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一種應(yīng)用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器及制作方法

文檔序號(hào):6125709閱讀:291來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種應(yīng)用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器及制作方法,更確切地說(shuō)涉及一種硅基壓電薄膜傳感器應(yīng)用于生物微質(zhì)量的檢測(cè),體現(xiàn)出多功能集成傳感技術(shù)與現(xiàn)代生物技術(shù)相結(jié)合的應(yīng)用。屬于生物傳感器制作領(lǐng)域。
背景技術(shù)
近半個(gè)世紀(jì)以來(lái),生物傳感器的研發(fā)一直為人們所關(guān)注,多種傳感器(如電化學(xué)傳感器,熱生物傳感器,壓電生物傳感器,半導(dǎo)體生物傳感器和光生物傳感器等)由此應(yīng)運(yùn)而生。
生物大分子間的特異結(jié)合原理(如核酸分子雜交、受體-配體結(jié)合和抗原-抗體反應(yīng))是近年發(fā)展起來(lái)的生物芯片技術(shù)的基礎(chǔ)。在現(xiàn)有的生物傳感器中,光生物傳感器,熱生物傳感器,壓電生物傳感器可利用這一原理研發(fā)特異、靈敏、簡(jiǎn)便的生物學(xué)檢測(cè)方法。光生物傳感器可通過(guò)光纖探頭傳遞標(biāo)記分子產(chǎn)生的特殊光學(xué)信號(hào)(熒光或顏色變化等),或應(yīng)用表面等離子體共振技術(shù)原理來(lái)檢定特異的生物體或分子。其不足之處是靈敏度不夠高,且附屬儀器設(shè)備昂貴。熱生物傳感器是利用靈敏的熱敏元件探測(cè)生物反應(yīng)的焓變,而間接測(cè)定生物大分子的含量,該類傳感器尚處于研究階段。壓電生物傳感器則是利用分子結(jié)合引起的質(zhì)量增加導(dǎo)致晶振頻率改變,以頻率變換檢測(cè)生物分子。與光學(xué)生物芯片相比,壓電生物傳感器的突出優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)直接輸出信號(hào)為電信號(hào),便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、智能化,使之具有校準(zhǔn)、補(bǔ)償、自診斷和網(wǎng)絡(luò)通信的功能,便于精確定量分析等,因而具有巨大的應(yīng)用前景。但目前壓電生物傳感器采用的都是石英壓電晶體,其厚度受工藝的制約,不能再減薄。從而導(dǎo)致其諧振頻率極限為數(shù)十兆赫茲,且很難有再提高的可能。因而該類傳感器存在檢測(cè)靈敏度低等問(wèn)題。
壓電薄膜類型諧振器國(guó)內(nèi)外已有不少研究,它們的諧振頻率能達(dá)GHz以上,其結(jié)構(gòu)有的為空腔微橋結(jié)構(gòu),有的為光子晶體諧振層結(jié)構(gòu)。但大多應(yīng)用在手機(jī)濾波器領(lǐng)域。對(duì)于生物微質(zhì)量的檢測(cè),研究尚不多。經(jīng)分析對(duì)于結(jié)合生物微質(zhì)量檢測(cè),空腔微橋結(jié)構(gòu)的薄膜諧振器易脆,強(qiáng)度不夠,限制了它的應(yīng)用;具布拉格層的薄膜諧振器結(jié)構(gòu)牢固,有應(yīng)用的前景。而且采用平面的加工工藝,易于制備。同時(shí)該類器件因諧振電極不同,制備方法不同以及材料體系不同,其諧振性能會(huì)有很大差異。因此為解決壓電薄膜生物傳感器的核心內(nèi)容,即如何做到壓電晶體的厚度控制。如何提高其壓電薄膜層的優(yōu)良性能,如何獲得更高的諧振頻率,以及在生物微質(zhì)量檢測(cè)中如何獲得更高的檢測(cè)靈敏度。從而引導(dǎo)出本發(fā)明的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器及制作方法。本發(fā)明是采用硅基壓電薄膜諧振器件制備技術(shù)和生物分子特異結(jié)合的“三明治”夾心技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)石英晶體壓電傳感器作創(chuàng)新性改進(jìn)。目的在于制備特異性強(qiáng)、靈敏度高(pico-gram級(jí))、檢測(cè)迅速、方便(1小時(shí)左右)的壓電薄膜生物傳感器。并將生物芯片技術(shù)與生物傳感器結(jié)合,利用微機(jī)械電子系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)在壓電薄膜上制作微型壓電諧振器陣列,在壓電薄膜諧振器件表面涂敷相應(yīng)的生物膜,再包閉,清洗,固定不同的分子探針(或?yàn)楹怂幔驗(yàn)榈鞍踪|(zhì)),即構(gòu)成壓電生物芯片。
所述的壓電生物傳感器由三部分組成生物分子探針(抗體或抗原)、壓電諧振子(即換能器)和檢測(cè)電路。生物分子探針使得制作的傳感器具有選擇性,只有當(dāng)待測(cè)生物分子與探針?lè)肿咏佑|時(shí)才發(fā)生反應(yīng),要么生物分子與探針?lè)肿右黄鸨晃皆趬弘娭C振子電極表面,要么生物分子與探針?lè)肿右黄鹈撾x壓電諧振子電極表面,從而引起諧振子電極表面吸附物質(zhì)量的改變(見(jiàn)圖1);壓電諧振子將電極表面吸附物質(zhì)量的改變轉(zhuǎn)化為可檢測(cè)的電信號(hào)。本發(fā)明是在硅基底上采用了Bragg(布拉格)反射層,目的在于利用各層厚度的四分子之一波長(zhǎng)Bragg反射,有效地阻絕帶通頻段聲波能量的散逸,并對(duì)體聲波共振器復(fù)雜的旁偽聲應(yīng)能提供最有效的抑制;檢測(cè)電路用來(lái)檢測(cè)因電極表面附著物質(zhì)量的改變引起的壓電諧振子諧振頻率的變化。
分子探針一般來(lái)講,樣品中的微量待檢物質(zhì)含量大多介于在皮克(pg)-納克(ng)之間。對(duì)只有pg級(jí)的待檢物質(zhì)來(lái)說(shuō),結(jié)合至壓電膜上的分子數(shù)目并不多,為檢測(cè)到單個(gè)基因拷貝或含量極低的蛋白質(zhì)分子,需制備生物性能穩(wěn)定的納米材料,該材料粒徑約在15-30nm左右,重量在100pg左右,能與抗體很好結(jié)合而不影響抗體的生物活性。這便可以用“三明治”方式(抗體—抗原—結(jié)合Au顆粒的抗體)來(lái)檢測(cè)靶分子(待測(cè)生物分子),即使只有數(shù)個(gè)靶分子與具特異配體結(jié)合,由于納米材料的重量增加在100pg左右,因而微量的待檢物質(zhì)也可通過(guò)壓電傳感器被檢測(cè)出來(lái)。選擇相應(yīng)的探針蛋白分子(某蛋白質(zhì)或病毒抗體),點(diǎn)在壓電薄膜諧振子陣列的電極表面上。實(shí)驗(yàn)采用高純分子探針;為增強(qiáng)分子探針在金電極面上的附著牢度,采用表面化學(xué)新技術(shù)對(duì)金電極表面進(jìn)行處理、活化。
壓電薄膜諧振子采用一種新型結(jié)構(gòu)的壓電薄膜諧振子,這種結(jié)構(gòu)的諧振子是將厚度為λ/2(λ為波長(zhǎng))的壓電薄膜沉積在阻抗不等的多層λ/4薄膜上。制作諧振子所用λ/2壓電薄膜、λ/4 Bragg反射層采用磁控濺射或溶膠-凝膠方法制備,諧振子電極采用磁控濺射法制備,諧振子陣列采用常規(guī)MEMS技術(shù)制備。
綜上所述,本發(fā)明提供的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,由生物分子探針、換能器和檢測(cè)電路三部分組成,其特征在于A、所述的換能器為壓電諧振器件,其結(jié)構(gòu)是①在(100)取向的硅襯底上或含SiO2層的硅襯底上沉積Bragg反射層,反射層厚度為波長(zhǎng)的1/4;②在Bragg反射層上沉積壓電薄膜層,薄膜層厚度為200-5000nm;諧振頻率為100M-10GHZ;④在壓電薄膜層上沉積有電極層,厚度為100-500nm;B、所述的生物分子探針的結(jié)構(gòu)是在壓電諧振子上涂敷結(jié)合相應(yīng)生物膜,經(jīng)包閉,組成生物納米材料—待檢物質(zhì)—抗原/抗體的三明治模式。
所述的SiO2層厚度為100nm-1000nm。
所述的壓電薄膜層為λ/2(λ為波長(zhǎng))的具有C-軸擇優(yōu)取向壓電薄膜,為ZnO、AlN或PZT等壓電或鐵電薄膜,頻率高于傳統(tǒng)石英傳感器。
所述的電極層為與生物膜結(jié)合性好的金膜。
本發(fā)明所提供的傳感器中壓電薄膜諧振器件的制作步驟是(1)在(100)取向的硅襯底上或含有SiO2層的襯底上分別交替生長(zhǎng)兩種聲阻差異大的1/4波長(zhǎng)的Bragg反射層;(2)在Bragg反射層上沉積壓電薄膜層;(3)在壓電薄膜層上沉積電極層;(4)采用相關(guān)半導(dǎo)體圖形化工藝,制得與標(biāo)準(zhǔn)微波測(cè)量相匹配的電極結(jié)構(gòu);(5)經(jīng)100-800℃退火得到硅基壓電薄膜諧振器件。
所述的取用(100)晶向的單晶硅片或含SiO2層的硅襯底,經(jīng)過(guò)完整的基片清洗工藝,使用磁控濺射設(shè)備或溶膠-凝膠方法分別交替生長(zhǎng)兩種聲阻差異大的具λ/4(λ為波長(zhǎng))厚度的Bragg反射層,為Pt、ZnO,或?yàn)镾iO2、W,且各層晶向、結(jié)構(gòu)都平整致密,且均具擇優(yōu)取向。
制作射頻測(cè)量適用的電極圖形的圖形化工藝為相關(guān)的刻蝕工藝,如濕法腐蝕、剝離工藝(lift-off)、或干法離子刻蝕。圖形如圖4和為圖7所示。
所述的在100-800℃條件下退火,退火時(shí)間為1分鐘-120分鐘,退火后使傳感器的諧振性能更加完善。
所述的在諧振器上涂敷結(jié)合相應(yīng)生物膜(生物分子探針),并測(cè)量各步驟。其為在諧振器上涂敷結(jié)合生物膜,再包閉,清洗,再點(diǎn)滴待測(cè)試生物液,經(jīng)過(guò)生物液中生物分子與諧振器上固化的生物分子間的免疫結(jié)合反應(yīng)后,再經(jīng)反復(fù)清洗后,測(cè)試諧振頻率的變化。
同時(shí),①為使免疫反應(yīng)中結(jié)合的生物體質(zhì)量效果放大,特別在生物液中的生物體上再結(jié)合一層含重質(zhì)量納米Au膠粒的生物免疫體。這種“三明治”的夾心模式能使與壓電薄膜傳感器結(jié)合的生物體質(zhì)量的變化更為顯著,起到測(cè)量質(zhì)量成倍放大的效果;②為使硅基壓電薄膜傳感器能夠重復(fù)使用,其相應(yīng)后續(xù)清洗液具有使生物分子探針完全脫離傳感器的清洗功能;③在制作具有測(cè)量相應(yīng)諧振頻率波段的檢測(cè)電路。并且可制作微型壓電諧振器陣列,在各傳感器表面固定不同的分子探針或?yàn)槟撤N核酸、或?yàn)槟撤N蛋白質(zhì),即構(gòu)成硅基壓電生物芯片。可實(shí)現(xiàn)多通道的生物樣品的檢測(cè)。具體是可采用傳統(tǒng)的檢測(cè)電路及其頻率分析的方法圖1(a)為壓電諧振子的BVD等效電路圖,利用圖1(b)的電路可以檢測(cè)諧振子的諧振頻率,可為用常規(guī)半導(dǎo)體工藝制備。頻率分析,根據(jù)經(jīng)典響應(yīng)諧振公式Δf=-2(ρμ)-12f2Δm/A]]>可知,由頻率的變化可以計(jì)算出相應(yīng)結(jié)合的質(zhì)量。其中μ為壓電材料的剪切模量,ρ為壓電材料的密度,A為諧振器面積。f為工作頻率。Δf,Δm分別為變化的頻率和變化的質(zhì)量。
綜上,本發(fā)明提供的傳感器及制作方法是采用硅基片上沉積質(zhì)量?jī)?yōu)良的壓電薄膜代替石英晶片,研制微型化、陣列化、多通道的集成壓電薄膜生物傳感器。然而,壓電生物傳感器是否能用于微量生物的檢測(cè),則完全取決于其檢測(cè)的靈敏度(pg水平)?,F(xiàn)有報(bào)道的壓電生物傳感器檢測(cè)極限在100ng左右,遠(yuǎn)不能滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。本發(fā)明提出的采用硅基壓電薄膜諧振器件制備技術(shù)和生物分子特異結(jié)合的生物納米材料—待檢物質(zhì)(抗原/抗體)—抗體/抗原的“三明治”模式,以成倍提高諧振頻率以及檢測(cè)靈敏度的方法。使得壓電薄膜生物傳感器的靈敏度達(dá)到pg水平。研制出具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的多探測(cè)單元或?yàn)?6×16,或?yàn)?×2的高靈敏度(pg級(jí))、多通道、集成硅基壓電薄膜傳感器,并為進(jìn)一步研發(fā)具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值的大規(guī)模、集成化的生物傳感器奠定技術(shù)基礎(chǔ)。


圖1(a)壓電諧振子的BVD等效電路(b)壓電諧振子諧振頻率振蕩電路2為硅基壓電薄膜諧振器件的制備工藝示意圖(a)(100)取向的Si片或含有100nm-1000nm的SiO2層(b)用物理或化學(xué)的方法生長(zhǎng)Bragg反射層(c)用物理或化學(xué)的方法制備多個(gè)周期的Bragg反射層(d)在多個(gè)周期的Bragg反射層上用物理或化學(xué)的方法生長(zhǎng)壓電薄膜層(e)在壓電薄膜層上用物理的方法生長(zhǎng)Au電極圖3本發(fā)明所設(shè)計(jì)的電極版形,由此圖形制作光刻用掩模版圖4包被生物納米材料的TEM圖片圖5為硅基壓電薄膜傳感器的生物探針三明治夾心模式的檢測(cè)示意圖(a)初始狀態(tài)(b)經(jīng)過(guò)生物固化包閉后(c)經(jīng)過(guò)蛋白質(zhì)耦合反應(yīng)后圖6顯示結(jié)合生物體后測(cè)量出的諧振頻率的變化圖7實(shí)例2的電極版形,由此圖形制作光刻掩模版圖8顯示結(jié)合生物體后測(cè)量出的諧振頻率的變化圖中1為(100)取向硅片;2為Pt低聲速層;3為ZnO高聲速層;4為ZnO壓電薄膜層;5為Au電極層;6為抗體分子;7為抗原分子;8納米金膠粒
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1硅基壓電薄膜生物傳感器制備,其步驟為(1)制備的具有多個(gè)Bragg反射層的壓電諧振子。在直徑為3英寸的(100)取向Si片上,采用多靶磁控濺射Pt/ZnO Bragg反射層。開始前,抽真空使得本底真空度達(dá)到2×10-4Pa,再對(duì)襯底Si片加熱至300℃。濺射功率分別為直流100W和射頻200W;濺射氣流分別為氬氣(Ar)50sccm和氬氣(Ar)∶氧氣(O2),25∶25sccm;濺射工作氣壓分別為1.7×10-1Pa和1.8×10-1Pa;采用多靶連續(xù)濺射的方法制備出Bragg反射層。各膜厚數(shù)百納米。[圖2(a)~(c)]。
(2)壓電薄膜層的制備在Bragg反射層上制備壓電薄膜。采用多靶磁控濺射儀,預(yù)抽真空為1.4×10-4pa,襯底加溫至300℃,充入氬氣和氧氣各為25sccm和25sccm;磁控濺射功率為射頻200W,濺射氣壓為0.18Pa。膜厚數(shù)百納米。[圖2(d)](3)制備電極Au膜,采用多靶磁控濺射儀,仍在同前的一個(gè)真空腔內(nèi),真空度為2.0×10-4pa,襯底溫度為室溫25℃。通入濺射氣體Ar為50sccm,濺射功率為直流50W,濺射工作氣壓為0.21Pa。膜厚數(shù)百納米。[圖2(e)](4)在快速熱處理爐進(jìn)行快速退火熱處理,升溫速率為20℃/s,到400℃后,保溫時(shí)間為300秒。整個(gè)退火過(guò)程在氧氣氛下進(jìn)行,以補(bǔ)充退火時(shí)易造成的氧空位缺陷,這可使得壓電薄膜性能更完好。
(5)制備出的各種與微波頻率兼容的電極圖形。對(duì)上層Au電極圖形化,采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體圖形化工藝。即采用涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠的工藝。(圖3)(6)測(cè)量出來(lái)的各個(gè)諧振子的微波信號(hào)。采用的設(shè)備為40GHz HP8722D矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和Cascade高低溫控制探針臺(tái)。
(7)諧振器上涂敷結(jié)合相應(yīng)生物膜,再包閉,清洗。采用三明治夾心技術(shù),點(diǎn)樣特異性生物微量,經(jīng)過(guò)生物液中生物分子與諧振器上固化的生物分子間的免疫結(jié)合反應(yīng)后,再經(jīng)反復(fù)清洗。(圖4和圖5)
(8)測(cè)量出來(lái)的諧振子結(jié)合生物分子后的諧振峰的變化,并由響應(yīng)諧振公式計(jì)算結(jié)合的生物微質(zhì)量。(圖6)實(shí)施例2在實(shí)施例1所述的整個(gè)薄膜諧振器件制備工藝基礎(chǔ)上,改變工藝步驟(1)中的Bragg層的制備方法將濺射Pt和ZnO的濺射氣體流量分別調(diào)為氬氣100sccm和氧氣50sccm,氬氣50sccm,進(jìn)而提高濺射工作氣壓分別為0.40Pa和0.37Pa;在工藝步驟(2)中制備壓電薄膜層也相應(yīng)改為氧氬流量為氧氣50sccm,氬氣50sccm,提高濺射工作氣壓為0.37Pa。并改變薄膜厚度以改變特征諧振頻率;在工藝步驟(5)中采用更好圖形的電極結(jié)構(gòu)(圖7),同樣制備出硅基壓電薄膜生物傳感器,并更精確地實(shí)現(xiàn)了結(jié)合生物分子后諧振峰的偏移。(圖8)上述實(shí)施將有助有理解本發(fā)明,但并不限制本發(fā)明的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,由生物分子探針、換能器和檢測(cè)電路三部分組成,其特征在于A、所述的換能器為壓電諧振器件,其結(jié)構(gòu)是①在(100)取向的硅襯底上或含SiO2層的硅襯底上沉積Bragg反射層,反射層厚度為波長(zhǎng)的1/4;②在Bragg反射層上沉積壓電薄膜層,薄膜層厚度為200-5000nm;諧振頻率為100M-10GHZ;③在壓電薄膜層上沉積有電極層,厚度為100-500nm;B、所述的生物分子探針的結(jié)構(gòu)是在壓電諧振子上涂敷結(jié)合相應(yīng)生物膜,經(jīng)包閉,組成生物納米材料—待檢物質(zhì)—抗原/抗體的三明治模式。
2.按權(quán)利要求1所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,其特征在于所述的壓電薄膜層為C軸擇優(yōu)取向的壓電薄膜層,所述的壓電薄膜層為ZnO、AlN或PZT。
3.按權(quán)利要求1所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,其特征在于所述的SiO2層厚度為100nm-1000nm。
4.按權(quán)利要求1所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,其特征在于所述的電極層為金膜。
5.按權(quán)利要求1或2所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器,其特征在于所述的硅基壓電薄膜傳感器的靈敏度達(dá)皮克水平。
6.制作如權(quán)利要求1所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器的方法,其特征在于采用硅基壓電薄膜諧振器件制備方法和生物分子特異結(jié)合的三明治夾心方法,利用微機(jī)械電子系統(tǒng)技術(shù)在壓電薄膜層上制作微型壓電諧振陣列,在壓電薄膜諧振器件表面涂敷相應(yīng)生物膜,再包閉,清洗,固定不同的分子探針,構(gòu)成壓電生物芯片。
7.按權(quán)利要求6所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器的制作方法,其特征在于壓電薄膜諧振器件的制作步驟是(1)在(100)取向的硅襯底上或含有SiO2層的襯底上分別交替生長(zhǎng)兩種聲阻差異大的1/4波長(zhǎng)的Bragg反射層;(2)在Bragg反射層上沉積壓電薄膜層;(3)在壓電薄膜層上沉積電極層;(4)采用相關(guān)半導(dǎo)體圖形化工藝,制得與標(biāo)準(zhǔn)微波測(cè)量相匹配的電極結(jié)構(gòu);(5)經(jīng)100-800℃退火得到硅基壓電薄膜諧振器件。
8.按權(quán)利要求7所述的用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器的制作方法,其特征在于①步驟(4)所述的圖形化工藝為濕法腐蝕、剝離工藝或干法離子刻蝕;②步驟(5)的退火時(shí)間為1-120分鐘。
9.按權(quán)利要求1-5所述的任一項(xiàng)所述的硅基壓電薄膜傳感器的應(yīng)用,其特征在于生物微量質(zhì)量檢測(cè),根據(jù)響應(yīng)諧振公式,由頻率的變化計(jì)算出相應(yīng)的生物體質(zhì)量的變化。
10.按權(quán)利要求9所述的硅基壓電薄膜傳感器的應(yīng)用,其特征在于響應(yīng)的諧振公式為Δf=-2(ρμ)-12f2Δm/A,]]>式中ρ為壓電材料的密度,A為諧振器面積。f為工作頻率。Δf,Δm分別為變化的頻率和變化的質(zhì)量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于生物微質(zhì)量檢測(cè)的硅基壓電薄膜傳感器及制備方法。本發(fā)明特征是在(100)取向的硅片上,先后沉積具有λ/4(λ為波長(zhǎng))厚度的Bragg反射層;接著在Bragg反射層上沉積壓電薄膜層和金電極層;采用相關(guān)電極圖形化工藝,在其上制作與標(biāo)準(zhǔn)微波測(cè)量相匹配的電極結(jié)構(gòu);經(jīng)相關(guān)退火溫度得到硅基壓電薄膜傳感器;在硅基壓電薄膜傳感器上先后涂敷系列生物探針,結(jié)合清洗后,采用三明治夾心技術(shù)點(diǎn)樣特異性結(jié)合生物體微量,可測(cè)出傳感器諧振頻率的相應(yīng)變化。進(jìn)而由相應(yīng)公式換算得到待測(cè)生物體的微質(zhì)量。這種多功能集成傳感技術(shù)與現(xiàn)代生物技術(shù)相結(jié)合,可使微量生物測(cè)量的高通量、強(qiáng)特異性、高靈敏分析成為可能。
文檔編號(hào)G01N29/14GK101046457SQ200710040418
公開日2007年10月3日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月8日
發(fā)明者宋志棠, 劉衛(wèi)麗, 言智, 張挺, 程建功, 封松林, 賴立輝, 陳建照 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
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