專利名稱：電場(chǎng)電爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是涉及普通工業(yè)電爐的改進(jìn)。
目前國內(nèi)外所使用的工業(yè)電爐是將電能轉(zhuǎn)換成熱能，通過熱傳導(dǎo)、熱輻射、熱對(duì)流等形式，將被加熱物體加熱，使其達(dá)到預(yù)定的溫度，故存在加熱所需時(shí)間長，反應(yīng)速度慢，能耗也較大。
本實(shí)用新型的目的是提高化學(xué)反應(yīng)速度，降低能耗，節(jié)省時(shí)間，并使晶須材料沿電場(chǎng)方向定向生長。
本實(shí)用新型的目的可通過以下措施來實(shí)現(xiàn)，在普通工業(yè)電爐(1)的爐膛內(nèi)放入坩堝(2)，然后在爐膛內(nèi)坩堝(2)的外側(cè)設(shè)置一個(gè)正、負(fù)極板組成的高壓直流電場(chǎng)(3)。組成電場(chǎng)的正、負(fù)極板之形狀，可以是平板，也可以是弧形板，或是條狀板。正、負(fù)極板的材料，可以是金屬銅、鋁，也可以是非金屬石墨。
普通工業(yè)電爐(1)，也可以由燃料加熱爐，如油爐等來替代。
本實(shí)用新型在普通工業(yè)電爐的爐膛內(nèi)，設(shè)置了一個(gè)高壓直流電場(chǎng)(3)后，使坩堝(2)內(nèi)被加熱的試樣(4)處在高壓電場(chǎng)中，試樣在被加熱的同時(shí)受到電場(chǎng)力的作用，試樣發(fā)生極化現(xiàn)象，有利于試樣分子舊鍵的打開和新鍵的建立，也有利于氣體之間的化學(xué)反應(yīng)，從而降低了化學(xué)反應(yīng)活化能，提高了反應(yīng)速度，也降低了合成溫度，縮短了合成時(shí)間，并使晶須材料沿電場(chǎng)方向定向生長，達(dá)到省時(shí)和節(jié)能的效果。


如下圖1為電場(chǎng)電爐的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖2為圖1去除爐蓋后的俯視圖。
1-普通工業(yè)電爐，2-坩堝，3-電場(chǎng)，4-試樣。
本實(shí)用新型將結(jié)合附圖作進(jìn)一步描述，把普通工業(yè)電爐(1)的爐蓋打開，將已放入被加熱試樣(4)的坩堝(2)放進(jìn)電爐爐膛中，在坩堝(2)的外側(cè)插入正、負(fù)極板組成的電場(chǎng)(3)，關(guān)閉爐蓋。輸入惰性氣體去除爐內(nèi)的空氣后，對(duì)電爐供電，待爐溫升到一定溫度后，對(duì)電場(chǎng)的正、負(fù)極板通電。經(jīng)過一定時(shí)間后，電爐和電場(chǎng)同時(shí)斷電。待爐溫下降后，停止輸氣，打開爐蓋，取出坩堝，并從坩堝內(nèi)取出試樣。
權(quán)利要求1.一種由普通工業(yè)電爐改進(jìn)的電場(chǎng)電爐，具有普通工業(yè)電爐(1)，爐膛內(nèi)放入坩堝(2)，其特征是在電爐爐膛內(nèi)的坩堝的外側(cè)設(shè)置一個(gè)由正、負(fù)極板組成的高壓直流電場(chǎng)(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)電爐，其特征是所說的電場(chǎng)(3)之正、負(fù)極板是平板，也可以是弧形板，或者是條狀板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電場(chǎng)電爐，其特征是所說的電場(chǎng)(3)之正、負(fù)極板的材料是金屬銅、鋁，也可以是非金屬石墨。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)電爐，其特征是所說的普通工業(yè)電爐(1)，也可以是燃料加熱爐。
專利摘要一種由普通工業(yè)電爐改進(jìn)的電場(chǎng)電爐,具有普通工業(yè)電爐(1)、,爐膛內(nèi)放入坩堝(2),其特征是在坩堝外側(cè)設(shè)置一個(gè)由正、負(fù)極板組成的高壓直流電場(chǎng)(3),其優(yōu)點(diǎn)是坩堝內(nèi)的試樣(4)被電爐加熱的同時(shí)受到電場(chǎng)力的作用,試樣發(fā)生極化現(xiàn)象,有利于分子舊鍵打開和建立新鍵,也有利于氣體之間的反應(yīng),降低化學(xué)反應(yīng)活化能,提高反應(yīng)速度,降低合成溫度,縮短合成時(shí)間,促進(jìn)晶須材料定向生長,達(dá)到省時(shí)、節(jié)能之效果。
文檔編號(hào)F27B14/00GK2312435SQ9723230
公開日1999年3月31日 申請(qǐng)日期1997年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月20日
發(fā)明者戴長虹, 藺玉勝, 楊靜漪, 李鎮(zhèn)江, 趙茹 申請(qǐng)人:戴長虹