技術(shù)編號(hào):6115610
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶片測(cè)試方法和測(cè)試系統(tǒng),特別涉及一種晶片測(cè)試卡的過(guò)電流 保護(hù)方法及具有過(guò)電流保護(hù)元件的晶片測(cè)試系統(tǒng)。背景技術(shù)晶片測(cè)試是對(duì)晶圓上的每個(gè)晶片進(jìn)行電性特性測(cè)試的過(guò)程,以檢測(cè)和淘汰 晶圓上不合格的晶片。圖1是現(xiàn)有的晶片測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖,該系統(tǒng)主要由晶片測(cè)試卡l、探針2、引線3及測(cè)試機(jī)臺(tái)4組成。在進(jìn)行晶片測(cè)試時(shí),利用 晶片測(cè)試卡1的探針2接觸晶片上的接點(diǎn)墊(pad)而構(gòu)成電性接觸,再將經(jīng)由探 針2所測(cè)得的測(cè)試信號(hào)通過(guò)引線3送往測(cè)試機(jī)臺(tái)4作分析和判斷,從...
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