專利名稱：平面腔體微機(jī)電系統(tǒng)及相關(guān)結(jié)構(gòu)、制造和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法，特別是涉及平面腔體微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)、制造和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
集成電路中所用的集成電路開(kāi)關(guān)可以由固態(tài)結(jié)構(gòu)(例如，晶體管)或者無(wú)源導(dǎo)線 (MEMS)形成。典型地采用MEMS開(kāi)關(guān)，是因?yàn)樗鼈儙缀跏抢硐氲慕^緣，這是無(wú)線通訊應(yīng)用的關(guān)鍵需求，其中它們用于功率放大器(PA)的模式轉(zhuǎn)換，還因?yàn)樗鼈冊(cè)贗OGHz以及更高頻率上的低插入損耗(即阻抗)。MEMS開(kāi)關(guān)可用于多種應(yīng)用、初始模擬和混合信號(hào)應(yīng)用。一個(gè)這樣的示例是移動(dòng)電話芯片，其包含功率放大器(PA)和用于每個(gè)廣播模式調(diào)整的電路。芯片上的集成開(kāi)關(guān)將PA連接到適當(dāng)?shù)碾娐罚瑥亩恍枰總€(gè)模式有一個(gè)PA。取決于特定的應(yīng)用和工程標(biāo)準(zhǔn)，MEMS結(jié)構(gòu)可具有許多不同的形式。例如，MEMS可以懸臂梁結(jié)構(gòu)的形式實(shí)現(xiàn)。在懸臂結(jié)構(gòu)中，通過(guò)施加驅(qū)動(dòng)電壓(actuation voltage)將懸臂(一端固定的懸置電極)拉向固定電極。通過(guò)靜電力將懸置電極拉向固定電極所需的電壓稱為推向電壓(pull-in voltage)，其取決于幾個(gè)參數(shù)，包括懸置電極的長(zhǎng)度、懸置電極和固定電極之間的間隔或間隙以及懸置電極的彈性常數(shù)，這是材料及其厚度的函數(shù)。作為選擇，MEMS梁可為橋式結(jié)構(gòu)，其中兩端固定。MEMS可采用大量不同工具以很多方式制造。雖然一般而言，采用這些方法和工具來(lái)形成尺寸在微米級(jí)的小結(jié)構(gòu)，開(kāi)關(guān)尺寸約為5微米厚、100微米寬及200微米長(zhǎng)。此外，用于制造MEMS的很多方法、即技術(shù)，是選自集成電路(IC)技術(shù)。例如，幾乎所有的MEMS都構(gòu)建在晶片上，并且實(shí)現(xiàn)在晶片之上通過(guò)光刻工藝圖案化的材料薄膜中。特別是，MEMS的制造采用三個(gè)基本的構(gòu)建階段(building block) :(i)在襯底上沉積材料薄膜，(ii)通過(guò)光刻成像在上述膜的之上施加圖案化的掩模，以及(iii)相對(duì)于掩模，選擇性地蝕刻上述膜。例如，在MEMS懸臂式開(kāi)關(guān)中，固定電極和懸置電極典型地采用一系列傳統(tǒng)的光亥IJ、蝕刻和沉積工藝制造。在一個(gè)示例中，在形成懸置電極后，一層犧牲材料(例如由 Microchem, Inc.制造的旋涂聚合物PMGI)沉積在MEMS結(jié)構(gòu)下面以形成腔體以及沉積在 MEMS結(jié)構(gòu)上面以形成腔體。MEMS上面的腔體用于支持蓋帽的形成，例如SiN圓頂，以密封 MEMS結(jié)構(gòu)。然而，這造成幾個(gè)缺點(diǎn)。例如，已知用諸如PMGI的旋涂聚合物形成的MEMS腔體是非平面的。然而，非平面的MEMS腔體引起一些問(wèn)題，包括例如聚焦光刻深度的變化性以及因電介質(zhì)破裂引起的封裝可靠性。另外，用旋涂聚合物形成的MEMS腔體需要低溫下處理，以避免回流或者損壞聚合物；并且聚合物可能在排出后在腔體中留下有機(jī)(即含碳)殘留物。從而，在技術(shù)上存在克服上述缺陷和限制的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面中，一種形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的方法包括圖案化布線層以形成至少一個(gè)固定板以及在該布線層上形成犧牲材料。該方法還包括在該至少一個(gè)固定板和下方襯底的暴露部分上形成一個(gè)或多個(gè)膜的絕緣體層，以防止在該布線層和該犧牲材料之間形成反應(yīng)產(chǎn)物。該方法還包括在該至少一個(gè)固定板上形成可移動(dòng)的至少一個(gè)MEMS梁；該方法還包括排出或剝?nèi)ピ摖奚牧弦孕纬芍辽俚谝磺惑w。 在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的方法包括圖案化包含鋁的布線層以在襯底上形成至少一個(gè)固定板。該方法還包括在該至少一個(gè)固定板上沉積電介質(zhì)層以在該至少一個(gè)固定板上形成錐形外形。該方法還包括在該電介質(zhì)層的頂部上以及該至少一個(gè)固定板上沉積犧牲硅層。在該犧牲硅層沉積期間該電介質(zhì)層阻擋鋁和該犧牲硅層的反應(yīng)、合金化或相互擴(kuò)散。該方法還包括在該至少一個(gè)固定板的上形成至少一個(gè)MEMS梁。該方法還包括排出或剝?nèi)ピ摖奚鑼右孕纬芍辽俚谝磺惑w。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種結(jié)構(gòu)包括具有至少一個(gè)固定板的下腔室。該結(jié)構(gòu)還包括覆蓋該至少一個(gè)固定板的絕緣體層。該絕緣體層包括錐形拐角，其構(gòu)造為防止與犧牲材料沉積形成硅化鋁。該結(jié)構(gòu)還包括在該至少一個(gè)固定板上的可移動(dòng)的上MEMS梁。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，提供一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，可確實(shí)地實(shí)施在可機(jī)讀存儲(chǔ)介質(zhì)中用于設(shè)計(jì)、制造或測(cè)試集成電路。該設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中， 可機(jī)讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上編碼的硬件描述語(yǔ)言(HDL)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中處理時(shí)產(chǎn)生MEMS的機(jī)械可執(zhí)行表示的元件，其包括本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，提供計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的方法，用于產(chǎn)生MEMS的功能設(shè)計(jì)模型。該方法包括產(chǎn)生 MEMS的結(jié)構(gòu)元件的功能表示。在特定的方面中，在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中產(chǎn)生MEMS功能設(shè)計(jì)模塊的方法，包括產(chǎn)生形成至少一個(gè)固定板的布線層的功能表示；產(chǎn)生絕緣體層位于該至少一個(gè)固定板和下方襯底的暴露部分上以在后續(xù)犧牲材料沉積步驟期間防止形成硅化鋁的功能表示；產(chǎn)生該至少一個(gè)固定板上的至少一個(gè)上MEMS梁的功能表示；以及產(chǎn)生排出或剝?nèi)ピ摖奚牧弦孕纬芍辽傧虑坏墓δ鼙硎?。產(chǎn)生絕緣體層位于該至少一個(gè)固定板上的功能表示包括保形氧化阻擋層包括Al2O3和Ta2O5至少其中之一的功能表示。


在以下詳細(xì)說(shuō)明中，借助于本發(fā)明示范性實(shí)施例的非限定示例，參考所附的多個(gè)附圖描述本發(fā)明。圖1-23和26-33示出了根據(jù)本發(fā)明的各種結(jié)構(gòu)和相關(guān)處理步驟；圖24a_24f示出了采用根據(jù)本發(fā)明的方面所示的工藝制造的MEMS裝置的頂部結(jié)構(gòu)圖；圖25示出了幾個(gè)形貌圖(即原子力顯微鏡數(shù)據(jù))，示出了硅凹坑(divot)深度對(duì)氧化物拋光的數(shù)據(jù)；圖34是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和/或試驗(yàn)中所用設(shè)計(jì)程序的流程圖；以及圖35a示出了根據(jù)本發(fā)明的方面因引入形貌學(xué)而減小或消除沉積硅中的氧化物接縫的結(jié)構(gòu)和工藝(與示出氧化物接縫的圖35b相比)。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造方法，特別是涉及平面腔體(例如，平坦或平面的表面)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)、制造和設(shè)計(jì)機(jī)構(gòu)的方法。有利地，形成結(jié)構(gòu)的方法降低了 MEMS結(jié)構(gòu)上的總應(yīng)力，以及降低MEMS裝置的材料變化性。在多個(gè)實(shí)施例中，形成平面(例如，平坦或平面的表面)MEMS裝置的結(jié)構(gòu)和方法采用犧牲層來(lái)形成與MEMS梁相鄰的腔體。 在另外的實(shí)施例中，采用反向鑲嵌工藝形成兩極MEMS腔體，以形成平面(例如，平坦或平面的表面)結(jié)構(gòu)。除其它裝置之外，本發(fā)明的MEMS結(jié)構(gòu)例如可用作單或雙導(dǎo)線梁接觸開(kāi)關(guān)、 雙導(dǎo)線梁電容器開(kāi)關(guān)或者單雙導(dǎo)線梁氣隙感應(yīng)器。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的起始結(jié)構(gòu)和相關(guān)的處理步驟。接下來(lái)的幾個(gè)段落中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)是MEMS電容器開(kāi)關(guān)，雖然所述方法和結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于其它的MEMS開(kāi)關(guān)，例如不采用MEMS電容器電介質(zhì)的歐姆接觸開(kāi)關(guān)；MEMS加速計(jì)；等等。該結(jié)構(gòu)例如包括襯底10。 在實(shí)施例中，襯底10可以是裝置的任何一層。在實(shí)施例中，襯底10是硅晶片，涂有二氧化硅或者本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的其它絕緣材料。在襯底10內(nèi)配備有互連12。互連12例如可以是在傳統(tǒng)形成的通孔(via)中形成的鎢或銅間柱(stud)。例如，互連12可以采用本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知用于形成間柱例如鑲嵌的任何傳統(tǒng)的光刻、蝕刻和沉積工藝形成?；ミB 12可以接觸其它布線級(jí)、CMOS晶體管或者其它有源器件、無(wú)源器件等，如現(xiàn)有技術(shù)所知。在圖2中，布線層形成在襯底10上，以采用傳統(tǒng)的沉積和圖案化工藝形成多個(gè)導(dǎo)線14。例如，布線層可以沉積在襯底上達(dá)到約0.05至4微米的深度；然而其它的尺寸也被本發(fā)明所預(yù)期。在實(shí)施例中，布線層14沉積達(dá)到0.25微米的深度。然后，圖案化布線層以形成導(dǎo)線(下電極)14，導(dǎo)線14之間具有導(dǎo)線間隔(間隙)14a。在實(shí)施例中，導(dǎo)線間隔高寬比(aspect ratio)是由導(dǎo)線14的高度對(duì)導(dǎo)線間隔14a的比率決定，可能影響材料的變化性(例如，形貌)，如參考圖25更加詳細(xì)論述的。例如，1 20的低高寬比可以由50nm 高的導(dǎo)線14與IOOOnm的間隔14a形成；并且1 1的高高寬比可以由500nm高的導(dǎo)線與 500nm的間隔形成。這些高寬比值僅為參考，且如這里所論述，犧牲膜18 (圖3)的保形性決定了需要怎樣的導(dǎo)線間隔高寬比。 至少一個(gè)導(dǎo)線14與互連12接觸(直接電接觸)。在實(shí)施例中，導(dǎo)線14可以由鋁或鋁合金形成，例如AlCiuAlSi或AlCuSi ；然而，其它的布線材料也被本發(fā)明所預(yù)期。除其它的布線材料之外，例如，導(dǎo)線14可以是諸如Ti、TiN、TiN, Ta、TaN和W的難熔金屬或AlCu。 在實(shí)施例中，導(dǎo)線14可以摻雜有Si，例如1%，以防止諸如Al的金屬與諸如硅的上腔體層材料反應(yīng)。在實(shí)施例中，導(dǎo)線的鋁部分可以摻雜有Cu，例如0. 5%,以增加導(dǎo)線的抗電遷移性。在實(shí)施例中，導(dǎo)線可以由純難熔金屬形成，例如TiN、W、Ta等。導(dǎo)線14的表面形貌是由原子表面粗糙度以及存在的金屬小丘決定。金屬小丘為金屬中的突起，典型地約為IOnm-IOOOnm寬和IOnm-IOOOnm高。對(duì)于上下覆有TiN的鋁布線，例如下面覆有10/20nm Ti/TiN且上面覆有30nm的TiN的200nm AlCu，典型的金屬小丘可以是50nm寬和IOOnm高。對(duì)于MEMS電容器，其中導(dǎo)線14涂有電介質(zhì)，并且用作下電容器板，小丘的存在或者原子表面粗糙度的高值降低了電容密度，因?yàn)橛蒑EMS梁形成的上電容器板不能緊密接觸由導(dǎo)線14形成的下電容器板。

表面粗糙度可以采用原子力顯微鏡(AFM)或者光學(xué)輪廓儀(optical profiler) 來(lái)測(cè)量，并且存在幾種已知的方法可用于測(cè)量和量化小丘的寬度和高度。在實(shí)施例中，通過(guò)采用典型范圍為1至10，000平方微米的導(dǎo)線區(qū)域的AFM測(cè)量最小到最大高度，并且通過(guò)計(jì)算帶有或不帶有小丘的區(qū)域中均方根(RMS)粗糙度來(lái)測(cè)量表面粗糙度，將小丘量化。在一個(gè)實(shí)施例中，表面粗糙度為沒(méi)有可見(jiàn)小丘的2 μ m2面積的RMS粗糙度。表1總結(jié)了采用AFM測(cè)量的各種導(dǎo)線材料的金屬小丘和表面粗糙度數(shù)據(jù)。均方根 (RMS)粗糙度是在沒(méi)有可見(jiàn)金屬小丘的區(qū)域中在約2 μ m2面積內(nèi)測(cè)量的。最大峰-谷小丘值是在約10，000 μ m2面積內(nèi)測(cè)量的。純難熔金屬導(dǎo)線方案至今具有最低的粗糙度和小丘， 但是具有最高的阻抗。帶AlCu的導(dǎo)線與純難熔金屬導(dǎo)線相比具有較低的阻抗，但是具有更高的粗糙度和小丘。在圖案化之前或之后，在AlCu的下面和上面增加足夠的Ti并且使晶片在350°C至450°C退火足夠時(shí)間以形成TiAl3硅化物，即在400°C退火一小時(shí)，顯著地減小小丘最小到最大高度，同時(shí)略微增加RMS表面粗糙度，這是因?yàn)闇p小了鋁的體積。在示范性實(shí)施例中，導(dǎo)線14在圖案化后被退火，并且被蝕刻，以減少TiAl3引起的金屬蝕刻問(wèn)題。AlCu 的下面和上面較薄的Ti，例如5nm，在小丘 的減小上作用最小或者沒(méi)有作用；然而，IOnm和 15nm的Ti顯著地減小小丘且效果等同。當(dāng)Ti與鋁反應(yīng)而形成TiAl3時(shí)，鋁(例如，AlCu) 的厚度以大約3 1的方式減少；即每IOnm的Ti，消耗30nm的鋁而形成11々13;并且在導(dǎo)線中總是留下一些沒(méi)有反應(yīng)的AlCu，Ti AlCu厚度比需要小于1 3，其中Ti厚度包括 AlCu下面和上面的層。這意味著，為了優(yōu)化小丘的減少和導(dǎo)線阻抗，考慮Ti和AlCu關(guān)于沉積厚度的變化性，如此沉積的Ti厚度范圍應(yīng)當(dāng)為大于如此沉積的AlCu厚度的5%而小于如此沉積的AlCu厚度的25%。表 權(quán)利要求
1.一種形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)的方法，包括圖案化布線層以形成至少一個(gè)固定板；在該布線層上形成犧牲材料；在該至少一個(gè)固定板上以及下方襯底的暴露部分上，形成一個(gè)或多個(gè)膜的絕緣體層， 以防止在該布線層和該犧牲材料之間形成反應(yīng)產(chǎn)物；在該至少一個(gè)固定板上形成可移動(dòng)的至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)梁；以及排出或剝?nèi)ピ摖奚牧弦孕纬芍辽俚谝磺惑w。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該反應(yīng)產(chǎn)物是硅化鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該至少一個(gè)固定板上的該絕緣體層用于阻擋該至少一個(gè)固定板的材料和該犧牲材料反應(yīng)、合金化或者相互擴(kuò)散。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該犧牲材料是硅，該至少一個(gè)固定板包含鋁，并且該絕緣體層提供該至少一個(gè)固定板的鋁的覆蓋。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該布線層以一層或多層形成，從而相對(duì)于該一層或多層的最頂層形成底切，并且該絕緣體層采用保形沉積工藝形成，以在該布線層的頂表面、 側(cè)表面和底表面提供接近均勻的絕緣體厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該一層或多層包括在上TiN/TiAl3層之下的AlCu。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層以正錐形外形形成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該絕緣體層采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝形成。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該一個(gè)或多個(gè)膜的絕緣體層通過(guò)具有至少一個(gè)蝕刻工藝的沉積工藝、蝕刻工藝和沉積工藝形成。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在該至少一個(gè)固定板的拐角上使該絕緣體層錐形化，以減少或消除空隙。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層保形地沉積在該布線層上。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層是通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、亞常壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或低壓化學(xué)氣相沉積中的一種或多種沉積的氧化物。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層是保形阻擋物，包括Al2O3Ja2O5或者二者的組合。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層包括原子層沉積氧化鋁和隨后的高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中跟隨該高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物之后是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氧化物。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物和隨后的原子層沉積氧化鋁。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層包括快速沉積SiO2和慢速沉積氧化鋁的組合。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層在與鋁布線兼容的溫度下沉積。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣體層形成微機(jī)電系統(tǒng)電容器電介質(zhì)的部分或全部。
20.一種形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)的方法，包括圖案化包含鋁的布線層，以在襯底上形成至少一個(gè)固定板； 在該至少一個(gè)固定板上沉積該至少一個(gè)固定板上方的電介質(zhì)層； 在該電介質(zhì)層的頂部上以及該至少一個(gè)固定板上沉積犧牲硅層，其中在該犧牲硅層沉積期間該電介質(zhì)層阻擋鋁和該犧牲硅層的反應(yīng)、合金化或相互擴(kuò)散； 在該至少一個(gè)固定板上形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)梁；以及排出或剝?nèi)ピ摖奚鑼右孕纬芍辽俚谝磺惑w。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該電介質(zhì)層保形地覆蓋該至少一個(gè)固定板。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該電介質(zhì)層在該至少一個(gè)固定板的側(cè)壁上提供鋁的覆蓋。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中該電介質(zhì)層包括在該至少一個(gè)固定板上的錐形邊緣。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該電介質(zhì)層的沉積包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、亞常壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或低壓化學(xué)氣相沉積中的一種或多種。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該電介質(zhì)層是保形阻擋物，包括A1203、Ta2O5或二者的組合。
26.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該電介質(zhì)層包括以下之一原子層沉積氧化鋁和隨后的高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物和隨后的原子層沉積氧化鋁。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中跟隨高密度等離子體化學(xué)氣相沉積氧化物之后是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氧化物。
28.—種結(jié)構(gòu)，包括具有至少一個(gè)固定板的下腔室；絕緣體層，覆蓋該至少一個(gè)固定板，該絕緣體層構(gòu)造為防止與犧牲材料沉積形成硅化鋁；以及該至少一個(gè)固定板上的可移動(dòng)的至少一個(gè)上微機(jī)電系統(tǒng)梁。
29.一種在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中產(chǎn)生微機(jī)電系統(tǒng)功能設(shè)計(jì)模型的方法，該方法包括產(chǎn)生形成至少一個(gè)固定板的布線層的功能表示；產(chǎn)生絕緣體層位于該至少一個(gè)固定板上以及下方襯底的暴露部分上以在后續(xù)犧牲材料沉積步驟期間防止形成硅化鋁的功能表示；產(chǎn)生該至少一個(gè)固定板上的至少一個(gè)上微機(jī)電系統(tǒng)梁的功能表示；以及產(chǎn)生排出或剝?nèi)ピ摖奚牧弦孕纬芍辽傧虑惑w的功能表示，其中，產(chǎn)生絕緣體層位于該至少一個(gè)固定板上的功能表示包括保形氧化阻擋層包括 Al2O3和Ta2O5至少之一的功能表示。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種平面腔體微機(jī)電系統(tǒng)及相關(guān)結(jié)構(gòu)、制造和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的方法。一種形成至少一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的方法包括圖案化布線層以形成至少一個(gè)固定板，以及在該布線層上形成犧牲材料。該方法還包括在至少一個(gè)固定板上和下方襯底的暴露部分上形成一個(gè)或多個(gè)膜的絕緣層以防止形成該布線層和犧牲材料之間的反應(yīng)產(chǎn)物。該方法還包括在至少一個(gè)固定板上形成可移動(dòng)的至少一個(gè)MEMS梁。該方法還包括排出或剝?nèi)ピ摖奚牧弦孕纬芍辽俚谝磺惑w。
文檔編號(hào)B81C99/00GK102295265SQ20111017458
公開(kāi)日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月25日
發(fā)明者安東尼.K.斯坦珀, 約翰.G.通布利 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司