一種mems器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種MEMS器件及其制作方法，所述方法包括：提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有圖案化的器件層；在所述MEMS晶圓正面形成具有開口的緩沖層，其中，所述緩沖層的厚度大于所述圖案化的器件層的厚度，所述開口暴露所述圖案化的器件層；在所述緩沖層上形成保護(hù)層，其中所述保護(hù)層的底部與所述圖案化的器件層的頂部不接觸；反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝。根據(jù)本發(fā)明的制作方法，由于作為保護(hù)層的膠帶的粘性面不與圖案化的器件層接觸，在去除所述膠帶的過程中不會(huì)對(duì)所述圖案化的器件層造成影響，改善了MEMS器件在去除膠帶(Detape)工藝中產(chǎn)生損傷的現(xiàn)象，保護(hù)了器件，提高了所述MEMS器件的性能和良率。
【專利說明】
一種MEMS器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種MEMS器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在傳感器(mot1n sensor)類產(chǎn)品的市場(chǎng)上，智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，這類傳動(dòng)傳感器產(chǎn)品的發(fā)展方向是規(guī)模更小的尺寸，高質(zhì)量的電學(xué)性能和更低的損耗。
[0003]其中，MEMS傳感器廣泛應(yīng)用于汽車電子:如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器；消費(fèi)電子:如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤，洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽能熱水器用液位控制壓力傳感器；工業(yè)電子:如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等。
[0004]在MEMS領(lǐng)域中，所述MEMS器件的工作原理是由震蕩膜(Membrane)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生電容的變化，利用電容變化量進(jìn)行運(yùn)算和工作的，由于器件的功能需求，需要在晶圓正反兩面都要執(zhí)行工藝過程，以形成功能器件，在目前MEMS器件制備過程中為了保護(hù)晶圓正面的器件，往往采取增加膠帶保護(hù)(tape)的方式，但是在去除膠帶(tape)的過程中經(jīng)常發(fā)現(xiàn)MEMS器件直接被膠帶(tape)的粘性粘走，造成了良率(Yield)的損失。
[0005]因此需要對(duì)目前MEMS器件的制備方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述各種弊端。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]為了克服目前存在的問題，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種MEMS器件的制作方法，包括:
[0008]步驟S1:提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有圖案化的器件層；
[0009]步驟S2:在所述MEMS晶圓正面形成具有開口的緩沖層，其中，所述緩沖層的厚度大于所述圖案化的器件層的厚度，所述開口暴露所述圖案化的器件層；
[0010]步驟S3:在所述緩沖層上形成保護(hù)層，其中所述保護(hù)層的底部與所述圖案化的器件層的頂部不接觸；
[0011 ] 步驟S4:反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝。
[0012]進(jìn)一步，所述緩沖層的材料為光阻。
[0013]進(jìn)一步，形成所述緩沖層的步驟包括:在所述MEMS晶圓正面形成光阻，對(duì)覆蓋所述圖案化的器件層的光阻進(jìn)行曝光和顯影，以形成暴露所述圖案化的器件層的開口。
[0014]進(jìn)一步，在所述步驟S3中，所述保護(hù)層選用膠帶。
[0015]進(jìn)一步，所述背部工藝包括:刻蝕所述圖案化的器件層對(duì)應(yīng)區(qū)域的MEMS晶圓的背面，直到暴露部分所述圖案化的器件層的底面，以形成背孔。
[0016]進(jìn)一步，所述方法還進(jìn)一步包括:
[0017]步驟S5:再次反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，以使所述MEMS晶圓的正面朝上；
[0018]步驟S6:依次去除所述MEMS晶圓正面上的所述保護(hù)層和所述緩沖層。
[0019]進(jìn)一步，所述圖案化的器件層對(duì)應(yīng)位于所述MEMS晶圓的uPhone區(qū)域，所述開口暴露所述uPhone區(qū)域。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例二提供一種基于前述的方法制作獲得的MEMS器件。
[0021]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制作方法，由于作為保護(hù)層的膠帶的粘性面不與圖案化的器件層接觸，在去除所述膠帶的過程中不會(huì)對(duì)所述圖案化的器件層造成影響，改善了MEMS器件在去除膠帶(Detape)工藝中產(chǎn)生損傷的現(xiàn)象，保護(hù)了器件，提高了所述MEMS器件的性能和良率。
【附圖說明】
[0022]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0023]附圖中:
[0024]圖1A-1F為現(xiàn)有技術(shù)中MEMS器件的制作過程示意圖；
[0025]圖1G左圖示出了 MEMS器件未受影響時(shí)的掃描電鏡圖，右圖示出了 MEMS器件被膠帶粘走后的掃描電鏡圖；
[0026]圖2A-2G示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法依次實(shí)施所獲得MEMS器件的剖面示意圖；
[0027]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的制作方法依次實(shí)施步驟的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0030]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在…上”、“與…相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接至IJ”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0031]空間關(guān)系術(shù)語例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0032]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0034]目前，所述MEMS器件的制備方法如圖1A-1F所示，首先提供MEMS晶圓101，在所述MEMS晶圓101正面形成有圖案化的器件層102，如圖1A所示；接著在所述MEMS晶圓101的正面形成膠帶(tape) 104，其中為了防止膠帶(tape) 104的殘膠不易被去除，在所述膠帶(tape) 104和所述MEMS晶圓101之間形成光刻膠103作為中間層，通過光刻膠剝離(PRStrip)的方式去除光刻膠103以及光刻膠103上的殘膠，避免造成殘膠滯留于MEMS器件上影響器件性能，如圖1B-1C所示。
[0035]然后反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓101，以使其背面朝上，執(zhí)行背面工藝，在所述MEMS晶圓101的背面形成背孔105，所述背孔的位置對(duì)應(yīng)圖案化的器件層102，并暴露圖案化的器件層102的部分背面。如圖1D所示。
[0036]再次反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓101，以使其正面朝上，如圖1E所示。
[0037]最后，如圖1F所示，去除所述膠帶104，在去除所述膠帶104的過程中發(fā)現(xiàn)與凹槽的位置相對(duì)應(yīng)區(qū)域的MEMS器件102很容易在揭開膠帶時(shí)被帶走，造成MEMS器件性能降低甚至失效。圖1G左圖示出了 MEMS器件未受影響時(shí)的掃描電鏡圖，右圖示出了 MEMS器件被膠帶粘走后的掃描電鏡圖。
[0038]因此，需要對(duì)目前所述方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便能夠消除上述各種問題。
[0039]實(shí)施例一
[0040]下面，將參照?qǐng)D2A-2G及圖3對(duì)本發(fā)明的MEMS器件的制作方法做詳細(xì)描述。
[0041]首先，參考圖2A，提供MEMS晶圓201，在所述MEMS晶圓201的正面形成有圖案化的器件層202。
[0042]其中所述MEMS晶圓201至少包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。
[0043]圖案化的器件層202可以作為MEMS器件的振膜或背板等器件，但并不局限于該示例。形成所述圖案化的器件層202的方法可以為，首先在所述所述MEMS晶圓201的正面沉積器件材料層，例如振膜、背板等材料，然后在所述器件材料層上形成圖案化的光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述器件材料層，以形成圖案化的器件層202。示例性地，所述圖案化的器件層對(duì)應(yīng)位于所述MEMS晶圓的uPhone區(qū)域。
[0044]接著，參考圖2C，其中圖2C中左圖為器件的剖視圖，右圖為器件的局部俯視圖，在所述MEMS晶圓201正面形成具有開口 2031的緩沖層203，其中，所述緩沖層203的厚度大于所述圖案化的器件層202的厚度，所述開口 2031暴露所述圖案化的器件層202。
[0045]示例性地，所述緩沖層的材料為光阻。所述光阻的材料可以包括正性光阻、負(fù)性光阻或混合光阻的組。
[0046]在一個(gè)示例中，當(dāng)所述緩沖層的材料為光阻時(shí)，形成所述緩沖層的方法包括:如圖2B左圖所示，在所述MEMS晶圓201正面形成光阻203a，其中圖2B的左圖為MEMS晶圓的局部剖視圖，右圖為MEMS晶圓的局部俯視圖，左圖中圖案化的器件層對(duì)應(yīng)位于右圖中主芯片區(qū)域內(nèi)，在一個(gè)示例中，當(dāng)所述MEMS器件為uPhone器件時(shí)，則圖案化的器件層對(duì)應(yīng)的位于uPhone區(qū)域內(nèi)。如圖2C左圖所示，對(duì)覆蓋所述圖案化的器件層202的光阻進(jìn)行曝光和顯影，以形成暴露所述圖案化的器件層202的開口 2031。對(duì)應(yīng)圖2C右圖可以看出，也可對(duì)主芯片區(qū)域的光阻進(jìn)行曝光和顯影，形成暴露主芯片區(qū)域的具有開口的光阻203。示例性地，當(dāng)所述MEMS器件為uPhone器件時(shí)，則可對(duì)uPhone區(qū)域內(nèi)的光阻進(jìn)行曝光和顯影，形成暴露所述uPhone區(qū)域的開口。
[0047]接著，參考圖2D，在所述緩沖層203上形成保護(hù)層204，其中所述保護(hù)層204的底部與所述圖案化的器件層202的頂部不接觸。
[0048]具體地，在該步驟中在所述緩沖層203上形成保護(hù)層204，所述保護(hù)層204與所述開口 2031兩側(cè)的緩沖層203直接接觸，并不會(huì)和所述開口 2031中的圖案化的器件層202接觸，由于所述緩沖層203的厚度大于所述圖案化的器件層202的厚度，故所述保護(hù)層204底部與所述MEMS圖案的頂部之間具有一定的距離，以形成一定的間隔，防止所述保護(hù)層204與所述圖案化的器件層202發(fā)生接觸。
[0049]可選地，所述保護(hù)層204選用膠帶。所述膠帶可以為藍(lán)膜膠帶或紫外膠帶，可通過直接貼覆的方法將所述膠帶粘貼于所述緩沖層203之上。
[0050]接著，參考圖2E，反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓201，執(zhí)行背面工藝。
[0051]具體地，反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓201，以使所述MEMS晶圓的正面朝下，背面朝上，其中所述保護(hù)層204可以保護(hù)所述圖案化的器件層202不受損壞，同時(shí)還不會(huì)和所述圖案化的器件層202接觸。
[0052]接著執(zhí)行背面工藝。在一個(gè)示例中，所述背部工藝包括:刻蝕所述圖案化的器件層202對(duì)應(yīng)區(qū)域的MEMS晶圓201的背面，直到暴露部分所述圖案化的器件層202的底面，以形成背孔205。
[0053]在本實(shí)施例中較佳地選擇C-F蝕刻劑來蝕刻，所述C-F蝕刻劑為CF4、CHF3, C4F8和C5F8中的一種或多種。在該實(shí)施方式中，所述干法蝕刻可以選用CF4、CHF3，另外加上N2、0)2中的一種作為蝕刻氣氛，其中氣體流量為CF 410-200sccm, CHF310-200sccm,隊(duì)或CO 2或0210-400sccm，所述蝕刻壓力為30_150mTorr，蝕刻時(shí)間為5_120s。
[0054]在MEMS領(lǐng)域中，電容式MEMS器件的工作原理是由振膜(Membrane)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生電容的變化，利用電容變化量進(jìn)行運(yùn)算和工作的，目前為了提高M(jìn)EMS器件(例如uPhone)的性能，通常在MEMS器件的背面打開背孔(backside hole)來提高聲噪比。
[0055]在另一個(gè)示例中，還可以在所述MEMS晶圓的背面形成各種功能圖案和/或器件，其中所述各種功能圖案和/或器件并不局限于某一種，根據(jù)MEMS器件的需要進(jìn)行選擇。
[0056]參考圖2F，再次反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓201，以使所述MEMS晶圓201的正面朝上。
[0057]接著，參考圖2G，依次去除所述MEMS晶圓201正面上的所述保護(hù)層204和所述緩沖層203。
[0058]在一個(gè)示例中，當(dāng)所述保護(hù)層204為膠帶時(shí)，可采用揭膜機(jī)臺(tái)直接將所述膠帶揭除的方法來去除所述保護(hù)層，上述方法僅是示例性地，可根據(jù)保護(hù)層材質(zhì)選擇合適的去除方法。由于所述保護(hù)層203并沒有和所述圖案化的器件層202接觸，且器件層202和保護(hù)層203之間也不存在緩沖層，因此揭去保護(hù)層時(shí)，不會(huì)使得圖案化的器件層202被一并粘走，因此不會(huì)對(duì)MEMS器件造成損傷。
[0059]去除所述緩沖層(如光阻)的方法可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法，例如采用灰化方法去除光阻等。
[0060]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的MEMS器件制作的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制作方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。
[0061]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制作方法，由于作為保護(hù)層的膠帶的粘性面不與圖案化的器件層接觸，在去除所述膠帶的過程中不會(huì)對(duì)所述圖案化的器件層造成影響，改善了MEMS器件在去除膠帶(Detape)工藝中產(chǎn)生損傷的現(xiàn)象，保護(hù)了器件，提高了 MEMS器件的性能和良率。
[0062]參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明一個(gè)【具體實(shí)施方式】依次實(shí)施的步驟的工藝流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制作工藝的流程。
[0063]在步驟301中，提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有圖案化的器件層；
[0064]在步驟302中，在所述MEMS晶圓正面形成具有開口的緩沖層，其中，所述緩沖層的厚度大于所述圖案化的器件層的厚度，所述開口暴露所述圖案化的器件層；
[0065]在步驟303中，在所述緩沖層上形成保護(hù)層，其中所述保護(hù)層的底部與所述圖案化的器件層的頂部不接觸；
[0066]在步驟304中，反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝；
[0067]在步驟305中，再次反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，以使所述MEMS晶圓的正面朝上；
[0068]在步驟306中，依次去除所述MEMS晶圓正面上的所述保護(hù)層和所述緩沖層。
[0069]實(shí)施例二
[0070]本發(fā)明還提供了一種MEMS器件，所述MEMS器件通過實(shí)施例一中的所述方法制作得到。
[0071]由于前述的制作方法具有優(yōu)異的技術(shù)效果，通過所述方法制作的MEMS器件不會(huì)發(fā)生器件層圖案的缺失，因此采用該制作方法形成的半導(dǎo)體器件其具有更高的性能和可靠性。
[0072]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS器件的制作方法，包括: 步驟S1:提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有圖案化的器件層； 步驟S2:在所述MEMS晶圓正面形成具有開口的緩沖層，其中，所述緩沖層的厚度大于所述圖案化的器件層的厚度，所述開口暴露所述圖案化的器件層； 步驟S3:在所述緩沖層上形成保護(hù)層，其中所述保護(hù)層的底部與所述圖案化的器件層的頂部不接觸； 步驟S4:反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為光阻。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述緩沖層的步驟包括:在所述MEMS晶圓正面形成光阻，對(duì)覆蓋所述圖案化的器件層的光阻進(jìn)行曝光和顯影，以形成暴露所述圖案化的器件層的開口。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述保護(hù)層選用膠帶。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述背部工藝包括:刻蝕所述圖案化的器件層對(duì)應(yīng)區(qū)域的MEMS晶圓的背面，直到暴露部分所述圖案化的器件層的底面，以形成背孔。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括: 步驟S5:再次反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，以使所述MEMS晶圓的正面朝上； 步驟S6:依次去除所述MEMS晶圓正面上的所述保護(hù)層和所述緩沖層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案化的器件層對(duì)應(yīng)位于所述MEMS晶圓的uPhone區(qū)域，所述開口暴露所述uPhone區(qū)域。8.一種基于權(quán)利要求1至7之一所述的方法制作獲得的MEMS器件。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK105984836SQ201510084495
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月16日
【發(fā)明人】鄭超, 李衛(wèi)剛
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司