一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其主要是為了提供一種持久耐用的電子元器件的承燒板結(jié)構(gòu)，提高流水線生產(chǎn)的生產(chǎn)效率，提高產(chǎn)品的合格率和生產(chǎn)質(zhì)量，一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層，在碳化硅層的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，硫檸鎂材料層的厚度為0.4～0.6mm，氧化鋯層的厚度為0.7mm，本實用新型簡單使用，有效的提高了承燒板的使用壽命，提高了承燒板的剛度等級。
【專利說明】一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)。【背景技術(shù)】
[0002]在電子元器件的生產(chǎn)過程中，特別是高檔的鐵氧磁體的燒制過程中，必須要用到承燒板結(jié)構(gòu)，由于高檔的鐵氧磁體在燒制過程中容易出現(xiàn)溫差和變形，所以需要在其承燒板的表面覆蓋一層質(zhì)地均勻，受熱變形影響低的材料，現(xiàn)在在生產(chǎn)過程中，有些企業(yè)通過在承燒板的表面覆蓋一層氧化鋯層來進(jìn)行高檔的鐵氧磁體的燒制，且其燒制效果明顯，然而承燒板的生產(chǎn)環(huán)境畢竟是在高溫下生產(chǎn)，隨著生產(chǎn)的自動化和流水線工作，承燒板也容易因為高溫而發(fā)生細(xì)微的形變，這樣一來，會對高檔氧磁體的生產(chǎn)產(chǎn)生一定的影響，影響其加工的產(chǎn)品質(zhì)量。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實用新型的發(fā)明目的:
[0004]主要是提供一種持久耐用的電子元器件的承燒板結(jié)構(gòu)，提高流水線生產(chǎn)的生產(chǎn)效率，提高產(chǎn)品的合格率和生產(chǎn)質(zhì)量。
[0005]本實用新型的技術(shù)方案為:
[0006]—種氧化錯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化娃層，在碳化娃層的外表面包裹覆蓋有硫朽1鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，硫朽1鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
[0007]本實用新型的有益效果是:
[0008]有效的提高了承燒板的使用壽命，提高了承燒板的剛度等級，使其不容易發(fā)生變形。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中，I為碳化硅層，2為硫檸鎂材料層；3為氧化鋯層；4為支撐體。
【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做出詳細(xì)的描述。
[0012]如圖1所述，提供了 一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層I，在碳化硅層I的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層2，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層3，在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體4，且支撐體4的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處，這樣一來使得承燒板在高溫下更不容易發(fā)生形變，為了節(jié)約對生產(chǎn)成本的控制，硫朽1鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，包括碳化硅層，其特征是:在碳化硅層的外表面包裹覆蓋有硫檸鎂材料層，在硫檸鎂材料層的最上表面設(shè)置有氧化鋯層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其特征是:在碳化硅層沿豎直方向設(shè)置有圓柱形的支撐體，且支撐體的個數(shù)最少為3個，其分別布置在碳化硅層的中間和兩端位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋯承燒板結(jié)構(gòu)，其特征是:硫檸鎂材料層的厚度為0.4?0.6mm,氧化錯層的厚度為0.7mm。
【文檔編號】F27D5/00GK203758273SQ201420150463
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】梁國慶, 梁坤, 霍天才 申請人:焦作市科力達(dá)科技有限公司