專利名稱：生物傳感器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的制造方法。
背景技術(shù)：
目前，提出了具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器(參照專利文獻1 幻。通常，在具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器中在半導(dǎo)體基板的絕緣膜上，形成源電極/漏電極和通道， 進而在通道或半導(dǎo)體基板的絕緣膜等上配置反應(yīng)場的情況較多。在反應(yīng)場中固定被檢測物質(zhì)識別分子的情況較多。使固定在反應(yīng)場的被檢測物質(zhì)識別分子識別被檢測物質(zhì)，測定此時的源極-漏極電流，由此測定提供給反應(yīng)場的被檢測物質(zhì)的有無和濃度。專利文獻專利文獻1 (日本)特開2004-85392號公報專利文獻2 (日本)特開2OO6-2Oll78號公報專利文獻3 (日本)特開2007-139762號公報在具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的制造中，盡管在同一條件下進行制造，但有時所獲得的生物傳感器的特性差別較大，從而有時成為使成品率下降的原因。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)作為使成品率下降的一個原因是由于在制造步驟(特別是在用于制作通道或源/漏電極的半導(dǎo)體制造步驟)中，在應(yīng)配置反應(yīng)場的半導(dǎo)體基板的絕緣膜上產(chǎn)生缺陷。另外，發(fā)現(xiàn)作為產(chǎn)生缺陷的一個原因是由于在搬送半導(dǎo)體基板時，因半導(dǎo)體基板的絕緣膜與搬送生產(chǎn)線等之間的物理性接觸而損傷了半導(dǎo)體基板的絕緣膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供以高成品率制造具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的方法。本發(fā)明的特征在于在具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的制造中，在制作通道和源/漏電極時，通過多晶硅膜保護成為反應(yīng)場的區(qū)域，由此抑制反應(yīng)場的損傷。也就是說， 本發(fā)明涉及以下所示的生物傳感器的制造方法。[1]制造方法，其是傳感器的制造方法，該傳感器包括硅基板、形成在所述硅基板的一面上的氧化硅膜、在形成于所述硅基板的一面上的氧化硅膜上配置的反應(yīng)場及柵電極、形成在所述硅基板的另一面上的氧化硅膜、以及在形成于所述另一面上的氧化硅膜上配置的源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道，所述制造方法包括以下步驟 在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的層積膜；在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上，形成源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道；去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜；以及在所述硅基板的一面上配置柵電極。[2]如[1]所述的制造方法，所述多晶硅膜的厚度為1000A以上。[3]如[1]所述的制造方法，形成在所述硅基板的一面上的氧化硅膜的厚度為1000A以上。[4]如[1]所述的制造方法，在所述反應(yīng)場中固定被檢測物質(zhì)識別分子。根據(jù)本發(fā)明，能夠以高成品率制造具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器。


圖1是示意地表示本發(fā)明的生物傳感器的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2是示意地表示本發(fā)明的生物傳感器的第一例的結(jié)構(gòu)的剖面圖
圖3是示意地表示本發(fā)明的生物傳感器的第二例的結(jié)構(gòu)的剖面圖
圖4A 4K是本發(fā)明的生物傳感器的制造流程。
圖5A 5E是形成具有障壁部的反應(yīng)場的流程。
標(biāo)號說明
10、10-1、10-2 生物傳感器
11娃基板
12a、12b 氧化硅膜
13柵電極
14漏電極
15源電極
16通道
16，多晶硅膜
17電流形
18層間絕緣膜
20反應(yīng)場
21被檢測物質(zhì)識別分子
30a、30b 多晶硅膜
43柵電極
50反應(yīng)場
51障壁部
52鳥嘴
60被檢測物質(zhì)識別分子
70氮化硅膜
具體實施例方式1、本發(fā)明的生物傳感器本發(fā)明的生物傳感器包括硅基板、配置在該硅基板上的場效應(yīng)晶體管、以及反應(yīng)場。在本發(fā)明的生物傳感器中，在硅基板的兩面上成膜了氧化硅膜。在形成于硅基板的一面上的氧化硅膜上配置反應(yīng)場和柵電極。在形成于硅基板的另一面的氧化硅膜上配置源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道。在反應(yīng)場上通常結(jié)合了能夠與檢測對象物選擇性地結(jié)合的被檢測物質(zhì)識別分子。
基于本發(fā)明的生物傳感器的檢測流程為向反應(yīng)場提供可能含有檢測對象物的樣本；使樣本中的檢測對象物與固定在反應(yīng)場的被檢測物質(zhì)識別分子發(fā)生反應(yīng)；以及施加規(guī)定的柵極電壓，并測定源極-漏極電流，由此判斷樣本中有無檢測對象物以及測定檢測對象物的量。圖1是示意地表示本發(fā)明的生物傳感器10的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是示意地表示本發(fā)明的第一形態(tài)的生物傳感器10-1的結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖3是表示本發(fā)明的第二形態(tài)的生物傳感器10-2的結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖1所示，生物傳感器10為在硅基板11的兩面上形成有作為絕緣膜的氧化硅膜12a、12b。在形成了氧化硅膜12a的面上形成了柵電極13。柵電極13被施加參考電壓Vref。柵電極13、氧化硅膜12a以及硅基板11形成金屬(導(dǎo)體)_絕緣體-半導(dǎo)體 (Metal-Insulator-Semiconductor, MIS)結(jié)構(gòu)。因此，柵極電壓并不是直接施加到硅基板 11。但是，柵電極13的材質(zhì)只要具有導(dǎo)電性，并不特別限定，例如是金、鉬、鈦、鋁等金屬或?qū)щ娦运芰系燃纯伞Ａ硪环矫?，在形成了氧化硅?2b的面上形成了漏電極14及源電極15。漏電極 14與源電極15在氧化硅膜12b上，經(jīng)由通道16電連接。優(yōu)選的是，通道16由多晶硅形成。由此，氧化硅膜12b、漏電極14、源電極15以及通道16成為通常的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)結(jié)構(gòu)，因此，能夠使用與制造 TFT時相同的半導(dǎo)體制造步驟形成氧化硅膜12b、漏電極14、源電極15以及通道16。另外，由于通道16由多晶硅形成，所以能夠在半導(dǎo)體制造步驟中容易地選擇通道 16的線路寬度W。在漏電極14與源電極15之間，經(jīng)由外部配線而連接了電源Vds及電流表17。由此，通過電源Vds向漏電極14與源電極15之間施加規(guī)定的電壓，并通過電流表17測定流經(jīng)通道16的電流。漏電極14與源電極15之間的間隔并不特別限定，但通常在0. 5 μ m 10 μ m左右。 為了使由通道16進行的電極間的連接容易，該間隔也可進一步縮短。源電極及漏電極的形狀及大小并不特別限定，根據(jù)目的而適當(dāng)設(shè)定即可。圖2所示的生物傳感器10-1具有形成在氧化硅膜12a的面上的反應(yīng)場20。反應(yīng)場20是指提供測定試樣(通常為溶液)的區(qū)域。反應(yīng)場20上固定被檢測物質(zhì)識別分子21。 作為被檢測物質(zhì)識別分子的例子，包括抗體或酶、凝集素等蛋白質(zhì)、核酸、寡糖或者多糖、或者具有這些結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。通過將被檢測物質(zhì)識別分子固定在反應(yīng)區(qū)域內(nèi)，能夠特別地檢測出特定的蛋白質(zhì)或化學(xué)物質(zhì)等。反應(yīng)場20和柵電極13優(yōu)選配置在氧化硅膜12a、12b中的同一氧化硅膜上，特別優(yōu)選的是，將反應(yīng)場20和柵電極13配置在與配置了漏電極14和源電極15的面相反的面的氧化硅膜(圖2的情況下為氧化硅膜12a)上。此外，反應(yīng)場20與柵電極13優(yōu)選形成在同一氧化硅膜1 上的盡可能近的位置上。例如，可以在反應(yīng)場20的上側(cè)配置柵電極13， 也可以在反應(yīng)場20的周圍形成柵電極13。這樣，能夠增大對提供給反應(yīng)場20的被檢測物的濃度變化等的、通道16中的電壓變化，因此能夠提高測定靈敏度。在圖2中，配置了反應(yīng)場20的區(qū)域的氧化硅膜12a的厚度是恒定的，但配置了反應(yīng)場20的區(qū)域的氧化硅膜的厚度也可以比其周圍的氧化硅膜的厚度薄。即，反應(yīng)場20優(yōu)選位于凹部的內(nèi)部。由此，不僅能夠?qū)⒃嚇尤芤焊咝实叵拗圃诜磻?yīng)場20內(nèi)，而且也能夠使從柵電極13向基板面方向泄漏的電力線(line ofelectric force)更高效率地穿過反應(yīng)場20。另外，即使在氧化硅膜1 上設(shè)置包圍反應(yīng)場20的障壁，也能夠高效率地將試樣溶液限制在反應(yīng)場20內(nèi)。如圖3所示的生物傳感器10-2是反應(yīng)場位于凹部的內(nèi)部的生物傳感器。在圖3 中，對與圖2相同的結(jié)構(gòu)部分，附加相同標(biāo)號并省略重復(fù)部分的說明。如圖3所示，在形成了氧化硅膜12a的面上形成了與柵電極43相向的反應(yīng)場(柵極氧化膜)50、及包圍反應(yīng)場50的障壁部51。反應(yīng)場50具有固定被檢測物質(zhì)識別分子60 的功能。本實施方式的情況下，反應(yīng)場50及障壁部51都由氧化硅形成。反應(yīng)場50的氧化硅膜的厚度設(shè)為200nm以下，實際上優(yōu)選1 200nm左右(例如 IOOnm)。障壁部51的氧化硅膜的厚度比反應(yīng)場50的厚度厚，且設(shè)為數(shù)千nm以下，實際上優(yōu)選200 IOOOnm左右(例如600nm)。另外，反應(yīng)場50的上表面與障壁部51的上表面之差(即高度差)優(yōu)選200 800nm左右(例如500nm)。而且實際上，反應(yīng)場50的面積為 25mm2左右。障壁部51優(yōu)選完全包圍反應(yīng)場50，但也可不完全包圍反應(yīng)場50?？傊?，只要以能夠限制提供給反應(yīng)場50的試樣溶液的流出程度進行包圍即可。這樣，圖3所示的傳感器10-2通過形成了包圍反應(yīng)場50的障壁部51，從而在反應(yīng)場50內(nèi)載置了被檢測物質(zhì)或被檢測物質(zhì)識別分子時，這些物質(zhì)受到障壁部51的限制，從而能夠防止這些物質(zhì)擴散到反應(yīng)場50的面積以外。也就是說，能夠使試樣溶液在反應(yīng)場50 上的擴散面積恒定。本發(fā)明的生物傳感器為，形成有反應(yīng)場的氧化硅膜(與配置了通道的面相反的面的氧化硅膜)在傳感器的制造流程中難以受到損傷，所以當(dāng)然能夠以高成品率制造該生物傳感器，但也能夠成為具有穩(wěn)定的檢測靈敏度的生物傳感器。2、本發(fā)明的生物傳感器的制造方法本發(fā)明的生物傳感器包括以下步驟在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的層積膜(第1步驟)；在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜(第2步驟)；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上，形成源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道(第3步驟)；以及去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜(第4步驟)。這樣，在第3步驟中形成源電極及漏電極和通道時，通過多晶硅膜保護硅基板的一面的氧化硅膜。第3步驟能夠利用通常的半導(dǎo)體制造步驟來進行，為了提高其作業(yè)效率， 優(yōu)選將硅基板承載在自動搬送機上來進行。此時，硅基板的背面(與形成源電極及漏電極和通道的面相反的面)有時由于與搬送機的部件接觸而受到損傷。由此，以往有時生物傳感器的制造成品率下降。在本發(fā)明中，在第3步驟中，在硅基板的背面成膜出氧化硅膜，并進一步成膜出多晶硅膜，所以硅基板的背面的氧化硅膜難以受到損傷。因此，通過在第3步驟之后去除多晶硅膜而使氧化硅膜露出，從而能夠得到正常表面的氧化硅膜。然后，如果在其上形成反應(yīng)場，則能夠制造無缺陷的生物傳感器。圖4A 圖4K表示本發(fā)明的生物傳感器的制造流程。首先，在圖4A中，在硅基板11的兩面上通過熱氧化法形成氧化硅膜1 和12b。氧化硅膜的厚度優(yōu)選為
61000 A 5000 A。在氧化硅膜的厚度低于1000 A的情況下，有時無法維持其作為絕緣膜的功能。另外，若氧化硅膜的厚度超過5000 A，則有時作為生物傳感器的靈敏度下降。在圖4B中，在氧化硅膜1 和12b上形成多晶硅膜30a和30b。通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法成膜出多晶硅膜。多晶硅膜30a的厚度優(yōu)選為1000 A 4000 A。多晶硅膜30a 的厚度低于1000 A時，有時無法抑制由于與搬送部件之間的接觸所造成的氧化硅膜1 的損傷。超過4000 A也無妨，但會造成制造成本的上升。圖4C中，去除硅基板11的單面上的氧化硅膜12b和多晶硅膜30b。在圖4D中，在去除了氧化硅膜12b和多晶硅膜30b的硅基板11的面上，再次形成氧化硅膜12b。與上述同樣，通過熱氧化法形成即可。當(dāng)然，也可以不去除圖4B的氧化硅膜12b，而選擇地去除多晶硅膜30b，形成圖4D的狀態(tài)。在圖4E中，在氧化硅膜12b上的規(guī)定位置(應(yīng)形成通道的位置)形成多晶硅膜 16’。多晶硅膜16’的形成例如在規(guī)定位置沉積非晶硅，對非晶硅照射激光，使其溶解而進行多結(jié)晶化即可。在圖4F中，將雜質(zhì)埋入多晶硅膜16’，并通過熱處理而使雜質(zhì)擴散而作為通道16。 通道16可以是NPN型，可以是PNP型，可以是NiP型，也可以是PiP型。NPN型或PNP型的通道的帶隙(band gap)變大，所以與NiP型或PiP型的通道相比，漏電流容易變小。因此， 容易構(gòu)成降低待機狀態(tài)下的消耗電流的電路。另一方面，NiN型或PiP型的通道與NPN型或PNP型的通道相比，能夠以較少的制造步驟制作。在圖4G中，形成用于覆蓋通道16的層間絕緣膜18。層間絕緣膜18例如為二氧化鉿。在圖4H中，形成漏電極14及源電極15，并分別經(jīng)由接觸孔與通道16連接。接著，在圖41中，去除硅基板11的另一面上的多晶硅膜30a。通過使用干蝕刻氣體(dry etching gas)進行蝕刻而去除多晶硅膜30a即可。作為干蝕刻氣體的例子包含氯化氣體、溴化氫等。這是因為通過這些干蝕刻能夠選擇性地去除多晶硅膜30a而不去除氧化硅膜1加。在圖4J中，在去除多晶硅膜30a而露出的氧化硅膜12a上形成反應(yīng)場20。此時， 抑制在去除多晶硅膜30a而露出的氧化硅膜1 上產(chǎn)生缺陷，所以能夠形成合適的反應(yīng)場 20。在反應(yīng)場20上固定被檢測物質(zhì)識別分子21。在圖4K中，在反應(yīng)場20的附近配置柵電極13，由此獲得本發(fā)明的生物傳感器。柵電極13配置在反應(yīng)場20的附近即可，也可以配置為包圍反應(yīng)場20。柵電極20的材料除了可以是金、鉬、鈦、鋁等金屬以外，也可以是導(dǎo)電性塑料等。柵電極配置在氧化硅膜1 上。 因此，柵極電壓并不是直接施加到硅基板11。另外，如圖3所示，本發(fā)明的生物傳感器也可以具有由障壁部51包圍的反應(yīng)場50。 使用圖5A 5E說明由障壁部51包圍的反應(yīng)場的形成方法。障壁部51可以通過區(qū)域硅氧化(LOCOS)法形成。在圖5A中，通過CVD法將氮化硅膜70沉積在去除多晶硅膜而露出的氧化硅膜 12a(參照圖41)上。在圖5B中，通過微影技術(shù)和蝕刻技術(shù)，對氮化硅膜70進行圖案化。在去除氮化硅膜的區(qū)域形成障壁部。另一方面，在殘存氮化硅膜的區(qū)域形成反應(yīng)場。在圖5C中進行氧化處理，將去除了氮化硅膜70的區(qū)域選擇性地氧化，氧化硅膜變厚，形成障壁部51。另一方面，不氧化殘留了氮化硅膜70的區(qū)域。此時，變厚后的氧化硅膜的一部分潛入氮化硅膜正下方，形成鳥嘴(bird’ sbeak)52。氧化處理在濕潤氧環(huán)境下，通過高溫(例如IOOO0C )條件進行即可。在圖5D中，去除氮化硅膜70而獲得成為反應(yīng)場50的區(qū)域。使被檢測物質(zhì)識別分子60與反應(yīng)場50結(jié)合。進而，在反應(yīng)場50的附近配置柵電極，由此獲得本發(fā)明的生物傳感器。[參考例1]通過熱氧化法，在硅晶片(silicon wafer)的兩面上形成1350 A的氧化硅膜。進而，通過化學(xué)蒸鍍法，在兩面上成膜出2000A的多晶硅膜。使硅晶片反轉(zhuǎn)并將其承載在搬送生成線上進行了搬送。蝕刻去除與搬送生產(chǎn)線的搬送部件接觸了的硅晶片面的多晶硅膜。蝕刻去除為使用氯化氣體進行干蝕刻。在經(jīng)由多晶硅膜的蝕刻而露出的氧化硅膜上，通過蒸鍍而成膜出鋁膜。對鋁膜進行抗蝕圖案化(基于形成樹脂抗蝕膜、抗蝕膜的圖案化、鋁膜的圖案化、去除抗蝕膜的步驟)，而形成了 120個的鋁電極。通過面研磨而去除與形成鋁電極的面相反的硅晶片面上的多晶硅膜和氧化硅膜， 使硅面露出。接著，將露出的硅面和各個鋁電極電連接。對鋁電極施加OV -40V的電壓， 測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[參考例2]在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成了 1350 A的氧化硅膜。進而，在兩面上形成了3500 A的多晶硅膜。其后，與參考例1同樣，進行了下述作業(yè)，即搬送晶片、蝕刻去除多晶硅膜、形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、以及連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[參考例3]在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成4000 A的氧化硅膜。進而，在兩面上形成了 2000 A的多晶硅膜。其后，與參考例ι同樣，進行了下述作業(yè)，即搬送晶片作業(yè)、蝕刻去除多晶硅膜、形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、以及連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[參考例4]在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成4000A的氧化硅膜。進而，在兩面上形成了 3500 A的多晶硅膜。其后，與參考例1同樣，進行了下述作業(yè)，即搬送晶片、蝕刻去除多晶硅膜、形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[比較參考例1]
在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成1350 A的氧化硅膜。其后，不進行晶片搬送， 不使搬送部件與硅晶片的背面的氧化硅膜接觸。直接進行了下述作業(yè)，即形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、以及連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[參考比較例2]在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成1350 A的氧化硅膜。然后，沒有形成多晶硅膜，并與參考例ι同樣，進行了下述作業(yè)，即搬送晶片、形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、以及連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。[參考比較例3]在硅晶片的兩面上通過熱氧化法形成3000 A的氧化硅膜。然后，沒有形成多晶硅膜，并與參考例ι同樣，進行了下述作業(yè)，即搬送晶片、形成120個的鋁電極、進行面研磨而露出硅面、以及連接硅面和鋁電極。進而與參考例1同樣，對鋁電極施加OV -40V的電壓，測定了硅基板和鋁電極間的電流。此時，分別求取未流過電流的元件(正常元件)的個數(shù)和流過電流的元件(缺陷元件)的個數(shù)。以下的表1表示各個參考例、比較參考例中的、相對于全部元件數(shù)(120個)的缺陷元件的個數(shù)。表1
權(quán)利要求
1.一種生物傳感器的制造方法，該生物傳感器包括硅基板、形成在所述硅基板的一面上的氧化硅膜、在形成于所述硅基板的一面上的氧化硅膜上配置的反應(yīng)場及柵電極、形成在所述硅基板的另一面上的氧化硅膜、以及在形成于所述另一面上的氧化硅膜上配置的源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道，所述生物傳感器的制造方法包括以下步驟 在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的層積膜； 在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上，形成源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道；去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜；以及在所述硅基板的一面上配置柵電極。
2.如權(quán)利要求1所述的生物傳感器的制造方法， 所述多晶硅膜的厚度為1000 A以上。
3.如權(quán)利要求1所述的生物傳感器的制造方法，形成在所述硅基板的一面上的氧化硅膜的厚度為1000 A以上。
4.如權(quán)利要求ι所述的生物傳感器的制造方法， 在所述反應(yīng)場中固定被檢測物質(zhì)識別分子。
全文摘要
公開了以高成品率制造具有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的方法。含有場效應(yīng)晶體管的生物傳感器的制造方法包括以下步驟在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的層積膜；在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上形成源電極及漏電極和用于連接源電極與漏電極的通道；以及去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜。
文檔編號G01N27/414GK102192939SQ20111003532
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月17日
發(fā)明者山林智明, 菊地洋明, 高橋理 申請人:三美電機株式會社