專利名稱:基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及為了制造例如光盤那樣的平板狀記錄介質(zhì)、而對成型 的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù):
光盤或磁光盤等的光學(xué)讀取式的圓盤形記錄介質(zhì)不僅專門用于播 放,也可廣泛用于改寫所記錄的信息。為了保護(hù)形成在基板上的記錄 面或通過記錄面的多層化實(shí)現(xiàn)高密度記錄,通過相互粘合基板來制造 該記錄介質(zhì)。
例如如下所述地制造這樣的記錄介質(zhì)。即,對兩張聚碳酸酯制的 基板進(jìn)行注射模塑成型,在濺射室通過噴濺形成金屬膜。然后通過旋 轉(zhuǎn)涂敷將紫外線硬化型的粘合劑涂敷在兩張基板的接合面上。將涂敷 了粘合劑的一對基板插入真空室,在真空中粘合相互的粘合劑面。將 相互粘合后的基板從真空室中取出到大氣壓下,通過向其照射紫外線 使粘合劑硬化。通過這樣將兩張基板牢固地粘合,完成光盤。
但是,如果在粘合前的基板上存在彎曲或變形等,則如上所述地 制造的光盤的粘合層的厚度等將不均勻,在用于讀寫信息的激光照射 在光盤上時,有可能不能準(zhǔn)確地到達(dá)記錄面的規(guī)定位置。因此,在該 光盤用的基板上,排除成形后產(chǎn)生的彎曲或變形對于確保產(chǎn)品穩(wěn)定的 質(zhì)量是非常重要的。
例如,連續(xù)注射模塑成型的基板在剛成型后溫度高、容易變形。 因此,在之后的工序中在利用旋轉(zhuǎn)涂敷形成粘合層時,通過放置基板 等隔一段時間后進(jìn)行處理來抑制變形。但是,由于各基板的溫度不同, 因此不能得到最適當(dāng)?shù)姆胖脮r間,由此導(dǎo)致最終產(chǎn)品的成品率下降。
為了解決該問題,提出了如專利文獻(xiàn)l所述的通過鼓風(fēng)強(qiáng)制冷卻
多個基板的技術(shù)、和如專利文獻(xiàn)2所述的一面旋轉(zhuǎn)基板一面鼓風(fēng)進(jìn)行
高效率冷卻的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1:特開2000-137931號公報 專利文獻(xiàn)2:特開平5-109126號7>才艮
但是,在只利用鼓風(fēng)的冷卻中,空氣不能均勻地碰到各基板,結(jié) 果產(chǎn)生溫度的不均勻。并且,在使基板本身旋轉(zhuǎn)的方式中,由于離心 作用或中心振擺,向基板施加過度的力,有可能產(chǎn)生變形,因此影響 傾斜(f 乂"卜)。
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有的技術(shù)問題而提出的方案,其目的 是提供一種不受放置時間的左右、不向基板施加過度的力就可進(jìn)行均 勻處理的基板處理裝置。
發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的基板處理裝置,具有保持基板的保 持部以及設(shè)置在基板的附近的整流部,所述基板由所述保持部保持, 其特征在于,所述整流部具有至少與基板的一方的面接近、相對的 相對部;和導(dǎo)入部,該導(dǎo)入部將處理用介質(zhì)導(dǎo)入由所述保持部以不錄_ 轉(zhuǎn)的方式保持的所述基板和所述相對部之間。
在上述的發(fā)明中,從導(dǎo)入部導(dǎo)入的介質(zhì)向被保持成不旋轉(zhuǎn)的基板 和與其接近的相對部之間流通,由此可高效率地對基板進(jìn)行均勻的處理。
其它方式的特征是,所述整流部具有使所述相對部旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部。 在以上的方式中,通過使相對部旋轉(zhuǎn),可使處理用介質(zhì)均勻地遍
布基板的表面。
其它方式的特征是,在所述相對部上形成隆起部或槽部。 在以上的方式中,通過相對部的隆起部或槽部,可促進(jìn)介質(zhì)的流
動、進(jìn)行高效率的處理。
其它方式的特征是,所述相對部設(shè)置在基板的兩面?zhèn)取?在以上的方式中,通過從基板的兩面?zhèn)冗M(jìn)行處理,可以以更短的
時間進(jìn)行均勻的處理。
其它方式的特征是,在所述相對部上設(shè)置在基板的周緣附近與基
板的間隔變窄的突出部。
在以上的方式中,流入相對部和基板之間的介質(zhì)在因突出部而與 基板的間隔變窄的部位流速提高,因此可加速處理。
其它方式的特征是,在所述整流部設(shè)置冷卻所述相對部的冷卻裝置。
在以上的方式中由于冷卻相對部,因此冷卻性能提高,同時,可 進(jìn)行進(jìn)一步均勻的冷卻。
其它方式的特征是,在所述整流部設(shè)置加熱所述相對部的加熱裝置。
在以上的方式中,由于加熱相對部,因此,加熱性能提高,同時, 可進(jìn)行進(jìn)一步均勻的加熱。尤其是在使基板上的涂敷物干燥時等,既 可防止基板的變形又可進(jìn)行均勻的處理,可縮短干燥時間。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明,可提供不受放置時間的左右、不向基板 施加過度的力就可進(jìn)行均勻處理的基板處理裝置。
圖l是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式的縱剖視圖。
圖2是表示圖1的實(shí)施方式的相對部的仰視圖。 圖3是表示圖1的實(shí)施方式的冷卻室的設(shè)置例的縱剖視圖。 圖4是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在基板的兩面設(shè)置相對部) 的縱剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在相對部形成突出部)的縱 剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在轉(zhuǎn)臺上設(shè)置相對部)的正 視圖。
圖7是圖6的側(cè)視圖。
圖8是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的相對部的凸片的縱剖視圖。 圖9是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式(在相對部設(shè)置冷卻裝置)的 縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下,參照附圖就本發(fā)明的最佳實(shí)施方式(以下稱為實(shí)施方式) 進(jìn)行具體說明。 [構(gòu)成l
首先參照圖1至3說明本實(shí)施方式的構(gòu)成。另外,本實(shí)施方式是 使注射模塑成型的基板冷卻固化的裝置,注射模塑成型機(jī)以及將基板 搬入搬出的輸送裝置等可使用眾所周知的所有技術(shù),因此省略說明。
即,如圖1所示,本實(shí)施方式具有載置基板l的保持部2和接近 基板1設(shè)置的整流部3。保持部2是搭載注射模塑成型后的基板1的 機(jī)構(gòu),設(shè)置通過插入基板1的中心孔來保持基板1的銷21。
整流部3由可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的板31和使該板31旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部(無 圖示)構(gòu)成。板31具有向中央導(dǎo)入冷卻氣體G的導(dǎo)入部32以及以覆 蓋基板1的一方的面的方式相對的相對部33。如圖2所示,相對部33 的結(jié)構(gòu)是在平坦的面上放射狀地設(shè)置隆起的凸片34。
如圖3所示,在冷卻室4內(nèi)以使板31的旋轉(zhuǎn)軸形成水平的方式并 列設(shè)置多個上述的保持部2和整流部3。在該冷卻室4內(nèi)設(shè)置與冷卻 氣體供給源(無圖示)連接的供氣部41和排出冷卻氣體G的排氣部 42。
[作用
就具有上述構(gòu)成的本實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。即,將在注射模 塑成型機(jī)中成型、被輸送裝置輸送來的基板l導(dǎo)入冷卻室4內(nèi),通過 將銷21插入其中心孔,將基板1保持在保持部2上。從供氣部41向 冷卻室4內(nèi)供給冷卻氣體G,同時,板31通過驅(qū)動部進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
這樣,如圖1所示,冷卻氣體G從導(dǎo)入部32流入,冷卻氣體G 沿著基板l的表面從中心側(cè)向著外側(cè)流動。該流動由于在與接近基板 1的板31的相對部33之間是均勻的,因此,可均勻地冷卻基板l。
[效果
根據(jù)以上的本實(shí)施方式,由于不僅是從外部噴射氣體的冷卻,而 且通過板31使冷卻氣體G沿著各基板1流通,因此可均勻地冷卻基 板l。尤其是,由于形成有凸片34的板31進(jìn)行旋轉(zhuǎn),因此可使冷卻氣體G均勻地遍布基板1的表面。而且,由于對每一個基板l進(jìn)行均 勻的強(qiáng)制冷卻,因此,不會產(chǎn)生因放置時間而引起的不均勻。
這樣,可連續(xù)地將多個基板l冷卻到一定的溫度,不影響粘合后 的粘合層的厚度,因此成品率提高。并且,不需要為了確保放置時間 而延長的輸送路徑等的區(qū)域,因此,裝置整體可實(shí)現(xiàn)小型化。而且, 由于不是使基板l本身旋轉(zhuǎn),因此可防止因基板l的變形而引起的傾 斜。
[其它實(shí)施方式
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施方式。例如,如圖4所示,也可設(shè) 置一對整流部3,以覆蓋基板l的兩面。通過這樣,可從基板l的兩 面均勻地冷卻。同時處理的基板數(shù)量也不局限于上述實(shí)施方式中所示 的數(shù)量。即,保持部和整流部的設(shè)置數(shù)量是任意的,可以是一個,也 可以是多個。例如,如圖5所示,也可以不i殳置冷卻室、只通過一組 保持部2和整流部3構(gòu)成。并且,如圖6和圖7所示,也可以在轉(zhuǎn)臺 T上設(shè)置多組保持部2和整流部3。
在相對部的表面和基板的表面的間隔變窄的部位,冷卻氣體因文 丘里效果而流速加快。如圖1以及圖4所示,尤其是相對部33的表面 的氣體分子被板31的旋轉(zhuǎn)吸引,產(chǎn)生朝向外周的旋渦狀的氣流,而且, 在圓周附近,由于與基板l的間隔變窄(參照圖1、圖4),因此通過 由穿過比入口窄的出口的氣流產(chǎn)生的文丘里效果,其流速加快,因此, 加速了處理。為了積極地利用該文丘里效果,如圖5所示,也可以在 相對部33的圓周附近,圓環(huán)形地連續(xù)或以規(guī)定的間隔設(shè)置多個與基板 1的間隔變窄的突出部35。
并且,在上述實(shí)施方式中,在相對部形成凸片,但只要是可使冷 卻氣體遍布基板表面的形狀,任何形狀都可以。其數(shù)量也是任意的。 例如,可設(shè)置放射狀的槽,也可以是同心圓狀的隆起部或槽部、旋渦 狀的隆起部或槽部等。如圖8所示,也可以設(shè)置如同漸開線(離心式) 泵的形狀的凸片、加速氣流。隆起部可以是平板狀的、也可以是突起 狀的,槽部可以是凹陷、也可以是孔。也可以對相對部的表面進(jìn)行加
工,使其粗糙或起伏。而且,不一定需要使整流部旋轉(zhuǎn)。如果產(chǎn)生將 冷卻氣體向?qū)氩繉?dǎo)入的氣流,則即使相對部停止,也可以得到使冷 卻氣體均勻地遍布的效果。
并且,如圖9所示,也可在整流部3的附近設(shè)置冷卻裝置5,通 過冷卻板31自身來提高冷卻效果。也可將冷卻裝置設(shè)置在板自身上。 并且,冷卻氣體的種類可考慮各種惰性氣體或空氣等,但沒有特別限 制。
而且,由于對于基板的處理不局限于冷卻,因此,所導(dǎo)入的介質(zhì) 也是任意的。例如,可通過導(dǎo)入加熱氣體,對基板進(jìn)行均勻的加熱, 也可通過導(dǎo)入離子氣體對基板進(jìn)行均勻的防止靜電處理。根據(jù)情況, 即使將例如圖9的冷卻裝置5作為加熱裝置,也可提高加熱能力。也 可在板本身上設(shè)置加熱裝置。
這樣,作為加熱的情況下的用途以干燥處理為例。例如,為了干 燥旋轉(zhuǎn)涂敷在基板上的色素而使用本發(fā)明,通過利用加熱氣體或加熱 裝置的雙方或一方,與冷卻的情況相同,既可防止基板的變形又可對 每個基板無偏差地進(jìn)行均勻的處理,也可縮短干燥時間。
關(guān)于基板,其大小、形狀以及材質(zhì)等是任意的,可適用于將來采 用的任何基板。因此,不僅適用于作為記錄介質(zhì)的光盤,也可適用于 液晶或有機(jī)EL用的基板等任何基板。即,權(quán)利要求中所述的"基板" 的概念不局限于圓盤狀等,也廣泛地包括平面狀的產(chǎn)品。因此,關(guān)于 保持部的保持方法,并不局限于保持中心孔的形態(tài),也可以是一面吸 附保持一方的面、 一面把持邊緣的形態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具有保持基板的保持部、以及設(shè)置在由所述保持部保持的基板附近的整流部,所述整流部具有至少與基板的一方的面接近、相對的相對部;和導(dǎo)入部,該導(dǎo)入部將處理用介質(zhì)導(dǎo)入由所述保持部以不旋轉(zhuǎn)的方式保持的所述基板和所述相對部之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述整流部 具有使所述相對部旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述相對 部上形成隆起部或槽部。
4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述相對部 設(shè)置在基板的兩面?zhèn)取?br>
5. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述相對 部上設(shè)置在基板的周緣附近與基板的間隔變窄的突出部。
6. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述整流 部設(shè)置冷卻所述相對部的冷卻裝置。
7. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在所述整流 部設(shè)置加熱所述相對部的加熱裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不受放置時間的左右、不向基板施加過度的力就可進(jìn)行均勻處理的基板處理裝置。其具有保持成型后的基板(1)的保持部(2)以及設(shè)置在被保持在保持部(2)上的基板(1)附近的整流部(3)。整流部(3)具有與基板(1)的一方的面接近相對的相對部(33)、將冷卻氣體(G)導(dǎo)入相對部(33)和基板(1)之間的導(dǎo)入部(32)以及使相對部(33)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部。在相對部(33)上形成凸片(34)。
文檔編號B29L17/00GK101341537SQ20078000087
公開日2009年1月7日 申請日期2007年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月1日
發(fā)明者瀧澤洋次, 西垣壽 申請人:芝浦機(jī)械電子裝置股份有限公司