本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種mems器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在傳感器(motionsensor)類產(chǎn)品的市場(chǎng)上，智能手機(jī)、集成cmos和微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，這類傳動(dòng)傳感器產(chǎn)品的發(fā)展方向是規(guī)模更小的尺寸，高質(zhì)量的電學(xué)性能和更低的損耗。

其中，mems傳感器廣泛應(yīng)用于汽車電子：如tpms、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(tmap)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器；消費(fèi)電子：如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤，洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽能熱水器用液位控制壓力傳感器；工業(yè)電子：如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等。

在mems器件制備過程中，需要正背面作工藝，通常在底部晶圓正面會(huì)形成一些圖案，例如空腔、凹槽等，當(dāng)對(duì)所述底部晶圓反轉(zhuǎn)進(jìn)行背面工藝時(shí)，正面的空腔(cavity)會(huì)破裂，使器件的制備失敗。

因此需要對(duì)目前mems器件的制備方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述各種弊端。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種mems器件的制備方法，包括：

步驟s1：提供底部晶圓，在所述底部晶圓的正面形成有空腔；

步驟s2：在所述空腔的表面形成保護(hù)層，以覆蓋所述空腔；

步驟s3：提供頂部晶圓并和所述底部晶圓相接合；

步驟s4：反轉(zhuǎn)所述步驟s3中接合后的元件，并在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

可選地，所述步驟s2包括：

步驟s211：在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成干膜層，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔；

步驟s212：對(duì)所述干膜層進(jìn)行曝光，以去除所述底部晶圓表面的所述干膜層，在所述空腔的表面形成保護(hù)層。

可選地，所述步驟s2包括：

步驟s221：在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成保護(hù)層，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔；

步驟s222：沉積犧牲材料層，以完全填充所述空腔。

可選地，在所述步驟s4之后，所述方法進(jìn)一步包括：

步驟s5：去除所述底部晶圓的正面上的所述保護(hù)層，以露出所述犧牲材料層；

步驟s6：去除所述犧牲材料層，以露出所述空腔。

可選地，所述步驟s222包括：

步驟s2221：在所述底部晶圓上沉積光刻膠層，以覆蓋所述保護(hù)層并填充所述空腔；

步驟s2222：對(duì)所述光刻膠層曝光顯影，以去除所述保護(hù)層上的所述光刻膠層并完全填充所述空腔。

步驟s2223：對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行烘烤，以固化所述空腔中的所述光刻膠層。

可選地，在所述步驟s6中，選用灰化法去除所述犧牲材料層。

可選地，所述保護(hù)層選用氧化物層。

本發(fā)明提供了一種基于上述的方法制備得到的mems器件。

本發(fā)明提供了一種電子裝置，包括上述的mems器件。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種制備mems器件的方法，在所述方法中在所述底部晶圓中形成空腔之后，在所述空腔形成保護(hù)層，或者在形成保護(hù)層之后進(jìn)一步選用犧牲材料層填充所述空腔，以保護(hù)所述空腔的輪廓，通過所述設(shè)置可以保護(hù)正面空腔(cavity)圖形，避免mems器件損壞，改善了mems器件中空腔碎裂的問題，提高了所述mems器件的性能和良率。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、有效保護(hù)正面空腔(cavity)，避免受到損壞。

2、提高了產(chǎn)品的良率(yield)。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1a-1g為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中中mems器件的制備過程示意圖；

圖2a-2i為本發(fā)明另一具體實(shí)施方式中所述mems器件的制備過程示意圖；

圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述mems器件的制備工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接 或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種mems器件的制備方法，下面結(jié)合附圖1a-1g對(duì)所述方法做進(jìn)一步的說明。

首先，執(zhí)行步驟101，提供底部晶圓101，并在所述底部晶圓101的正面上形成有空腔。

具體地，如圖1a所示，其中所述底部晶圓101至少包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。

在所述底部晶圓101的正面形成空腔，具體地形成方法包括但并不局限于：圖案化所述底部晶圓，以在所述底部晶圓中形成所述空腔，具體地，例如在所述底部晶圓101上形成圖案化的光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述底部晶圓101，以在所述底部晶圓上形成所述凹槽。

其中，所述空腔的深度并不局限于某一數(shù)值范圍。

執(zhí)行步驟102，在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成干膜層102，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔。

具體地，如圖1b所示，其中，所述干膜層(dry–film)是一種樹脂，包圍在空腔(cavity)周圍，起到了緩沖作用，保護(hù)了空腔(cavity)的完整性。

在本發(fā)明中所述干膜102的分為三層，一層是pe保護(hù)膜，中間是干膜層，另一個(gè)是pet保護(hù)層，pe層和pet層都只是起保護(hù)作用的在壓膜前和顯影前都有必須要去掉的，真正起作用的是中間一層干膜，它具有一定的粘性和良好的感光性。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述干膜的形成方法包括：首先進(jìn)行前處理，例如對(duì)所述底部晶圓進(jìn)行清理，以去除所述底部晶圓上的雜質(zhì)；接著進(jìn)行壓膜(lamination)處理，在該步驟中所述壓膜的條件為110攝氏度；然后接著去除所述pet保護(hù)層。然后在130℃的條件下進(jìn)行靜置180秒，接著進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行曝光后靜置，在100℃下靜置300秒，最后進(jìn)行固化，固化條件為在180℃下固化1-2hr。

此外，還可以對(duì)所述干膜層進(jìn)行濃縮(precon)，例如在85℃，相對(duì)濕度為85％的條件下濃縮。

執(zhí)行步驟103，對(duì)所述干膜層進(jìn)行曝光，以去除所述底部晶圓表面的所述干膜層，在所述空腔的表面形成保護(hù)層。

具體地，如圖1c所示，所述干膜層(dry–film)是一種樹脂，在所述曝光步驟之后搜書干膜層包圍在空腔(cavity)周圍，起到了緩沖作用，保護(hù)了空腔(cavity)的完整性。

執(zhí)行步驟104，提供頂部晶圓103并和所述底部晶圓相接合。

具體地，如圖1d所示，在該步驟中提供頂部晶圓103，所述頂部晶圓103可以選用本領(lǐng)域的常規(guī)材料，例如可以選用硅等。

其中，所述頂部晶圓103具有較大的厚度。

可選地，所述鍵合方法可以選用共晶結(jié)合或者熱鍵合的方法鍵合，以形成一體的結(jié)構(gòu)。

在所述接合之前，還可以包括對(duì)所述底部晶圓101進(jìn)行預(yù)清洗，以提高所述底部晶圓101的接合性能。具體地，在該步驟中以稀釋的氫氟酸dhf(其中包含hf、h2o2以及h2o)對(duì)所述底部晶圓101的表面進(jìn)行預(yù)清洗，其中，所述dhf的濃度并沒嚴(yán)格限制，在本發(fā)明中優(yōu)選hf:h2o2:h2o＝0.1-1.5:1:5。

另外，在執(zhí)行完清洗步驟之后，所述方法還進(jìn)一步包括將所述底部晶圓101進(jìn)行干燥的處理。

可選地，選用異丙醇(ipa)對(duì)所述底部晶圓101進(jìn)行干燥。

可選地，本發(fā)明所述方法還可以進(jìn)一步包括：將所述頂部晶圓103研磨打薄，以減小所述頂部晶圓的厚度。

在該步驟中通過研磨減薄的方法打薄所述頂部晶圓，其中所述研磨減薄的參數(shù)可以選用本領(lǐng)域中常用的各種參數(shù)，并不局限于某一數(shù)值范圍，在此不再贅述。

執(zhí)行步驟105，反轉(zhuǎn)所述步驟104中接合后的元件，并在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

具體地，如圖1e-1f所示，在反轉(zhuǎn)所述底部晶圓之后，所述底部晶圓的背面朝上。

然后圖案化所述底部晶圓的背面，以在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

具體地，如圖1f所述，在該步驟中在所述底部晶圓的背面上形成光刻膠層并曝光顯影，以形成凹槽圖案。

然后以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述底部晶圓，以在所述底部晶圓中形 成所述凹槽。

最后去除所述光刻膠層，如圖1g所示。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的mems器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題提供了一種制備mems器件的方法，在所述方法中所述底部晶圓中形成空腔之后，在所述空腔形成保護(hù)層，以保護(hù)所述空腔的輪廓，通過所述設(shè)置可以保護(hù)正面空腔(cavity)圖形，避免mems器件損壞，改善了mems器件中空腔碎裂的問題，提高了所述mems器件的性能和良率。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、有效保護(hù)正面空腔(cavity)，避免受到損壞。

2、提高了產(chǎn)品的良率(yield)。

圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述mems器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟：

步驟s1：提供底部晶圓，在所述底部晶圓的正面形成有空腔；

步驟s2：在所述空腔的表面形成保護(hù)層，以覆蓋所述空腔；

步驟s3：提供頂部晶圓并和所述底部晶圓相接合；

步驟s4：反轉(zhuǎn)所述步驟s3中接合后的元件，并在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

實(shí)施例二

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種mems器件的制備方法，下面結(jié)合附圖2a-2i對(duì)所述方法做進(jìn)一步的說明。

首先，執(zhí)行步驟201，提供底部晶圓201，并在所述底部晶圓201的正面上形成有空腔。

具體地，如圖2a所示，其中所述底部晶圓201至少包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、 絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。

在所述底部晶圓201的正面形成空腔，具體地形成方法包括但并不局限于：圖案化所述底部晶圓，以在所述底部晶圓中形成所述空腔，具體地，例如在所述底部晶圓201上形成圖案化的光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述底部晶圓201，以在所述底部晶圓上形成所述凹槽。

其中，所述空腔的深度并不局限于某一數(shù)值范圍。

執(zhí)行步驟202，在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成保護(hù)層202，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔。

具體地，如圖2b所示，其中，保護(hù)層選用氧化物層，可以選用本領(lǐng)域常用的氧化物層。

執(zhí)行步驟203，在所述底部晶圓的正面以及所述空腔表面形成保護(hù)層，以覆蓋所述底部晶圓和所述空腔；然后沉積犧牲材料層204，以完全填充所述空腔。

具體地，如圖2c所示，所述犧牲材料層可以選用常用的各種材料，優(yōu)選容易去除的材料。

例如在該實(shí)施例中選用光刻膠層，具體地，在所述底部晶圓上沉積光刻膠層，以覆蓋所述保護(hù)層并填充所述空腔，然后對(duì)所述光刻膠層曝光顯影，以去除所述保護(hù)層上的所述光刻膠層并完全填充所述空腔。

在該步驟中在空腔(cavity)的底部填入光刻膠層pr，增加原本是空心的空腔(cavity)在刻蝕工藝中對(duì)等離子沖擊的抵抗力，以保證所述空腔在執(zhí)行背面蝕刻工藝中(cavity)不發(fā)生碎裂，進(jìn)一步提高mems器件的性能和良率。

執(zhí)行步驟204，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行烘烤，以固化所述空腔中的所述光刻膠層。

在該步驟中通過烘烤，以固化所述空腔中的所述光刻膠層，提高所述光刻膠層的硬度，增加原本是空心的空腔(cavity)在刻蝕工藝中對(duì)等離子沖擊的抵抗力。

執(zhí)行步驟205，提供頂部晶圓203并和所述底部晶圓相接合。

具體地，如圖2d-2f所示，在該步驟中提供頂部晶圓203，所述頂部晶圓203可以選用本領(lǐng)域的常規(guī)材料，例如可以選用硅等。

其中，所述頂部晶圓203具有較大的厚度。

可選地，所述鍵合方法可以選用共晶結(jié)合或者熱鍵合的方法鍵合，以形成一體的結(jié)構(gòu)。

在所述接合之前，還可以包括對(duì)所述底部晶圓201進(jìn)行預(yù)清洗，以提高所述底部晶圓201的接合性能。具體地，在該步驟中以稀釋的氫氟酸dhf(其中包含hf、h2o2以及h2o)對(duì)所述底部晶圓101的表面進(jìn)行預(yù)清洗，其中，所述dhf的濃度并沒嚴(yán)格限制，在本發(fā)明中優(yōu)選hf:h2o2:h2o＝0.1-1.5:1:5。

另外，在執(zhí)行完清洗步驟之后，所述方法還進(jìn)一步包括將所述底部晶圓101進(jìn)行干燥的處理。

可選地，選用異丙醇(ipa)對(duì)所述底部晶圓201進(jìn)行干燥。

可選地，本發(fā)明所述方法還可以進(jìn)一步包括：將所述頂部晶圓203研磨打薄，以減小所述頂部晶圓的厚度。

在該步驟中通過研磨減薄的方法打薄所述頂部晶圓，其中所述研磨減薄的參數(shù)可以選用本領(lǐng)域中常用的各種參數(shù)，并不局限于某一數(shù)值范圍，在此不再贅述。

執(zhí)行步驟206，反轉(zhuǎn)所述步驟205中接合后的元件，并在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

具體地，如圖2f-2g所示，在反轉(zhuǎn)所述底部晶圓之后，所述底部晶圓的背面朝上。

然后圖案化所述底部晶圓的背面，以在所述底部晶圓的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。

具體地，如圖2g所述，在該步驟中在所述底部晶圓的背面上形成光刻膠層并曝光顯影，以形成凹槽圖案。

然后以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述底部晶圓，以在所述底部晶圓中形成所述凹槽。

執(zhí)行步驟207，去除所述底部晶圓的正面上的所述保護(hù)層，以露出所述 犧牲材料層。

具體地，如圖2h所示，去除所述底部晶圓和所述頂部晶圓之間的所述保護(hù)層，以露出所述犧牲材料層。

在該步驟中可以選用干法蝕刻或者濕法蝕刻，并不局限于某一種，例如可以選用siconi制程。

執(zhí)行步驟208，去除所述犧牲材料層，以露出所述空腔。

如圖2i所示，當(dāng)所述犧牲材料層選用光刻膠時(shí)，選用灰化法去除所述犧牲材料層。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的mems器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題提供了一種制備mems器件的方法，在所述方法中所述底部晶圓中形成空腔之后，在所述空腔形成保護(hù)層，在形成保護(hù)層之后進(jìn)一步選用犧牲材料層填充所述空腔，以保護(hù)所述空腔的輪廓，通過所述設(shè)置可以保護(hù)正面空腔(cavity)圖形，避免mems器件損壞，改善了mems器件中空腔碎裂的問題，提高了所述mems器件的性能和良率。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、有效保護(hù)正面空腔(cavity)，避免受到損壞。

2、提高了產(chǎn)品的良率(yield)。

實(shí)施例三

本發(fā)明還提供了一種mems器件，，所述mems器件通過實(shí)施例1或2中的所述方法制備得到，通過所述方法制備到的mems器件包括：

底部晶圓101，并在所述底部晶圓101的正面上形成有器件圖案。

其中所述底部晶圓101至少包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅 (ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。

在所述底部晶圓101的正面形成有器件圖案，例如在正面形成有空腔，例如可以包括各種有源器件和無源器件，并不局限于某一種。

在所述底部晶圓上還鍵合有所述頂部晶圓。

所述頂部晶圓103可以選用本領(lǐng)域的常規(guī)材料，例如可以選用硅等。所述頂部晶圓上還形成有目標(biāo)圖案。

其中，在所述頂部晶圓和所述底部晶圓接合之前，在所述空腔中還形成可以去除的保護(hù)層或完全填充所述空腔的犧牲材料層，增加原本是空心的空腔(cavity)在刻蝕工藝中對(duì)等離子沖擊的抵抗力，以保證所述空腔在執(zhí)行背面蝕刻工藝中(cavity)不發(fā)生碎裂，進(jìn)一步提高mems器件的性能和良率。

實(shí)施例四

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例三所述的mems器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例你所述的mems器件，或根據(jù)實(shí)施例一或二所述的制備方法得到的mems器件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述mems器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的mems器件，因而具有更好的性能。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。