一種熔融霧化系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種熔融霧化系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括依次連接的儲料桶、輸送給料機(jī)、熔化爐、霧化罐和篩分機(jī)構(gòu)，熔化爐內(nèi)設(shè)有快速熔化裝置和霧化中間包爐，霧化罐內(nèi)設(shè)有霧化盤，霧化中間包爐通過導(dǎo)流管與霧化盤連接，篩分機(jī)構(gòu)內(nèi)置有篩網(wǎng)，篩分機(jī)構(gòu)底部通過管路與成品包裝機(jī)相連，該段管路上設(shè)有粉末出料閥，篩網(wǎng)上方通過收集管路與粗粉收集罐。熔化爐先將氯化亞銅原料快速熔化，然后通過霧化中間包爐升溫、保溫，熔融液體供連續(xù)霧化。本實用新型可以實現(xiàn)球形氯化亞銅粉末的連續(xù)化工業(yè)生產(chǎn)，CuCl粉末球形度好，粒度十分集中、顆粒分散性好、催化活性好、催化質(zhì)量一致性高。
【專利說明】
-種膝融霧化系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實用新型設(shè)及一種球形無機(jī)鹽粉末生產(chǎn)方法，特別設(shè)及一種烙融霧化系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)合成工業(yè)中氯化亞銅是應(yīng)用極為廣泛的一種催化劑，在其催化作用下能夠生 產(chǎn)多種有機(jī)化工產(chǎn)品，如乙締基乙烘，一氯下二締，丙締臘，甲基氯硅烷等，特別是有機(jī)娃工 業(yè)生產(chǎn)甲基氯硅烷混合單體時，幾乎為必用催化劑。石油化工行業(yè)中也常用氯化亞銅用作 脫色劑，脫硫劑及脫離劑，在油脂化工行業(yè)主要用作催化劑和還原劑。
[0003] 目前，在有機(jī)娃合成工業(yè)最廣泛使用的是濕法生產(chǎn)的氯化亞銅粉末。運(yùn)種氯化亞 銅粉末催化劑主要是通過沉淀法化學(xué)反應(yīng)后經(jīng)醇洗、水洗得到的氯化亞銅晶體粉末，形狀 不規(guī)則，粉末團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重，分散性較差，易吸潮，表面徑基富集，催化副產(chǎn)品多，催化效率 較低。中國專利CN1027508C也使了運(yùn)種催化劑來合成有機(jī)娃單體。日本專利肝2002234731 描述了一種氣體霧化技術(shù)生產(chǎn)球形氯化亞銅的方法。此方法是通過將烙融氯化亞銅原料用 高壓氣體霧化成球形粉末，盡管球形氯化亞銅粉末催化特性好，但由于氣霧化制粉技術(shù)的 粉末粒度離散系數(shù)大，因此用運(yùn)種方法制備的粉體還有一些不足：1 )，霧化粉末需要后續(xù)流 程中進(jìn)行大量的粉末再分級分選，將一些過細(xì)或過粗的粉末通過分選分級后最終才得到成 品粉末，成品率較低;2)，同時氣體霧化消耗大量的霧化介質(zhì):惰性氣體，如氮?dú)?，造成能?的過度消耗;3)，由于氯化亞銅有輕微的毒性，粉末分級后大量的超細(xì)粉末導(dǎo)入沉降過濾和 堿液吸收機(jī)構(gòu)，W及大量的霧化尾氣等造成大量的環(huán)境壓力。
[0004] 在化工合成工業(yè)中，催化劑的活性往往對產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化率及產(chǎn)品品質(zhì)有較大的影 響，因此提高催化劑活性可W提高產(chǎn)品轉(zhuǎn)化率及品質(zhì)，還能減少催化劑的用量，從而顯著降 低合成產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 【實用新型內(nèi)容】
[0005] 本實用新型提供一種烙融霧化系統(tǒng)，該系統(tǒng)適用于生產(chǎn)高活性球形氯化亞銅催化 劑。
[0006] 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
[0007] -種烙融霧化系統(tǒng)，包括依次連接的儲料桶、輸送給料機(jī)、烙化爐、霧化罐和篩分 機(jī)構(gòu)，烙化爐內(nèi)設(shè)有快速烙化裝置和霧化中間包爐，霧化罐內(nèi)設(shè)有霧化盤，霧化中間包爐通 過導(dǎo)流管與霧化盤連接，篩分機(jī)構(gòu)內(nèi)置有篩網(wǎng)，篩分機(jī)構(gòu)底部通過管路與成品包裝機(jī)相連， 該段管路上設(shè)有粉末出料閥，篩網(wǎng)上方通過收集管路與粗粉收集罐。烙化爐先將氯化亞銅 原料快速烙化，然后通過霧化中間包爐升溫、保溫，烙融液體供連續(xù)霧化。
[000引作為優(yōu)選，快速烙化裝置和霧化中間包爐是兩個獨(dú)立的爐子，或是含有兩部分加 熱、共用一個爐體的爐子;篩分機(jī)構(gòu)是一臺外部篩分機(jī)，或者是安裝在霧化罐末端或霧化罐 內(nèi)的內(nèi)置篩分機(jī)。
[0009]作為優(yōu)選，霧化罐內(nèi)安裝有光照系統(tǒng)，光照系統(tǒng)向正在霧化的粉末照射可見光，進(jìn) 一步促使CuCl粉末顆粒表面氧化亞銅膜的生成。在有氧的環(huán)境中，當(dāng)被霧化的氯化亞銅液 滴或固體顆粒受到光照時，可W進(jìn)一步誘發(fā)CuCl顆粒中氧化亞銅膜的生成，控制氯化亞銅 催化劑顆粒的表面活性。作為優(yōu)選，在霧化時向霧化罐注入IOOW~3KW的光照，在極短時間 內(nèi)加強(qiáng)復(fù)合化Cl催化劑生成。
[0010] 作為優(yōu)選，霧化罐配置冷卻機(jī)構(gòu)，所述的冷卻機(jī)構(gòu)是在霧化罐壁上設(shè)置的內(nèi)部容 納冷卻介質(zhì)的雙層結(jié)構(gòu)，或者是在霧化罐的罐體內(nèi)設(shè)置的盤管，或是運(yùn)兩種結(jié)構(gòu)的組合。冷 卻機(jī)構(gòu)內(nèi)可W用低溫的水、或其他冷媒如液氨、氣里昂等一種或多種組合。
[0011] 作為優(yōu)選，霧化盤的主體材料選用石英、剛玉、氧化錯、銅、銅合金或它們的復(fù)合材 料。
[0012] 作為優(yōu)選，霧化罐外設(shè)置一個用于對霧化氣氛中氧濃度進(jìn)行控制的氣氛控制機(jī) 構(gòu)。
[0013] 為了獲取高的成品率和霧化態(tài)粉末的粒度集中性，實用新型人對所述的霧化盤的 結(jié)構(gòu)經(jīng)過特殊設(shè)計，根據(jù)烙融CuCl的表面張力、粘滯力W及和霧化盤之間的摩擦力設(shè)計霧 化液體拋射角，使液體在盤面上盡量簡單受剪切力，使霧化轉(zhuǎn)變成由盤的邊緣線速度控制 的單一霧化結(jié)果，霧化態(tài)粉末的粒度分布在中位粒徑附近十分集中，使霧化態(tài)粉末的離散 度顯著減小，霧化態(tài)粉末的成品率大幅度提高。霧化盤通過調(diào)節(jié)霧化線速度調(diào)節(jié)粉末粒度， 使生產(chǎn)系統(tǒng)在制造各種粒度的粉末的產(chǎn)品時都能獲得高的成品率。霧化盤由高速馬達(dá)帶動 轉(zhuǎn)動，高速馬達(dá)的速度在6000~4000化pm范圍內(nèi)可調(diào)，W適應(yīng)生產(chǎn)不同粒度的氯化亞銅粉 末產(chǎn)品需求。作為優(yōu)選，所述霧化盤的霧化拋射角a(垂直中屯、截面上液體在盤邊緣離開盤 的方向與水平之間的夾角，如圖2所示)為5~35度，最佳拋射角為10~25度。運(yùn)一條件可W 獲得高粒度分布集中的粉末產(chǎn)品，獲得極高的成品率，運(yùn)種產(chǎn)品的分散性好、催化活性高。 在此范圍內(nèi)，霧化態(tài)粉末的離散系數(shù)O= (084/化6)1/2從一般霧化設(shè)計的大于2降低到1.4~ 1.6,大幅度提高霧化粉末的成品率。如需不同粒度的粉末產(chǎn)品時，通過調(diào)節(jié)霧化線速度調(diào) 節(jié)產(chǎn)品粒度，而不加大霧化態(tài)粉末的離散度，仍然保持高的粉末成品率。通過運(yùn)種優(yōu)化，其 霧化態(tài)粉末產(chǎn)品的成品率可大于95%，理想運(yùn)行時達(dá)到99%，比未優(yōu)化設(shè)計時高出15~ 30%。
[0014] 作為優(yōu)選，霧化罐通入氮?dú)?、氣氣等惰性氣體作為保護(hù)氣體。霧化同時可W向霧化 罐通入干燥空氣或單質(zhì)氧氣，通過霧化罐的氣氛控制機(jī)構(gòu)實現(xiàn)霧化氣氛中氧濃度控制，氧 濃度的控制范圍為0~10%。高溫下(在化Cl烙融溫度W上條件下)在適當(dāng)氧的存在時讓體 系誘發(fā)W下反應(yīng)：
[0015] 4CuC1+1/2〇2 一 Cu2〇 巧 CuCl2 (1)
[0016] 2CuCl 一 C11CI2+CU (2)
[0017]球形CuCl粉末顆粒中適量的Cu和Cu2〇的形成，建立了CuCl材料中的復(fù)合催化反應(yīng) 體系，可W改變或提高氯化亞銅催化劑的催化活性，為有機(jī)娃單體合成的催化劑改性或提 高活性提供更多選擇。
[0018] 作為優(yōu)選，氧化亞銅的部分氧化過程采用光照的辦法，加速化Cl的氧化，提高化Cl 粉末顆粒中化2〇的含量，進(jìn)一步提高催化活性。
[0019] 作為優(yōu)選，快速烙化裝置的烙化速率是霧化速率的1.2~2倍。
[0020] 上述制備方法中氯化亞銅原料裝入儲料桶可W通過預(yù)先裝入或用風(fēng)力輸送的辦 法裝入儲料桶。
[0021] 與其他氯化亞銅粉末制備技術(shù)比較，本實用新型制得的粉末形狀為球形，具有高 催化活性;利用高速旋轉(zhuǎn)的機(jī)械式離屯、霧化而不直接采用其他霧化動力介質(zhì)，僅消耗氮?dú)?等適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)氣體，所W大幅降低能源消耗、并減輕霧化產(chǎn)生廢氣導(dǎo)致的環(huán)保壓力;進(jìn)一步 地，通過對霧化盤的特殊設(shè)計，大幅度提高霧化粉末的成品率。運(yùn)樣霧化產(chǎn)品粒度可控可 調(diào)，粉末成品率大于95%，可大幅度縮減生產(chǎn)工藝流程，降低了粉末的泄漏風(fēng)險，并進(jìn)一步 提局粉末廣品品質(zhì)。
[0022] 本實用新型可W實現(xiàn)球形氯化亞銅粉末的連續(xù)化工業(yè)生產(chǎn)，CuCl粉末球形度好， 粒度十分集中、顆粒分散性好、催化活性好、催化質(zhì)量一致性高。同時，作為工業(yè)化生產(chǎn)方 式，生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品成本低、生產(chǎn)流程簡單，有利于品質(zhì)控制、更有利于環(huán)保。
【附圖說明】
[0023] 圖1是本實用新型的金屬粉末烙融霧化系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中：
[0024] 1，儲料桶 2,輸送給料機(jī)3,烙化爐 4,快速烙化裝置
[0025] 5,霧化中間包爐6,導(dǎo)流管 7,霧化盤 8,冷卻機(jī)構(gòu)
[00%] 9,氣氛控制機(jī)構(gòu)10,霧化罐 11，篩分機(jī)構(gòu) 12,篩網(wǎng)
[0027] 13,粉末出料閥14,成品包裝機(jī)15,粗粉收集罐16,堿吸收塔
[002引17,光照系統(tǒng)；
[0029] 圖2是本實用新型的霧化盤拋射角示意圖
[0030] 圖3是本實用新型霧化化Cl粉末的光學(xué)顯微形貌照片，Xioo;
[0031 ]圖4是本實用新型制造的霧化態(tài)化Cl粒度分布圖。
【具體實施方式】
[0032] 下面通過具體實施例，并結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的具體說 明。應(yīng)當(dāng)理解，本實用新型的實施并不局限于下面的實施例，對本實用新型所做的任何形式 上的變通和/或改變都將落入本實用新型保護(hù)范圍。
[0033] 在本實用新型中，若非特指，所有的份、百分比均為重量單位，所采用的設(shè)備和原 料等均可從市場購得或是本領(lǐng)域常用的。下述實施例中的方法，如無特別說明，均為本領(lǐng)域 的常規(guī)方法。
[0034] 實施例1:
[0035] -種烙融霧化系統(tǒng)，如圖1所示，包括依次連接的儲料桶1、輸送給料機(jī)2、烙化爐3、 霧化罐10和篩分機(jī)構(gòu)11，烙化爐內(nèi)設(shè)有快速烙化裝置4和霧化中間包爐5,霧化罐10內(nèi)設(shè)有 霧化盤7,霧化中間包爐通過導(dǎo)流管6與霧化盤7連接，篩分機(jī)構(gòu)內(nèi)置有篩網(wǎng)12,篩分機(jī)構(gòu)底 部通過管路與成品包裝機(jī)14相連，該段管路上設(shè)有粉末出料閥13,篩網(wǎng)上方通過收集管路 與粗粉收集罐15。霧化罐配置冷卻機(jī)構(gòu)8,所述的冷卻機(jī)構(gòu)是在霧化罐內(nèi)壁上設(shè)置的內(nèi)部容 納冷卻介質(zhì)的雙層結(jié)構(gòu)。
[0036] 本實施例中，霧化罐呈倒錐形，霧化罐的底部與篩分機(jī)構(gòu)連通。霧化罐內(nèi)安裝有光 照系統(tǒng)17。霧化罐末端的篩分機(jī)構(gòu)11完全置于保護(hù)氣氛中，屬于內(nèi)置篩分機(jī)構(gòu)。霧化罐外設(shè) 置一個用于對霧化氣氛中氧濃度進(jìn)行控制的氣氛控制機(jī)構(gòu)。
[0037] 篩分機(jī)構(gòu)是一臺外部篩分機(jī)，或者是安裝在霧化罐末端或霧化罐內(nèi)的內(nèi)置篩分 機(jī)。
[0038] 霧化盤的主體材料可W選用石英、剛玉、氧化錯、銅等材料。特別地，本實施例中采 用的霧化盤材料為氧化錯。
[0039] 實施例2:
[0040] -種高活性球形氯化亞銅粉末的制備方法，具體步驟如下：
[0041] (1)將氯化亞銅粉末原料裝入儲料桶1，用輸送給料機(jī)2將原料輸送給烙化爐3,烙 化爐內(nèi)的快速烙化裝置4將原料迅速烙化，原料烙化后由霧化中間包爐5在435~65(TC進(jìn)行 保溫，準(zhǔn)備霧化。烙化爐烙化及原料粉末輸送在惰性氣體的保護(hù)下進(jìn)行，避免原料在烙化時 發(fā)生氧化反應(yīng)。烙化爐的烙化能力可W根據(jù)所需霧化能力大小確定。
[0042] (2)將烙融的氯化亞銅液體通過加熱的導(dǎo)流管6導(dǎo)入到霧化罐9中的霧化盤7。霧化 盤由高速馬達(dá)帶動轉(zhuǎn)動。高速旋轉(zhuǎn)的霧化盤將烙融的氯化亞銅液體霧化成球形小液滴，小 液滴然后在霧化罐內(nèi)凝固形成球形氯化亞銅粉末。
[0043] (3)霧化罐10是一個可W進(jìn)行惰性氣氛保護(hù)的罐體，其內(nèi)部設(shè)置有冷卻機(jī)構(gòu)8,其 下部是一個內(nèi)置的粉末篩分機(jī)構(gòu)11。霧化罐的罐體內(nèi)保護(hù)氣體流量一般為3~30m3A。在冷 卻機(jī)構(gòu)8的作用下，霧化粉末顆粒到達(dá)霧化罐底部時的溫度可W小于50°C，方便粉末篩分出 料。
[0044] 霧化罐內(nèi)壁噴涂耐高溫氯離子腐蝕的致密涂層如MoS2、聚四氣、搪瓷等涂層，W隔 絕氯化亞銅與器壁材料的反應(yīng)，同時延長設(shè)備壽命。設(shè)備中其他與氯化亞銅材料接觸的表 面也噴涂類似涂層。
[0045] (4)經(jīng)過冷卻的粉末，到達(dá)霧化罐底部，進(jìn)入霧化系統(tǒng)的篩分機(jī)構(gòu)11。篩分環(huán)境完 全置于霧化罐的保護(hù)氣氛中，運(yùn)樣減少了生產(chǎn)流程設(shè)置和惰性氣體消耗、提高產(chǎn)品品質(zhì)。
[0046] (5)篩分后的成品粉末通過成品包裝機(jī)14直接在生產(chǎn)線上實現(xiàn)包裝。
[0047] (6)霧化和烙化產(chǎn)生的少量尾氣用堿吸收塔16進(jìn)行無害化環(huán)保處理。
[004引實施例3:
[0049] 采用實施例1所述的系統(tǒng)進(jìn)行高活性球形氯化亞銅粉末的制備，具體過程為:首先 分別用2-4m3/h及SOm3A的氮?dú)鈱⒗踊癄t3及霧化罐10進(jìn)行氣體置換，將容器內(nèi)的氧濃度置 換到5(K)ppmW下，此后將保護(hù)氣體的流量分別降至Im3A及15m3/h。將灌裝的原料吊裝至儲 料桶1，然后使烙化爐3開始升溫。當(dāng)爐溫達(dá)到55(TC時輸送給料機(jī)2開始加料，當(dāng)霧化中間包 爐5的液位達(dá)到2/3且溫度達(dá)到500°C時，導(dǎo)流管6開始加熱，當(dāng)導(dǎo)流管溫度高于430°C時，液 體氯化亞銅開始落料霧化，霧化流量為120KGA。霧化盤7的馬達(dá)轉(zhuǎn)速為20，OOOrpm，霧化盤 水平夾角拋射角15度，采用CuCl的相容性霧化盤，冷卻機(jī)構(gòu)8采用液氨為冷卻介質(zhì)。經(jīng)過內(nèi) 置的篩分機(jī)構(gòu)11，獲得成品流量約116KG/h，成品率為96.7 %，霧化態(tài)粉末的離散系數(shù)為 1.44,中位粒徑D50為78.4WI1，成品粉末出料溫度為37°C。其余部分材料為粗料進(jìn)入粗粉收 集罐15,部分材料通過霧化尾氣導(dǎo)入堿吸收塔16進(jìn)行凈化處理。
[0050] 作為對比，在上述工藝條件下，若采用的霧化盤結(jié)構(gòu)未優(yōu)化時(拋射角3度），在霧 化態(tài)粉末的中位粒徑D50相近時，霧化態(tài)粉末的離散系數(shù)為2.1，霧化粉末的成品率為72%。
[0051] 圖3是本實施例產(chǎn)出的球形氯化亞銅形貌?？蒞看出，氯化亞銅粉末球形度很好、 顆粒大小均勻，無衛(wèi)星球。圖4是本實用新型制造的霧化態(tài)CuCl粒度分布圖，圖中可W看出， 霧化態(tài)粉末的離散系數(shù)小，粒度粉末十分集中，成品率接近100%。
[0化2] 實施例4:
[0化3] 在實施例3的基礎(chǔ)上，霧化液體流量約lOOKg/h，馬達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)整到15,000巧111，成品 粉末的中位粒徑D50細(xì)化到10祉m，霧化態(tài)粒度離散系數(shù)為1.42,成品率98%。
[0化4] 實施例5:
[0055]為了進(jìn)一步說明本實用新型的霧化拋射角重要性，本實用新型用銅制霧化盤在不 同拋射角時生產(chǎn)的CuCl粉末的離散系數(shù)結(jié)果做進(jìn)一步說明，具體結(jié)果見表1。霧化條件:烙 融化Cl溫度500°C，流量IOOKgA，霧化盤邊緣線速度23米/秒。
[0化6] 表1 「00571
[0058]所W，根據(jù)CuCl在高溫烙融條件下的表面張力、粘滯力、及霧化時液體在盤面的受 力計算設(shè)計，獲得高粒度集中比、霧化態(tài)粉末離散系數(shù)小、高成品率的霧化盤拋射角最佳值 為10~25度。
[0化9] 實施例6:
[0060] 在實施例3的基礎(chǔ)上，在霧化時向霧化罐注入3wt%濃度的氧，對所得粉末進(jìn)行成 分分析，化Cl粉體中化2〇含量為1.2wt%。
[0061] 實施例7:
[0062] 在實施例5基礎(chǔ)上，霧化時向霧化罐內(nèi)用2個500瓦的白識光，則化Cl粉體中化2〇含 量為 3.5wt%。
[0063] 實施例8:催化合成試驗
[0064] 用純凈的氯甲燒為原料做二甲基二氯硅烷的合成試驗。在一個直徑40mm、高度為 300mm的石英反應(yīng)容器中加入500克100目~50目的娃粉、CuCl催化粉末、及純錫粉，其質(zhì)量 比例為:mSi :mCuCl :mSn = 50:2.5:0.002，石英反應(yīng)容器外部可均勻加熱、內(nèi)部安裝測溫?zé)?電偶和攬拌獎可W將物料攬勻，容器溫度250~400°C可調(diào)，容器底部可通入反應(yīng)原料氣體 氯甲燒，容器頂部可將合成混合物氣相導(dǎo)出，然后將反應(yīng)產(chǎn)物冷凝分離。反應(yīng)生成主要目標(biāo) 產(chǎn)物二甲基二氯硅烷及副產(chǎn)物少量的=甲基一氯硅烷、四甲基硅烷及其他多種氨氯硅烷。 用市售的濕法化Cl粉末與本實用新型實施例4所生產(chǎn)的化Cl粉末做對比試驗：
[0065] (1)，經(jīng)過適當(dāng)?shù)恼T導(dǎo)反應(yīng)后，市售CuCl的合成反應(yīng)開始溫度為315°C，而本實用新 型產(chǎn)品的合成反應(yīng)溫度為306°C ;
[0066] (2)，在360°C的催化反應(yīng)條件下，采用市售催化劑的Si轉(zhuǎn)化反應(yīng)速度為55g/h，合 成產(chǎn)物中二甲基二氯硅烷的含量57%，而采用本實用新型實施例4氯化亞銅粉末催化劑的 Si轉(zhuǎn)化率為71g/h，合成產(chǎn)物中二甲基二氯硅烷的含量為68%;說明本實用新型產(chǎn)品的催化 活性高、催化反應(yīng)選擇性、催化反應(yīng)的轉(zhuǎn)化效率均于市售產(chǎn)品。
[0067] 實施例9:
[0068] 在實施例7的基礎(chǔ)條件下，分別用實施例4、5、6條件下生產(chǎn)的化Cl粉末進(jìn)行合成試 驗對比，結(jié)果見表2。
[0069]表2 r0070I
[0071] *:觸體產(chǎn)率:單位重量觸體化g)(娃粉、催化劑、助劑)在單位時間內(nèi)化)合成產(chǎn)出 的混合甲基氯硅烷單體量(g)
[0072] 說明化Cl催化劑在氧化后能形成催化活性更高的化Cl/化2〇復(fù)合催化劑。
[0073] 本實用新型將CuCl原料進(jìn)行重烙、霧化、冷卻、內(nèi)置篩分、粉末收集、尾氣處理等流 程。在具體的實施過程中，本實用新型采用離屯、霧化技術(shù)，大幅度控制和減少了霧化介質(zhì)如 氮?dú)獾挠昧浚泊蠓葴p少了生產(chǎn)系統(tǒng)帶來的環(huán)保負(fù)擔(dān)。在離屯、霧化技術(shù)實施中，本實用新 型對霧化盤結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計，大幅度提高了霧化粉末的集中度和成品產(chǎn)率。在霧化實施 過程中，本實用新型可在烙融高溫條件下對CuCl催化劑進(jìn)行改性和活性激發(fā)，形成CuCl/ Cu2〇復(fù)合催化反應(yīng)體系，大幅度提高CuCl的催化活性和效率。本實用新型生產(chǎn)的產(chǎn)品可廣 泛應(yīng)用于催化合成工業(yè)。
[0074] W上所述的實施例只是本實用新型的一種較佳的方案，并非對本實用新型作任何 形式上的限制，在不超出權(quán)利要求所記載的技術(shù)方案的前提下還有其它的變體及改型。
【主權(quán)項】
1. 一種熔融霧化系統(tǒng)，其特征在于:包括依次連接的儲料桶（I)、輸送給料機(jī)(2)、熔化 爐(3)、霧化罐（IO)和篩分機(jī)構(gòu)（11)，熔化爐內(nèi)設(shè)有快速熔化裝置(4)和霧化中間包爐(5)， 霧化罐(IO )內(nèi)設(shè)有霧化盤(7 )，霧化中間包爐通過導(dǎo)流管(6 )與霧化盤(7 )連接，篩分機(jī)構(gòu)內(nèi) 置有篩網(wǎng)（12)，篩分機(jī)構(gòu)底部通過管路與成品包裝機(jī)（14)相連，該段管路上設(shè)有粉末出料 閥（13)，篩網(wǎng)上方通過收集管路與粗粉收集罐(15)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融霧化系統(tǒng)，其特征在于:快速熔化裝置和霧化中間包爐是 兩個獨(dú)立的爐子，或是含有兩部分加熱、共用一個爐體的爐子;篩分機(jī)構(gòu)是一臺外部篩分 機(jī)，或者是安裝在霧化罐末端或霧化罐內(nèi)的內(nèi)置篩分機(jī)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融霧化系統(tǒng)，其特征在于:霧化罐內(nèi)安裝有光照系統(tǒng)，霧化 盤的主體材料選用石英、剛玉、氧化鋯、銅材料。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融霧化系統(tǒng)，其特征在于:霧化罐配置冷卻機(jī)構(gòu)(8)，所述的 冷卻機(jī)構(gòu)是在霧化罐壁上設(shè)置的內(nèi)部容納冷卻介質(zhì)的雙層結(jié)構(gòu)，或者是在霧化罐的罐體內(nèi) 設(shè)置的盤管，或是這兩種結(jié)構(gòu)的組合。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔融霧化系統(tǒng)，其特征在于:霧化罐外設(shè)置一個用于對霧化氣 氛中氧濃度進(jìn)行控制的氣氛控制機(jī)構(gòu)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的霧化系統(tǒng)，其特征是霧化罐上設(shè)置光照系統(tǒng)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化系統(tǒng)，其特征在于:所述霧化盤的霧化拋射角為5~35度。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的霧化系統(tǒng)，其特征在于:霧化盤由高速馬達(dá)帶動轉(zhuǎn)動，高速馬 達(dá)的速度在6000~40000rpm范圍內(nèi)。
【文檔編號】B01J2/00GK205517602SQ201620218840
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年3月22日
【發(fā)明人】陳新國
【申請人】湖州慧金材料科技有限公司