一種mems器件及其制備方法、電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供底部晶圓，在所述底部晶圓上形成有MEMS器件，其中，所述底部晶圓上還形成有檢測(cè)區(qū)域以及覆蓋所述檢測(cè)區(qū)域的保護(hù)層；步驟S2：提供頂部晶圓，并與所述底部晶圓接合為一體，以密封包裹所述保護(hù)層；步驟S3：對(duì)所述頂部晶圓的頂部進(jìn)行劃片切割，以形成開口，露出部分所述保護(hù)層；步驟S4：去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：1、減少了劃片(Dicing)后的缺陷(Defect)，減少了顆粒(particle)。2、避免了檢測(cè)探針損壞(Probe Card damage)的發(fā)生，降低了制造成本。
【專利說明】
一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在各種傳感器(mot1n sensor)類產(chǎn)品的市場(chǎng)上，智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，這類產(chǎn)品的發(fā)展方向是更小的尺寸，高質(zhì)量的電學(xué)性能和更低的損耗。
[0003]在MEMS領(lǐng)域中，在晶圓結(jié)合之后(Bonding Wafer)需要進(jìn)行可靠性測(cè)試，例如 WAT/CP測(cè)試等，因此在晶圓結(jié)合之后通常進(jìn)行切割(Dicing)，在該步驟中通常只切斷頂部晶圓(Top Wafer)露出底部晶圓(Bottom Wafer)的器件進(jìn)行WAT/CP測(cè)試等即可，在切割所述頂部晶圓時(shí)通常會(huì)出現(xiàn)一些顆粒(Particle)跌落在底部晶圓上，導(dǎo)致在檢測(cè)時(shí)探針 (Probe Card)接觸到顆粒后損壞。
[0004]因此需要對(duì)目前半導(dǎo)體器件的制備方法和/或檢測(cè)方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0006]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種MEMS器件的制備方法，包括:
[0007]步驟S1:提供底部晶圓，在所述底部晶圓上形成有MEMS器件，其中，所述底部晶圓上還形成有檢測(cè)區(qū)域以及覆蓋所述檢測(cè)區(qū)域的保護(hù)層；
[0008]步驟S2:提供頂部晶圓，并與所述底部晶圓接合為一體，以密封包裹所述保護(hù)層；
[0009]步驟S3:對(duì)所述頂部晶圓的頂部進(jìn)行劃片切割，以形成開口，露出部分所述保護(hù)層；
[0010]步驟S4:去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域。
[0011]可選地，所述步驟S1包括:
[0012]步驟S11:提供底部晶圓并在所述底部晶圓上沉積保護(hù)材料層，以覆蓋所述MEMS 器件；
[0013]步驟S12:圖案化所述保護(hù)材料層，以在所述檢測(cè)區(qū)域中形成所述保護(hù)層，同時(shí)露出所述檢測(cè)區(qū)域以外的所述MEMS器件。
[0014]可選地，在所述步驟S2中，所述頂部晶圓中形成有若干功能圖案，其中相鄰的兩個(gè)所述功能圖案之間形成的空腔與所述保護(hù)層的形狀相匹配，以在所述接合之后密封所述保護(hù)層。
[0015]可選地，在所述步驟S1中，所述保護(hù)層選用聚酰亞胺。
[0016]可選地，在所述步驟S1中，所述保護(hù)層的厚度為25-35um。
[0017]可選地，在所述步驟S2和所述步驟S3之間還進(jìn)一步包括對(duì)所述頂部晶圓進(jìn)行研磨打薄的步驟。
[0018]可選地，在所述步驟S4中，通過灰化和剝離的方法去除所述保護(hù)層。
[0019]可選地，在所述步驟S4之后，所述方法還進(jìn)一步包括對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)的步驟。
[0020]本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的MEMS器件。
[0021]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的MEMS器件。
[0022]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS器件及其制備方法，在所述方法中在接合之前在所述檢測(cè)區(qū)域上形成保護(hù)層，以避免在打開所述頂部晶圓時(shí)產(chǎn)生的顆粒(particle)掉落在所述底部晶圓上，通過對(duì)MEMS產(chǎn)品工藝的改變，有效減少底部晶圓上的顆粒，抑制了檢測(cè)探針損壞的問題。
[0023]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0024]1、減少了劃片(Dicing)后的缺陷(Defect)，減少了顆粒(particle)。
[0025]2、避免了檢測(cè)探針損壞(Probe Card damage)的發(fā)生，降低了制造成本。【附圖說明】
[0026]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0027]圖la-1 d為現(xiàn)有技術(shù)中所述MEMS器件的制備過程示意圖；
[0028]圖2a_2g為現(xiàn)有技術(shù)中所述MEMS器件的制備過程示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS器件的制備工藝流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0030]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0031]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0032]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱?或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、 “直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、 層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0033] 空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90 度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0034]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0035]現(xiàn)有技術(shù)中所述MEMS器件的制備方法如圖la-ld所示，首先，如圖1所示，提供底部晶圓101和頂部晶圓102,然后將所述底部晶圓101和頂部晶圓102接合為一體，如圖 lb所示，然后執(zhí)行背部研磨工藝，以減小頂部晶圓102的厚度，如圖lc所示，最后切斷頂部晶圓(Top Wafer)，以露出底部晶圓(Bottom Wafer)的器件進(jìn)行WAT/CP測(cè)試，在切割所述頂部晶圓時(shí)通常會(huì)出現(xiàn)一些顆粒(Particle)跌落在底部晶圓，導(dǎo)致在檢測(cè)時(shí)探針(Probe Card)接觸到顆粒后損壞，如圖1d右側(cè)圖形所示。
[0036] 因此需要對(duì)目前半導(dǎo)體器件的制備方法和/或檢測(cè)方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。[〇〇37] 實(shí)施例1
[0038]本發(fā)明為了解決目前MEMS器件制備過程中存在的問題，提供了一種MEMS器件的制備，下面結(jié)合附圖2a_2g對(duì)所述方法作進(jìn)一步的說明，其中，圖2a_2g為本發(fā)明中所述 MEMS器件的制備過程示意圖。
[0039]首先，執(zhí)行步驟201，提供底部晶圓201并在所述底部晶圓上形成有MEMS器件，其中所述底部晶圓201中包括檢測(cè)區(qū)域。
[0040]具體地，如圖2a所示，在該步驟中，所述底部晶圓201可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SS0I)、絕緣體上層疊鍺化硅 (S-SiGe0I)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0041]在所述底部晶圓201的正面形成MEMS器件，其中所述MEMS器件可以根據(jù)MEMS器件的種類進(jìn)行選擇，例如可以為振膜、背板、電極等，并不局限于某一種。
[0042]其中，為了對(duì)制備得到器件進(jìn)行檢測(cè)，所述底部晶圓中還形成有用于檢測(cè)可靠性等相關(guān)性能的區(qū)域。在該檢測(cè)區(qū)域以及所述檢測(cè)區(qū)域周邊的區(qū)域上均形成有所述MEMS器件。
[0043]執(zhí)行步驟202,在所述底部晶圓上沉積保護(hù)材料層，以覆蓋所述MEMS器件。
[0044]具體地，如圖2a所示，沉積保護(hù)材料層，以覆蓋所述底部晶圓以及所述MEMS器件。
[0045]其中，所述保護(hù)材料層選用聚酰亞胺，所述保護(hù)材料層的厚度為25-35um。
[0046]執(zhí)行步驟203,圖案化所述保護(hù)材料層，以在所述檢測(cè)區(qū)域中形成所述保護(hù)層 202，同時(shí)露出所述檢測(cè)區(qū)域以外的所述MEMS器件。
[0047]如圖2b所示，在該步驟中圖案化所述保護(hù)材料層，以在所述檢測(cè)區(qū)域中形成所述保護(hù)層202,如箭頭所示區(qū)域，在該檢測(cè)區(qū)域中填充所述保護(hù)層，在底部晶圓和頂部晶圓結(jié)合之后，所述保護(hù)層卡在底部晶圓和頂部晶圓之間可以有效防止劃片(Dicing)造成的顆粒掉落在底部晶圓上刮傷。
[0048]在該步驟中同時(shí)露出所述檢測(cè)區(qū)域以外的所述MEMS器件，在本發(fā)明的一實(shí)施例中選用〇2的氣氛蝕刻所述保護(hù)材料層，還可以同時(shí)加入其它少量氣體例如cf4、co2、n2， 所述蝕刻壓力可以為50-200mTorr，優(yōu)選為100-150mTorr，功率為200-600W，在本發(fā)明中所述蝕刻時(shí)間為5-80s，同時(shí)在本發(fā)明中選用較大的氣體流量，在本發(fā)明所述02的流量為 30-300sccm〇
[0049]執(zhí)行步驟204,提供頂部晶圓203,并與所述底部晶圓接合為一體，以貼合包裹所述保護(hù)層202。
[0050]具體地，如圖2c所示，在該步驟中提供頂部晶圓203,其中，所述頂部晶圓中形成有若干功能圖案，其中有相鄰的兩個(gè)所述功能圖案之間形成的空腔與所述保護(hù)層的形狀相匹配，以在所述接合之后密封所述保護(hù)層。
[0051]在接合之后，所述保護(hù)層的頂面緊貼所述頂部晶圓中功能圖案所形成的空腔的表面，其側(cè)壁緊貼所述功能元件的側(cè)壁，因此所述保護(hù)層和所述頂部晶圓直接密封接合，兩者之間沒有任何縫隙，所述保護(hù)層完全填充所述空腔和所述檢測(cè)區(qū)域的表面，以有效防止劃片(Dicing)造成的顆粒掉落在底部晶圓上刮傷。
[0052]然后將所述頂部晶圓203與所述底部晶圓201接合，如圖2d所示，以在兩者之間形成封閉的空間。所述鍵合方法可以選用共晶結(jié)合或者熱鍵合的方法鍵合，以形成一體的結(jié)構(gòu)。
[0053]在所述接合之前，還可以包括對(duì)所述底部晶圓201進(jìn)行預(yù)清洗，以提高所述底部晶圓201的接合性能。具體地，在該步驟中以稀釋的氫氟酸DHF(其中包含HF、H202以及H20) 對(duì)所述底部晶圓201的表面進(jìn)行預(yù)清洗，其中，所述DHF的濃度并沒嚴(yán)格限制，在本發(fā)明中優(yōu)選 HF:H202:H20 = 0? 1-1.5:1:5。
[0054]另外，在執(zhí)行完清洗步驟之后，所述方法還進(jìn)一步包括將所述底部晶圓201進(jìn)行干燥的處理。
[0055]可選地，選用異丙醇(IPA)對(duì)所述底部晶圓201進(jìn)行干燥。
[0056]執(zhí)行步驟205,對(duì)所述頂部晶圓進(jìn)行研磨打薄并對(duì)所述頂部晶圓的頂部進(jìn)行劃片切割，以形成開口，露出部分所述保護(hù)層。
[0057]具體地，如圖2e所示，在該步驟中通過研磨減薄的方法打薄所述頂部晶圓，其中所述研磨減薄的參數(shù)可以選用本領(lǐng)域中常用的各種參數(shù)，并不局限于某一數(shù)值范圍，在此不再贅述。
[0058]然后選用激光劃片的方法對(duì)所述頂部晶圓進(jìn)行所述切割，如圖2f所示，例如選用半導(dǎo)體激光劃片機(jī)(例如型號(hào)為G3005F的半導(dǎo)體激光劃片機(jī))，深度精度控制300u+/-5u， 最大劃片深度1.2mm。
[0059]在該步驟中，所述激光劃片選用的激光波長(zhǎng):1.06 ym，劃片線寬:< 0.03mm，激光重復(fù)頻率:20KHz?lOOKHz，最大劃片速度:230mm/s，激光最大功率:彡15W(根據(jù)激光器的選擇，可提升最大功率)，使用電源:220V/50Hz/lKVA，冷卻方式:強(qiáng)迫風(fēng)冷。
[0060]在該步驟中通常只切斷頂部晶圓(Top Wafer)露出部分所述保護(hù)層即可，以在后續(xù)的步驟中去除所述保護(hù)層。
[0061]在該步驟中由于在檢測(cè)區(qū)域中所述頂部晶圓203與所述底部晶圓之間填充有所述保護(hù)層，所述保護(hù)層卡在底部晶圓和頂部晶圓之間可以有效防止劃片(Dicing)造成的顆粒掉落在底部晶圓上刮傷。
[0062]執(zhí)行步驟206,去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域。
[0063]具體地，如圖2g所示，通過灰化和剝離的方法去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域以及該檢測(cè)區(qū)域中的MEMS器件。
[0064]執(zhí)行步驟207,對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)。
[0065]例如對(duì)底部晶圓(Bottom Wafer)的器件進(jìn)行WAT/CP測(cè)試等，在此不再贅述。
[0066]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的MEMS器件的制造方法的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制造方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。
[0067]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS器件及其制備方法，在所述方法中在接合之前在所述檢測(cè)區(qū)域上形成保護(hù)層，以避免在打開所述頂部晶圓時(shí)產(chǎn)生的顆粒(particle)掉落在所述底部晶圓上，通過對(duì)MEMS產(chǎn)品工藝的改變，有效減少底部晶圓上的顆粒，抑制了檢測(cè)探針損壞的問題。
[0068]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0069]1、減少了劃片(Dicing)后的缺陷(Defect)，減少了顆粒(particle)。
[0070]2、避免了檢測(cè)探針損壞(Probe Card damage)的發(fā)生，降低了制造成本。
[0071]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟:
[0072]步驟S1:提供底部晶圓，在所述底部晶圓上形成有MEMS器件，其中，所述底部晶圓上還形成有檢測(cè)區(qū)域以及覆蓋所述檢測(cè)區(qū)域的保護(hù)層；
[0073]步驟S2:提供頂部晶圓，并與所述底部晶圓接合為一體，以密封包裹所述保護(hù)層；
[0074]步驟S3:對(duì)所述頂部晶圓的頂部進(jìn)行劃片切割，以形成開口，露出部分所述保護(hù)層；
[0075]步驟S4:去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域。
[0076]實(shí)施例2
[0077]本發(fā)明還提供了一種MEMS器件，所述MEMS器件選用實(shí)施例1所述的方法制備。通過本發(fā)明實(shí)施例1所述方法制備得到的MEMS器件減少了劃片(Dicing)后的缺陷 (Defect)，減少了顆粒(particle)。同時(shí)，還避免了檢測(cè)探針損壞(Probe Card damage)的發(fā)生，降低了制造成本。
[0078]實(shí)施例3
[0079]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例2所述的MEMS器件。其中，MEMS器件為實(shí)施例2所述的MEMS器件，或根據(jù)實(shí)施例1所述的制備方法得到的MEMS器件。
[0080]本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述MEMS器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的MEMS 器件，因而具有更好的性能。
[0081]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS器件的制備方法，包括:步驟S1:提供底部晶圓，在所述底部晶圓上形成有MEMS器件，其中，所述底部晶圓上還 形成有檢測(cè)區(qū)域以及覆蓋所述檢測(cè)區(qū)域的保護(hù)層；步驟S2:提供頂部晶圓，并與所述底部晶圓接合為一體，以密封包裹所述保護(hù)層；步驟S3:對(duì)所述頂部晶圓的頂部進(jìn)行劃片切割，以形成開口，露出部分所述保護(hù)層； 步驟S4:去除所述保護(hù)層，以露出所述檢測(cè)區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括:步驟S11:提供底部晶圓并在所述底部晶圓上沉積保護(hù)材料層，以覆蓋所述MEMS器 件；步驟S12:圖案化所述保護(hù)材料層，以在所述檢測(cè)區(qū)域中形成所述保護(hù)層，同時(shí)露出所 述檢測(cè)區(qū)域以外的所述MEMS器件。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述頂部晶圓中形成 有若干功能圖案，其中相鄰的兩個(gè)所述功能圖案之間形成的空腔與所述保護(hù)層的形狀相匹 配，以在所述接合之后密封所述保護(hù)層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述保護(hù)層選用聚酰亞胺。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述保護(hù)層的厚度為 25_35um〇6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2和所述步驟S3之間還進(jìn)一 步包括對(duì)所述頂部晶圓進(jìn)行研磨打薄的步驟。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，通過灰化和剝離的方法 去除所述保護(hù)層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4之后，所述方法還進(jìn)一步包 括對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)的步驟。9.一種基于權(quán)利要求1至8之一所述的方法制備得到的MEMS器件。10.—種電子裝置，包括權(quán)利要求9所述的MEMS器件。
【文檔編號(hào)】B81C3/00GK105984838SQ201510089920
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月27日
【發(fā)明人】鄭超, 王偉, 閭新明
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司