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用于檢測井下測量儀器特性指標的電阻率模擬單元體的制作方法

文檔序號:5394127閱讀:230來源:國知局
用于檢測井下測量儀器特性指標的電阻率模擬單元體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于檢測井下測量儀器特性指標的電阻率模擬單元體。具體地,提供了一種模擬井下目標地層電阻率的電阻率模擬單元體,其為具有中央環(huán)孔的環(huán)形單元體,而且所述中央環(huán)孔的表面上具有至少一個局部標定特征,以用于檢測井下測量儀器的一種或多種特性指標。
【專利說明】用于檢測井下測量儀器特性指標的電阻率模擬單元體
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及地球物理探測技術,具體地涉及電阻率測井技術。
【背景技術】
[0002]在地質鉆探過程中,對井下不同深度、不同巖性的地層可以采用不同的地球物理探測技術。在各種地球物理探測技術中,測量目標地層的電阻率是區(qū)別不同巖性、發(fā)現地下油、氣、水資源的重要手段之一。
[0003]隨著測井技術水平的不斷進步,一批信息量大,探測半徑小的井下測量儀器,例如井下聲電成像儀器、井下微電阻率掃描儀器等,相繼研發(fā)成功。這些井下測量儀器分辨率高,提供的井下信息量大,為探明井下復雜地質情況提供了重要的依據。
[0004]但是,在現有技術中,對所研制的井下測量儀器進行標定、校驗以檢測這些儀器的可靠性、一致性時,或者為該儀器井下測量資料編制相應解釋軟件提供參數依據時,都必須到實際的井眼現場進行。這一工作不但費用高昂、耗時費力,而且標定、校驗和所提供的參數依據本身在準確度和一致性上可能也不夠理想,甚至可能找不到可用的適當井眼來實施這一工作。
[0005]也就是說,如何對所研制的井下測量儀器進行標定、校驗,為儀器井下測量資料解釋軟件的編制提供參數依據已經成為本領域中急需解決的一大難題。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的一個目的是要在地面建立一套模擬井下各種不同電阻率,不同地層厚度的裝置,以方便地對所研制的井下儀器進行標定、校驗,方便地為該儀器井下測量資料解釋軟件的編制提供準確可靠的參數依據。
[0007]本發(fā)明的另一個目的是要提供一種能夠準確模擬井下不同目標地層相應電阻率的單元及其制造方法,其能夠組合在一起模擬任意深度的整個井下地層不同的電阻率。
[0008]本發(fā)明的又一個目的是要使得模擬井下不同目標地層相應電阻率的單元在使用過程中電阻率保持相對穩(wěn)定,將外界濕度的影響減至最小。
[0009]本發(fā)明的又一個目的是要使得模擬井下不同目標地層相應電阻率的單元結構簡單,而且便于組成相應的區(qū)段且能容易地相對定位。
[0010]本發(fā)明的又一個目的是要使得模擬井下不同目標地層相應電阻率的單元可用于檢測所述井下測量儀器的一種或多種特性指標。
[0011]為實現上述至少一個目的,本發(fā)明提供了一種模擬井下目標地層電阻率的電阻率模擬單元體,其為具有中央環(huán)孔的環(huán)形單元體,而且所述中央環(huán)孔的表面上具有至少一個局部標定特征。
[0012]優(yōu)選地,所述局部標定特征包括具有不同幾何尺寸和/或取向的多個凹槽和/或孔洞。
[0013]優(yōu)選地,所述電阻率模擬單元體具有軸向貫穿其本身的一個或多個定位孔。[0014]優(yōu)選地,所述定位孔的數量為三個,且沿同一圓周均布在所述電阻率模擬單元體的端面上。
[0015]優(yōu)選地,所述電阻率模擬單元體的所有表面以及內部的孔隙中覆蓋或填充有絕緣油。
[0016]優(yōu)選地,所述電阻率模擬單元體由水泥、一種或多種導電物質和水制成。
[0017]優(yōu)選地,所述導電物質為顆粒和/或粉末形式。
[0018]優(yōu)選地,所述導電物質為石墨粉。
[0019]本發(fā)明的模擬井下地層電阻率的地面校驗裝置能夠在地面上建立一套模擬井下各種不同電阻率,不同地層厚度的裝置。利用該裝置,可方便地對所研制的井下儀器進行標定、校驗,方便地為儀器井下測量資料解釋軟件的編制提供準確可靠的參數依據。
[0020]本發(fā)明的電阻率模擬單元體能夠準確地模擬井下不同目標地層相應電阻率,這些電阻率模擬單元體能夠組合在一起模擬任意深度的整個井下地層的不同電阻率。而且,該電阻率模擬單元體使用過程中能夠長期保持穩(wěn)定。
[0021]此外,本發(fā)明的電阻率模擬單元體結構簡單,便于組成相應的區(qū)段,能容易地相對定位,而且還可用于檢測所述井下測量儀器的一種或多種特性指標。
[0022]根據下文結合附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細描述,本領域技術人員將會更加明了本發(fā)明的上述以及其他目的、優(yōu)點和特征。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]后文將會參照附圖并以示例性而非限制性方式對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細描述,附圖中相同的附圖標記標示了相同或類似的部件或部分。本領域技術人員應理解的是,這些附圖未必是按實際比例繪制的。附圖中:
圖1示出了根據本發(fā)明一個優(yōu)選實施例的模擬井下地層電阻率的地面校驗裝置的示意性側剖視圖;
圖2是圖1所示地面校驗裝置的井下地層模擬主體中電阻率模擬區(qū)段的示意性端視
圖;
圖3是圖2所示電阻率模擬區(qū)段的一部分的示意性側剖視圖;
圖4是圖1所示地面校驗裝置的井下地層模擬主體中井壁成像檢測區(qū)段的示意性端視
圖;
圖5是圖4所示井壁成像檢測區(qū)段一部分的示意性A-A剖視圖;
圖6是圖4所示井壁成像檢測區(qū)段一部分的示意性B-B剖視圖;
圖7是根據本發(fā)明一個優(yōu)選實施例的環(huán)形單元體的示意性端視圖;
圖8是圖7所示環(huán)形單元體的示意性側剖視圖。
【具體實施方式】
[0024]參見圖1,根據本發(fā)明一個優(yōu)選實施例的模擬井下地層電阻率的地面校驗裝置包括周向封閉的外井筒10 (例如可為密閉式鋼制承壓桶)和設置在外井筒10徑向內側的井下地層模擬主體20。優(yōu)選地,在外井筒10與井下地層模擬主體20之間設置有扶正器15,以將井下地層模擬主體20與外井筒10適當地(通常是同中央軸線地)固定在一起,從而避免在地面校驗裝置的使用、吊裝等過程中,井下地層模擬主體20的整體或局部發(fā)生位移和/或形變。如本領域技術人員熟知的,沿外井筒10的軸向方向優(yōu)選可設置多個扶正器15。每個扶正器15本身例如可為一個整體式構件,或者也可由多個分離構件組成,其具體結構是本領域技術人員熟知的,本文對此不予贅述。
[0025]此外,如本領域技術人員能夠理解的,例如在校驗場所安裝好本發(fā)明的地面校驗裝置后,在使用前,需要向外井筒10內(包括向井下地層模擬主體20可能的儀器空間以及井下地層模擬主體20與外井筒10之間的空隙中)注入模擬井下地層液體環(huán)境的液體。這些液體例如可以是中國國標35#柴油,或者可以是其他具有電絕緣特性的烴類液體,甚至可以是按照實際需求配比的油基泥漿鉆井液,也可是其他基底鉆井液,包括水基泥漿鉆井液。為方便描述,本申請中將這些液體稱為“井內液體”。
[0026]一般而言,外井筒10沿其軸向方向具有第一端11和與所述第一端軸向相對的第二端12。顯然,為了向井下地層模擬主體20內注入井內液體以及供井下測量儀器進出,其中所述第一端為開口端。
[0027]優(yōu)選地,外井筒10的第一端11上設置有一個周向封閉的儲液箱40,所述儲液箱沿其軸向方向具有第一端面和與所述第一端面軸向相對的第二端面。儲液箱40的第一端面和第二端面分別具有第一中央開口和第二中央開口,所述第一中央開口用于向外井筒內注入井內液體以及供井下測量儀器進出,而所述第二中央開口則被沿其邊緣周向地密封固定(例如通過焊接)到外井筒10的第一端11的外表面上。非常有利的是,這樣的儲液箱40在其內限定了一個臨時的儲液空間,以容裝在本發(fā)明的校驗裝置使用時可能溢出外井筒10的液體,避免溢出的液體流到周圍環(huán)境中,并且隨后還可允許這些液體重新流回外井筒10中。例如,將待檢驗的井下測量儀器懸置入外井筒10中時(具體地,通常是置入井下地層模擬主體20可能的儀器空間中),可能會使其中之前已注入的井內液體部分溢出,溢出的這部分液體可暫時容裝在儲液箱40內,而不會流入環(huán)境空間;而在撤出了待檢驗的井下測量儀器后,暫時容裝在儲液箱40中的這部分液體又可重新流回外井筒10中。
[0028]為了方便外部吊裝設備(例如吊車)對本發(fā)明的地面校驗裝置進行吊裝操作,優(yōu)選可在外井筒10的第一端11附近或儲液箱40的第一端面鄰近周向邊緣處設置一個吊裝構件45。在一個實施例中,吊裝構件45可以是對稱地固定到儲液箱40第一端面鄰近周向邊緣處的多個吊裝環(huán)。例如,組裝好地面校驗裝置后,可用吊車吊在吊裝環(huán)上,將地面校驗裝置放入一個溫度環(huán)境優(yōu)選保持相對穩(wěn)定的地下井坑中(通常是外井筒10的第一端11朝上,而第二端12朝下)。
[0029]如本領域技術人員能夠理解的,這里所謂的“地下井坑”并非進行實際地質勘探或資源開采的地下井眼,而是在校驗場所挖掘和/或修建的用于容裝本發(fā)明校驗裝置的一個“容器”。優(yōu)選將該“容器”建于地面之下,不過是出于經濟或環(huán)境等方面的考慮,而非必須的。因此,盡管在某些實際應用中,本發(fā)明的校驗裝置可能被置于所謂的“地下井坑”中,但是對于本領域技術人員而言,由于不再需要到實際地質勘探或資源開采的地下井眼中進行儀器的標定/校驗,因而本發(fā)明的校驗裝置仍然被認為是一種“地面校驗裝置”。
[0030]在圖1所示的優(yōu)選實施例中,外井筒10的第二端12也是一個開口端,其上設置有一個具有排液閥門51的端接裝置50,以封閉第二端12的開口,并且允許已注入外井筒內的井內液體可在排液閥門51的控制下排出,以根據測試校驗的要求更換新的井內液體。當然,本領域技術人員均可理解,替代性地,外井筒10的第二端12也可以是永久性地封閉的,此時需要采用其他措施來排出外井筒內的液體,例如可以插入額外的管進行泵吸,或者可以將整個地面校驗裝傾斜或翻轉過來,以使液體可從外井筒10開口的第一端11處流出。
[0031]總體上,井下地層模擬主體20包括電阻率模擬區(qū)段21以及可選的井壁成像檢測區(qū)段22和延伸區(qū)段23。
[0032]參見圖2-3,電阻率模擬區(qū)段21優(yōu)選由一個或多個電阻率模擬單元體30組成,厚度可根據需要確定。所述電阻率模擬單元體模擬了井下不同目標地層的電阻率,以供井下測量儀器(未示出)對其進行測量。由于電阻率模擬區(qū)段21可根據需要由不同厚度、不同電阻率的單元體組成,因此可模擬井下測量儀器的縱向分辨率可從例如IOmm — IOOOmm等多種不同厚度地層的不同電阻率,為井下測量儀器的標定、相應解釋軟件的編制提供了科學的真實依據,并可定期對相應的井下測量儀器進行可靠性和一致性校驗。
[0033]參見圖4-6,可選的井壁成像檢測區(qū)段22由一個或多個井壁成像檢測單元體35組成,厚度可根據需要確定。所述井壁成像檢測單元體模擬了井下不同目標地層的電阻率,以供井下測量儀器(未示出)對其進行測量,而且在至少一部分或每個井壁成像檢測單元體35的朝向外井筒10中央軸線的內側表面上具有至少一個局部標定特征,以用于檢測井下測量儀器的一種或多種特性指標。局部標定特征包括具有不同幾何尺寸和/或取向的多個凹槽37’和/或孔洞37’’。更具體地,可在內孔壁上形成不同直徑、不同深度的孔洞,不同尺寸的平行于橫向方向延伸的凹槽、垂直于橫向方向延伸的凹槽和/或相對于橫向方向以其他傾斜角度延伸的傾斜凹槽,用以例如檢測相應井下測量儀器的成像分辨率和/或探測深度等特性指標。至此,可以理解的是,井壁成像檢測單元體35實質上是一種特殊的具有局部標定特征的電阻率模擬單元體。
[0034]如圖1所示,電阻率模擬區(qū)段21可被設置成沿軸向方向鄰近于外井筒10的第一端11,而井壁成像檢測區(qū)段22可被設置成沿軸向方向鄰接于電阻率模擬區(qū)段21?;蛘咛娲缘?,井壁成像檢測區(qū)段22可被設置成沿軸向方向鄰近于外井筒10的第一端11,而電阻率模擬區(qū)段21可被設置成沿軸向方向鄰接于井壁成像檢測區(qū)段22。
[0035]此外,可選的延伸區(qū)段23也可由一個或多個延伸區(qū)段單元體39組成,并被設置成沿軸向方向鄰近于外井筒10的第二端12。如本領域技術人員能夠理解的,由于井下測量儀器并不對延伸區(qū)段23進行檢測,故對該區(qū)段單元體的電阻率可以不作特別的限制。
[0036]優(yōu)選地,電阻率模擬區(qū)段21、井壁成像檢測區(qū)段22和延伸區(qū)段23中分別限定有能夠接收井下測量儀器的儀器空間32、36、38,在圖1的實施例中被示為圓形中央內孔。如前所述,延伸區(qū)段23并不被井下測量儀器測量,因而其中的儀器空間38例如是用于為井下測量儀器的操作提供一段延伸的容納空間。
[0037]更優(yōu)選地,這些儀器空間32、36、38均具有相同的中央軸線,且具有相同形狀的橫截面,由此這些儀器空間32、36、38即構成了井下地層模擬主體20完整的儀器空間25。
[0038]當然,本領域技術人員也應理解,如果電阻率模擬區(qū)段21、井壁成像檢測區(qū)段22和/或延伸區(qū)段23本身中未限定有儀器空間,那么井下測量儀器將被下入這些區(qū)段的內側表面與外井筒10之間限定的空間中進行測量。因此,可以說,本發(fā)明地面校驗裝置內接收井下測量儀器以便進行測量操作的儀器空間可以由井下地層模擬主體20本身在外井筒10內進一步限定出,或者也可由井下地層模擬主體20和外井筒10共同限定出。[0039]在一些實施例中,電阻率模擬單元體30、井壁成像檢測單元體35和延伸區(qū)段單元體39可以被制成任何適當的形狀,例如大致矩形或大致呈扇形環(huán)段的磚體。這些磚體在外井筒內優(yōu)選沿周向首尾相接地或存在一定間隔地、在軸向上層疊地組裝成各個區(qū)段,并在其中限定出相應的儀器空間。
[0040]更優(yōu)選地,電阻率模擬單元體30和/或井壁成像檢測單元體35和/或延伸區(qū)段單元體39可為具有中央環(huán)孔的環(huán)形單元體,此時各區(qū)段的儀器空間由這些環(huán)形單元體的中央環(huán)孔沿軸向組成。這里需要說明的是,本申請中所用的術語“環(huán)形”包括但不限于圓環(huán)形,其他具有封閉或非封閉外圍以及封閉或非封閉中空內孔的環(huán)形,例如輪廓大致為橢圓的封閉或非封閉環(huán)形、或輪廓大致為矩形的封閉或非封閉環(huán)形等也是可能的;而且并不要求這些環(huán)形的中央環(huán)孔與它們的外圍輪廓具有相同的形狀。環(huán)形單元體本身可以是一體地制成的,也可以由更小的單元體組合而成。
[0041]在一個優(yōu)選實施例中,電阻率模擬單元體30、井壁成像檢測單元體35和延伸區(qū)段單元體39在形狀上均可被制成如圖7-8所示的中央環(huán)孔和外圍輪廓均為圓形的環(huán)形單元體60的形式。此時,電阻率模擬單元體30、井壁成像檢測單元體35和延伸區(qū)段單元體39都可具有相同的外直徑和內直徑,而各個單元體的厚度可根據需要設置,彼此可以相同也可以不同。在一個具體示例中,所述內直徑例如可為200 mm,外直徑例如可為800 mm (最大外直徑可達1.5m或更大);各個單元體優(yōu)選依次(例如從下向上)疊裝成延伸區(qū)段23、井壁成像檢測區(qū)段22和電阻率模擬區(qū)段21,從而構成整個井下地層模擬主體20 ;該井下地層模擬主體20的整個長度例如可為7.5 m左右。環(huán)形單元體60優(yōu)選還具有軸向貫穿其本身的一個或多個定位孔64。需要說明的是,為清楚起見,定位孔64僅在圖7-8中標示出,而在其他附圖中未被示出。組裝時,通過在相鄰環(huán)形單元體60的對應定位孔64中插入定位銷,可使它們相對于彼此被恰當定位。在一個實施例中,定位孔64的數量優(yōu)選為三個,且沿同一圓周均布在環(huán)形單元體60的端面上。進一步地,疊裝環(huán)形單元體60時,可在相鄰兩個環(huán)形單元體60的相對端面上施加粘合劑而將兩個環(huán)形單元體60粘接固定在一起。在本發(fā)明中,所述粘合劑優(yōu)選為硅酸鈉,俗稱“水玻璃”。
[0042]特別地,在井下地層模擬主體20各區(qū)段中,尤其是電阻率模擬區(qū)段21和井壁成像檢測區(qū)段22中,各個單元體優(yōu)選均可為由水泥、一種或多種導電物質和水制成,以模擬一定目標地層的特定電阻率。所述導電物質優(yōu)選為顆粒和/或粉末形式,例如可為石墨粉、納米碳管顆粒、某些導電金屬的微?;蚍勰⒌鹊?。
[0043]在一個特別優(yōu)選的實施例中,本發(fā)明采用石墨粉作為導電物質。其中,水泥和石墨粉的比例優(yōu)選是在60:40至83.5:16.5的范圍內根據待模擬目標地層電阻率的大小選擇的。例如,當水泥和石墨粉的比例為60:40時,制成的電阻率模擬單元體的電阻率大致為
0.2ΩΜ ;而當水泥和石墨粉的比例為83.5:16.5時,制成的電阻率模擬單元體的電阻率大致為2000 ΩΜ。如本領域技術人員能夠理解的,在制造模擬電阻率的單元體時,石墨粉在其中是作為導電物質使用的,因此如果降低石墨粉所占的比例,那么所得到的單元體的電阻率將相應增大;相反,如果提高石墨粉所占的比例,那么所得到的單元體的電阻率將相應減小。據此,在實施本發(fā)明時,水泥和石墨粉的比例根據實際需要超出上文給出的優(yōu)選范圍也是可能的,例如該比例也許可在50:50至90:10等范圍內選擇。
[0044]在此還要說明的是,本發(fā)明在制造電阻率模擬單元體(包括井壁成像檢測單元體)時優(yōu)選并不像制造常規(guī)混凝土構件那樣還要使用砂石作為骨料。這是因為,如果使用了砂石,那么將會大大增加單元體中不規(guī)則和/或較大孔隙的數量,導致很難較精確地獲得期望的電阻率;而且,這種具有大量不規(guī)則和/或較大孔隙的單元體的物理特性(例如電阻率)在使用過程中也很難保持穩(wěn)定。但是,如本段已揭示的,在一個替代性實施例中,也可采用砂石參與制造電阻率模擬單元體。
[0045]具體地,制造前文所述的電阻率模擬單元體(包括井壁成像檢測單元體)的方法包括以下步驟:
a.提供水泥、一種或多種顆粒和/或粉末形式的導電物質(優(yōu)選是石墨粉)和水。
[0046]b.對所述導電物質、所述水泥和所述水進行攪拌,將其制成混合料。
[0047]c.對所述混合料進行模制成型,將其制成坯體。該坯體的形狀優(yōu)選為具有中央內孔的環(huán)形,而具體尺寸則根據具體的測試需要確定。
[0048]d.將模制成型后的所述坯體置于一相應形狀的坯具中保形養(yǎng)護一段時間。該段時間優(yōu)選為24、36、48或60小時以上,更優(yōu)選地為72小時以上。
[0049]e.對保形養(yǎng)護后的所述坯體進行烘干處理。進行該處理時,所述坯體優(yōu)選被置于一定溫度的環(huán)境中一段時間以上,該溫度優(yōu)選為100°C或120°C以上,更優(yōu)選地為150°C以上,而該段時間優(yōu)選為1、2、3、4、5、6或7小時以上,更優(yōu)選地為8小時以上。
[0050]經過烘干處理后的所述坯體已經可以用作電阻率模擬單元體。不過為了使這種單元體的電阻率在使用過程中保持相對穩(wěn)定,將外界濕度對電阻率的影響減至最小,優(yōu)選還可繼續(xù)進行以下步驟:
f.對經過所述烘干處理的坯體進行飽和浸絕緣油處理。
[0051]這里需要特別說明的是,在本申請的上下文中,用語“絕緣油”并不意味著該物質在常溫下是液態(tài)的,相反,其應該被理解成包括具有電絕緣特性且在加熱后能夠變?yōu)橐后w且仍保持電絕緣特性的那些絕緣物質。本發(fā)明中,所述絕緣油優(yōu)選采用高熔點石蠟,其在熔化后形成的液體可稱為石蠟油。進行所述飽和浸絕緣油處理時,先將所述高熔點石蠟加熱熔化成石蠟油,然后將經過所述烘干處理的坯體完全浸入所述石蠟油中。浸泡時間不僅要使得石蠟油能夠覆蓋坯體的所有表面,而且要使得石蠟油能夠充分浸入坯體內,填充其中的孔隙,以保證獲得的電阻率模擬單元體物理性質穩(wěn)定。具體地,浸泡時間可優(yōu)選為
0.5-2.0小時之間,更優(yōu)選地為I小時左右。在一個具體例子中,所述石蠟油的深度可為I米左右,當然這是可根據浸泡需要適當設置的。進行了所述飽和浸絕緣油處理后,單元體的電阻率能夠保持相對穩(wěn)定,從而保證被檢驗的井下測量儀器的校驗精度。
[0052]本發(fā)明特別地優(yōu)選將石墨粉作為導電介質,是因為石墨的物理性能和化學性能指標在250°C以下都是非常穩(wěn)定,不會和水泥、粘合劑等發(fā)生反應而影響單元體的使用壽命及其電阻率的穩(wěn)定。其它物理化學性能穩(wěn)定、顆粒均勻的導電物質,也可作為導電介質與水泥等其他材料進行混合,制成電阻率模擬單元體。
[0053]至此,本領域技術人員應認識到,雖然本文已詳盡地示出和描述了多個示例性優(yōu)選實施例,但是,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下,仍可根據本申請公開的內容直接確定或推導出符合本發(fā)明原理的許多其他變型或修改。因此,本發(fā)明的范圍應被理解和認定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。
【權利要求】
1.一種模擬井下目標地層電阻率的電阻率模擬單元體,其特征在于,所述電阻率模擬單元體為具有中央環(huán)孔的環(huán)形單元體,而且所述中央環(huán)孔的表面上具有至少一個局部標定特征。
2.根據權利要求1所述的電阻率模擬單元體,其特征在于, 所述局部標定特征包括具有不同幾何尺寸和/或取向的多個凹槽和/或孔洞。
3.根據權利要求1所述的電阻率模擬單元體,其特征在于, 所述電阻率模擬單元體具有軸向貫穿其本身的一個或多個定位孔。
4.根據權利要求3所述的電阻率模擬單元體,其特征在于: 所述定位孔的數量為三個,且沿同一圓周均布在所述電阻率模擬單元體的端面上。
5.根據權利要求1所述的電阻率模擬單元體,其特征在于: 所述電阻率模擬單元體的所有表面以及內部的孔隙中覆蓋或填充有絕緣油。
6.根據權利要求1所述的電阻率模擬單元體,其特征在于: 所述電阻率模擬單元體由水泥、一種或多種導電物質和水制成。
7.根據權利要求6所述的電阻率模擬單元體,其特征在于, 所述導電物質為顆粒和/或粉末形式。
8.根據權利要求6所述的電阻率模擬單元體,其特征在于, 所述導電物質為石墨粉。
【文檔編號】E21B49/00GK104005756SQ201310061685
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月27日 優(yōu)先權日:2013年2月27日
【發(fā)明者】劉越, 伍東, 黃濤, 劉策, 徐凌堂, 于洋, 吳翔 申請人:中國石油集團長城鉆探工程有限公司
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