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一種硅片插片機用分片機構(gòu)的制作方法

文檔序號:8745403閱讀:1537來源:國知局
一種硅片插片機用分片機構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種硅片插片機用分片機構(gòu),屬于太陽能電池片制備附屬設備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]21世紀以來,全球能源消費急劇攀升,傳統(tǒng)化石能源日益枯竭,能源問題和環(huán)境問題逐漸成為全球關(guān)注的兩大重點問題。迫于可持續(xù)發(fā)展的壓力,各主要國家紛紛將太陽能光伏產(chǎn)業(yè)列入可再生能源開發(fā)利用的重點。伴隨著我國成為世界第二經(jīng)濟體,2013年10月,中國10月石油進口量達到每日630萬桶,超過美國的每日624萬桶,首次取代美國成為全球最大石油凈進口國。2013年,中國石油和天然氣的對外依存度分別達到58.1%和31.6%,中國已成為全球第三大天然氣消費國。傳統(tǒng)化石能源已越來越難以滿足我國國民經(jīng)濟的旺盛需求。在過去的20年中全球大約有75%左右的人為二氧化碳排放量來源于化石燃料燃燒。因此,不管是從低碳環(huán)保的能源發(fā)展角度,還是順應我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級與轉(zhuǎn)型壓力,我國必須加快發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)。
[0003]太陽能屬于清潔可再生能源。根據(jù)歐盟委員會提出的“歐洲可再生能源技術(shù)戰(zhàn)略計劃”,到2020年,太陽能將占歐盟電力需求的15%。2010年,美國能源部制定規(guī)劃,計劃到2030年,太陽能占總能源消費量的10%?15%。從世界范圍內(nèi)的太陽能和潮汐能合計凈發(fā)電量看,中國為30億千瓦時,德國為190億干瓦時,意大利為107億干瓦時,西班牙為91億千瓦時,日本為38億千瓦時。未來我國水電增長空間有限,核能存在不安全因素?;茉词芄?jié)能減排約束成本將上升,太陽能光伏發(fā)電的市場前景廣闊。
[0004]單晶硅片的加工包括單晶硅棒先開方,再切片,多晶硅片的加工包括多晶硅錠切害J,再切片,準單晶硅片的加工包括準單晶硅錠切割,再切片??偠灾?,切片是晶體硅太陽能電池片加工工藝中必不可少的工藝之一。切片后得到的硅片層疊在一起,需要分片后插入硅片承載盒中進行運輸,由于硅片具有薄、脆的特點,因此分片、插片的難度很大。
[0005]公開號為CN103681968A的發(fā)明專利申請,公開了一種娃片自動插片機,其米用吸盤抓取硅片以進行分片、插片,由于吸盤抓取硅片的動作為不連續(xù)的操作,因此存在效率低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實用新型目的是提供一種硅片插片機用分片機構(gòu)。
[0007]為達到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種硅片插片機用分片機構(gòu),包括第一輸送帶、第二輸送帶、儲片盒和吹氣口 ;所述第一輸送帶與第二輸送帶上下間隔設置,所述第一輸送帶位于所述第二輸送帶的上方,且所述第一輸送帶的第一端的投影位于所述第二輸送帶上,所述儲片盒對應所述第一輸送帶的第二端設置,所述儲片盒內(nèi)設有硅片上下移動驅(qū)動裝置;所述吹氣口位于所述第一輸送帶的下方,吹氣方向朝向所述儲片盒設置;所述儲片盒內(nèi)容納有水。
[0008]優(yōu)選的技術(shù)方案:所述吹氣口通過管路與一供氣裝置連通。
[0009]優(yōu)選的技術(shù)方案:所述第一輸送帶傾斜設置。
[0010]由于上述技術(shù)方案運用,本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:
[0011]本實用新型采用第一輸送帶和吹氣口共同作用將堆垛的硅片分開,具有分片效率尚的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0012]附圖1為娃片插片機不意圖。
[0013]附圖2為附圖1的A部放大圖。
[0014]附圖3為第一輸送帶和第二輸送帶關(guān)系示意圖。
[0015]以上附圖中:1、第一輸送帶;2、第二輸送帶;3、驅(qū)動電機;4、吹氣口。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0017]須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下,均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0018]實施例:一種娃片插片機用分片機構(gòu)
[0019]參見附圖1?3所示,一種硅片插片機用分片機構(gòu),包括第一輸送帶1、第二輸送帶2、儲片盒和吹氣口 3 ;所述第一輸送帶I傾斜設置,且所述第一輸送帶I與第二輸送帶2上下間隔設置;所述第一輸送帶I位于所述第二輸送帶2的上方,且所述第一輸送帶I的第一端的投影位于所述第二輸送帶2上,所述儲片盒對應所述第一輸送帶I的第二端設置,所述儲片盒內(nèi)設有硅片上下移動驅(qū)動裝置;所述吹氣口 4位于所述第一輸送帶I的下方,吹氣方向朝向所述儲片盒設置;所述儲片盒內(nèi)容納有水。所述吹氣口 4通過管路與一供氣裝置連通。
[0020]第一輸送帶I的驅(qū)動軸和第二輸送帶的驅(qū)動軸與同一個驅(qū)動電機3驅(qū)動連接,驅(qū)動連接具體采用帶傳動的方式。硅片上下移動驅(qū)動裝置可以為絲杠螺母機構(gòu),堆垛的硅片放置在一平臺上,該平臺下作用有絲杠螺母機構(gòu),該絲杠螺母機構(gòu)由步進電機驅(qū)動。第一輸送帶共有兩端,位于第二輸送帶上方的一端稱之為第一端,位于儲片盒上方的一端稱之為弟~*立而O
[0021]工作方法:向儲片盒內(nèi)充水,也可以采用其它種類的液體替代水,但是以不損害和不影響硅片的后續(xù)加工為宜。然后將堆垛的硅片放置在儲片盒內(nèi)的硅片上下移動驅(qū)動裝置的平臺上,然后啟動硅片上下移動驅(qū)動裝置即步進電機,使硅片上移直至堆垛的硅片的頂層的第一片硅片接觸到第一輸送帶I的第二端的下側(cè)面,然后啟動驅(qū)動電機以驅(qū)動第一輸送帶I和第二輸送帶2轉(zhuǎn)動。當硅片接觸到第一輸送帶的第二端的下側(cè)面時,由于第一輸送帶的轉(zhuǎn)動,且硅片的表面存在有水,因此硅片的一端利用水的粘結(jié)力和第一輸送帶轉(zhuǎn)動的慣性而吸附固定在第一輸送帶的下表面,這樣與第一輸送帶接觸的硅片與其下的硅片之間會產(chǎn)生縫隙,吹氣口則朝著縫隙吹氣,使與第一輸送帶接觸的硅片與其下的硅片徹底分開,分開后的硅片利用第一輸送帶的轉(zhuǎn)動的慣性和水的粘結(jié)力,硅片由第一輸送帶的第二端向輸送帶的一端移動,該移動是在第一輸送帶的下側(cè)面進行。當移動到第一輸送帶的第一端端部時,則落至第二輸送帶上表面,由第二輸送帶將硅片送出以實現(xiàn)分片操作。
[0022]上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種硅片插片機用分片機構(gòu),其特征在于:包括第一輸送帶、第二輸送帶、儲片盒和吹氣口 ;所述第一輸送帶與第二輸送帶上下間隔設置,所述第一輸送帶位于所述第二輸送帶的上方,且所述第一輸送帶的第一端的投影位于所述第二輸送帶上,所述儲片盒對應所述第一輸送帶的第二端設置,所述儲片盒內(nèi)設有硅片上下移動驅(qū)動裝置;所述吹氣口位于所述第一輸送帶的下方,吹氣方向朝向所述儲片盒設置;所述儲片盒內(nèi)容納有水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片插片機用分片機構(gòu),其特征在于:所述吹氣口通過管路與一供氣裝置連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片插片機用分片機構(gòu),其特征在于:所述第一輸送帶傾斜設置。
【專利摘要】一種硅片插片機用分片機構(gòu),包括第一輸送帶、第二輸送帶、儲片盒和吹氣口;所述第一輸送帶與第二輸送帶上下間隔設置,所述第一輸送帶位于所述第二輸送帶的上方,且所述第一輸送帶的第一端的投影位于所述第二輸送帶上,所述儲片盒對應所述第一輸送帶的第二端設置,所述儲片盒內(nèi)設有硅片上下移動驅(qū)動裝置;所述吹氣口位于所述第一輸送帶的下方,吹氣方向朝向所述儲片盒設置;所述儲片盒內(nèi)容納有水。本實用新型采用第一輸送帶和吹氣口共同作用將堆垛的硅片分開,具有分片效率高的優(yōu)點。
【IPC分類】B65H3-46, B65H3-04
【公開號】CN204453919
【申請?zhí)枴緾N201520108930
【發(fā)明人】邱文良
【申請人】蘇州博陽能源設備有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年2月13日
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