge層、669nm厚度的ZnS層、317nm厚度的Ge層、602nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、783nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、739nm厚度的ZnS層、464nm厚度的Ge層和1078nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:178nm厚度的Ge層、1686nm厚度的ZnS層、981nm厚度的Ge層、283nm厚度的ZnS層、693nm厚度的Ge層、1795nm厚度的ZnS層、613nm厚度的Ge層、63 Inm厚度的ZnS層、1149nm厚度的Ge層、591nm厚度的ZnS層、760nm厚度的Ge層、304nm厚度的ZnS層、1225nm厚度的Ge層、59Inm厚度的ZnS層、684nm厚度的Ge層、1786nm厚度的ZnS層、656nm厚度的Ge層、337nm厚度的ZnS層、922nm厚度的Ge層和720nm厚度的ZnS層。
【文檔編號(hào)】G01J5/08GK103698831SQ201310636360
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 劉晶 申請(qǐng)人:杭州麥樂克電子科技有限公司