通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片的制作方法
【專利摘要】本實用新型所設(shè)計的一種信噪比高、穩(wěn)定性好、有效提高物體溫度測量分辨能力和檢測精度使用要求的通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片，通過上述的設(shè)計，實現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測量，該濾光片3600～4000nm、Tavg≥85％；1500～3400nm、4200～6500nm?Tavg<0.5%，大大提高了信噪比，在用于物體溫度的測量和感應(yīng)時，能有效的提高分辨能力和檢測精度，更好的滿足實際中的使用要求。
【專利說明】通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外濾光片過濾、截止可見光同時允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過物體時不會發(fā)生折射。利用紅外線的這個特性，只讓長波長的紅外線通過，濾除短波長的紫外線和可見光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對于物體溫度的感應(yīng)和測量過程中，選擇合適的波長范圍至關(guān)重要。而現(xiàn)有長波通紅外濾光片在使用過程中存在著測溫不穩(wěn)定、精確度不高等特點，特別是透過率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測量要求。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種信噪比高、穩(wěn)定性好、有效提高物體溫度測量分辨能力和檢測精度使用要求的通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片。
[0004]為了達到上述目的，本實用新型所設(shè)計的通過帶為3600_4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO層、138 nm厚度的Ge層、261nm厚度的SiO層、151nm厚度的Ge層、405nm厚度的SiO層、178nm厚度的Ge層、406nm厚度的SiO層、154nm厚度的Ge層、266nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、404nm厚度的SiO層、193nm厚度的Ge層、702nm厚度的SiO層、416nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層、231nm厚度的Ge層、722nm厚度的SiO層、40Inm厚度的Ge層、586nm厚度的SiO層、257nm厚度的Ge層、898nm厚度的SiO層、310nm厚度的Ge層和352nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、18Inm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、222nm厚度的SiO層、94nm厚度的Ge層、334nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、29Inm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、164nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層和595nm厚度的SiO層。
[0005]上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0006]本實用新型所得到的通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片,通過上述的設(shè)計，實現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測量，該濾光片3600~4000nm、Tavg≥85% ；1500~3400nm、4200~6500nm Tavg<0.5%，大大提高了信噪比，在用于物體溫度的測量和感應(yīng)時，能有效的提高分辨能力和檢測精度，更好的滿足實際中的使用要求?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0007]圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0009]下面通過實施例結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。
[0010]實施例1:
[0011]如圖1、圖2所示，本實施例描述的通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO層、138nm厚度的Ge層、26Inm厚度的SiO層、15Inm厚度的Ge層、405nm厚度的SiO層、178nm厚度的Ge層、406nm厚度的SiO層、154nm厚度的Ge層、266nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、404nm厚度的SiO層、193nm厚度的Ge層、702nm厚度的SiO層、416nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層、231nm厚度的Ge層、722nm厚度的SiO層、40111111厚度的66層、58611111厚度的5丨0層、25711111厚度的66層、89811111厚度的3丨0層、310nm厚度的Ge層和352nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、181nm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、222nm厚度的SiO層、94nm厚度的Ge層、334nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、291nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、164nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層和595nm厚度的SiO層。
【權(quán)利要求】
1.一種通過帶為3600-4000nm的觀察圖形光譜天文濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO層、138nm厚度的Ge層、261nm厚度的SiO層、151nm厚度的Ge層、405nm厚度的SiO層、178nm厚度的Ge層、406nm厚度的SiO層、154nm厚度的Ge層、266nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、404nm厚度的SiO層、193nm厚度的Ge層、702nm厚度的SiO層、416nm厚度的Ge層、638nm厚度的SiO層、23Inm厚度的Ge層、722nm厚度的SiO層、40Inm厚度的Ge層、586nm厚度的SiO層、257nm厚度的Ge層、898nm厚度的SiO層、310nm厚度的Ge層和352nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO層、83nm厚度的Ge層、18Inm厚度的SiO層、55nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、184nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、222nm厚度的SiO層、94nm厚度的Ge層、334nm厚度的SiO層、86nm厚度的Ge層、291nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、164nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層和595nm厚度的SiO層。
【文檔編號】G02B5/20GK203551828SQ201320777909
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】呂晶, 胡偉琴, 王繼平 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司