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一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置的制作方法

文檔序號:5919549閱讀:188來源:國知局
專利名稱:一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及檢測器件,具體涉及一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置。
背景技術(shù)
由于太陽能硅片是比較精細的產(chǎn)品,其精度要求高,因此,用于對太陽能硅片進行研磨加工的研磨盤的精度也很高,一般來說,如果研磨盤面平面精度超出范圍(9.6S: 0. Olmm ;4S/4B/6S/6B :0. 005mm),就需將其用修盤機進行修正,以免加工出不合格產(chǎn)品;而目前對于研磨盤面平整度的測量,一般是使用一個千分表分別測量該下研磨盤面不同位置的刻度,再對其進行比較,以獲得下研磨盤面的平面精度,由此可知,這種方法不僅復(fù)雜,難以操作,而且結(jié)果也不是很準確,即太陽能硅片的研磨加工次品率目前還得不到有效的控制,極大地影響了太陽能硅片加工的工廠化生產(chǎn)。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置,其通過在底座上間隔地安裝三個平整度測量儀,以分別測量出研磨盤面內(nèi)邊緣、內(nèi)部以及外邊緣三者對應(yīng)的刻度值,再對前述獲得的三個刻度值進行對比即可知,研磨盤面的平整度是否滿足晶片研磨加工的需求。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案是提供了一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置,其特征在于,所述裝置包括底座以及固定連接在底座上的把持部,在所述底座上依次間隔地順序安裝有三個分別用于測量研磨面外邊緣、內(nèi)部和內(nèi)邊緣的平整度測量儀,所述的底座為方形平臺或為圓形平臺。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,所述平整度測量儀為千分表量測尺。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,所述平整度測量儀為百分表測量尺。本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于由于該太陽能硅片研磨盤的測量裝置在同一尺底座上安裝有三個平整度測量儀,則進行一次測量就可以反應(yīng)出該位置的平整度,而無須像現(xiàn)有技術(shù)中,需要分別測量三次,才能獲取下研磨盤面的平面精度。因此,本實用新型極大地提高了研磨盤面平整度檢測速度,有效地提高了太陽能硅片加工的速度,同時還避免分次測量所造成的測量誤差,甚至由于操作失誤造成的測量錯誤。

圖1是本實用新型太陽能硅片研磨盤的測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中11、內(nèi)邊緣測量儀;12、內(nèi)部測量儀;13、外邊緣測量儀;2、把持部;3、底座。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式
作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案,而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。如圖1所示,本實用新型所述的太陽能硅片研磨盤的測量裝置,包括底座以及固定連接在尺底座上的把持部,在所述底座上依次間隔地順序安裝有三個分別用于測量研磨面外邊緣、內(nèi)部和內(nèi)邊緣的平整度測量儀,所述的底座為方形平臺或為圓形平臺。即圖中所示的內(nèi)邊緣測量儀11、內(nèi)部測量儀12和外邊緣測量儀13,且內(nèi)邊緣測量儀11、內(nèi)部測量儀 12和外邊緣測量儀13可以是千分表量測尺,也可以是百分表測量尺。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置,其特征在于,所述裝置包括底座以及固定連接在底座上的把持部,在所述底座上依次間隔地順序安裝有三個分別用于測量研磨面外邊緣、內(nèi)部和內(nèi)邊緣的平整度測量儀,所述的底座為方形平臺或為圓形平臺。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片研磨盤的測量裝置,其特征在于,所述平整度測量儀為千分表量測尺。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片研磨盤的測量裝置,其特征在于,所述平整度測量儀為百分表測量尺。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能硅片研磨盤的測量裝置,該裝置包括底座以及固定連接在底座上的把持部,在底座上依次間隔地順序安裝有三個分別用于測量研磨面外邊緣、內(nèi)部和內(nèi)邊緣的平整度測量儀,所述的底座為方形平臺或為圓形平臺。由于該太陽能硅片研磨盤的測量裝置在同一尺底座上安裝有三個平整度測量儀,則進行一次測量就可以反應(yīng)出該位置的平整度,而無須像現(xiàn)有技術(shù)中,需要分別測量三次,才能獲取下研磨盤面的平面精度。因此,本實用新型極大地提高了研磨盤面平整度檢測速度,有效地提高了太陽能硅片加工的速度,同時還避免分次測量所造成的測量誤差,甚至由于操作失誤造成的測量錯誤。
文檔編號G01B5/28GK202188822SQ20112026208
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請人:江陰市愛多光伏科技有限公司
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