專(zhuān)利名稱(chēng)：一種SiC電阻特性檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電阻特性檢測(cè)領(lǐng)域，具體是ー種基于無(wú)線數(shù)據(jù)采集技術(shù)的SiC電阻特性檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
按照滅磁電阻的伏安特性劃分，滅磁電阻分為線性電阻和非線性電阻，非線性電阻又分為氧化鋅ZnO電阻和碳化硅SiC電阻。由于SiC滅磁電阻具有伏安特性“軟”，允許溫度高、容量大等特點(diǎn)，越來(lái)越多地被大型發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)所采用。
SiC電阻作為發(fā)電機(jī)滅磁電阻應(yīng)用，具有運(yùn)行可靠，結(jié)構(gòu)緊湊體積小、能容大、時(shí)效性良好，元件自身可獨(dú)立實(shí)現(xiàn)較好的均流和均能特性等諸多集成綜合性能方面具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)大型發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)采用SiC滅磁電阻。現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行中發(fā)現(xiàn)發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)配置的碳化硅滅磁電阻出現(xiàn)故障，導(dǎo)致影響發(fā)電機(jī)正常運(yùn)行，甚至出現(xiàn)滅磁故障，威脅機(jī)組安全。平時(shí)檢修過(guò)程中由于現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備處于高電壓大電流的環(huán)境中，無(wú)安全可靠的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，因而很難發(fā)現(xiàn)碳化硅滅磁電阻故障単元。滅磁設(shè)備在安裝驗(yàn)收過(guò)程中沒(méi)有較好的檢測(cè)手段，就無(wú)法準(zhǔn)確判斷碳化硅滅磁電阻配置的合理性。要進(jìn)行嚴(yán)格的碳化硅滅磁電阻特性試驗(yàn)，現(xiàn)有技術(shù)采用的做法是將碳化硅滅磁電阻單體一個(gè)個(gè)拆卸下來(lái)，這種方式在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下實(shí)現(xiàn)難度較大。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供ー種SiC電阻特性檢測(cè)裝置，能夠在不拆卸已安裝的碳化硅滅磁電阻単體基礎(chǔ)上，進(jìn)行全面的特性檢測(cè)試驗(yàn)，確保人身、設(shè)備和電網(wǎng)安全。ー種SiC電阻特性檢測(cè)裝置，包括多個(gè)與單體SiC電阻對(duì)應(yīng)的無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元，每ー無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元包括鉗形電流探頭、紅外測(cè)溫探頭及無(wú)線模塊，所述鉗形電流探頭安裝在相應(yīng)SiC電阻的単體電極上，所述紅外測(cè)溫探頭對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的SiC電阻單體，所述鉗形電流探頭及所述紅外測(cè)溫探頭與所述無(wú)線模塊連接；所述SiC電阻特性檢測(cè)裝置還包括安裝在兩個(gè)匯流電極上的高壓探頭，所述高壓探頭與第二無(wú)線模塊連接，每ー無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元的無(wú)線模塊及所述第二無(wú)線模塊與無(wú)線信號(hào)收集中繼器進(jìn)行無(wú)線通信連接，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器與計(jì)算機(jī)通信連接。如上所述的SiC電阻特性檢測(cè)裝置，所述無(wú)線模塊和所述第二無(wú)線模塊的結(jié)構(gòu)相同，包括電流探頭接ロ、紅外測(cè)溫探頭接ロ、電壓探頭接ロ、信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊，所述電流探頭接ロ用干與所述鉗形電流探頭連接，所述紅外測(cè)溫探頭接ロ用干與所述紅外測(cè)溫探頭連接，所述電壓探頭接ロ用干與高壓探頭連接，所述信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊與所述電流探頭接ロ、所述紅外測(cè)溫探頭接ロ、所述電壓探頭接ロ連接。如上所述的SiC電阻特性檢測(cè)裝置，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器與計(jì)算機(jī)通信連接具體為所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器的USB接ロ通過(guò)USB連接線纜與所述計(jì)算機(jī)的USB接ロ連接。本實(shí)用新型通過(guò)在碳化硅滅磁電阻單體上安裝鉗形電流探頭、紅外測(cè)溫探頭及高壓探頭，測(cè)量流過(guò)單體的電流值、単體的溫度值及端電壓信號(hào)，然后通過(guò)無(wú)線傳輸?shù)姆绞綄y(cè)量所得數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給計(jì)算機(jī)，完成碳化硅滅磁電阻的均流特性、均能特性、伏安特性和溫度特性試驗(yàn)檢測(cè)，整個(gè)檢測(cè)過(guò)程不需要拆卸已安裝的碳化硅滅磁電阻単體，降低了檢測(cè)的復(fù)雜度；而且可以進(jìn)行全面的特性檢測(cè)試驗(yàn)，能確保人身、設(shè)備和電網(wǎng)安全。

圖I是應(yīng)用本實(shí)用新型SiC電阻特性檢測(cè)裝置對(duì)SiC進(jìn)行電阻特性檢測(cè)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型SiC電阻特性檢測(cè)裝置一個(gè)實(shí)施例中無(wú)線模塊14的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中J-SiC電阻本體，2-單體電極，3-匯流電極，Iト鉗形電流探頭，12-紅外測(cè)溫探頭，13-高壓探頭，14-無(wú)線模塊，15-第二無(wú)線模塊，141-電流探頭接ロ，142-紅外測(cè)溫探頭接ロ，143-電壓探頭接ロ，144-信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊，20-無(wú)線信號(hào)收集中繼器，30-計(jì)算機(jī)。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。請(qǐng)參考圖I，在SiC電阻實(shí)際運(yùn)用中，一般采用多個(gè)單體并聯(lián)安裝，即多個(gè)SiC電阻本體I串接在絕緣支撐體上，由每個(gè)SiC電阻本體I伸出的單體電極2與兩側(cè)的匯流電極2連接。本實(shí)用新型SiC電阻特性檢測(cè)裝置其中一個(gè)實(shí)施例包括多個(gè)與單體SiC電阻對(duì)應(yīng)的無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元，每ー無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元包括鉗形電流探頭11、紅外測(cè)溫探頭12及無(wú)線模塊14。其中，所述鉗形電流探頭11安裝在相應(yīng)SiC電阻的単體電極2上，用于測(cè)量流過(guò)單體的電流值；所述紅外測(cè)溫探頭12對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的SiC電阻單體，用于測(cè)量SiC電阻單體的溫度值。請(qǐng)結(jié)合參考圖2，所述無(wú)線模塊14可包括電流探頭接ロ 141、紅外測(cè)溫探頭接ロ142、電壓探頭接ロ 143、信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊144，所述電流探頭接ロ 141用干與所述鉗形電流探頭11連接，所述紅外測(cè)溫探頭接ロ 142用干與所述紅外測(cè)溫探頭12連接，所述電壓探頭接ロ 143可用干與高壓探頭13連接，所述信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊144與所述電流探頭接ロ 141、所述紅外測(cè)溫探頭接ロ 142、所述電壓探頭接ロ 143連接，用于通過(guò)所述紅外測(cè)溫探頭接ロ 142、所述電壓探頭接ロ 1432，分別接收鉗形電流探頭11、紅外測(cè)溫探頭12及高壓探頭13測(cè)量的流過(guò)單體的電流值、単體的溫度值及端電壓信號(hào)。所述SiC電阻特性檢測(cè)裝置還包括無(wú)線信號(hào)收集中繼器20、計(jì)算機(jī)30，所述無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元通過(guò)信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊144與所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20進(jìn)行無(wú)線通信連接，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20與所述計(jì)算機(jī)30通信連接，具體的，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20的USB接ロ通過(guò)USB連接線纜與所述計(jì)算機(jī)30的USB接ロ連接，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20將從無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元接收的檢測(cè)數(shù)據(jù)(例如流過(guò)單體的電流值及單體的溫度值)傳送至所述計(jì)算機(jī)30。所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20可包括無(wú)線ZigBee信號(hào)接收單元及高速信號(hào)處理器單元組成，所述無(wú)線ZigBee信號(hào)接收單元完成各個(gè)無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元發(fā)送的采集信號(hào)的接收，所述高速信號(hào)處理器単元對(duì)接收的信號(hào)進(jìn)行解碼處理，處理完成的信息通過(guò)USB接ロ傳輸給所述計(jì)算機(jī)30。所述SiC電阻特性檢測(cè)裝置還包括一個(gè)安裝在兩個(gè)匯流電極2上的高壓探頭13，所述高壓探頭13的兩極分別與所述 兩個(gè)匯流電極2連接，用于測(cè)量并聯(lián)電路內(nèi)部各個(gè)單體的端電壓，并將測(cè)量的端電壓信號(hào)通過(guò)第二無(wú)線模塊15傳輸至所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20。所述第二無(wú)線模塊15可與前述無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元中的無(wú)線模塊14相同，通過(guò)電壓探頭接ロ 143與所述高壓探頭13連接，接收所述高壓探頭13測(cè)量的端電壓信號(hào)，并將所述端電壓信號(hào)通過(guò)信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊144傳送至所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20再將所述端電壓信號(hào)傳送給所述計(jì)算機(jī)30?？梢岳斫獾氖牵c所述高壓探頭13連接的第二無(wú)線模塊15可以是單獨(dú)設(shè)置，也可利用前述任一無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元中的無(wú)線模塊14。所述計(jì)算機(jī)30內(nèi)安裝有分析軟件，對(duì)所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器20上傳的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，完成碳化硅滅磁電阻的均流特性、均能特性、伏安特性和溫度特性試驗(yàn)檢測(cè)，得到溫度與能量的關(guān)系圖，對(duì)負(fù)溫度特性圖等。試驗(yàn)過(guò)程中實(shí)時(shí)顯示各項(xiàng)數(shù)據(jù)，并自動(dòng)繪制特性曲線，生成檢測(cè)試驗(yàn)報(bào)表。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何屬于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.ー種SiC電阻特性檢測(cè)裝置，其特征在于包括多個(gè)與單體SiC電阻對(duì)應(yīng)的無(wú)線數(shù)據(jù)采集単元，每ー無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元包括鉗形電流探頭(11)、紅外測(cè)溫探頭(12)及無(wú)線模塊(14)，所述鉗形電流探頭(11)安裝在相應(yīng)SiC電阻的単體電極(2)上，所述紅外測(cè)溫探頭(12)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的SiC電阻單體，所述鉗形電流探頭(11)及所述紅外測(cè)溫探頭(12)與所述無(wú)線模塊(14)連接；所述SiC電阻特性檢測(cè)裝置還包括安裝在兩個(gè)匯流電極(2)上的高壓探頭(13)，所述高壓探頭(13)與第二無(wú)線模塊(15)連接，每ー無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元的無(wú)線模塊(14)及所述第二無(wú)線模塊(15)與無(wú)線信號(hào)收集中繼器(20)進(jìn)行無(wú)線通信連接，所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器(20)與計(jì)算機(jī)(30)通信連接。
2.如權(quán)利要求I所述的SiC電阻特性檢測(cè)裝置，其特征在于所述無(wú)線模塊(14)和所述第二無(wú)線模塊(15)的結(jié)構(gòu)相同，包括電流探頭接ロ(141)、紅外測(cè)溫探頭接ロ(142)、電壓探頭接ロ(143)、信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊(144)，所述電流探頭接ロ(141)用干與所述鉗形電流探頭(11)連接，所述紅外測(cè)溫探頭接ロ(142)用干與所述紅外測(cè)溫探頭(12)連接，所述電壓探頭接ロ(143)用干與高壓探頭(143)連接，所述信號(hào)處理與無(wú)線發(fā)送模塊(144)與所述電流探頭接ロ(141)、所述紅外測(cè)溫探頭接ロ(142)、所述電壓探頭接ロ(143)連接。
3.如權(quán)利要求2所述的SiC電阻特性檢測(cè)裝置，其特征在于所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器(20)與計(jì)算機(jī)(30)通信連接具體為所述無(wú)線信號(hào)收集中繼器(20)的USB接ロ通過(guò)USB連接線纜與所述計(jì)算機(jī)(30)的USB接ロ連接。
專(zhuān)利摘要一種SiC電阻特性檢測(cè)裝置，包括多個(gè)與單體SiC電阻對(duì)應(yīng)的無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元，每一無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元包括鉗形電流探頭、紅外測(cè)溫探頭及無(wú)線模塊，所述鉗形電流探頭安裝在相應(yīng)SiC電阻的單體電極上，所述紅外測(cè)溫探頭對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的SiC電阻單體，所述鉗形電流探頭及所述紅外測(cè)溫探頭與所述無(wú)線模塊連接；所述SiC電阻特性檢測(cè)裝置還包括安裝在兩個(gè)匯流電極上的高壓探頭，所述高壓探頭與第二無(wú)線模塊連接，每一無(wú)線數(shù)據(jù)采集單元的無(wú)線模塊及第二無(wú)線模塊與無(wú)線信號(hào)收集中繼器進(jìn)行無(wú)線通信連接，無(wú)線信號(hào)收集中繼器與計(jì)算機(jī)通信連接。本實(shí)用新型能在不拆卸已安裝的碳化硅滅磁電阻單體基礎(chǔ)上，進(jìn)行全面的特性檢測(cè)試驗(yàn)，確保人身、設(shè)備和電網(wǎng)安全。
文檔編號(hào)G01R27/02GK202393833SQ20112056918
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者樂(lè)緒鑫, 余翔 申請(qǐng)人:長(zhǎng)江三峽能事達(dá)電氣股份有限公司