專利名稱：一種大顆粒結(jié)晶設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及化工設(shè)備領(lǐng)域，具體來說涉及ー種結(jié)晶過程結(jié)晶設(shè)備。
背景技術(shù)：
在產(chǎn)品結(jié)晶過程過程中，晶體是否穩(wěn)定生長(zhǎng)直接影響產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。現(xiàn)有的結(jié)晶設(shè)備主要是在結(jié)晶槽內(nèi)進(jìn)行冷卻換熱，換熱面積有限，換熱器壁容易結(jié)垢，；由于攪拌器的存在，容易造成晶體二次成核使產(chǎn)品晶體顆粒大小不均；生產(chǎn)過程母液處理量大；設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜、清理難度大等不足。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述缺點(diǎn)而提供的ー種結(jié)晶效果好、節(jié)能、便于清理 的結(jié)晶設(shè)備。本實(shí)用新型的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體、過飽和母液進(jìn)料ロ、飽和母液溢流ロ、大顆粒晶體出料ロ和排污ロ ；過飽和母液進(jìn)料ロ沿切線方向安裝在槽體上。上述的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，其中母液溢流ロ與過飽和飽和母液進(jìn)料ロ安裝高差大于1500_ ;過飽和母液進(jìn)料ロ與大顆粒晶體出料ロ安裝高差大于100_。本實(shí)用新型使用時(shí)，過飽和母液從過飽和母液進(jìn)料ロ沿切線方向進(jìn)入槽體內(nèi)，利用流體動(dòng)カ攪拌，不另外増加攪拌器，節(jié)能效果顯著；飽和母液溢流ロ與過飽和母液進(jìn)料ロ安裝高差大于1500mm，利于晶體穩(wěn)定成長(zhǎng)，大顆粒結(jié)晶靠重力作用下沉，保證大顆粒晶體出料ロ出來的晶體全部為大顆粒，滿足高品質(zhì)產(chǎn)品需要；過飽和母液進(jìn)料ロ與大顆粒晶體出料ロ安裝高差大于100mm，避免過飽和母液中細(xì)微晶體排出；取消在結(jié)晶設(shè)備內(nèi)換熱，避免了結(jié)晶器結(jié)垢問題，使結(jié)晶設(shè)備能長(zhǎng)周期運(yùn)行，大幅提升產(chǎn)能；本大顆粒結(jié)晶設(shè)備采用母液循環(huán)使用，減少生產(chǎn)過程中的母液處理量。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有明顯的有益效果。從以上技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型因采用過飽和母液進(jìn)料ロ沿切線方向安裝在槽體上，充分利用流體動(dòng)カ進(jìn)行攪拌，取消攪拌器，節(jié)能效果顯著；飽和母液溢流ロ與過飽和母液進(jìn)料ロ安裝高差大于1500mm，保證了晶體穩(wěn)定生長(zhǎng)，保證產(chǎn)品質(zhì)量；結(jié)晶器內(nèi)不進(jìn)行換熱，換熱設(shè)備利用普通的列管式換熱器，槽內(nèi)不存在結(jié)垢問題，避免了結(jié)晶器結(jié)垢清理，大幅提升產(chǎn)能；母液循環(huán)使用，減少生產(chǎn)過程中的母液處理量。此外，本實(shí)用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)單，便于清理，性能可靠。

圖I為實(shí)用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖I、槽體，2、過飽和母液進(jìn)料ロ，3、飽和母液溢流ロ，4、大顆粒晶體出料ロ，5、排污□。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的大顆粒結(jié)晶設(shè)備具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步說明實(shí)施例I本實(shí)用新型的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體1，過飽和母液進(jìn)料ロ 2，飽和母液溢流ロ 3，大顆粒晶體出料ロ 4和排污ロ 5 ;過飽和母液進(jìn)料ロ 2沿切線方向安裝在槽體I上。飽和母液溢流ロ 3與過飽和母液進(jìn)料ロ 2安裝高差為1500mm。過飽和母液進(jìn)料ロ 2與大顆粒晶體出料ロ 4安裝高差為120mm。實(shí)施例2本實(shí)用新型的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體1，過飽和母液進(jìn)料ロ 2，飽和母液溢流ロ 3，大顆粒晶體出料ロ 4和排污ロ 5 ;過飽和母液進(jìn)料ロ 2沿切線方向安裝在槽體I上。飽和母液溢流ロ 3與過飽和母液進(jìn)料ロ 2安裝高差為1500mm。過飽和母液進(jìn)料ロ 2與大顆粒晶體出料ロ 4安裝高差為100mm。實(shí)施例3本實(shí)用新型的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體1，過飽和母液進(jìn)料ロ 2，飽和母液溢流ロ 3，大顆粒晶體出料ロ 4和排污ロ 5 ;過飽和母液進(jìn)料ロ 2沿切線方向安裝在槽體I上。飽和母液溢流ロ 3與過飽和母液進(jìn)料ロ 2安裝高差為1550mm。過飽和母液進(jìn)料ロ 2與大顆粒晶體出料ロ 4安裝高差為100mm。實(shí)施例4本實(shí)用新型的大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體1，過飽和母液進(jìn)料ロ 2，飽和母液溢流ロ 3，大顆粒晶體出料ロ 4和排污ロ 5 ;過飽和母液進(jìn)料ロ 2沿切線方向安裝在槽體I上。飽和母液溢流ロ 3與過飽和母液進(jìn)料ロ 2安裝高差為1580mm。過飽和母液進(jìn)料ロ 2與大顆粒晶體出料ロ 4安裝高差為110mm。
權(quán)利要求1.一種大顆粒結(jié)晶設(shè)備，其特征在于它包括槽體(I)、過飽和母液進(jìn)料口(2)、飽和母液溢流口(3)、大顆粒晶體出料口(4)和排污口(5);其中，過飽和母液進(jìn)料口(2)沿切線方向安裝在槽體(I)上。
2.如權(quán)利要求I所述的一種大顆粒結(jié)晶設(shè)備，其特征在于飽和母液溢流口(3)與過飽和母液進(jìn)料口(2)安裝高差大于1500mm。
3.如權(quán)利要求I所述的一種大顆粒結(jié)晶設(shè)備，其特征在于過飽和母液進(jìn)料口(2)與大顆粒晶體出料口(4)安裝高差大于100mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大顆粒結(jié)晶設(shè)備，它包括槽體(1)、過飽和母液進(jìn)料口(2)、飽和母液溢流口(3)、大顆粒晶體出料口(4)和排污口(5)；過飽和母液進(jìn)料口(2)沿切線方向安裝在槽體(1)上；飽和母液溢流口(3)與過飽和母液進(jìn)料口(2)安裝高差大于1500mm；過飽和母液進(jìn)料口(2)與大顆粒晶體出料口(4)安裝高差大于100mm。本實(shí)用新型結(jié)晶設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，減少結(jié)晶過程中二次成核，保證晶體穩(wěn)定生長(zhǎng)，利用流體動(dòng)力攪拌，節(jié)約能源，操作簡(jiǎn)單，母液處理量小，維護(hù)、清理方便。
文檔編號(hào)B01D9/02GK202506164SQ201220168620
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者商毅, 楊剛, 王權(quán)頂, 王邵東 申請(qǐng)人:甕福(集團(tuán))有限責(zé)任公司