本發(fā)明涉及粗糙化處理銅箔、帶載體的銅箔、覆銅層疊板及印刷電路板。

背景技術(shù)：

1、伴隨著近年來的便攜用電子設(shè)備等的高功能化，為了進(jìn)行大量信息的高速處理，信號的高頻化不斷發(fā)展，要求適于5g、毫米波、基站天線等高頻用途的印刷電路板。對于這樣的高頻用印刷電路板，為了能夠不使品質(zhì)降低地傳輸高頻信號，期望傳輸損耗的降低。印刷電路板具備被加工成布線圖案的銅箔和絕緣樹脂基材，傳輸損耗主要由銅箔引起的導(dǎo)體損耗和絕緣樹脂基材引起的電介體損耗構(gòu)成。因此，為了降低絕緣樹脂基材引起的電介體損耗，只要能夠使用低介電常數(shù)的熱塑性樹脂，就很方便。然而，以氟樹脂、液晶聚合物(lcp)為代表的低介電常數(shù)的熱塑性樹脂與熱固性樹脂不同，化學(xué)活性低，因此與銅箔的密合力低。

2、因此，提出了改善銅箔與熱塑性樹脂的密合性的技術(shù)。例如，專利文獻(xiàn)1(國際公開第2016/174998號)中公開了一種銅箔，其具備粗糙化處理面，該粗糙化處理面具有0.6μm以上且1.7μm以下的十點(diǎn)平均粗糙度rzjis，并且粗糙化顆粒的高度的頻率分布中的半峰寬為0.9μm以下。根據(jù)上述銅箔，即使對于液晶聚合物薄膜這樣的無法期待化學(xué)密合的絕緣樹脂基材，也能夠呈現(xiàn)高的剝離強(qiáng)度。

3、另一方面，導(dǎo)體損耗有可能因越是高頻越顯著出現(xiàn)的銅箔的表皮效應(yīng)而增大。因此，為了抑制高頻用途中的傳輸損耗，為了降低銅箔的表皮效應(yīng)，要求粗糙化顆粒的微細(xì)化。作為具有上述微細(xì)的粗糙化顆粒的銅箔，例如，專利文獻(xiàn)2(國際公開第2014/133164號)中公開了一種表面處理銅箔，其具備附著粒徑10nm以上且250nm以下的銅顆粒(例如大致球狀銅顆粒)而粗糙化的黑色粗糙化表面。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2016/174998號

7、專利文獻(xiàn)2：國際公開第2014/133164號

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、對于高頻用途的銅箔，如上所述要求將粗糙化顆粒微細(xì)化，但是這種銅箔與樹脂(特別是熱塑性樹脂)的密合性容易降低。關(guān)于這一點(diǎn)，從兼顧與熱塑性樹脂的高密合性和優(yōu)異的高頻特性的觀點(diǎn)出發(fā)，現(xiàn)有的銅箔未必充分，存在改善的余地。

2、本發(fā)明人等此次得到了如下見解：在粗糙化處理銅箔的表面，通過將偏斜度ssk和作為突出峰部的實(shí)體體積vmp與中心部的實(shí)體體積vmc之和的vmp+vmc分別控制在規(guī)定的范圍內(nèi)，能夠兼顧與熱塑性樹脂的高密合性和優(yōu)異的高頻特性。

3、因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠兼顧與熱塑性樹脂的高密合性和優(yōu)異的高頻特性的粗糙化處理銅箔。

4、根據(jù)本發(fā)明，提供以下的方式。

5、[方式1]

6、一種粗糙化處理銅箔，其在至少一側(cè)具有粗糙化處理面，

7、前述粗糙化處理面的偏斜度ssk大于0.35，并且突出峰部的實(shí)體體積vmp與中心部的實(shí)體體積vmc之和即vmp+vmc為0.10μm3/μm2以上且0.28μm3/μm2以下，

8、前述ssk是依據(jù)jis?b0681-2：2018在不進(jìn)行基于s濾波器的截止且基于l濾波器的截止波長為1.0μm的條件下測定的值，

9、前述vmp和vmc是依據(jù)jis?b0681-2：2018在不進(jìn)行基于s濾波器和l濾波器的截止的條件下測定的值。

10、[方式2]

11、根據(jù)方式1所述的粗糙化處理銅箔，其中，前述粗糙化處理面的峭度sku為2.70以上且4.90以下，

12、前述sku是依據(jù)jis?b0681-2：2018在不進(jìn)行基于s濾波器和l濾波器的截止的條件下測定的值。

13、[方式3]

14、根據(jù)方式1或2所述的粗糙化處理銅箔，其中，前述粗糙化處理面的分離突出峰部與中心部的負(fù)載面積率smr1為11.2％以上，

15、前述smr1是依據(jù)jis?b0681-2：2018在不進(jìn)行基于s濾波器的截止且基于l濾波器的截止波長為1.0μm的條件下測定的值。

16、[方式4]

17、根據(jù)方式1～3中任一項(xiàng)所述的粗糙化處理銅箔，其中，在前述粗糙化處理面還具備防銹處理層和/或硅烷偶聯(lián)劑層。

18、[方式5]

19、一種帶載體的銅箔，其具備：載體、設(shè)置于該載體上的剝離層、和以前述粗糙化處理面為外側(cè)而設(shè)置于該剝離層上的方式1～4中任一項(xiàng)所述的粗糙化處理銅箔。

20、[方式6]

21、一種覆銅層疊板，其具備方式1～4中任一項(xiàng)所述的粗糙化處理銅箔。

22、[方式7]

23、一種印刷電路板，其具備方式1～4中任一項(xiàng)所述的粗糙化處理銅箔。

技術(shù)特征：

1.一種粗糙化處理銅箔，其在至少一側(cè)具有粗糙化處理面，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粗糙化處理銅箔，其中，所述粗糙化處理面的峭度sku為2.70以上且4.90以下，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粗糙化處理銅箔，其中，所述粗糙化處理面的分離突出峰部與中心部的負(fù)載面積率smr1為11.2％以上，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粗糙化處理銅箔，其中，在所述粗糙化處理面還具備防銹處理層和/或硅烷偶聯(lián)劑層。

5.一種帶載體的銅箔，其具備：載體、設(shè)置于該載體上的剝離層、和以所述粗糙化處理面為外側(cè)而設(shè)置于該剝離層上的權(quán)利要求1或2所述的粗糙化處理銅箔。

6.一種覆銅層疊板，其具備權(quán)利要求1或2所述的粗糙化處理銅箔。

7.一種印刷電路板，其具備權(quán)利要求1或2所述的粗糙化處理銅箔。

技術(shù)總結(jié)
提供能夠兼顧與熱塑性樹脂的高密合性和優(yōu)異的高頻特性的粗糙化處理銅箔。該粗糙化處理銅箔在至少一側(cè)具有粗糙化處理面。粗糙化處理面的偏斜度Ssk大于0.35，并且突出峰部的實(shí)體體積Vmp與中心部的實(shí)體體積Vmc之和即Vmp+Vmc為0.10μm3/μm2以上且0.28μm3/μm2以下。Ssk是依據(jù)JIS?B0681?2：2018在不進(jìn)行基于S濾波器的截止且基于L濾波器的截止波長為1.0μm的條件下測定的值。Vmp和Vmc是依據(jù)JIS?B0681?2：2018在不進(jìn)行基于S濾波器和L濾波器的截止的條件下測定的值。

技術(shù)研發(fā)人員：中島大輔,川口彰太
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三井金屬礦業(yè)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21