專利名稱：一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法及相應(yīng)的晶片測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片測(cè)試方法和測(cè)試系統(tǒng)，特別涉及一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流 保護(hù)方法及具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
晶片測(cè)試是對(duì)晶圓上的每個(gè)晶片進(jìn)行電性特性測(cè)試的過(guò)程，以檢測(cè)和淘汰 晶圓上不合格的晶片。圖1是現(xiàn)有的晶片測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，該系統(tǒng)主要
由晶片測(cè)試卡l、探針2、引線3及測(cè)試機(jī)臺(tái)4組成。在進(jìn)行晶片測(cè)試時(shí)，利用 晶片測(cè)試卡1的探針2接觸晶片上的接點(diǎn)墊(pad)而構(gòu)成電性接觸，再將經(jīng)由探 針2所測(cè)得的測(cè)試信號(hào)通過(guò)引線3送往測(cè)試機(jī)臺(tái)4作分析和判斷，從而取得晶 圓上每個(gè)晶片的電性特性測(cè)試結(jié)果。
一般的晶片測(cè)試過(guò)程分為幾個(gè)階段，第一階段主要是小電流直流檢測(cè)，即 在待測(cè)晶片上施加小電壓，以檢測(cè)晶片上電源對(duì)地或者地對(duì)地是否存在短路情 況。當(dāng)?shù)谝浑A段測(cè)試完畢并排除短路情況后，再逐步提高測(cè)試電壓以進(jìn)行后續(xù) 的電性特性測(cè)試。然而，由于第一階段測(cè)試中不包括電源對(duì)電源的直流檢測(cè)， 使得當(dāng)具有多電源接點(diǎn)墊的晶片出現(xiàn)電源對(duì)電源短路時(shí)，測(cè)試系統(tǒng)無(wú)法檢測(cè)出 該短路狀況。在后續(xù)的測(cè)試中，隨著測(cè)試電壓的提高，兩個(gè)接點(diǎn)墊之間的電勢(shì) 差將在探針上產(chǎn)生較強(qiáng)的電流，從而導(dǎo)致探針的損壞和測(cè)試卡的燒毀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法及具有過(guò)電流保 護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，它不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于實(shí)施，而且在有效防止高電流 損毀晶片測(cè)試卡的同時(shí)，能快速、清楚地指示故障出現(xiàn)的位置，為后續(xù)的檢測(cè) 工作提供了方便。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法，其實(shí)質(zhì)
性特點(diǎn)在于，所述的方法包括下列步驟提供一晶片測(cè)試卡，所述測(cè)試卡包括 數(shù)根探針，所述探針的一端通過(guò)引線連接至一測(cè)試機(jī)臺(tái)；在所述探針和引線之 間串聯(lián)一過(guò)電流保護(hù)元件；使所述探針的另一端與一待測(cè)晶片接觸，以進(jìn)行晶 片測(cè)試。
在上述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法中，當(dāng)流過(guò)某一探針的電流強(qiáng)度大 于一閾值時(shí)，連接至該探針的過(guò)電流保護(hù)元件自動(dòng)切斷該探針至所述測(cè)試機(jī)臺(tái) 的通路。
在上述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法中，所述的過(guò)電流保護(hù)元件是熔斷絲。
在上述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法中，所述的過(guò)電流保護(hù)元件是限流 元件。
本發(fā)明的另 一 方案是提供一種具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，它包 括一晶片測(cè)試卡，其具有數(shù)根探針； 一測(cè)試機(jī)臺(tái)，其通過(guò)數(shù)根引線連接至所述 晶片測(cè)試卡的探針的一端，所述探針的另一端與一待測(cè)晶片接觸，其實(shí)質(zhì)性特 點(diǎn)在于所述探針和《1線之間還串聯(lián)有一過(guò)電流保護(hù)元件。
本發(fā)明的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法及具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試 系統(tǒng)，通過(guò)在探針和引線之間串聯(lián)一熔斷絲或限流元件，使得當(dāng)流過(guò)探針的電 流超過(guò)一閾值時(shí)，能立即切斷該通路，從而有效防止了探針及測(cè)試卡的損毀。 此外，機(jī)臺(tái)控制系統(tǒng)根據(jù)過(guò)電流保護(hù)元件的狀態(tài)可快速、準(zhǔn)確地判斷出故障所 在的位置，為后續(xù)的檢測(cè)工作提供了安全保障。


本發(fā)明的具體過(guò)電流保護(hù)方法和晶片測(cè)試系統(tǒng)由以下的實(shí)施例及附圖給出。
圖l為現(xiàn)有的晶片測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明的具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將對(duì)本發(fā)明的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法及相應(yīng)的晶片測(cè)試系統(tǒng)作
進(jìn)一步的詳細(xì)描迷。
如圖2所示，本發(fā)明的晶片測(cè)試系統(tǒng)與現(xiàn)有的系統(tǒng)相比，在探針2和引線3 之間增加了過(guò)電流保護(hù)元件5,該保護(hù)元件5可選用熔斷絲或限流元件，熔斷絲 的材料、長(zhǎng)度、截面積以及限流元件的參數(shù)值可根據(jù)探針和測(cè)試卡所能承受的 安全電流設(shè)定。在晶片測(cè)試過(guò)程中，晶片上的電流AM采針2流經(jīng)測(cè)試卡1,通過(guò) 保護(hù)元件5和引線3后流入測(cè)試機(jī)臺(tái)4。當(dāng)晶片上的某個(gè)接點(diǎn)墊因短路或其他故 障造成流過(guò)探針2的電流超出了安全值，保護(hù)元件5便立即將電路斷開(kāi)，以防 止探針2和測(cè)試卡1被高電流燒毀。
本發(fā)明的晶片測(cè)試系統(tǒng)除了具有過(guò)電流保護(hù)功能外，測(cè)試機(jī)臺(tái)還可根據(jù)過(guò) 電流保護(hù)元件的狀態(tài)來(lái)判斷故障接點(diǎn)墊的位置。在得知故障所在位置后，即可 對(duì)故障進(jìn)行排除，或者在后續(xù)的測(cè)試過(guò)程中，修改相應(yīng)的測(cè)試程序，以避免探 針重復(fù)接觸產(chǎn)生高電流的接點(diǎn)墊。
權(quán)利要求
1、一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法，其特征在于，所述的方法包括下列步驟提供一晶片測(cè)試卡，所述測(cè)試卡包括數(shù)根探針，所述探針的一端通過(guò)引線連接至一測(cè)試機(jī)臺(tái)；在所述探針和引線之間串聯(lián)一過(guò)電流保護(hù)元件；使所述探針的另一端與一待測(cè)晶片接觸，以進(jìn)行晶片測(cè)試。
2、 如權(quán)利要求1所述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法，其特征在于當(dāng)流 過(guò)某 一探針的電流強(qiáng)度大于 一 閾值時(shí)，連接至該探針的過(guò)電流保護(hù)元件自動(dòng)切 斷該探針至所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的通路。
3、 如權(quán)利要求1所述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法，其特征在于所述 的過(guò)電流保護(hù)元件是熔斷絲。
4、 如權(quán)利要求1所述的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法，其特征在于所述 的過(guò)電流保護(hù)元件是限流元件。
5、 一種具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，它包括一晶片測(cè)試卡，其具 有數(shù)根探針； 一測(cè)試機(jī)臺(tái)，其通過(guò)數(shù)根引線連接至所述晶片測(cè)試卡的探針的一 端，所述探針的另一端與一待測(cè)晶片接觸，其特征在于所述探針和引線之間 還串聯(lián)有 一過(guò)電流保護(hù)元件。
6、 如權(quán)利要求5所述的具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于 當(dāng)流過(guò)某一探針的電流強(qiáng)度大于一 閾值時(shí)，連接至該探針的過(guò)電流保護(hù)元件自 動(dòng)切斷該探針至所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的通路。
7、 如權(quán)利要求5所述的具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于 所述的過(guò)電流保護(hù)元件是熔斷絲。
8、 如權(quán)利要求5所述的具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于 所述的過(guò)電流保護(hù)元件是限流元件。
全文摘要
一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法及具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)?，F(xiàn)有的晶片測(cè)試系統(tǒng)存在對(duì)接點(diǎn)墊短路或其他故障產(chǎn)生的高電流缺乏防護(hù)的問(wèn)題。本發(fā)明的晶片測(cè)試卡的過(guò)電流保護(hù)方法包括下列步驟提供一晶片測(cè)試卡，所述測(cè)試卡包括數(shù)根探針，所述探針的一端通過(guò)引線連接至一測(cè)試機(jī)臺(tái)；在所述探針和引線之間串聯(lián)一過(guò)電流保護(hù)元件；使所述探針的另一端與一待測(cè)晶片接觸，以進(jìn)行晶片測(cè)試。利用本發(fā)明的過(guò)電流保護(hù)方法和晶片測(cè)試系統(tǒng)，可有效防止高電流損毀晶片測(cè)試卡，還能快速、清楚地指示故障出現(xiàn)的位置，為后續(xù)的檢測(cè)工作提供了方便。
文檔編號(hào)G01R1/02GK101149392SQ200610116169
公開(kāi)日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2006年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月18日
發(fā)明者常建光 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司