專利名稱：：一種電鍍層退鍍液的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本技術(shù)涉及電鍍
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及電鍍層的退鍍
技術(shù)領(lǐng)域：
。
背景技術(shù)：
：目前，電鍍層退鍍液的制備普遍采用硫酸或硝酸為主要原料，該方法制備出的退鍍液酸性強，對產(chǎn)品的腐蝕性很強，在退鍍過程中還會分解釋放出有毒氣體，對操作人員身體產(chǎn)生傷害。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的針對上述退鍍液存在強腐蝕以及對操作人員產(chǎn)生毒害的問題，本申請人進行了研究改進，提供另一種電鍍層退鍍液的制備方法，其制造工藝簡單、成本低、退鍍效果好，其主要用于錫及錫合金電鍍層的退鍍。本發(fā)明的技術(shù)方案如下電鍍層退鍍液按質(zhì)量比的組成為甲基磺酸20~40%聚乙二醇10、15%十二烷基二乙醇酰胺0.30.5%余量為水。其中聚乙二醇的分子量在4004000之間。將上述組分混合，在溫度10刁(TC，攪拌24小時，制得電鍍層退鍍液。本發(fā)明的技術(shù)效果如下-1.避免使用強酸存在的強腐蝕缺點以及對操作人員產(chǎn)生的毒害，并達到環(huán)保要求。2.本退鍍液組成成分以及制備工藝簡單，反應(yīng)穩(wěn)定。退鍍液使用之后的廢水處理簡單。3.本退鍍液使用方便，退鍍生產(chǎn)的效率高。4.退鍍液中的聚乙二醇成分對退鍍出的基材表面具有保護作用，使基材表面光亮，克服了硝酸與硫酸退鍍基材表面比較粗糙的缺點，退鍍出的基材表面在空氣中不發(fā)生氧化。具體實施例方式本發(fā)明通過以下實施例進一步說明。實施例一稱取質(zhì)量含量70%的甲基磺酸285.7克、聚乙二醇(分子量400)100克加入到燒杯中，按質(zhì)量比例加入純水611.3克與3克十二烷基二乙醇酰胺，將燒杯中的溶液加熱到10。C，用攪拌器充分攪拌4小時，將攪拌好的溶液用luni濾紙進行過濾，過濾其中的雜質(zhì)，得到1000克甲基磺酸退鍍液。將得到的甲基磺酸退鍍液，退除銅基材與鐵鎳基材的純錫鍍層見下表1:(表l)<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>實施例二稱取質(zhì)量含量為70%甲基磺酸428.6克、聚乙二醇(分子量600)130克加入到燒杯中，按質(zhì)量比例加入純水437.4克與4克十二垸基二乙醇酰胺，將燒杯中的溶液加熱到2(TC，用攪拌器充分攪拌3小時，將攪拌好的溶液用5um濾紙進行過濾，得到1000克甲基磺酸退鍍液。將得到的甲基磺酸退鍍液，退除銅基材與鐵鎳基材的錫銅鍍層見表2:(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>實施例三稱取質(zhì)量含量為70%甲基磺酸571.4克、聚乙二醇(分子量1000)150克加入到燒杯中，按質(zhì)量比例加入純水273.6克與5克十二烷基二乙醇酰胺，將燒杯中的溶液加熱到30。C，用攪拌器充分攪拌2小時，將攪拌好的溶液用IO咖濾紙進行過濾，得到1000克甲基磺酸退鍍液。將得到的甲基磺酸退鍍液，退除銅基材與鐵鎳基材的錫鉍層見表3(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>注上述退鍍液還可以用甲基磺酸電鍍廢液配制，控制甲基磺酸含量比(可通過氫氧化鈉滴定分析方法測定濃度)在權(quán)利要求范圍內(nèi)可以達到同樣的退鍍效果，同時達到了廢液回收的目的。權(quán)利要求1.一種電鍍層退鍍液的制備方法，其特征在于所述退鍍液按質(zhì)量比的組成為甲基磺酸20～40％聚乙二醇10～15％十二烷基二乙醇酰胺0.3～0.5％余量為水；將上述組分混合，在溫度10～30℃，攪拌2～4小時，制得電鍍層退鍍液。2.按照權(quán)利要求1所述電鍍層退鍍液的制備方法，其特征在于所述聚乙二醇的分子量在4004000之間。全文摘要一種電鍍層退鍍液的制備方法，屬于電鍍
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及電鍍層的退鍍
技術(shù)領(lǐng)域：
。該退鍍液以甲基磺酸以及聚乙二醇為主要原料，制成的退鍍液無毒，腐蝕性低，廢液回收簡單，反應(yīng)穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高，并且退鍍后的制品基材表面在空氣中不發(fā)生氧化，表面光亮，屬于綠色環(huán)保的退鍍液。本退鍍液可廣泛應(yīng)用于PCB板(印制電路板)、IC集成電路的外引線電鍍層的退鍍。文檔編號C25F5/00GK101429675SQ200810234368公開日2009年5月13日申請日期2008年11月19日優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日發(fā)明者涂利彬申請人:無錫華友微電子有限公司