本發(fā)明屬于電化學腐蝕和電化學沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

多孔陽極氧化鋁(porousanodicalumina)，簡稱paa，是將高純鋁置于酸性電解液中在低溫下經(jīng)陽極氧化而制得的具有自組織的高度有序納米孔陣列結(jié)構(gòu)。它由阻擋層和多孔層構(gòu)成，緊靠金屬鋁表面是一層薄而致密的阻擋層，多孔層的膜胞為六邊緊密堆積排列，每個膜胞中心都有一個納米級的微孔，孔的大小比較均勻，且與鋁基體表面垂直，彼此平行排列。多孔陽極氧化鋁膜制備工藝簡單，孔的形貌和大小還可以隨電解條件不同在較大的范圍內(nèi)進行調(diào)控，此外具有納米孔洞的多孔陽極氧化鋁薄膜是寬帶隙金屬氧化物半導體材料，具有熱穩(wěn)定性、抗腐蝕性、化學穩(wěn)定性和高介電常數(shù)，在有序納米結(jié)構(gòu)的合成中得到了廣泛的應用。

結(jié)構(gòu)色是由于復色光(例如自然光)經(jīng)薄膜的上表面和下表面反射后相互干涉而產(chǎn)生。多孔氧化鋁薄膜各處的厚度相同，由于等傾干涉可以呈現(xiàn)出單一結(jié)構(gòu)色。單一結(jié)構(gòu)色的顏色取決于多孔氧化鋁薄膜的厚度，但顏色飽和度較低。隨著光子晶體研究的深入，關(guān)于氧化鋁薄膜的結(jié)構(gòu)色問題也有了一定的研究。

1969年，diggle等人報道在可見光范圍內(nèi)，有鋁基支撐的氧化鋁薄膜當厚度小于1μm時因光干涉作用會產(chǎn)生明亮的顏色。2007年，日本東北大學wang等人報道利用cvd技術(shù)在氧化鋁薄膜上沉積碳納米管后，制備出了顏色飽和度較高的氧化鋁薄膜。隨后，2010年，中科院合肥物質(zhì)科學研究院固體所趙相龍博士在碳管復合氧化鋁復合薄膜顏色的調(diào)控研究方面取得了重要進展，實現(xiàn)了對碳管復合氧化鋁復合薄膜顏色的精細調(diào)控。2011年，河北師范大學孫會元教授小組采用多次氧化法制備了具有變化彩條特征的氧化鋁復合薄膜。2013年河北民族師范學院采用一次氧化工藝制備孔深漸變且具有虹彩環(huán)形結(jié)構(gòu)色的氧化鋁薄膜，但是其結(jié)構(gòu)色飽和度較低，同時薄膜的物性單一。

為了提高多孔氧化鋁薄膜結(jié)構(gòu)色的飽和度和拓展其物性，近年來，研究者們將視線集中在了以多孔陽極氧化鋁為模板，采用交流電沉積或直流電沉積制備納米材料與多孔氧化鋁薄膜的復合材料上，例如，2006年xu等采用多孔陽極氧化鋁為模板，以50g/l的coso4·7h2o和30g/l的h3bo3為電解液，在電壓為20v、ph值為3.0-4.0，溫度為30℃條件下交流電沉積15min制備了鈷納米線陣列，實驗結(jié)果顯示，制備的純鈷納米線陣列為非晶結(jié)構(gòu)(fabricationofamorphouscoandco-pnanometerarraywithdifferentshapesinaluminatemplatebyacelectrodeposition，materialsletters，2006，60(17):2069-2072)。2014年張志俊研究了paa@m(m＝ag、co)復合薄膜的結(jié)構(gòu)色，以60g/l的coso4·7h2o，5g/l的抗壞血酸和30g/l的h3bo3為電解液在15℃，電壓為15v，ph值大概在3.5左右的條件下，制備了paa@co復合薄膜，但是復合薄膜的co沒有沉積到paa孔中，而是沉積到了paa表面。

雖然co納米線與多孔氧化鋁的復合薄膜已有研究，但是現(xiàn)有的復合薄膜中co納米層厚度、co納米線長度及co納米線的分布密度均從薄膜一端至另一端遞減的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜還未見報道。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜及其制備方法，所述磁性co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜具有高飽和度虹彩漸變結(jié)構(gòu)色和沿多孔氧化鋁薄膜的直徑方向遞減的磁性，制備方法簡單，能夠應用于防偽、繪畫、裝飾、化妝品、顯像技術(shù)、染料敏化和太陽能電池等領(lǐng)域。

其具體技術(shù)方案為：

本發(fā)明所述的圓形多孔氧化鋁薄膜的直徑為沉積過程中水平方向的直徑，為便于說明，且規(guī)定從距碳棒近端指向距碳棒遠端為直徑正方向，簡稱直徑方向。

一方面，本發(fā)明提供了一種co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜，所述co納米層位于所述多孔氧化鋁薄膜的表面，所述co納米線位于所述多孔氧化鋁薄膜的孔洞中，所述co納米層厚度、co納米線的分布密度及co納米線長度均沿薄膜直徑方向遞減。

本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜因表面有co納米層，多孔氧化鋁孔洞內(nèi)有co納米線，使得多孔氧化鋁薄膜具有磁性，并且由于co納米層厚度、co納米線的分布密度及co納米線長度均沿薄膜直徑方向遞減分布，所以所述磁性沿多孔氧化鋁薄膜直徑方向遞減。

所述多孔氧化鋁薄膜的厚度為1μm以下，如0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm或0.9μm等。

厚度在1μm以下的多孔氧化鋁薄膜具有單一結(jié)構(gòu)色，co納米層、co納米線使得多孔氧化鋁薄膜的折射率增加，并且使得鋁和氧化鋁界面的反射光強減弱，從而薄膜顏色飽和度提高，并且由于co納米層厚度、co納米線的密度分布及co納米線長度沿薄膜直徑方向遞減，因此所述復合薄膜能夠呈現(xiàn)虹彩漸變結(jié)構(gòu)色。

另一方面，本發(fā)明提供了一種如上所述的磁性co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的制備方法，所述制備方法為：進行交流電沉積時，將多孔氧化鋁薄膜置于含有co離子的電解液中，碳棒為對電極，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段與氧化鋁薄膜中垂線之間夾角為0～90°；

經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段與氧化鋁薄膜中垂線之間有一定夾角進行交流電沉積，得到磁性co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜。

本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜制備方法簡單，只需一次交流電沉積即可制得co納米層厚度、co納米線密度分布及co納米線長度沿薄膜直徑方向遞減，成本較低。

所述交流電沉積的電壓為14～18v，如15v、16v、17v等。

經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段與氧化鋁薄膜中垂線之間夾角為0～90°，如20°、30°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°、80°等。

優(yōu)選地，所述偏轉(zhuǎn)電場的對電極之間的距離為4～10cm，如4.5cm、6cm、7cm7.5cm或8cm等。

對單一結(jié)構(gòu)色多孔氧化鋁薄膜，在經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段偏離氧化鋁薄膜中垂線情況下進行交流電沉積金屬co，在多孔氧化鋁薄膜表面形成很薄的co納米層，在多孔氧化鋁薄膜納米孔洞中形成co納米線，使得復合薄膜折射率增加，同時減弱了鋁和氧化鋁界面的反射光強，從而提高了薄膜顏色的飽和度。在電沉積過程中，碳棒電極與多孔氧化鋁薄膜表面各點距離不同，從而使沉積電流密度分布沿薄膜直徑方向遞減，使co納米層厚度、co納米線密度分布及co納米線長度沿薄膜直徑方向遞減，從而co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜呈現(xiàn)高飽和度虹彩漸變結(jié)構(gòu)色，且磁性沿薄膜直徑方向遞減。

優(yōu)選地，所述對電極為碳棒，多孔氧化鋁薄膜表面電流密度沿直徑方向遞減分布，從而得到co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜呈現(xiàn)高飽和度虹彩漸變結(jié)構(gòu)色。方法簡單，并且碳棒其易獲得，價格低。

所述交流電沉積的時間為10～40s，如10s、15s、20s、25s、30s、35s、40s、等。

優(yōu)選地，所述含有co元素的電解液為含有coso4的溶液，優(yōu)選濃度為0.10mol/l～0.14mol/l的coso4溶液，如0.11mol/l、0.12mol/l、0.13mol/l或0.14mol/l的coso4溶液；進一步優(yōu)選地，所述含有co元素的電解液中還含有硼酸，所述硼酸的濃度為0.37mol/l～0.41mol/l，如含有0.38mol/l、0.39mol/l、0.40mol/l或0.41mol/l等的硼酸。

所述多孔氧化鋁薄膜通過如下方法獲得：

(1)對鋁箔進行預處理；

(2)將經(jīng)預處理后的鋁箔作為陽極連同與該陽極平行的陰極置入第一電解液中進行電化學氧化，得到多孔氧化鋁薄膜。

步驟(1)所述預處理依次包括剪裁、清洗、退火和電化學拋光。

具體地，所述預處理為：把純度為99.999％，厚度為0.3mm的高純鋁箔剪成2cm左右的圓片，壓平后放在丙酮溶液中超聲波清洗30分鐘，隨后放入酒精中超聲清洗30分鐘，最后在去離子水中反復沖洗，晾干后放置在石英管式爐中，在400℃真空退火2h，冷卻至室溫。然后對退火后的高純鋁箔進行電拋光處理，電拋光液為體積比1:4的hclo4與無水乙醇的混合液，以鋁箔作為陽極，碳棒作為陰極，在電壓20v左右進行電拋光5min。

步驟(2)所述陰極為碳棒。

優(yōu)選地，所述陰極與陽極之間的距離為8～14cm，如9cm、10cm、11cm、12cm、13cm或13.5cm等。

步驟(2)所述電解液為4.75～5.25wt％的磷酸，如濃度為4.8wt％、4.85wt％、4.9wt％、4.95wt％、5.0wt％、5.05wt％、5.1wt％、5.15wt％或5.2wt％等的磷酸。此濃度范圍內(nèi)的磷酸，電化學反應平穩(wěn)、可控。

優(yōu)選地，所述電化學氧化時間為10～14min，如11min、12min、13min或14min等，所述電化學氧化電壓為16～24v，如17v、18v、19v、20v、21v、22v或23v等。

步驟(2)中選擇合適的氧化時間，即可得到具有單一結(jié)構(gòu)色的多孔氧化鋁薄膜。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

1、本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜呈現(xiàn)高飽和度虹彩漸變結(jié)構(gòu)色，且磁性沿薄膜直徑方向遞減。在外加磁場為8000oe時磁性達到飽和，沿復合薄膜直徑方向磁性依次為145、138、129emu/cm³。

2、本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜中co納米層厚度、co納米線密度分布及co納米線長度沿薄膜直徑方向遞減，且僅一次交流沉積工藝即可制得，制備方法簡單，成本較低。

3、本發(fā)明提供的磁性co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜在防偽、繪畫、裝飾、化妝品、顯像技術(shù)、染料敏化和太陽能電池等領(lǐng)域具有廣闊的用途。

附圖說明

圖1(a)是本發(fā)明提供的制備co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜，電化學反應裝置分立元件示意圖；圖1(b)是沉積過程裝置示意圖。

所述裝置除電源外包括：1—電解槽；2—硅膠墊；3—鋁箔；4—銅電極；5—緊固螺旋；6—碳棒。

圖2是本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜xrd圖。

圖3是本發(fā)明實施例6的表面sem圖。

圖4是本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的截面sem圖。

圖5是本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的反射光譜圖。

圖6是本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜m-h曲線。

圖7是本發(fā)明實施例1～4制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。

圖8是本發(fā)明實施例5、6、2和7制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。

圖9是本發(fā)明實施例8、9、2和10制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。

圖10是本發(fā)明實施例11、12、2和13制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施方案對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步詳細地說明。

本發(fā)明中所說的左右是指紙張的左邊和右邊，本發(fā)明所述的圓形多孔氧化鋁薄膜的直徑為沉積過程中水平方向的直徑，為便于說明，且規(guī)定從距碳棒近端指向距碳棒遠端為直徑正方向，簡稱直徑方向。

如圖1所示，為本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的制備裝置示意圖。所述裝置除電源外包括：1—電解槽；2—硅膠墊；3—鋁箔(多孔氧化鋁)；4—銅電極；5—緊固螺旋；6—碳棒。鋁箔3通過銅電極4和銅導線與電源陽極相連，碳棒放在磷酸溶液中，碳棒與電源陰極相連，進行陽極氧化；沉積時多孔氧化鋁3通過銅電極4和銅導線與交流電源相連，碳棒與交流電源的另一極相連，在經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段偏離氧化鋁薄膜中垂線情況下進行交流電沉積金屬co。

以下實施例中采用的設備型號及成產(chǎn)廠家如下：

超聲波清洗機(型號ps-08a，深圳恒力超聲波設備有限公司)；

石英管式爐(型號htl1100-60，合肥科晶材料技術(shù)有限公司)；

直流電源(型號為dc-1760，合肥達春電子有限公司)；

數(shù)碼相機(型號為eos600d，佳能中國有限公司)；

掃描電鏡(型號為s-4800，日本hitachi公司)；

紫外可見分光光度計(型號為日立u-3010，日本日立公司)；

物理性能測試系統(tǒng)(型號為ppms-6000，美國quantumdesign公司生產(chǎn))。

實施例1

根據(jù)以下步驟制備co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜：

(1)把純度為99.999％，厚度為0.3mm的高純鋁箔剪成1.8cm左右的圓片，壓平后放在丙酮溶液中超聲波清洗30分鐘，隨后放入酒精中超聲清洗30分鐘，最后在去離子水中反復沖洗，晾干后放置在石英管式爐中，在400℃真空退火2h，冷卻至室溫。然后對退火后的高純鋁箔進行電拋光處理，電拋光液為體積比1:4的hclo4與無水乙醇的混合液，以鋁箔作為陽極，碳棒作為陰極，在電壓20v左右進行電氧化5min；

(2)將拋光后的高純鋁箔放置于電解槽中作為陽極，以長8cm、直徑為6mm的碳棒為陰極，電極間距為10cm，電解液為5wt％的磷酸溶液，在20v的電壓下進行電化學氧化，待氧化14min后，取出清洗干凈，得到多孔氧化鋁薄膜；

(3)將多孔氧化鋁薄膜置入0.12mol/l的coso4電溶液中，電壓為16v，電沉積時間為15s，電極間距為5cm，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段和氧化鋁薄膜中垂線間夾角為90°進行交流電沉積，得到磁性co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜。

實施例2

除了步驟(3)中，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段和氧化鋁薄膜中垂線間夾角為60°，其他條件與實施1相同。

實施例3

除了步驟(3)中，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段和氧化鋁薄膜中垂線間夾角為30°，其他條件與實施1相同。

實施例4

除了步驟(3)中，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段和氧化鋁薄膜中垂線間夾角為0°，其他條件與實施1相同。

實施例5

除了步驟(3)中沉積電壓為18v，其他條件與實施2相同。

實施例6

除了步驟(3)中沉積電壓為17v，其他條件與實施2相同。

實施例7

除了步驟(3)中沉積電壓為15v，其他條件與實施2相同。

實施例8

除了步驟(2)中氧化時間12min，其他條件與實施例2相同。

實施例9

除了步驟(2)中氧化時間13min，其他條件與實施例2相同。

實施例10

除了步驟(2)中氧化時間15min，其他條件與實施例2相同。

實施例11

除了步驟(3)中沉積時間為5s，其他條件與實施例2相同。

實施例12

除了步驟(3)中沉積時間為10s，其他條件與實施例2相同。

實施例13

除了步驟(3)中沉積時間為20s，其他條件與實施例2相同。

性能測試：

采用數(shù)碼相機對實施例1～13制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜進行拍照；采用掃描電鏡對實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜表面和截面形貌進行表征；采用紫外可見分光光度計對實施例6制得的co納米層co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的反射光譜進行測試；利用物理性能測試系統(tǒng)對實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的磁性進行測試。

測試結(jié)果：

如圖2所示，為本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的xrd圖。xrd結(jié)果表明薄膜中含有co，并且所述co為(101)擇優(yōu)取向。

如圖3所示，為本發(fā)明實施例6表面sem圖。其中d圖為沒有沉積前的多孔氧化鋁薄膜表面圖，a、b、c分別為沉積后co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜沿直徑方向(復合薄膜數(shù)碼照片從左到右的方向)不同顏色區(qū)域?qū)膕em表面照片。從圖中沉積前后對比可以看出，復合薄膜表面有co納米層，co納米層厚度沿直徑方向降低。

如圖4所示，為本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜沿直徑方向(復合薄膜數(shù)碼照片從左到右的方向)不同顏色區(qū)域?qū)慕孛鎠em圖。其中a、b、c分別為沿直徑不同顏色區(qū)域?qū)膕em截面照片。圖4的截面圖和圖3的表面圖相對應。從圖中可以看出，復合薄膜厚度為305nm，co納米線密度沿直徑方向降低。

如圖5所示，為本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的反射光譜圖。從圖中可以看出，反射光譜中波峰位置對應的波長分別為374nm、462nm、576nm和734nm，在可見光范圍內(nèi)所對應的顏色分別為紫色、藍色、黃色和紅色。這與圖8中實施例6樣品數(shù)碼照片顯示顏色一致。

如圖6所示，為本發(fā)明實施例6制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜沿直徑方向不同顏色對應的m-h曲線。其中a、b、c分別為沿直徑方向不同顏色區(qū)域?qū)膍-h曲線。外加磁場方向為垂直復合薄膜方向，當外加磁場強度為8000oe時達到飽和。從圖中可以看出，所述co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜的磁性沿直徑方向逐漸減小，飽和磁化強度分別為145、138和129emu/cm3，與圖4、圖5中co納米層厚度、co納米線密度及co納米線長度遞減相吻合。圖6中的插圖為a區(qū)域外加磁場方向平行co納米線方向和垂直納米線方向的m-h曲線比較圖。

如圖7所示，為本發(fā)明實施例1～4制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。圖7a～d依次為實施例1～4的氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片。由左至右依次為實施例1、2、3和4。從圖中可以看出，在相同氧化、相同沉積的條件情況下，隨經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段偏離氧化鋁薄膜中垂線的角度減小，co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜，其多彩漸變結(jié)構(gòu)色向單一色彩結(jié)構(gòu)色過渡。

如圖8所示，為本發(fā)明實施例5、6、2和7制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。圖8a～d依次為實施例5、6、2和7的氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片。圖中左起依次為實施例5、6、2和7。此圖說明，相同的氧化鋁薄膜，沉積過程中，經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段偏離氧化鋁薄膜中垂線的角度一定，隨著沉積電壓的降低，co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜彩條數(shù)量有明顯減少向單一色彩結(jié)構(gòu)色過渡的趨勢。

如圖9所示，為本發(fā)明實施例8、9、2和10制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。圖9a～d依次為實施例8、9、2和10的氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片。此圖說明，在相同沉積條件情況下，包括經(jīng)過所述多孔氧化鋁薄膜中心且和碳棒垂直相交的線段偏離氧化鋁薄膜中垂線的角度相同，隨著鋁箔氧化時間的增加，co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜呈現(xiàn)不同的虹彩漸變結(jié)構(gòu)色。

如圖10所示，為本發(fā)明實施例11、12、2和13制得的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片圖。圖10a～d依次為實施例11、12、2和13的氧化鋁復合薄膜數(shù)碼照片。此圖說明，相同氧化條件下制備的多孔氧化鋁薄膜，沉積電壓、碳電極偏離多孔氧化鋁中垂線的角度均相同，隨著沉積時間增加，co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜由近似單一色彩向多彩過渡，且隨沉積時間增加多彩結(jié)構(gòu)色也發(fā)生變化。

以上實施例說明本發(fā)明提供的co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜具有磁性和高飽和度虹彩漸變結(jié)構(gòu)色，所述co納米層/co納米線/多孔氧化鋁復合薄膜同時具有光學和磁學特性，在防偽、繪畫、裝飾、化妝品、顯像技術(shù)、染料敏化及太陽能電池方面具有巨大的應用前景，而且對開辟氧化鋁薄膜在其他新領(lǐng)域應用也具有重要意義。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，本發(fā)明的保護范圍不限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可顯而易見地得到的技術(shù)方案的簡單變化或等效替換均落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。