專利名稱：Cmc構(gòu)件、功率發(fā)生系統(tǒng)和形成cmc構(gòu)件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體涉及功率發(fā)生系統(tǒng)，并且更具體而言，涉及用于功率發(fā)生系統(tǒng)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件。
背景技術(shù)：
已經(jīng)提出基于碳化硅(SiC)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合(CMC)材料作為燃?xì)廨啓C(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)的某些構(gòu)件(諸如渦輪葉片和導(dǎo)葉)的材料。已知用于制造基于SiC的CMC構(gòu)件的多種方法，包括熔滲(MI)、化學(xué)氣相滲透(CVI)和聚合物熱解(PIP)工藝。雖然這些制造技術(shù)彼此有顯著的不同，但是各自都包括使用工具或模具，以通過包括在多種處理階段應(yīng)用熱的工藝來產(chǎn)生近凈形狀的部件。如同由較傳統(tǒng)的超合金材料形成的渦輪葉片和導(dǎo)葉一樣，CMC葉片和導(dǎo)葉主要配備有腔體和冷卻通道，這有兩個(gè)主要原因，其一是為了降低重量，降低重量會(huì)減小離心載荷，而其二是降低它們的運(yùn)行溫度。使用可移除且易耗的工具的組合來使這些特征典型地形成于CMC構(gòu)件中。典型地使用在大多數(shù)情況下可再次使用的可移除的工具來形成空心的CMC構(gòu)件的外部輪廓。也可使用可移除的工具來形成內(nèi)部腔體，但是傳統(tǒng)的硅石(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)芯體廣泛地與也已經(jīng)使用過的熔模鑄造法一起使用。硅石和氧化鋁芯體需要用浸出化合物(其包括鹽、氟化氫(HF)和堿金屬，諸如氫氧化鈉(NaOH)和氫氧化鉀(KOH)來移除。在一些情況下，金屬熔模鑄件的暴露表面涂有掩
蔽材料，以防止浸出化合物造成表面侵蝕-由于存在芯體的原因，不能掩蔽鑄件的內(nèi)表
面。 因此，鑄件的關(guān)鍵的外表面得到保護(hù)，而不那么關(guān)鍵的內(nèi)表面則會(huì)經(jīng)受浸出化合物的輕微侵蝕。但是，在傳統(tǒng)上用來從熔模鑄件中移除硅石芯體的浸出化合物會(huì)劇烈地侵蝕許多CMC材料，而且特別是包含硅和硼(典型地分別呈SiC和氮化硼(BN)的形式)的那些。因此，從易于被浸出化合物侵蝕的CMC構(gòu)件中移除硅石芯體的嘗試會(huì)使構(gòu)件的內(nèi)表面遭受無法接受的侵蝕，這會(huì)降低CMC構(gòu)件的結(jié)構(gòu)完整性。因此，一種沒有以上缺陷的CMC構(gòu)件和形成用于功率發(fā)生系統(tǒng)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合物的方法在本領(lǐng)域中是合乎需要的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，提供一種用于功率發(fā)生系統(tǒng)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合(CMC)構(gòu)件。該CMC構(gòu)件包括陶瓷泡沫芯體和包圍陶瓷泡沫芯體的至少一部分的陶瓷基質(zhì)復(fù)合(CMC)材料。陶瓷泡沫芯體在構(gòu)件的運(yùn)行期間保持就位。根據(jù)本公開的另一個(gè)示例性實(shí)施例，提供一種功率發(fā)生系統(tǒng)。該功率發(fā)生系統(tǒng)包括渦輪葉片。渦輪葉片包括陶瓷泡沫芯體和包圍陶瓷泡沫芯體的至少一部分的陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料。陶瓷泡沫芯體在功率發(fā)生系統(tǒng)中的構(gòu)件的運(yùn)行期間保持就位。根據(jù)本公開的另一個(gè)示例性實(shí)施例，提供一種形成陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件的方法。該方法包括提供陶瓷泡沫芯體，陶瓷泡沫芯體材料具有預(yù)定幾何構(gòu)造。該方法包括對(duì)陶瓷泡沫芯體應(yīng)用增強(qiáng)層。該方法包括用基質(zhì)材料浸潰增強(qiáng)層。該方法包括使陶瓷泡沫芯體、增強(qiáng)層和基質(zhì)材料固化，以形成陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件。根據(jù)結(jié)合附圖得到的優(yōu)選實(shí)施例的以下更加詳細(xì)的描述，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，附圖以示例的方式示出了本發(fā)明的原理。


圖1是本公開的功率發(fā)生系統(tǒng)的示意圖。圖2是具有本公開的陶瓷泡沫芯體的組裝好的構(gòu)件的透視圖。圖3是本公開的構(gòu)件的沿著圖2的線2-2的橫截面圖。圖4是本公開的經(jīng)預(yù)處理的構(gòu)件的放大視圖。圖5是在加工之前的、包括陶瓷泡沫芯體的預(yù)成形CMC構(gòu)件的分解圖。圖6顯示了用來制造葉片組件的工具的示例性實(shí)施例的透視圖。圖7是形成本公開的構(gòu)件的方法的流程圖。在可能的情況下，將在所有圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來表示相同部件。部件列表
10功率發(fā)生系統(tǒng)
12壓縮機(jī)區(qū)段
14燃燒器區(qū)段
16渦輪區(qū)段
18固定翼型件
20葉片
22盤
24轉(zhuǎn)子
26葉片尖部
28導(dǎo)葉托架
30內(nèi)周緣表面
32壓力側(cè)預(yù)成形件
34吸力側(cè)預(yù)成形件
100CMC構(gòu)件
120陶瓷泡沫芯體
122陶瓷泡沫芯體的外部
124陶瓷泡沫芯體中的氣穴/腔體
130CMC材料-陶瓷基質(zhì)復(fù)合物
132增強(qiáng)纖維
133增強(qiáng)層
134基質(zhì)材料(陶瓷基質(zhì))
136層壓層/多個(gè)片層
138中間層(應(yīng)用于陶瓷泡沫芯體的可選的額外的CMC層壓層)
150后緣152前緣 156桿部分 160側(cè)壁 500預(yù)成形構(gòu)件。
具體實(shí)施例方式提供的是沒有現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷的CMC構(gòu)件、功率發(fā)生系統(tǒng)和形成CMC構(gòu)件的方法。根據(jù)本公開的CMC構(gòu)件最大程度地減少或消除CMC材料屬性和制造約束的限制性方面，并且改進(jìn)機(jī)械載荷能力。在圖2和3中顯示了本公開的實(shí)施例，但是本公開不限于示出的結(jié)構(gòu)。功率發(fā)生系統(tǒng)包括(但不限于)燃?xì)廨啓C(jī)、蒸汽輪機(jī)和其它渦輪組件。 圖1顯示了功率發(fā)生系統(tǒng)10的示例，即燃?xì)廨啓C(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)，其具有壓縮機(jī)區(qū)段12、燃燒器區(qū)段14和渦輪區(qū)段16。在渦輪區(qū)段16中，存在成交錯(cuò)的排的固定翼型件18 (通常稱為導(dǎo)葉)和旋轉(zhuǎn)翼型件20 (通常稱為葉片)。各排葉片20由多個(gè)翼型件20形成，翼型件20附連到設(shè)置在轉(zhuǎn)子24上的22盤上。葉片20可從盤22沿徑向向外延伸，并且在稱為葉片尖部26的區(qū)域中終止。通過將多個(gè)導(dǎo)葉18附連到導(dǎo)葉托架28上來形成各排導(dǎo)葉18。導(dǎo)葉18可從導(dǎo)葉托架28的內(nèi)周緣表面30沿徑向向內(nèi)延伸。導(dǎo)葉托架28附連到外殼32上，外殼32封閉發(fā)動(dòng)機(jī)10的渦輪區(qū)段16。在功率發(fā)生系統(tǒng)10的運(yùn)行期間，高溫且高速的氣體流過渦輪區(qū)段16中的成排的導(dǎo)葉18和葉片20。圖2是加工之后的功率發(fā)生系統(tǒng)10的陶瓷基質(zhì)復(fù)合(CMC)構(gòu)件100的透視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)件100是(但不限于)燃?xì)廨啓C(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)構(gòu)件，其包括燃燒器構(gòu)件、高壓渦輪導(dǎo)葉和葉片，以及其它熱區(qū)段構(gòu)件，諸如(但不限于)翼型件、導(dǎo)葉、陶瓷殼護(hù)罩和噴嘴應(yīng)用。如圖2-3中顯示的，CMC構(gòu)件100是葉片20。構(gòu)件100包括陶瓷泡沫芯體120和包圍陶瓷泡沫芯體120的至少一部分的陶瓷基質(zhì)復(fù)合(CMC)材料130。陶瓷泡沫芯體120在功率發(fā)生系統(tǒng)10中的CMC構(gòu)件100的運(yùn)行期間保持就位。陶瓷泡沫芯體120由能經(jīng)受住CMC固化過程的材料形成，并且成為最終CMC構(gòu)件100的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，用于陶瓷泡沫芯體120的材料包括(但不限于)莫來石、硅石、氧化鋯、鋯石及它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用模子用碳化硅(SiC)或硼化硅(SiB)材料來構(gòu)建陶瓷泡沫芯體120。模子為陶瓷泡沫芯體120提供期望的幾何構(gòu)造。陶瓷泡沫芯體120是開孔泡沫芯體或閉孔泡沫芯體。CMC構(gòu)件100包括基于氧化物的CMC，諸如可從加利福尼亞圣地亞哥的COI陶瓷公司獲得的AN-720 (基于氧化物-氧化物)，或者混合氧化物CMC材料，諸如美國專利No.6，733,907中公開的一種，該專利通過引用而以其整體結(jié)合在本文中。如圖3中顯示的那樣，構(gòu)件100是具有前緣152、后緣150和桿部分156的葉片20。葉片20的CMC材料130包圍陶瓷泡沫芯體120的至少一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，CMC材料130完全包圍陶瓷泡沫芯體120。CMC材料130的側(cè)壁160在陶瓷泡沫芯體120附近，并且大體由陶瓷泡沫芯體120連結(jié)(參見圖4)。通過形成整體式CMC構(gòu)件100，陶瓷泡沫芯體120對(duì)CMC構(gòu)件100提供額外的硬度或穩(wěn)定性。另外，陶瓷泡沫芯體120提供改進(jìn)的振動(dòng)屬性。
在一個(gè)實(shí)施例中，陶瓷泡沫芯體120在制造CMC構(gòu)件100時(shí)起心軸的作用。陶瓷泡沫芯體120接收增強(qiáng)纖維132，或者被增強(qiáng)纖維132包裹。增強(qiáng)纖維132布置和設(shè)置成形成葉片20。增強(qiáng)纖維132包括以單軸向或雙軸向定向的材料以及一般的材料，諸如(但不限于)以四軸向定向的材料、無摺皺的織物(NCF)、砍碎的繩墊和編織織物。如圖4中顯示的那樣，提供CMC材料130的一個(gè)實(shí)施例使用被基質(zhì)材料134浸潰且被進(jìn)一步加工而形成CMC材料130的增強(qiáng)纖維132。在備選實(shí)施例中，CMC材料130由預(yù)浸潰的CMC材料構(gòu)建而成。如圖4中的放大視圖所顯示的那樣，CMC構(gòu)件100的經(jīng)預(yù)處理的CMC材料130包括陶瓷基質(zhì)134和在基質(zhì)134內(nèi)的包括多個(gè)增強(qiáng)纖維132 (在圖4中顯示了僅幾個(gè)纖維，以有利于論述)的至少一個(gè)增強(qiáng)層133，以及應(yīng)用于陶瓷泡沫芯體120的可選的中間層138。中間層138是由CMC片層構(gòu)建而成的層壓層。增強(qiáng)纖維132選自諸如金屬纖維、陶瓷纖維、碳纖維及它們的組合的材料。另外，如圖4中顯示的那樣，在應(yīng)用多個(gè)增強(qiáng)纖維132之前，CMC材料130可以可選地包括應(yīng)用于陶瓷泡沫芯體120的中間層138。CMC材料130包括任何適當(dāng)?shù)睦w維體系結(jié)構(gòu)。CMC130的增強(qiáng)纖維132可定向成提供期望的強(qiáng)度屬性。例如，增強(qiáng)纖維132可定向成提供各向異性、正交各向異性或面內(nèi)各向同性屬性。在一個(gè)實(shí)施例中，增強(qiáng)纖維132可布置成相對(duì)于彼此基本90度，諸如0-90度定向或+/-45度定向。增強(qiáng)纖維132也可設(shè)置在多個(gè)層或?qū)訅浩瑢?36中。在一個(gè)實(shí)施例中，在應(yīng)用之前預(yù)先浸潰增強(qiáng)纖維132。陶瓷基質(zhì)134是選自諸如Sic、SiN, SiB及它們的組合的材料
在一個(gè)實(shí)施例中，使用傳統(tǒng)的陶瓷基質(zhì)材料處理來得到CMC構(gòu)件100。在處理期間，陶瓷泡沫芯體120不會(huì)從CMC構(gòu)件100中熔出。即使在燃燒或剛性化循環(huán)之后，陶瓷泡沫芯體120也繼續(xù)存在。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)陶瓷泡沫芯體120使用高溫CMC SiC泡沫。在燒盡循環(huán)期間，即在將預(yù)成形構(gòu)件500 (參見圖4-5)置于處于預(yù)先設(shè)定的溫度處的烤箱中以去除CMC材料130中的所有粘合劑(揮發(fā)性氣體)而形成CMC構(gòu)件100時(shí)，CMC材料130 (或預(yù)成形部件32和34)和陶瓷泡沫芯體120兩者均經(jīng)受燒掉所有揮發(fā)性物質(zhì)(諸如硅)的過渡階段。在燒盡階段或循環(huán)之后，產(chǎn)生的CMC構(gòu)件100具有主要包括碳的CMC材料130和陶瓷泡沫芯體120。陶瓷泡沫芯體120位于CMC材料130的側(cè)壁160之間。產(chǎn)生的CMC構(gòu)件100 (其包括CMC材料130和陶瓷泡沫芯體120兩者)包括具有烤面包片狀的紋理或結(jié)構(gòu)的易碎的多孔碳材料。如圖5中顯示的那樣，在備選實(shí)施例中，使用預(yù)成形CMC構(gòu)件500來形成CMC構(gòu)件100。預(yù)成形CMC構(gòu)件500 (在這里是經(jīng)預(yù)處理的葉片20)由包圍陶瓷泡沫芯體120的壓力側(cè)部件32和吸力側(cè)部件34形成。使用呈不同組合和厚度(這取決于待生產(chǎn)的構(gòu)件)的CMC片層的層壓序列來產(chǎn)生用來產(chǎn)生部件32和34的CMC材料130。另外，部件32和34包括必要的強(qiáng)度特性，這取決于最終構(gòu)件100的結(jié)構(gòu)。部件32和34可包括在部件的外側(cè)上的最終基質(zhì)片層。如圖6中顯示的那樣，可使用工具200來制造包括被壓力側(cè)預(yù)成形件32和吸力側(cè)預(yù)成形件34包圍的陶瓷泡沫芯體120的CMC構(gòu)件100。使預(yù)成形葉片20 (諸如圖5中的一個(gè))位于或鋪疊在工具200中，以使復(fù)合物剛性化或密實(shí)。大體上，工具200包括構(gòu)造成鄰接彼此且緊固在一起的第一組相反的側(cè)部202、204。如所顯示的那樣，可將側(cè)部202、204布置成構(gòu)件100的模子或用于保持葉片代用品的區(qū)段。側(cè)部202、204可包括設(shè)計(jì)成容許將葉片10制造成期望的形狀的第一鋪疊表面206。工具200進(jìn)一步包括構(gòu)造成分別在翼型件和鳩尾上(或者，在備選實(shí)施例中，在葉片代用品上)提供壓力的第二組相反的側(cè)部208、210。工具200可包括鳩尾模具212和/或橋214，或者用以提供用于鋪疊預(yù)成形材料(諸如陶瓷纖維材料)的可選擇性地構(gòu)造的表面的其它結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，鳩尾模具212可進(jìn)一步限定鋪疊表面，例如第一鋪疊表面。在另一個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)待共同剛性化的翼型件和鳩尾預(yù)成形以及一體式平臺(tái)預(yù)成形件來構(gòu)造鳩尾模具212。接下來，使用熔滲(MI)工藝來完成CMC構(gòu)件100的構(gòu)建。使用芯吸、澆口或其它適當(dāng)?shù)墓に噥硎古鸹璨牧?諸如四硼化物(SiB4)、六硼化硅(SiB6)或它們的組合)熔融到包括陶瓷泡沫芯體1 20和CMC材料120的CMC構(gòu)件100中。在MI工藝期間，硼化硅材料被毛細(xì)吸收作用吸收到存在于CMC構(gòu)件100和陶瓷泡沫芯體120中的所有碳腔體中。在圖7中顯示了形成陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件100的方法700。方法700包括提供陶瓷泡沫芯體120，即步驟702 (參見圖2)。在一個(gè)實(shí)施例中，陶瓷泡沫芯體120具有預(yù)定幾何構(gòu)造，并且用作用于形成構(gòu)件100的心軸。接下來，可選地，對(duì)陶瓷泡沫芯體120應(yīng)用中間層138或CMC層壓層，即步驟704(參見圖4)。接下來，通過用壓力側(cè)預(yù)成形件32和吸力側(cè)預(yù)成形件34包圍陶瓷泡沫芯體120來在工具200中組裝CMC預(yù)成形500 (參見圖6)，即步驟706 (參見圖5-6)。備選地，在工具200中對(duì)陶瓷泡沫芯體120應(yīng)用多個(gè)增強(qiáng)層133，即步驟706(參見圖4和6)，以得到期望的預(yù)成形構(gòu)件形狀。在一個(gè)實(shí)施例中，用基質(zhì)材料134浸潰增強(qiáng)層133，或者在應(yīng)用之前預(yù)先浸潰纖維。接下來，可選地使用工具200來對(duì)包括陶瓷泡沫芯體120的預(yù)成形構(gòu)件500進(jìn)行高壓處理，即步驟708。接下來，使包括陶瓷泡沫芯體120的預(yù)成形構(gòu)件500在適當(dāng)?shù)臏囟忍幑袒?，諸如(但不限于)大約2700 T至大約3400 0F，或者備選地大約2750 °F至大約3300 0F，或者備選地大約2800 °F至大約3200 0F，即步驟710。固化會(huì)使預(yù)成形構(gòu)件500和陶瓷泡沫芯體120剛性化，并且燒掉多余的有機(jī)材料，而留下具有幾乎烤面包片狀的紋理或結(jié)構(gòu)以及具有構(gòu)件100的一般的期望形狀的易碎的多孔碳材料。接下來，通過使用利用硼化硅材料的熔滲或其它適當(dāng)?shù)男疚夹g(shù)來使預(yù)成形構(gòu)件和陶瓷泡沫芯體120密實(shí)，以形成CMC構(gòu)件100，即步驟712 (參見圖2)。本公開的實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)包括一種不需要與形成CMC構(gòu)件相關(guān)聯(lián)的額外的移除步驟和清潔步驟的方法。本公開的實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)包括一種消除清潔和再熔化在形成CMC構(gòu)件時(shí)使用的心軸的方法。本公開的實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，構(gòu)件在保持重量輕和空心的同時(shí)，容許構(gòu)件的內(nèi)部腔體有氣體流或加壓。本公開的實(shí)施例的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，構(gòu)件具有提供完整的整體式結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的統(tǒng)一側(cè)壁，從而在重量減小的情況下類似于實(shí)心CMC葉片而改進(jìn)振動(dòng)和硬度。本公開的實(shí)施例的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，其減少層壓層建立時(shí)間和片層組裝，從而降低成本。本公開的實(shí)施例的又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于CMC葉片重量減小以及離心載荷降低，從而允許接收CMC葉片的轉(zhuǎn)子的大小和重量減小。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)包括葉片重量與實(shí)心的單塊式構(gòu)件相比有所減小。
本公開的實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，構(gòu)件與空心的CMC構(gòu)件相比具有改進(jìn)的硬度屬性。雖然參照優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下做出多種改變，而且等效物可代替本發(fā)明的元件。另外，可在不偏離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍的情況下作出許多改良，以使具體情況或材料適于本發(fā)明的教導(dǎo)。因此，意圖的是本發(fā)明不限于被公開為為了執(zhí)行本發(fā)明而構(gòu)想的最佳模式的特定實(shí)施例，相反，本發(fā)明將包括落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于功率發(fā)生系統(tǒng)(10)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，包括 陶瓷泡沫芯體(120);以及 包圍所述陶瓷泡沫芯體(120)的至少一部分的陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(130)，其中，所述陶瓷泡沫芯體(120)在所述構(gòu)件(100)的運(yùn)行期間保持就位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，所述陶瓷泡沫芯體(120)包括選自氧化鋁、莫來石、硅石、氧化鋯、鋯石、碳化硅、硼化硅及它們的組合的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，所述陶瓷泡沫芯體(120)選自開孔泡沫或閉孔泡沫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，陶瓷基質(zhì)復(fù)合(100)包括至少一個(gè)增強(qiáng)纖維(132)和基質(zhì)材料(134)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，所述至少一個(gè)增強(qiáng)纖維(132)包括選自金屬纖維、陶瓷纖維、碳纖維及它們的組合的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，所述基質(zhì)材料(134)選自SiC、SiN及它們的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)，其特征在于，中間層(138)在所述陶瓷泡沫芯體(120)附近，并且在所述陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(130)附近。
8.一種形成陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)的方法(700)，包括 提供陶瓷泡沫芯體(120)，所述陶瓷泡沫芯體(120)具有預(yù)定幾何構(gòu)造； 組裝包括所述陶瓷泡沫芯體(120)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)預(yù)成形件； 使所述陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)預(yù)成形件和陶瓷泡沫芯體(120)固化； 滲透固化的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)預(yù)成形件和陶瓷泡沫芯體(120)，以形成所述陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，提供陶瓷泡沫芯體(120)的步驟包括對(duì)所述陶瓷泡沫芯體(120)添加中間層(138)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，使用具有期望的幾何構(gòu)造的模子來形成所述芯體(120)。
全文摘要
本發(fā)明涉及CMC構(gòu)件、功率發(fā)生系統(tǒng)和形成CMC構(gòu)件的方法。一種用于功率發(fā)生系統(tǒng)(10)的陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)包括陶瓷泡沫芯體(120)和包圍陶瓷泡沫芯體(120)的至少一部分的陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(130)。陶瓷泡沫芯體(120)在功率發(fā)生系統(tǒng)(10)中的構(gòu)件(100)的運(yùn)行期間保持就位。另外，提供一種形成陶瓷基質(zhì)復(fù)合構(gòu)件(100)的方法(700)。
文檔編號(hào)F01D9/02GK103030416SQ20121036898
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月4日
發(fā)明者P.德迪戈 申請(qǐng)人:通用電氣公司